專利名稱：在集成電路器件的大馬士革銅工藝中電容器制造的方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是針對(duì)集成電路和半導(dǎo)體器件的制造工藝。更具體地講，本發(fā)明提供了一種使用半導(dǎo)體器件制備中的雙大馬士革(damascene)銅工藝制作金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法及其結(jié)構(gòu)。比如說(shuō)，本發(fā)明可以應(yīng)用于各種器件中，如混合信號(hào)、模擬電路，信號(hào)處理器、微處理器和其他器件。但必須意識(shí)到，本發(fā)明有更廣闊的應(yīng)用范圍。
背景技術(shù)：
集成電路或“IC”從在硅的單芯片上制造幾個(gè)互聯(lián)器件逐漸發(fā)展到在單芯片上制造成百萬(wàn)的器件。當(dāng)前的集成電路提供的性能和復(fù)雜性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)原來(lái)的想象。為了在芯片的復(fù)雜性和集成度(一定芯片面積上所含器件的數(shù)量)上有所提高，每一代IC的最小器件線寬的尺寸，也稱為器件的“幾何尺寸”，都在逐漸變小?，F(xiàn)今制造的半導(dǎo)體器件的線寬已經(jīng)小于0.25微米。
增加的電路集成度不僅提高了集成電路的復(fù)雜度和性能，而且還能為客戶降低成本。一個(gè)集成電路生產(chǎn)設(shè)備通常價(jià)值上億美金甚至幾十億美金。每個(gè)生產(chǎn)設(shè)備都有一定的晶圓片生產(chǎn)能力，每個(gè)晶圓片其上只能容納一定數(shù)量的集成電路。所以，如果把集成電路的單個(gè)器件做得更小，單個(gè)晶圓片上就能制造更多器件，這樣，就能增加生產(chǎn)設(shè)備的產(chǎn)量。但是制造更小的器件非常具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)榧呻娐分圃熘惺褂玫拿康拦に嚩加幸粋€(gè)極限值。也就是說(shuō)，一道給定的工藝通常只能使器件減小到一定的線寬尺寸，然后就需要要么改變工藝，要么改變器件布局。一個(gè)普遍的限制就是如何以有效的、精確的方式使用傳統(tǒng)的工藝流程來(lái)集成一定的器件。
電容器結(jié)構(gòu)已經(jīng)集成到各種集成電路制造工藝流程中。這種電容器結(jié)構(gòu)往往是需要將一塊電容器極板通過(guò)電容器介電層耦合到另一塊極板。在兩極板之間施加電勢(shì)差，從而給電容器充電。這些電容器結(jié)構(gòu)經(jīng)常需要用高效緊湊的方式得到高電容值。很不幸，在不影響電容器結(jié)構(gòu)提供的電容器值的情況下，很難把電容器做得更小更緊湊。本說(shuō)明書(shū)通篇描述了這些限制以及其他的限制，并且以下將作更具體的描述。因此，一種高效、高精確度的制造半導(dǎo)體器件的改良技術(shù)為人們所希望。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法及其所得的器件結(jié)構(gòu)。更具體地，本發(fā)明提供了一種使用制造半導(dǎo)體器件中的雙大馬士革銅工藝來(lái)形成金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還具有廣闊的應(yīng)用范圍。具體地，本發(fā)明可以用于各種器件，如混合信號(hào)、模擬信號(hào)、信號(hào)處理器、微處理器以及其他器件。
在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種形成用于諸如混合信號(hào)這樣的集成電路器件的金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的方法。本方法包括形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，其中所述結(jié)構(gòu)具有包括銅材料的第一導(dǎo)電部分，通過(guò)介電材料所述第一導(dǎo)電部分與第二導(dǎo)電部分隔開(kāi)。第二導(dǎo)電部分在介電材料下通過(guò)第三導(dǎo)電部分耦合到第一導(dǎo)電部分。第一導(dǎo)電部分、介電材料和第二導(dǎo)電部分一起形成相對(duì)于第三導(dǎo)電部分的充分平坦的表面。第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分通過(guò)第三導(dǎo)電部分耦合，從而形成第一極板。
本方法選擇性地去除第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分之間的介電材料，以形成由第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分確定的開(kāi)放區(qū)域。本方法還在開(kāi)放區(qū)域內(nèi)形成絕緣層，從而確定電容器介電層。本方法還在絕緣層上形成高于充分平坦的表面的銅層，以形成第二極板。本方法還平坦化銅層來(lái)確定第二極板。
在另一優(yōu)選的實(shí)施例中，本發(fā)明提供了具有例如MIM這樣的電容器結(jié)構(gòu)的集成電路器件。這種集成電路器件具有半導(dǎo)體襯底和雙大馬士革結(jié)構(gòu)，所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)疊加在所述半導(dǎo)體襯底上。具體地，所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)具有包括銅材料的第一導(dǎo)電部分，所述第一導(dǎo)電部分耦合到包括銅材料的第二導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分之間確定了一區(qū)域。在所述區(qū)域下的第三導(dǎo)電部分耦合到第二導(dǎo)電部分和第一導(dǎo)電部分。這里，“下面的”僅起描述的作用，與重力方向無(wú)關(guān)。
所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)還具有相對(duì)于第三導(dǎo)電部分形成的充分平坦的表面。所述充分平坦的表面包括第一導(dǎo)電部分的一部分和第二導(dǎo)電部分的一部分。電容器的第一極板至少由第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分和第三導(dǎo)電部分形成。器件具有形成在第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分之間的區(qū)域的一部分中的開(kāi)口。電容器絕緣層形成在所述區(qū)域中的所述開(kāi)口內(nèi)。平坦化的銅層疊加在絕緣層上。所述平坦化的銅層與充分平坦的表面大約等高。第二極板由所述平坦化的銅層的一部分形成。
通過(guò)本發(fā)明可以獲得許多優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。例如，本發(fā)明更容易使用傳統(tǒng)技術(shù)的工藝。在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，本發(fā)明僅使用單個(gè)掩模層來(lái)形成MIM電容器結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明提供了增加電容的三維結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，本發(fā)明可用于各種應(yīng)用，例如混合信號(hào)和其他設(shè)備。根據(jù)實(shí)施例，可以獲得一個(gè)或多個(gè)這些好處。在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中詳細(xì)地描述了這些以及其他優(yōu)點(diǎn)。
參考以下詳細(xì)的描述和附圖，可以更充分地理解本發(fā)明的各種另外的目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1A和圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的用于集成電路器件的完整電容器結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化橫截面圖；和圖2-5是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例說(shuō)明制作電容器結(jié)構(gòu)的方法的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了用于制造半導(dǎo)體器件的多種技術(shù)。具體地，本發(fā)明使用半導(dǎo)體器件制造中的雙大馬士革銅工藝制造金屬-絕緣體-金屬(MIM)的方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在半導(dǎo)體制造中具有廣泛的應(yīng)用范圍。而且，本發(fā)明可以應(yīng)用于各種器件，如信號(hào)處理器、微處理器和其他器件。
圖1A和1B示出了本發(fā)明的其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。圖1A是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的用于集成電路器件的MIM電容器結(jié)構(gòu)100的簡(jiǎn)化俯視圖。該圖只是作為一個(gè)示例，這里并不應(yīng)該認(rèn)為是限制權(quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的一位普通技術(shù)人員都會(huì)認(rèn)識(shí)到可以進(jìn)行許多其他的變化、更改和替換。如圖1A所示，電容器結(jié)構(gòu)包括電容器絕緣層111、平坦化的銅層113、第一導(dǎo)電部分117和第二導(dǎo)電部分119。
圖1B示出了MIM電容器結(jié)構(gòu)100的橫截面圖。MIM電容器具有半導(dǎo)體襯底101，如，硅晶圓片、絕緣體上硅和外延硅晶圓片。MIM電容器還具有覆蓋在半導(dǎo)體襯底101上而形成的雙大馬士革結(jié)構(gòu)。這種雙大馬士革結(jié)構(gòu)通常具有由銅材料淀積的第一導(dǎo)電部分102和也由銅材料淀積的第二導(dǎo)電部分106。第一導(dǎo)電部分具有在介電材料104內(nèi)的插塞(plug)區(qū)105和疊加(overlying)層區(qū)107。第一導(dǎo)電部分102在與介電材料104緊貼的阻障層109內(nèi)。第二導(dǎo)電部分106通過(guò)區(qū)110耦合到第一導(dǎo)電部分102，所述區(qū)110是第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106之間的中間部分。第三導(dǎo)電部分103耦合到第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106。因此，第三導(dǎo)電部分103位于區(qū)110、第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106的下面(underlying)。
相對(duì)于第三導(dǎo)電部分103，雙大馬士革結(jié)構(gòu)具有充分平坦的表面。這個(gè)充分平坦的表面由第一導(dǎo)電部分102的117部分和第二導(dǎo)電部分106的119部分的端面組成。電容器的第一塊極板至少由第一導(dǎo)電部分102、第二導(dǎo)電部分106和第三導(dǎo)電部分103形成。
如圖1B所示，這個(gè)電容器結(jié)構(gòu)具有一個(gè)開(kāi)口，用于填充導(dǎo)電材料。該開(kāi)口位于第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106之間，。電容器絕緣層111(如，氧化物、二氧化硅、氮化硅和它們的組合)在區(qū)110中的所述開(kāi)口內(nèi)形成。如圖1A橫截面圖和圖1B俯視圖所示的，所述開(kāi)口在大馬士革結(jié)構(gòu)之間。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述開(kāi)口的尺寸(即D’)大約為100μm或更大。尺寸(D’)的長(zhǎng)度隨具體應(yīng)用而變化。
平坦化的銅層113疊加在絕緣層111上。平坦化的銅層113包括一表面，所述表面高于或略低于四周充分平坦的其他部分的表面，視應(yīng)用的具體實(shí)施例而定。通過(guò)多種技術(shù)，包括淀積、電鍍和平坦化可以形成平坦化的銅層113。電容器的第二塊極板由平坦化的銅層113的一部分形成。
優(yōu)選地，雙大馬士革結(jié)構(gòu)由第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106組成。銅材料淀積在所述第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106中。而且，通過(guò)這兩個(gè)導(dǎo)電部分102和106之間所確定的區(qū)域，第二導(dǎo)電部分106耦合到第一導(dǎo)電部分102。第三導(dǎo)電部分103位于導(dǎo)電部分102和106之間所確定的區(qū)域之下。相對(duì)于第三導(dǎo)電部分103，雙大馬士革結(jié)構(gòu)也有一個(gè)充分平坦的表面。這個(gè)充分平坦的表面包括第一導(dǎo)電部分102的一部分和第二導(dǎo)電部分106的一部分。電容器的第一塊極板至少由第一導(dǎo)電部分102、第二導(dǎo)電部分106和第三導(dǎo)電部分103形成。
所述MIM電容器具有另一開(kāi)口，其形成在第一導(dǎo)電部分102和第二導(dǎo)電部分106之間的所述區(qū)域的一部分中。電容器絕緣層111形成在所述區(qū)域中的所述開(kāi)口內(nèi)。平坦化的銅層113疊加在絕緣層111上。平坦化的銅層113幾乎和四周平坦的表面齊平。電容器的第二塊極板由平坦化的銅層113的一部分形成。本說(shuō)明書(shū)中通篇都可以找到對(duì)制造本器件結(jié)構(gòu)的方法的描述。根據(jù)本發(fā)明，在雙大馬士革工藝中形成電容器結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方法可以概述如下(1)準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底；(2)在襯底上形成阻障層(如，鉭，氮化鉭)；(3)在阻障層上形成銅層；(4)在銅層上形成包括氮化硅的阻障層；(5)在阻障層上形成第一介電層(如低K值材料，氟硅玻璃)；(6)在第一介電層上形成氮化物層或氧氮化物層；(7)在氮化物層或氧氮化物層上形成第二介電層(如低K值材料，氟硅玻璃)；(8)在第二介電層上形成覆蓋氮化物層；(9)形成大馬士革結(jié)構(gòu)中的開(kāi)口；(10)在大馬士革結(jié)構(gòu)中填充銅金屬；(11)平坦化銅金屬的表面；
(12)掩蓋暴露的介電材料上的表面；(13)執(zhí)行等離子刻蝕工藝(如CH2F2)，以去除暴露的介電材料的第一部分；(14)執(zhí)行選擇性濕法刻蝕工藝(如HF)來(lái)選擇性地去除暴露的介電材料的第二部分，直至阻障材料；(15)在上面兩次刻蝕工藝構(gòu)建出的開(kāi)口內(nèi)形成電容器介電層；(16)在開(kāi)口內(nèi)形成阻障層(如，鉭，氮化鉭)；(17)在開(kāi)口內(nèi)填充銅金屬；(18)使用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)平坦化銅金屬表面；并且(19)按情況，實(shí)施其他工藝。
如上所述的方法提供了一種根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例制造電容器結(jié)構(gòu)的方法。工藝根據(jù)實(shí)際應(yīng)用，如上所述的方法的一些步驟可以合并，甚至可以拆分。一些步驟可以以不同的順序或次序?qū)嵤?。根?jù)實(shí)施例，還可以增加或刪除某些步驟。
圖2-5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的用于形成電容器結(jié)構(gòu)的方法的簡(jiǎn)圖。這些簡(jiǎn)圖僅是示例，這里不應(yīng)該認(rèn)為是限制權(quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以進(jìn)行許多其他的變化、更改和替換。這些圖中使用了同樣的標(biāo)號(hào)，但是就像其他數(shù)字那樣只作說(shuō)明用。如圖2所示，本方法開(kāi)始于提供半導(dǎo)體襯底，如硅晶圓片。本方法在襯底上形成阻障層(如，坦，氮化坦)。本方法然后在阻障層上形成銅層103。包括氮化硅的阻障層再覆蓋在銅層103上，封閉銅層103。本方法在阻障層上形成第一介電層(如，低K材料，氟硅玻璃)。本方法然后在第一介電層上形成氮化物層或氧氮化物層。在氮化物層或氧氮化物層上形成第二介電層(如低K值材料，氟硅玻璃)。在第二介電層106上形成覆蓋氮化物層。再次，形成大馬士革結(jié)構(gòu)中的開(kāi)口102，106。在開(kāi)口中淀積銅金屬，再平坦化填充了銅金屬的開(kāi)口102，106。如圖2所示，大馬士革結(jié)構(gòu)中包括第一部分106和第二部分102，這兩部分被區(qū)域203所隔離。區(qū)域203由介電材料104所形成，并將在后道工序中被去除。
參考圖3，一種方法在暴露的介電材料上的表面上形成掩模301。掩?？梢允枪饪滩牧?，其然后將被顯影并圖案化。兩個(gè)大馬士革結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域也將被曝光并圖案化。這里，本方法實(shí)施等離子刻蝕工藝，以去除暴露的介電材料的第一部分102。本方法然后通過(guò)濕法刻蝕來(lái)選擇性地刻蝕，以去除暴露的介電材料的第二部分106，直至阻障層，如圖4所示。本方法然后在如上的刻蝕工藝中構(gòu)建出的開(kāi)口內(nèi)形成電容器介電層111。這層電容器介電層可以是任何適合的材料，如，氮化硅、氧化硅和它們的組合。電容器介電層也可以通過(guò)化學(xué)氣相淀積來(lái)形成。本方法在槽內(nèi)電容器絕緣層上形成阻障層(如，鉭，氮化鉭)。
參考圖5，選定銅金屬503來(lái)填充開(kāi)口。使用公知技術(shù)來(lái)電鍍這層銅金屬。然后，使用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)平坦化這層銅金屬503。區(qū)域503的余下部分就是電容器的第二塊極板。根據(jù)實(shí)施例，還可以有其他步驟。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用，如上所述的一些步驟可以合并，甚至可以拆分。一些步驟可以以不同的順序或次序來(lái)實(shí)施。根據(jù)實(shí)施例，可以增加或刪除一些步驟。
還應(yīng)該理解，這里所述的示例和實(shí)施例只起說(shuō)明的目的，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員將根據(jù)所述示例和實(shí)施例，建議各種更改和變化，這些更改和變化都包括在本申請(qǐng)的精神和范圍以及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成用于集成電路器件的金屬-絕緣體-金屬的電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，其中所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)具有包括銅材料的第一導(dǎo)電部分，通過(guò)介電材料所述第一導(dǎo)電部分與第二導(dǎo)電部分隔開(kāi)，所述第二導(dǎo)電部分在所述介電材料下通過(guò)第三導(dǎo)電部分耦合到所述第一導(dǎo)電部分，所述第一導(dǎo)電部分、所述介電材料和所述第二導(dǎo)電部分一起形成相對(duì)于所述第三導(dǎo)電部分的充分平坦的表面，所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分通過(guò)所述第三導(dǎo)電部分耦合，從而形成第一極板；選擇性地去除所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分之間的所述介電材料，以形成所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分確定的開(kāi)口；在所述開(kāi)口內(nèi)形成絕緣層，從而形成電容器介電層；在所述絕緣層上形成高于所述充分平坦的表面的銅層，以形成第二極板；并且平坦化所述銅層來(lái)確定所述第二極板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述平坦化是化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一極板和所述第二極板包括充分平坦化的銅材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分確定的所述開(kāi)口包括確定在其上的阻障層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分包括約1微米或更高的高度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中沿著所述開(kāi)口的所述第一部分和所述第二部分包括約100微米和更大的隔片。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述充分平坦的表面是通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光工藝形成的。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述選擇性地刻蝕是包括含氟物質(zhì)的等離子刻蝕工藝后，再使用含HF物質(zhì)的濕法刻蝕工藝。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述含HF物質(zhì)的濃度為約5％或更少的HF。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中一暴露由所述導(dǎo)電材料的第三部分所確定的阻障材料的一部分，所述等離子刻蝕工藝就結(jié)束。
11.一種包括電容器結(jié)構(gòu)的集成電路器件，包括半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，所述雙大馬士革結(jié)構(gòu)包括包括銅材料的第一導(dǎo)電部分；包括銅材料的耦合到所述第一導(dǎo)電部分的第二導(dǎo)電部分；所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分確定的區(qū)域；連接所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分的第三導(dǎo)電部分，所述第三導(dǎo)電部分在所述區(qū)域以下；相對(duì)于所述第三導(dǎo)電部分的充分平坦的表面，所述充分平坦的表面包括所述第一導(dǎo)電部分的一部分和所述第二導(dǎo)電部分的一部分；至少由所述第一導(dǎo)電部分、所述第二導(dǎo)電部分和所述第三導(dǎo)電部分形成的電容器第一塊極板；形成在所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分之間的所述區(qū)域中的開(kāi)口；形成在所述區(qū)域內(nèi)的所述開(kāi)口內(nèi)的電容器絕緣層；在所述絕緣層上形成的平坦化的銅層，所述平坦化的銅層具有與所述充分平坦的表面大約等高的表面；和由所述平坦化的銅層的一部分所形成的第二極板。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述平坦化的銅層是化學(xué)機(jī)械拋光形成的。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一極板和所述第二極板包括充分平坦化的銅材料。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中由所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分形成的所述開(kāi)口包括確定在其上的阻障層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分高度約1微米或更高。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述區(qū)域內(nèi)的所述開(kāi)口包括約100微米和更大的隔片。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電部分包括第一插塞區(qū)和疊加的第一層區(qū)域，所述第二導(dǎo)電部分包括第一插塞區(qū)和疊加的第一層區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種形成集成電路器件用的金屬－絕緣體－金屬電容器結(jié)構(gòu)的方法及其所得結(jié)構(gòu)。本方法包括形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有包括銅的第一導(dǎo)電部分，通過(guò)介電材料第一導(dǎo)電部分與第二導(dǎo)電部分隔開(kāi)。第二導(dǎo)電部分在介電材料下通過(guò)第三導(dǎo)電部分耦合到第一導(dǎo)電部分。第一導(dǎo)電部分、介電材料和第二導(dǎo)電部分形成對(duì)于第三導(dǎo)電部分的充分平坦的表面。第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分通過(guò)第三導(dǎo)電部分耦合，形成第一極板。選擇性地去除第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分間的介電材料，形成第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分確定的開(kāi)口。在開(kāi)口內(nèi)形成絕緣層，形成電容器介電層。在絕緣層上形成高于充分平坦表面的銅層，形成第二極板。平坦化銅層以確定第二極板。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1635622SQ200310122959
公開(kāi)日2005年7月6日 申請(qǐng)日期2003年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月30日
發(fā)明者白啟宏 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司