專利名稱：芯片式電容及其制造方法以及模制模具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有樹脂封裝結(jié)構(gòu)的芯片式電容、一種制造該芯片式電容的方法、以及一種模制模具。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的這種形式的芯片式電容包括電容元件、陽極端子、陰極端子、和覆蓋這些部件的封裝樹脂。
電容元件通過以下方式制成，即，制備整流作用的金屬粉末，將陽極引線埋入該粉末中，以便其一個(gè)端部從粉末中引出，模制并燒結(jié)該粉末，以便形成多孔的陽極主體，在陽極主體上使用已知技術(shù)形成電介氧化膜，以及隨后在該電介氧化膜的表面上形成電解質(zhì)層和陰極層。另外，陽極端子具有基部和垂直于該基部的豎直部分，該基部的底表面暴露在封裝樹脂的安裝表面上。從電容元件中引出的該陽極引線通過已知技術(shù)例如激光焊接從而連接到陽極端子的豎直部分上。另一方面，陰極端子通過導(dǎo)電粘合劑連接并固定到電容元件的陰極層上，以便陰極端子的底表面暴露在安裝表面上。封裝樹脂通過連續(xù)送料模制成型，以便覆蓋整個(gè)電容元件以及電容元件與陽極端子和陰極端子中的每一個(gè)之間的連接部。隨后，該封裝樹脂與陽極端子和陰極端子一起通過切割從而被切成所需的外尺寸。這樣，形成了該芯片式電容。
現(xiàn)有的芯片式電容在電容元件與陽極端子和陰極端子中的每一個(gè)之間的連接結(jié)構(gòu)的方面是簡(jiǎn)單的。因此，可相對(duì)于封裝樹脂改進(jìn)電容元件的容納體積的效率。所以，該芯片式電容可在尺寸和厚度上減小，但電容量仍較大，以便滿足近來對(duì)于小尺寸、薄型面、和重量輕可攜帶的設(shè)備的要求，該設(shè)備例如為移動(dòng)電話。
在該現(xiàn)有的芯片式電容中，陽極端子和陰極端子的部段暴露在電容的側(cè)表面上。當(dāng)該電容安裝在底襯上時(shí)，必須實(shí)施用于在陽極端子和陰極端子的部段上鍍覆金屬的鍍覆過程，以便確保在陽極端子和陰極端子的部段上的焊料的浸潤性(以下稱為“填料條(fillet)”)。該鍍覆過程的應(yīng)用導(dǎo)致制造成本增加并且制造時(shí)間(交付周期)也增加。另外，如果在例如去油脂、鍍覆、清洗、防銹的一系列鍍覆過程中液體泄漏到封裝樹脂的內(nèi)部，則將損害電容的電特性和可靠性。
在芯片式電容的安裝過程中，電容通常安裝在形成于底襯上的焊接區(qū)上，并且隨后通過回流焊接來進(jìn)行焊接。同時(shí)，由于焊料的表面張力，因此產(chǎn)生了所謂的曼哈頓現(xiàn)象或墓碑現(xiàn)象，從而出現(xiàn)其中一個(gè)端子從底襯上豎立且垂直于底襯。特別是，這種現(xiàn)象很可能出現(xiàn)在較小尺寸且重量較輕的芯片中。因此，重要且必要的是，形成用于改善安裝姿態(tài)的穩(wěn)定性的填料條。
為了克服上述問題，JP-A-No.2001-291641和2002-43175(以下稱為對(duì)比文件1和2)描述了形成填料條的第一和第二常規(guī)方法，并且在端子切割之后沒有進(jìn)行鍍覆過程。
在對(duì)比文件1所述的第一常規(guī)方法中，陽極端子和陰極端子分別設(shè)置有端子彎曲部分，以便使得焊料進(jìn)入到彎曲部分下面的空間中，由此形成填料條。
在對(duì)比文件2所述的第二常規(guī)方法中，陽極端子的一部分和陰極端子的一部分分別突起，以形成端子豎直部分，該豎直部分暴露在外表面上，即封裝樹脂的側(cè)表面上。填料條形成在豎直部分處。
然而，在對(duì)比文件1和2所述的芯片式電容中，引導(dǎo)框架(條形金屬板)必須預(yù)先進(jìn)行復(fù)雜的加工，以便微彎曲每一端子的一部分。這導(dǎo)致了成本的增加。因?yàn)槎俗訌澢糠趾投俗迂Q直部分中的每一個(gè)的表面沒有由模制模具的上模和下模夾緊并且沒有壓緊，所以樹脂可能侵入并粘接到端子的表面上。當(dāng)電容安裝在底襯上時(shí)，這種樹脂的侵入和粘接是防止填料條的形成。
另外，為了防止樹脂的粘接，引入另外的制造步驟是必需，例如在模制之后在端子上粘接掩模帶或開槽的步驟。這導(dǎo)致制造成本的增加。在安裝之后，填料條從電容的外輪廓向內(nèi)形成，因此從上面觀察的可視性較差。特別是，由于安裝的高密度，在電容安裝在底襯上之后，檢查比較困難。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一目的在于，提供一種芯片式電容，其能夠形成對(duì)于穩(wěn)定安裝姿態(tài)來說是重要且必要的填料條，并不需要額外的制造步驟，例如加掩?；蜷_槽。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種制造上述芯片式電容的方法。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種用于實(shí)施該方法的模具。
為了克服上述問題，本發(fā)明的芯片式電容的制造過程包括在電容的側(cè)表面上形成凹進(jìn)部分，以便從封裝樹脂中暴露出來的端子暴露部分形成在端子的頂表面上，該頂表面與暴露在封裝樹脂的安裝表面上的底表面相面對(duì)。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種芯片式電容，其包括電容元件、覆蓋整個(gè)該電容元件的封裝樹脂、陽極端子、以及陰極端子，該陽極端子具有基部和豎直部分，該基部的底表面暴露在該封裝樹脂的安裝表面上，該豎直部分垂直于該基部并且具有連接到該基部上的一個(gè)端部，該陰極端子具有在該封裝樹脂的該安裝表面上暴露的底表面。該電容元件包括多孔的陽極主體，該主體由具有整流作用的金屬制成，其中陽極引線埋入該金屬中，以便使該引線的一個(gè)端部從其中引出，電介氧化膜形成在該陽極主體上；以及電解質(zhì)層形成在該電介氧化膜上，并且陰極層形成在該電解質(zhì)層上。該陽極端子的豎直部分具有焊接到該陽極引線上的另一端部，以便與其相交。該陰極端子通過導(dǎo)電粘合劑連接并固定到該電容元件的該陰極層上，以便使底表面暴露在該封裝樹脂的該安裝表面上。該芯片式電容設(shè)置有凹進(jìn)部分，該凹進(jìn)部分形成在該封裝樹脂的每一相面對(duì)的側(cè)表面上并且沿垂直于該電容元件的縱向方向的方向延伸，由此使得該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的與該底表面相對(duì)的頂表面部分地暴露，以便形成從該封裝樹脂中暴露出來的端子暴露部分。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造所述的芯片式電容的方法，該方法包括通過連續(xù)送料模制在該封裝樹脂的每一側(cè)表面上形成空腔部分的步驟，以便該空腔部分觸及該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的該頂表面，該頂表面與在該封裝樹脂的安裝表面上暴露的頂表面相面對(duì)。
依據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種使用所述的方法來制造芯片式電容的模制模具，該模制模具包括具有平表面的上模，該平表面適于與陽極端子的基部以及陰極端子緊密接觸；適于與該上模緊密接觸的下模，并且該下模圍繞該整個(gè)電容元件、陽極端子與陽極引線之間的連接部、以及陰極端子與該電容元件之間的連接部。該下模包括一對(duì)面對(duì)該上模的柱塞，并且該柱塞以沒有間隙方式分別夾緊該陽極端子的基部的一部分以及該陰極端子的一部分。該柱塞適于形成該空腔部分。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的芯片式電容處于安裝在底襯上的狀態(tài)的截面圖；圖2是描述圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的芯片式電容的制造過程的透視圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的芯片式電容安裝在底襯上的狀態(tài)的截面圖；圖4是現(xiàn)有技術(shù)的另一芯片式電容處于安裝在底襯上的狀態(tài)的截面圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的芯片式電容的透視圖；圖6是圖5所示的芯片式電容安裝在底襯上的截面圖；圖7是描述圖5所示的芯片式電容的制造過程的透視圖；圖8是在制造圖5所示的芯片式電容的過程中使用的連續(xù)送料模制模具的部分截面圖；和圖9是本發(fā)明的另一實(shí)施例的芯片式電容的透視圖。
具體實(shí)施例方式
在描述本發(fā)明的實(shí)施例之前，先參照?qǐng)D1-4描述幾種已知的芯片式電容。
參照?qǐng)D1和2，現(xiàn)有的芯片式電容10包括電容元件11、封裝樹脂15、陽極端子19、陰極端子23。該電容元件11通過以下方式制成，即，制備整流作用的金屬粉末；將陽極引線13埋入該粉末中，以便使其一個(gè)端部從粉末中引出；模制并燒結(jié)該粉末，以便形成多孔的陽極主體；在陽極主體上使用已知技術(shù)形成電介氧化膜(未示出)，以及隨后在該電介氧化膜的表面上形成電解質(zhì)層(未示出)和陰極層(未示出)。
陽極端子19具有基部和垂直于該基部的豎直部分，該基部的底表面暴露在封裝樹脂15的安裝表面17上。從電容元件11中引出的該陽極引線13通過已知技術(shù)例如激光焊接從而連接到陽極端子19的豎直部分上。
陰極端子23通過導(dǎo)電粘合劑21連接并固定到電容元件11的陰極層上，以便陰極端子23的底表面暴露在安裝表面17上。封裝樹脂15通過連續(xù)送料模制(transfer mold)成型，以便覆蓋整個(gè)電容元件11以及電容元件11與陽極端子19和陰極端子23中的每一個(gè)之間的連接部。隨后，該封裝樹脂15與陽極端子19和陰極端子23一起通過例如(沿圖2的線A1-A1、B1-B1所示的平面)切割從而被切成所需的外尺寸。這樣，獲得了如圖1所示的該芯片式電容。
現(xiàn)有的芯片式電容10在電容元件11與陽極端子19和陰極端子23中的每一個(gè)之間的連接結(jié)構(gòu)的方面是簡(jiǎn)單的。因此，可相對(duì)于封裝樹脂15改進(jìn)電容元件11的容納體積的效率。所以，該芯片式電容可在尺寸和厚度上減小，但電容量仍較大，以便滿足近來對(duì)于小尺寸、薄型面、和重量輕可攜帶的設(shè)備的要求，該設(shè)備例如為移動(dòng)電話。
在該現(xiàn)有的芯片式電容中，陽極端子19和陰極端子23的部段暴露在電容10的(沿圖2的線A1-A1、B1-B1所示的平面)側(cè)表面上。當(dāng)該電容10安裝在底襯25上時(shí)，必須實(shí)施用于在陽極端子19和陰極端子23的部段上鍍覆金屬的鍍覆過程，以便確保在陽極端子19和陰極端子23的部段上的焊料29的浸潤性(以下稱為“填料條(fillet)”)。該鍍覆過程的應(yīng)用帶來了以下的問題。
(a)制造成本增加。
(b)制造時(shí)間(交付周期)增加。
(c)如果在例如去油脂、鍍覆、清洗、防銹的一系列鍍覆過程中液體泄漏到封裝樹脂的內(nèi)部，則將損害電容的電特性和可靠性。
在芯片式電容的安裝過程中，電容通常安裝在形成于底襯25上的焊接區(qū)27上，并且隨后通過回流焊接來進(jìn)行焊接。同時(shí)，由于焊料29的表面張力(如圖1的白箭頭所示)，因此產(chǎn)生了所謂的曼哈頓現(xiàn)象或墓碑現(xiàn)象，從而出現(xiàn)其中一個(gè)端子從底襯25上豎立且垂直于底襯。特別是，這種現(xiàn)象很可能出現(xiàn)在較小尺寸且重量較輕的芯片中。因此，重要且必要的是，形成用于改善安裝姿態(tài)的穩(wěn)定性的填料條。
參照?qǐng)D3，其描述了第一常規(guī)方法(對(duì)比文件1)。在所示的常規(guī)的芯片式電容20中，陽極端子19和陰極端子23分別設(shè)置有端子彎曲部分31、33，以便使得焊料29進(jìn)入到彎曲部分31、33下面的空間中，由此形成填料條。
參照?qǐng)D4，其描述了第二常規(guī)方法(對(duì)比文件2)。在所示的常規(guī)的芯片式電容30中，陽極端子19的一部分和陰極端子23的一部分分別突起，以形成端子豎直部分35、37，該豎直部分暴露在外表面上，即封裝樹脂15的側(cè)表面上。填料條形成在豎直部分35、37處。
為了克服上述問題，對(duì)比文件1和2描述了形成填料條的第一和第二常規(guī)方法，并且在端子切割之后沒有進(jìn)行鍍覆過程。
現(xiàn)在參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。
參照?qǐng)D5-8，依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的芯片式電容39包括電容元件11、封裝樹脂15、陽極端子19、陰極端子23。陽極端子19具有基部和垂直于該基部的豎直部分，該基部的底表面暴露在封裝樹脂15的安裝表面17上。從電容元件11中引出的該陽極引線13通過已知技術(shù)例如激光焊接從而連接到陽極端子19的豎直部分上。陰極端子23通過導(dǎo)電粘合劑47連接并固定到電容元件11的陰極層上，以便陰極端子23的底表面暴露在安裝表面17上。以上的結(jié)構(gòu)類似于參照?qǐng)D1和2所示的現(xiàn)有的芯片式電容的結(jié)構(gòu)。
陽極端子19和陰極端子23中的每一個(gè)包括帶形的金屬板，該金屬板具有均勻的厚度并且預(yù)先進(jìn)行焊料鍍覆。
封裝樹脂15具有相面對(duì)的切割表面(沿圖7的線A1-A1、B1-B1所示)，該表面分別設(shè)置有凹進(jìn)部分41。由于凹進(jìn)部分41的存在，所以陽極端子19和陰極端子23的與底表面相面對(duì)的頂表面部分地從封裝樹脂15中暴露出來，以形成陽極和陰極端子的暴露部分43和45。因此，在陽極端子19和陰極端子23中，不僅底表面而且底表面的一部分也從封裝樹脂15中暴露出來。該芯片式電容39如圖7所示地安裝在底襯25上。
如圖8所示，封裝樹脂15通過使用連續(xù)送料模制設(shè)備來成型。該連續(xù)送料模制設(shè)備包括具有平表面的上模51，該平表面適于與陽極端子19和陰極端子23的基部緊密接觸；具有矩形截面的柱塞53，該柱塞設(shè)置成以便沒有間隙地夾緊陽極端子19的一部分和陰極端子23的一部分并且面對(duì)該上模51；以及包括該柱塞53的下模55，該下模適于與該上模51緊密接觸。該下模55圍繞該整個(gè)電容元件11、陽極端子19與陽極引線13之間的連接部、以及陰極端子23與該電容元件11之間的連接部。
參照?qǐng)D7，由連續(xù)送料模制設(shè)備來成型的封裝樹脂15設(shè)置有一對(duì)具有矩形柱體形狀的空腔部分57，該空腔部分分別形成在陽極端子19和陰極端子23上?？涨徊糠?7由柱塞53形成，以便分別觸及到陽極端子19和陰極端子23的頂表面上。其后，借助于適當(dāng)?shù)难b置(例如切成小方塊的裝置)，封裝樹脂15與陽極端子19和陰極端子23一起沿穿過空腔部分57(即沿圖7的線A1-A1、B1-B1)被切割成預(yù)定的尺寸，以便限定出垂直于該電容元件11的縱向方向的相面對(duì)的側(cè)表面。這樣，加工成該芯片式電容39。
再參照?qǐng)D5，由此獲得的芯片式電容39具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中凹進(jìn)部分41形成在切割表面上或者在電容39的側(cè)表面上，以便在陽極端子19和陰極端子23的頂表面上暴露出矩形的該端子暴露部分43和45，該頂表面與底表面相對(duì)。因?yàn)樵摱俗颖┞恫糠?3和45預(yù)先進(jìn)行了焊料鍍覆，所以當(dāng)電容39安裝在底襯上時(shí)通過焊料29的浸潤性可容易地形成填料條。為了進(jìn)一步穩(wěn)定該電容39的安裝姿態(tài)，該端子暴露部分43和45中的每一個(gè)的厚度優(yōu)選相當(dāng)于該端子厚度的三倍或三倍以上，并且其寬度相當(dāng)于該電容39的切割表面(側(cè)表面)的寬度的三分之二或三分之二以上。
依據(jù)本發(fā)明的芯片式電容39與常規(guī)的芯片式電容相比具有以下優(yōu)點(diǎn)。
(A)因?yàn)樵诓恍枰澢摱俗拥那闆r下可形成該填料條，所以可降低制造成本。
(B)因?yàn)樵诎惭b時(shí)焊料浸潤的端子表面緊密地接觸并由柱塞壓緊，所以在模制之后不需要粘接掩模的步驟或開槽步驟的情況下可以可靠地防止樹脂侵入并粘接到端子的表面上。
(C)因?yàn)閺纳厦婵隙▽⒂^察到填料條，所以在電容安裝在底襯上之后可容易地進(jìn)行檢查。
參照?qǐng)D9，依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的芯片式電容59在以下方面與上述實(shí)施例相比具有不同的結(jié)構(gòu)。具體地說，柱塞的末端部(即與端子接觸的表面)朝向封裝樹脂15的外周邊是具有錐度的(傾斜的)。在這種情況下，端子的最外端在厚度上小于另一端或內(nèi)側(cè)端。換言之，由凹進(jìn)部分65形成的端子暴露部分61和63中的每一個(gè)具有朝向封裝樹脂15的切割表面向下傾斜，以便焊料更容易地浸潤。在這種情況下，在最外端處在該切割表面上暴露的端子厚度優(yōu)選是在內(nèi)側(cè)端處端子厚度的一半或更小。
盡管在上述實(shí)施例中端子暴露部分43、45、61、63中的每一個(gè)都具有矩形形狀，但是應(yīng)當(dāng)理解，端子暴露部分可變型成具有不同形狀，例如半圓形(柱塞具有圓形形狀)、或梯形(柱塞具有六角形形狀)。另外，多個(gè)端子暴露部分可形成在每一切割表面上。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明，芯片式電容設(shè)置有形成在電容的側(cè)表面或切割表面上的凹進(jìn)部分，因此從封裝樹脂中暴露出來的端子暴露部分形成在端子的頂表面上，該頂表面面對(duì)在封裝樹脂的安裝表面上暴露的底表面。通過使用這種結(jié)構(gòu)，由焊料的浸潤性形成的填料條對(duì)于安裝姿態(tài)的穩(wěn)定是重要且必要的，在不需要端子的微加工或另外的制造步驟的情況下可形成該填料條。因此，可降低制造成本。另外，從上面可觀察到填料條形成的狀態(tài)，因此在電容安裝在底襯上之后可容易地進(jìn)行電容的外觀檢查。
盡管本發(fā)明參照附圖并結(jié)合其優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由后附的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，本發(fā)明不限于以上的描述，并且可以以其它各種方式進(jìn)行改變和變型。
權(quán)利要求
1.一種芯片式電容，其包括電容元件、覆蓋整個(gè)該電容元件的封裝樹脂、陽極端子、以及陰極端子，該陽極端子具有基部和豎直部分，該基部的底表面暴露在該封裝樹脂的安裝表面上，該豎直部分垂直于該基部并且具有連接到該基部上的一個(gè)端部，該陰極端子具有在該封裝樹脂的該安裝表面上暴露的底表面，該電容元件包括多孔的陽極主體，該主體由具有整流作用的金屬制成，其中陽極引線埋入該金屬中，以便使該引線的一個(gè)端部從其中引出，電介氧化膜形成在該陽極主體上；以及電解質(zhì)層形成在該電介氧化膜上，并且陰極層形成在該電解質(zhì)層上，該陽極端子的豎直部分具有焊接到該陽極引線上的另一端部，以便與其相交，該陰極端子通過導(dǎo)電粘合劑連接并固定到該電容元件的該陰極層上，以便使底表面暴露在該封裝樹脂的該安裝表面上，其中該芯片式電容設(shè)置有凹進(jìn)部分，該凹進(jìn)部分形成在該封裝樹脂的每一相面對(duì)的側(cè)表面上并且沿垂直于該電容元件的縱向方向的方向延伸，由此使得該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的與該底表面相對(duì)的頂表面部分地暴露，以便形成從該封裝樹脂中暴露出來的端子暴露部分。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片式電容，其特征在于，形成至少一個(gè)端子暴露部分。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片式電容，其特征在于，該端子暴露部分具有多邊形、半圓形、或梯形形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片電容，其特征在于，該端子暴露部分的一個(gè)側(cè)面沿厚度方向的長度相當(dāng)于該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的厚度的三倍或三倍以上。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片式電容，其特征在于，該端子暴露部分的一個(gè)側(cè)面沿寬度方向的長度相當(dāng)于該封裝樹脂的該側(cè)表面的寬度的三分之二或三分之二以上。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片式電容，其特征在于，該端子暴露部分具有比另一端更薄的最外端。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片式電容，其特征在于，該該端子暴露部分的該最外端的厚度是該另一端的厚度的一半或更薄。
8.一種制造如權(quán)利要求1所述的芯片式電容的方法，該方法包括通過連續(xù)送料模制在該封裝樹脂的每一側(cè)表面上形成空腔部分的步驟，以便該空腔部分觸及該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的該頂表面，該頂表面與在該封裝樹脂的安裝表面上暴露的頂表面相面對(duì)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其還包括穿過該空腔部分并沿垂直于該電容元件的縱向方向的平面切割該封裝樹脂、該陽極端子、和該陰極端子的步驟。
10.一種使用如權(quán)利要求8所述的方法來制造芯片式電容的模制模具，該模制模具包括具有平表面的上模，該平表面適于與陽極端子的基部以及陰極端子緊密接觸；適于與該上模緊密接觸的下模，并且該下模圍繞該整個(gè)電容元件、陽極端子與陽極引線之間的連接部、以及陰極端子與該電容元件之間的連接部，該下模包括一對(duì)面對(duì)該上模的柱塞，并且該柱塞以沒有間隙方式分別夾緊該陽極端子的基部的一部分以及該陰極端子的一部分，該柱塞適于形成該空腔部分。
11.如權(quán)利要求10所述的模制模具，其特征在于，該柱塞具有多邊形、圓形、或斜方形形狀。
12.如權(quán)利要求10或11所述的模制模具，其特征在于，該柱塞具有傾斜表面，以作為與該陽極端子或該陰極端子接觸的表面。
全文摘要
一種芯片式電容，其包括電容元件、覆蓋整個(gè)該電容元件的封裝樹脂、陽極端子、以及陰極端子，該陽極端子具有基部和豎直部分，該基部的底表面暴露在該封裝樹脂的安裝表面上，該豎直部分垂直于該基部并且具有連接到該基部上的一個(gè)端部以及焊接到陽極引線上的另一端部，該陰極端子通過導(dǎo)電粘合劑固定在電容元件上，以便在該封裝樹脂的該安裝表面上暴露底表面。凹進(jìn)部分形成在該封裝樹脂的每一相面對(duì)的側(cè)表面上，由此使得該陽極端子和該陰極端子中的每一個(gè)端子的與該底表面相對(duì)的頂表面部分地暴露，以便形成從該封裝樹脂中暴露出來的端子暴露部分。
文檔編號(hào)H01G9/012GK1530978SQ200310124369
公開日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2003年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月14日
發(fā)明者筒井誠, 長澤壽久, 久 申請(qǐng)人:Nec東金株式會(huì)社, Nec東金富山株式會(huì)社