專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一發(fā)光裝置，其包括導(dǎo)體盤和具有有機(jī)層的發(fā)光構(gòu)件，特別是按照權(quán)利要求書1概念的一有機(jī)發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
自Tang等人1987年的較低工作電壓演示[C.W.Tang et al.，Appl.Phys.Lett.51(1987，no.12)，913]以來，有機(jī)發(fā)光二極管均被用作大面積顯示器實(shí)現(xiàn)的候選者。其是由一系列薄的(典型的是1nm至1μm)有機(jī)材料的層構(gòu)成，該涂層優(yōu)選采用在真空中的汽相淀積或通過溶劑的例如離心分離來制得。在通過金屬層的電接觸后，有機(jī)的薄涂層可形成各式各樣的電子或光電子的構(gòu)件，例如二極管，發(fā)光二極管，光電二極管和晶體管，其以其所生成構(gòu)件的特性與無機(jī)基涂層進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。對(duì)有機(jī)的發(fā)光二極管(OLED)的情況，其是借助其間有機(jī)層由于一外部施加電壓的接觸而產(chǎn)生的載流子(一側(cè)是電子，另一側(cè)是空穴)的注入，以及隨后在一有源區(qū)中形成的激子(電子空穴對(duì))和該激子的發(fā)射復(fù)合，來進(jìn)行發(fā)光和發(fā)光二極管的發(fā)射。
這類有機(jī)基構(gòu)件相對(duì)于傳統(tǒng)無機(jī)基(半導(dǎo)體如硅，砷化稼)構(gòu)件的優(yōu)點(diǎn)是可制造非常大表面的顯示元件(顯示屏，屏幕)。該有機(jī)原料與無機(jī)原料相比相對(duì)更廉價(jià)(少量的材料和能量消耗)。此外該材料相對(duì)于無機(jī)材料而言可采用更低的工藝溫度在柔軟襯底上進(jìn)行涂布，使得其可在一系列的顯示和照明技術(shù)中加以新的應(yīng)用。
通常這種構(gòu)件的布置由一或多個(gè)下述的層序列組成a)載體，襯底，b)底基電極，其是空穴注入(正極)的、透明的，
c)空穴注入層，d)空穴傳遞層(HTL)，e)發(fā)光層(EL)，f)電子傳遞層(ETL)，g)電子注入層，h)頂蓋電極，通常為一具有較低發(fā)射功率的金屬，是電子注入的(負(fù)極)，i)封殼，用于排除環(huán)境影響。
其為一般的狀況，通常還會(huì)減除幾層(除b，e和h外)，或在一層中組合多種性能。
在所敘述的層序列中光是通過透明的底基電極和襯底發(fā)出的，而頂蓋電極由不透明的金屬層構(gòu)成。當(dāng)前用于空穴注入的材料幾乎全部是銦-錫-氧化物(ITO)，作為空穴的注入接觸(一透明的蛻化半導(dǎo)體)。對(duì)電子注入而言可使用比如鋁(Al)，氟化鋰(LiF)，鎂(Mg)，鈣(Ca)的薄層或一Mg和銀(Ag)的混合層與Al的組合的材料。
對(duì)許多應(yīng)用而言，通常期望所發(fā)射的光不進(jìn)入襯底，而是通過頂蓋電極。特別例如有機(jī)基發(fā)光二極管的顯示屏或其它照明元件而言，該顯示屏由比如導(dǎo)體盤的非透明襯底制成。因?yàn)楹芏鄳?yīng)用組合了多種功能，例如電子組件，鍵盤和顯示功能，如果以盡可能低的成本將這些集成在導(dǎo)體盤上是格外有益的?？梢匀詣?dòng)的裝備導(dǎo)體盤，意味著可以可觀的節(jié)省生產(chǎn)大范圍集成顯示器中的成本。通過根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)體盤，之后，我們表示任意可以將除了OLED的其它功能組件以簡(jiǎn)單方式集成(例如，通過接合，焊接，粘接，插入聯(lián)接)的裝置或襯底。這些可以是現(xiàn)有的導(dǎo)體盤，或者是陶瓷導(dǎo)體盤類的襯底，在其一側(cè)上有OLED，并且其另一側(cè)和OLED電氣聯(lián)接，并安裝了多種電氣功能元件。導(dǎo)體盤類的襯底可能是扁平的或弓形的構(gòu)造。
對(duì)上述的一系列有機(jī)涂層(頂蓋電極為陰極)而言，這一通過頂蓋電極的發(fā)射可借助一非常薄的常用金屬電極來激發(fā)。因?yàn)閷?duì)一具有足夠高透射的頂蓋而言，其還無法達(dá)到高的橫向傳導(dǎo)能力，因此其必須被涂布于一透明的接觸材料上，例如ITO或摻雜有鋅的氧化銦(例如US專利號(hào)5,703,436(S.R.Forrest等)，遞交于1996年3月6日；US專利號(hào)5,757,026(S.R.Forrest等)，遞交于1996年4月15日；US專利號(hào)5,969,474(M.Arai)，遞交于1997年10月24日)。另外該結(jié)構(gòu)已知的實(shí)現(xiàn)可見(例如G.Parthasarathy et al.，Appl.Phys.Lett.72(1997)，2138；G.Parthasarathy et al.，Adv.Matter.11(1997)，907)的用于改善電子注入的有機(jī)中間層，該有機(jī)中間層可以部分利用金屬原子如鋰摻雜(G.Parthasarathy et al.，Appl.Phys.Lett.76(2000)，2128)。在這些文章中均涂布有一透明的接觸層(通常是ITO)。自然，在陰極的電子注入層沒有混合鋰或其它第一主族的原子的ITO不能很好的適于電子注入，因此提升了LED的工作電壓。另一方面，因?yàn)樵油ㄟ^有機(jī)層的擴(kuò)散，鋰或類似原子的混合會(huì)引起組件的不穩(wěn)定性。
透明陰極的其它可能性在于層順序的翻轉(zhuǎn)，即將空穴注入的透明接觸(陽(yáng)極)作為頂蓋電極。但是，該在LED上的陽(yáng)極倒轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)在實(shí)踐中大大提高了困難度。如果該層順序采用空穴注入層制成，則要求作為空穴注入ITO(或一其它金屬)所使用的金屬應(yīng)涂布于有機(jī)層序列上(例如US專利號(hào)5,981,306(P.Burrows等)，遞交于1997年9月12日)。其所要求的大多數(shù)工藝技術(shù)與有機(jī)層均難以相處并且可能會(huì)帶來?yè)p害。
很多不透明襯底上的倒轉(zhuǎn)OLED的一個(gè)決定性缺點(diǎn)是有效的電子注入通常需要具有很低的發(fā)射功率的材料。在非倒轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)中，通過引入比如LiF(Hung et al.1997US5677572，Hung et al.，Appl.Phys.Lett.70(1997)，152)的中間層來解決。但是，示出了這些中間層僅在蒸發(fā)的情況下有效(M.G.Mason，J.Appl.Phys.89(2001)，2756)。但是它并不能用于倒轉(zhuǎn)的OLED。特別是用到導(dǎo)體盤的倒裝結(jié)構(gòu)。通常的用于導(dǎo)體盤的接觸金屬(銅，鎳，金，鉑，錫和鋁)，因?yàn)樗鼈冚^高的發(fā)射功率，不需要有效的電子注入，和/或不適于因?yàn)樾纬裳趸瘜拥妮d流子注入。
實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管的另一問題包括在粗糙度相對(duì)較大的導(dǎo)體盤中。因?yàn)椋诘蛯雍穸赛c(diǎn)的有機(jī)發(fā)光二極管遭受場(chǎng)峰(field peak)和短路，這使得故障經(jīng)常發(fā)生?？梢杂删哂泻駛鬟f層的OLED解決短路問題。但是這通常使得服務(wù)電壓更高，并且OLED的效率下降。
實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體盤中的有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)顯示器的另一問題是將OLED密封到襯底。OLED對(duì)標(biāo)準(zhǔn)大氣很敏感，特別是氧氣和水。為防止快速惡化，必須具有良好的密封。在導(dǎo)體盤情況中(需要每平方米每天小于10-4克的水和氧氣的滲透率)。
在說明中，提出了有機(jī)發(fā)光二極管和導(dǎo)體盤的組合，其中位于啟動(dòng)OLED的驅(qū)動(dòng)器芯片位于導(dǎo)體盤上。其中一個(gè)形式是由ChingpingWei等(US5703394，1996；US5747363，1997，Motorola Inc.)，JuangDar-Chang等(US6333603，2000)和E.Y.Park(US2002/44441，2001)提出的，其中在其上生產(chǎn)OLED的襯底和啟動(dòng)OLED的電氣構(gòu)件位于其上的導(dǎo)體盤是兩個(gè)分開的部分，并且彼此順序連接。
在Kusaka Teruo(US6201346，1998，NEC Corp.)的專利申請(qǐng)中，提出在生產(chǎn)過程中在導(dǎo)體盤(OLED位于前面)的相反側(cè)使用“熱沉”(就是說，移走熱量的元件)。這個(gè)熱沉意在防止在生產(chǎn)OLED的過程中加熱OLED和襯底。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有基于有機(jī)發(fā)光二極管的顯示或發(fā)光功能的導(dǎo)體盤，其中光的輻射具有高輸出效率和長(zhǎng)的壽命(高穩(wěn)定性)。
根據(jù)本發(fā)明，通過權(quán)利要求1中所述的特征實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。有益的改進(jìn)和變型是從屬權(quán)利要求的主題。
有機(jī)發(fā)光二極管的兼容性由根據(jù)權(quán)利要求1的合適的新穎層順序?qū)崿F(xiàn)。為了這個(gè)目的，使用高摻雜的有機(jī)中間層，提供載流子的有效注入，以及優(yōu)選的以本發(fā)明的精神采用與晶體部分形態(tài)相同的層。之后，為了平滑，采用高玻璃透明度的有機(jī)中間層，為了有效的注入和產(chǎn)生高傳導(dǎo)性將其摻雜。在下面的敘述中，層結(jié)構(gòu)可能類似于現(xiàn)有的(陽(yáng)極在襯底側(cè))或倒轉(zhuǎn)的(陰極在襯底側(cè))的有機(jī)發(fā)光二極管。
例如，在德國(guó)專利申請(qǐng)DE 101 35 513.O(2001)，X.Zhou et al.，Appl.Phys.Lett.81(2002)，922中，給出了具有摻雜傳遞層和隔離層的有機(jī)發(fā)光二極管。相似的優(yōu)點(diǎn)是在構(gòu)件上放置透明陽(yáng)極(或陰極，在正常的層結(jié)構(gòu)中)之前使用高摻雜保護(hù)的陽(yáng)極。通過根據(jù)本發(fā)明的摻雜，我們意在混合有機(jī)或無機(jī)分子來增加層的傳遞性。為了那個(gè)目的，采用受主類的分子用于空穴傳遞材料的p摻雜，以及采用施主類的分子用于電子傳遞層的n摻雜。所有這些在專利申請(qǐng)DE 10 13 551.3中完全提出。
對(duì)于接觸襯底(例如，導(dǎo)體盤)一側(cè)的單獨(dú)的OLED和安裝在襯底(例如，導(dǎo)體盤)另一側(cè)上的電子構(gòu)件的電氣連接，需要直通接觸。這可以以已知技術(shù)執(zhí)行。
因?yàn)?，摻雜層對(duì)放出的熱十分穩(wěn)定并且能夠?qū)⑵湟谱?，在這里提出的解決方案中加熱OLED和襯底不產(chǎn)生問題。從而不需要在US6,201,346中所需的“熱沉”。


本發(fā)明將在隨后通過以實(shí)例和材料方式的實(shí)施例來詳細(xì)闡述。在附圖中圖1以實(shí)例的方式示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第一實(shí)施例，其具有倒轉(zhuǎn)的摻雜OLED層順序，其中有保護(hù)層；圖2以實(shí)例的方式示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第二實(shí)施例，其結(jié)構(gòu)為OLED具有布置在非透明襯底下的陽(yáng)極；圖3以實(shí)例的方式示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第三實(shí)施例，其和圖2的相似，但是沒有分開的平滑層；并且圖4以實(shí)例的方式示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第四實(shí)施例，其和圖2的相似，具有組合的空穴注入和空穴傳遞層。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，有益的實(shí)施例包括表現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管(以倒轉(zhuǎn)的形式)的結(jié)構(gòu)，如果導(dǎo)體盤材料同樣已經(jīng)顯示出對(duì)氧氣和水的足夠低的滲透率，或通過其它方式而顯示出同樣性能，該有機(jī)發(fā)光二極管在包括下面的層的導(dǎo)體盤上-導(dǎo)體盤1-由導(dǎo)體盤構(gòu)造中所用材料制成的電極2(陰極＝負(fù)極)-n摻雜的電子注入和傳遞層3-n摻雜的平滑層4-n摻雜的電子傳遞層5-更薄的電子側(cè)隔離層6，其由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-空穴側(cè)隔離層8(通常比層7更薄)，其由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-p摻雜的空穴注入和傳遞層9-保護(hù)層10(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度p摻雜-保護(hù)層10(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度p摻雜-保護(hù)層10(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度p摻雜-電子11，空穴注入(陽(yáng)極＝正極)，優(yōu)選為透明的-封殼12，用于排出環(huán)境影響在圖2中示出了根據(jù)本發(fā)明的OLDE的結(jié)構(gòu)的一個(gè)有益的實(shí)施例，其具有現(xiàn)有的層順序(陽(yáng)極在非透明襯底以下)-導(dǎo)體盤21-由導(dǎo)體盤構(gòu)造所用的材料制成的電極22(陽(yáng)極＝正極)-p摻雜的空穴注入和傳遞層23-p摻雜的平滑層24-p摻雜的空穴傳遞層25-更薄的電子側(cè)隔離層26，其由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-發(fā)光層27-電子側(cè)隔離層28(通常比層7更薄)，由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-n摻雜的電子注入和傳遞層29-保護(hù)層30(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度n摻雜-電極31，是電子注入的(陰極＝負(fù)極)，優(yōu)選的是透明的-封殼32，用于排出環(huán)境影響在本發(fā)明的精神中，還可以省略各個(gè)平滑層4或24，或者包括和相應(yīng)注入層3或23或者相應(yīng)傳遞層5或25和6或26的材料相同或類似的材料。在圖3中示出了這種有益的實(shí)施例。
-導(dǎo)體盤21-由導(dǎo)體盤構(gòu)造中所用材料制成的電極22(陽(yáng)極＝正極)-p摻雜的空穴注入和傳遞層23-p摻雜的空穴傳遞層25
-更薄的電子側(cè)隔離層26，由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-發(fā)光層27-電子側(cè)隔離層28(通常比層27更薄)，由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-n摻雜的電子注入和傳遞層29-保護(hù)層30(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度n摻雜-電極31，是電子注入的(陰極＝負(fù)極)，優(yōu)選的是透明的-封殼32，用于排出環(huán)境影響在具有兩個(gè)電子傳遞層的情況中，倒轉(zhuǎn)的層結(jié)構(gòu)具有類似的結(jié)構(gòu)。
有時(shí)可以組合空穴注入層和空穴傳遞層，在圖4中示出了這種有益的實(shí)施例。
-導(dǎo)體盤21-由導(dǎo)體盤構(gòu)造所用材料制成的電極22(陽(yáng)極＝正極)-p摻雜的空穴注入和傳遞層23-更薄的電子側(cè)隔離層26，由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-發(fā)光層27-電子側(cè)隔離層28(通常比層27更薄)，由帶層和周圍層的帶層匹配的材料制成-n摻雜的電子注入和傳遞層29-保護(hù)層30(通常比層7更薄)，和高晶體部分形態(tài)相同，高度n摻雜-電極31，是電子注入的(陰極＝負(fù)極)，優(yōu)選的是透明的-封殼32，用于排出環(huán)境影響僅有一個(gè)電子傳遞層的倒轉(zhuǎn)的層結(jié)構(gòu)被類似構(gòu)成。
另外，本發(fā)明的精神還包括僅摻雜一側(cè)(空穴或電子傳導(dǎo))。摩爾摻雜濃度通常在1∶10到1∶10,000的范圍。如果摻雜物基本小于矩陣分子，在例外的情況中在層中可能有比矩陣分子更多的摻雜雜質(zhì)(多達(dá)5∶1)。摻雜雜質(zhì)可以是有機(jī)或無機(jī)分子。
在下述中，通過實(shí)例的方式給出另外的實(shí)施例，但是沒有附圖。
作為以實(shí)例的方式的優(yōu)選實(shí)施例，將在下面說明用于具有倒轉(zhuǎn)層順序的結(jié)構(gòu)的解決方案。
以實(shí)例方式的第五實(shí)施例41.襯底(導(dǎo)體盤)42.電極銅(陰極)43. 5nm Alq3(三醌鋁)，以5∶1摻雜銫44. 40nm紅菲繞啉(Bphen)，以5∶1摻雜銫45. 5nm Bphen，不摻雜47.場(chǎng)致發(fā)光和電子傳導(dǎo)的層20nm Alq348.空穴側(cè)隔離層5nm三苯二銨(TPD)49.P摻雜層100nm Starburst 2-TNATA以50∶1摻雜F4-TCNQ50.保護(hù)層20nm酞花菁鋅，多晶體，以50∶1摻雜F4-TCNQ，作為另一選擇的20nm并五苯，多晶體，以50∶1摻雜F4-TCNQ51.透明電極(陽(yáng)極)銦-錫-氧化物(ITO)這里層45作為電子傳導(dǎo)和隔離層。在實(shí)例6中，以分子介質(zhì)(銫)摻雜經(jīng)摻雜的電子傳導(dǎo)層(43，44)。在下面的實(shí)例中，以分子介質(zhì)執(zhí)行這個(gè)摻雜以實(shí)例方式的第六實(shí)施例
41.襯底(導(dǎo)體盤)42.電極銅(陰極)43. 5nmAlq3(三醌鋁)，以50∶1摻雜焦寧B44. 40nm紅菲繞啉(Bphen)，以50∶1摻雜焦寧B45. 5nm Bphen，不摻雜47.場(chǎng)致發(fā)光和電子傳導(dǎo)的層20nm Alq348.空穴側(cè)隔離層5nm三苯二銨(TPD)49.P摻雜層100nm Starburst 2-TNATA以50∶1摻雜F4-TCNQ50.保護(hù)層20nm酞花菁鋅，多晶體，以50∶1摻雜F4-TCNQ，另一選擇20nm并五苯，多晶體，以50∶1摻雜F4-TCNQ51.透明電極(陽(yáng)極)銦-錫-氧化物(ITO)由在真空中的汽相淀積處理在混合的蒸汽中生產(chǎn)混合的層(43，44，49，50)。理論上，也可以由其它方法生產(chǎn)這種層，例如，將物質(zhì)一個(gè)在另一個(gè)上汽相淀積，同時(shí)保證物質(zhì)可能的受溫度控制的彼此擴(kuò)散；或者通過在真空下或不在真空下的混合物質(zhì)的其它應(yīng)用(例如，離心或打印)。有時(shí)，摻雜物在生產(chǎn)過程中或在層中以合適的物理和/或化學(xué)方法(例如，光，電或磁場(chǎng))保持要被激發(fā)。層(45)，(47)，(48)在真空下被類似地汽相淀積，但是也可以另外以其它方式生產(chǎn)，例如，通過真空下或不在真空下的離心分離。
另外，可以采用密封層。一個(gè)實(shí)例是通過SiOx(氧化硅)層的方式的密封，由具有可和玻璃相比的特性，比如無色性和透明性，的SiOx層的等離子上光(CVD處理，“化學(xué)蒸發(fā)”)而生產(chǎn)。類似的，可以采用氮氧化層(NOx)，類似的以等離子支持的過程生產(chǎn)。
參考符號(hào)列表1 導(dǎo)體盤2 電極(陰極＝負(fù)極)3 n摻雜的電子注入和傳遞層4 n摻雜的平滑層5 n摻雜的電子傳遞層6 電子側(cè)隔離層7 發(fā)光層8 空穴側(cè)隔離層9 p摻雜的空穴注入和傳遞層10 保護(hù)層11 電極，空穴注入的(陽(yáng)極＝正極)12 封殼21 導(dǎo)體盤22 電極(陽(yáng)極＝正極)23 p摻雜的空穴注入和傳遞層24 p摻雜的平滑層25 p摻雜的空穴傳遞層26 空穴側(cè)隔離層27 發(fā)光層28 電子側(cè)隔離層29 n摻雜的電子注入和傳遞層30 保護(hù)層31 電極(陰極＝負(fù)極)32 封殼
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括導(dǎo)體盤和具有有機(jī)層的發(fā)光構(gòu)件，具體的說是有機(jī)發(fā)光二極管，其包括至少一個(gè)由有機(jī)材料制成的用于電子或空穴的載流子傳遞層(5，9，25，29，45，49)以及有機(jī)材料的發(fā)光層(7，27，47)，特征在于發(fā)光構(gòu)件包括和導(dǎo)體盤的接觸材料(2，22，42)連接的摻雜的傳遞層，其中在空穴傳遞層(23)的情況中的摻雜首先受主類地?fù)诫s導(dǎo)體盤接觸材料(22)，并且在電子傳遞層(3，43)的情況中的摻雜首先施主類地?fù)诫s導(dǎo)體盤接觸材料(2，42)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在摻雜的注入及傳遞層(3，23，43)和導(dǎo)體盤的接觸層(2，22，42)之間，應(yīng)用一個(gè)或多個(gè)另外的摻雜的傳遞層(4，5，24，25，44，45)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中在摻雜的注入及傳遞層(3，23，43)和襯底側(cè)傳遞層(5，25，45)之間，應(yīng)用具有高玻璃溫度的摻雜的平滑層(4，24，44)。
4.如權(quán)利要求1到3中任意一個(gè)所述的裝置，其中僅摻雜襯底側(cè)注入及傳遞層(3，23，43)，平滑層(4，24，44)和襯底側(cè)傳遞層(5，25，45)中的一個(gè)層，并且其是參與其中的襯底側(cè)傳遞層中最厚的。
5.如權(quán)利要求1到4中任意一個(gè)所述的裝置，其中關(guān)于摻雜的分子和主要物質(zhì)分子的比率，在摻雜的注入及傳遞層(3，23，43)，平滑層(4，24，44)和傳遞層(5，9，25，29，45，49)中雜質(zhì)的摩爾濃度在范圍1∶100,000到5∶1之間。
6.如權(quán)利要求1到5中任意一個(gè)所述的裝置，其中陽(yáng)極(11)是透明的或半透明的，并且提供保護(hù)層(12)。
7.如權(quán)利要求1到6中任意一個(gè)所述的裝置，其中由襯底改變的接觸層(11)是金屬的和半透明的。
8.如權(quán)利要求1到7中任意一個(gè)所述的裝置，其中在半透明的金屬層上，應(yīng)用用于橫向傳導(dǎo)的另外的透明接觸層。
9.如權(quán)利要求1到13中任意一個(gè)所述的裝置，其中導(dǎo)體盤是任意的襯底，其中發(fā)光構(gòu)件和電氣功能構(gòu)件組合并且電氣的連接，其中電氣構(gòu)件不是在襯底上直接生產(chǎn)的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括導(dǎo)體盤和具有有機(jī)層的發(fā)光構(gòu)件的發(fā)光裝置。構(gòu)件包括至少一個(gè)由有機(jī)材料制成的用于電子或空穴的載流子傳遞層(5，9，25，29，45，49)和有機(jī)材料的發(fā)光層(7，27，47)，并且其特征在于將有機(jī)層的順序應(yīng)用到作為襯底的導(dǎo)體盤，并且提供至少一個(gè)摻雜的傳遞層來改進(jìn)電子或空穴注入。另外，可以使用用于改進(jìn)襯底側(cè)電子或空穴注入的層(3，23，43)和平滑層(4，24)。
文檔編號(hào)H01L51/40GK1692507SQ200380100211
公開日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者卡爾·利奧, 簡(jiǎn)·布洛赫維茨-尼莫斯, 馬丁·法伊弗 申請(qǐng)人:諾瓦萊德有限公司