專利名稱：使用光子帶隙材料的多頻帶天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多頻帶天線，其包括-一種適合于在電磁波的空間和頻率方面濾波的PBG材料(光子帶隙)，該P(yáng)BG材料顯現(xiàn)出至少一個(gè)阻帶，并形成一層在發(fā)射和/或接收中輻射的外表面，-至少一個(gè)PBG材料的周期的缺陷，以至于在該P(yáng)BG材料的所述至少一個(gè)阻帶之內(nèi)產(chǎn)生至少一個(gè)窄通帶，以及-一個(gè)適合于在由所述至少一個(gè)缺陷產(chǎn)生的所述至少一個(gè)窄通帶之內(nèi)發(fā)射和/或接收電磁波的激勵(lì)設(shè)備。
背景技術(shù)：
與其它類型的天線，例如反射器型、透鏡型或喇叭形天線相比，PBG材料的天線表現(xiàn)出減小的覆蓋區(qū)的優(yōu)勢(shì)。
在以C.N.R.S.(法國國家科研中心)的為申請(qǐng)人的第2 801 428號(hào)公開的專利申請(qǐng)F(tuán)R 99 14521中特別描述了這種PBG材料的天線。該專利精確描述了一種顯現(xiàn)出單個(gè)缺陷(形成一個(gè)泄漏諧振腔)的PBG材料的實(shí)施例。而且，盡管沒有明確描述這種變化的實(shí)施例，該專利仍然展望了從PBG材料創(chuàng)建多頻帶天線的可能性。特別地，該專利指出在PBG材料中創(chuàng)建的缺陷使得在該P(yáng)BG材料的一個(gè)更寬阻帶之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)窄通帶成為可能。因此，為了創(chuàng)建多頻帶天線，必須在PBG材料中創(chuàng)建多個(gè)缺陷，以便在該P(yáng)BG材料的同一阻帶之內(nèi)創(chuàng)建多個(gè)窄通帶。這是該專利申請(qǐng)F(tuán)R 99 14521的第10頁第23至25行中所指出的。
在此重申，多頻帶天線指的是一種適合于工作在多個(gè)不同的、互相區(qū)別的工作頻率的天線。而且該多頻帶天線在每個(gè)工作頻率中顯現(xiàn)出相同的輻射圖案和相同的輻射極化。
特別是考慮到多缺陷PBG材料設(shè)計(jì)的困難，依照專利申請(qǐng)F(tuán)R 9914521教導(dǎo)的多頻帶天線的結(jié)構(gòu)被證實(shí)為比較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目標(biāo)在于通過提出一種構(gòu)造更為簡單的、由PBG材料制成的多頻帶天線來彌補(bǔ)這一缺點(diǎn)。
因此本發(fā)明的對(duì)象也是一種例如在上文中描述的多頻帶天線，其特征在于-所述激勵(lì)設(shè)備適合于同時(shí)工作在至少第一和第二不同的工作頻率上；-所述第一和第二工作頻率分別位于第一和第二窄通帶之內(nèi)并互相區(qū)別，并且所述第一和第二窄通帶是由PBG材料周期的同一缺陷產(chǎn)生的。
特別地，發(fā)現(xiàn)了PBG材料的同一個(gè)缺陷產(chǎn)生了中心分別在多個(gè)相互不同頻率的多個(gè)窄通帶。因此，為了構(gòu)造一個(gè)多頻帶天線而無須構(gòu)造一個(gè)多缺陷PBG材料的天線，從而簡化了這種天線的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)依照本發(fā)明的一種多頻帶天線的特征之一-產(chǎn)生所述第一和第二窄通帶的PBG材料的周期缺陷形成了一個(gè)顯現(xiàn)出在垂直于所述外輻射表面方向的恒定高度的泄漏諧振腔，并且調(diào)整所述高度以便在PBG材料的所述至少一個(gè)阻帶之內(nèi)放置所述第一和第二窄通帶，-調(diào)整所述腔的高度，以便在PBG材料的同一個(gè)阻帶之內(nèi)放置所述第一和第二窄通帶，-所述PBG材料顯現(xiàn)出第一和第二相互間隔的、不相交的阻帶，并且調(diào)整所述腔的高度以便在PBG材料的第一和第二阻帶之內(nèi)分別放置所述第一和第二窄通帶，-所述第一窄通帶的中心基本上位于基頻上，而所述第二窄通帶的中心基本上位于該基頻的整數(shù)倍上，
-所述腔顯現(xiàn)出一族由基頻及其諧波形成的諧振頻率，對(duì)每個(gè)該族的諧振頻率來說，所述腔的諧振模式和所述天線的輻射圖案是相同的，并且第一和第二工作頻率在其各自的窄通帶中分別對(duì)應(yīng)于同一族的頻率，-所述腔顯現(xiàn)出各自由基頻及其諧波形成的至少兩族諧振頻率，對(duì)同一族的每個(gè)諧振頻率來說所述諧振模式和所述天線的輻射圖案是相同的，并且不同于其它族的諧振頻率的那些圖，并且所述第一和第二工作頻率在其各自的窄通帶中分別對(duì)應(yīng)于屬于不同族的頻率，-所述激勵(lì)設(shè)備能夠在第一工作頻率發(fā)射電磁波，其極化不同于在第二工作頻率發(fā)射的電磁波，-所述激勵(lì)設(shè)備包括至少一個(gè)適合于在第一和第二工作頻率同時(shí)發(fā)射和/或接收電磁波的相同激勵(lì)單元，-所述激勵(lì)設(shè)備包括各自適合于發(fā)射和/或接收電磁波的第一和第二激勵(lì)單元，并且所述第一激勵(lì)單元適合于工作在第一工作頻率，而所述第二激勵(lì)單元適合于工作在第二工作頻率，-每個(gè)激勵(lì)單元能夠在所述外表面分別產(chǎn)生第一和第二互不相接的輻射斑，這些輻射斑的每一個(gè)代表在天線發(fā)射和/或接收中輻射的電磁波束的源，-所述泄漏諧振腔是平行六面體的形狀。


通過閱讀下述的僅以舉例方式給出的描述，同時(shí)參照附圖，將能夠更好地理解本發(fā)明，其中附圖包括-圖1是依照本發(fā)明的一種多頻帶天線的示意圖；-圖2是表示圖1的天線的傳輸系數(shù)的圖；-圖3A和3B是圖1的天線的輻射方向示意圖；-圖4是依照本發(fā)明的一種多頻帶天線的第二實(shí)施例的示意圖；以及-圖5是表示圖4的天線的傳輸系數(shù)的圖。
具體實(shí)施例方式
圖1表示一種多頻帶天線140，其包括一種光子帶隙材料142或PBG材料和一個(gè)電磁波反射器金屬平面144。
在此重申，PBG材料是一種具有吸收某些頻率范圍這一屬性的材料，以至于它顯現(xiàn)出一個(gè)或多個(gè)抑制電磁波的任何傳輸?shù)淖鑾А?br> PBG材料通常由具有可變介電常數(shù)和/或磁導(dǎo)率的電介質(zhì)的周期陣列組成。
通過在這種幾何和/或無線電電子周期中引入中斷(該中斷也稱為缺陷)，使產(chǎn)生一個(gè)吸收缺陷并因而在PBG材料的阻帶中創(chuàng)建一個(gè)窄通帶成為可能。在這些條件下，PBG材料稱為缺陷PBG材料。
關(guān)于這種顯現(xiàn)出單個(gè)缺陷的天線的詳細(xì)描述，讀者可以有益地參考法國專利申請(qǐng)F(tuán)R 99 14521(2 801 428)，特別是關(guān)于圖6所描述的實(shí)施例。
在上述引用的專利申請(qǐng)中已經(jīng)詳細(xì)描述了天線140的一般配置，這里將只詳細(xì)描述該天線140所特有的特征。
在此選擇PBG材料142以顯現(xiàn)出最寬的可能阻帶B。圖2的圖示中表示了該阻帶B，顯示了作為電磁波頻率的函數(shù)的缺陷PBG材料142的以分貝表示的傳輸系數(shù)輪廓。該傳輸系數(shù)表示發(fā)射的電磁能量相對(duì)于接收的電磁能量的比率。這里，PBG材料的阻帶B從5GHz延伸到17GHz。
PBG材料142包括沿著垂直于反射器平面144方向的一個(gè)平電介質(zhì)層的堆疊。例如，這里該堆疊由兩個(gè)由第一電介質(zhì)材料，例如氧化鋁構(gòu)成的層150、152，以及由兩個(gè)由另一電介質(zhì)材料，例如空氣構(gòu)成的層154和156組成。在層150和152之間插入層154，同時(shí)在層152和反射器平面144之間插入層156。層150放置在所述堆疊遠(yuǎn)離反射器平面144的另一端，并顯現(xiàn)出與層154接觸的內(nèi)表面和與內(nèi)表面相對(duì)的外表面158。該外表面158形成了在發(fā)射和/或接收中天線的輻射表面。
層150至156與反射器平面144平行。
層156的高度大于層154的高度，因而形成PBG材料的電介質(zhì)材料堆疊的幾何周期的單個(gè)中斷。因此在本實(shí)施例中，PBG材料142顯現(xiàn)出單個(gè)缺陷。這里，層156在垂直于反射器平面144的方向上形成了恒定高度H的泄漏平行六面體諧振腔。
所述腔156產(chǎn)生了一個(gè)中心約在基頻f0的窄通帶BP1(圖2)。高度H決定了頻率f0，并因此決定了在阻帶B之內(nèi)的窄通帶BP1的位置。這里，f0基本上等于7GHz。
應(yīng)當(dāng)注意所述的同一缺陷或腔156也產(chǎn)生了中心基本為頻率f0整數(shù)倍的其它窄通帶。迄今，并未觀察到這些其它的窄通帶，因?yàn)樗鼈兾挥谧鑾之外。特別地，在這種類型的已知天線中，阻帶并不足夠?qū)?，并且頻率f0基本上位于阻帶的中間。
因此在本實(shí)施例中，選擇高度H以便通帶BP1充分地偏離中心，這樣中心在基本等于f0兩倍的頻率f1的通帶BP2(圖2)也位于同一阻帶B之內(nèi)。這里，f1基本上等于14GHz。
如上所述的平行六面體諧振腔，以已知的方式，顯現(xiàn)出多族諧振頻率。每族諧振頻率由基頻及其諧波或基頻的整數(shù)倍形成。同一族中的每個(gè)諧振頻率激勵(lì)所述腔的相同諧振模式。通過術(shù)語諧振模式TM0、TM1、...、TMi，這些諧振模式是已知的。在1987年Dunod出版社出版的F.Cardiol的《Electromagnétisme，traité d’Electricité，d’Electronique et d’Electrotechnique》文檔中更加詳細(xì)地描述了這些諧振模式。每個(gè)諧振模式TMi可以由接近于基頻fmi的電磁波激勵(lì)或激活。這些頻率fmi或其諧波出現(xiàn)在每個(gè)窄通帶BP1和BP2中。
每個(gè)諧振模式對(duì)應(yīng)于天線140的一個(gè)特定的輻射圖案或輻射形狀。
通過舉例，圖3A和3B各自表示分別對(duì)應(yīng)于諧振模式TM0和TM1的輻射圖案或輻射形狀。
這里，在垂直于反射器平面方向上的諸個(gè)層的特征，即，具體來講它們的高度或各自的厚度，是依照專利申請(qǐng)F(tuán)R 99 14521的教導(dǎo)而確定的。更精確地，確定這些特征，以便諧振模式TM0對(duì)應(yīng)于沿著垂直于外表面158的發(fā)射和/或接收的有利方向的定向輻射。這里，在圖3A中通過沿著垂直于表面158的方向延長的主瓣，來表示所述定向輻射。應(yīng)當(dāng)注意，在圖3A中表示的輻射形狀并不依賴于腔156的側(cè)面尺寸，即在平行于反射器平面的平面中的所述腔的尺寸，如果這些側(cè)面尺寸大于Φ，其中Φ由下述公式給出GdB≥201logπΦλ-2.5]]>(1)其中-GdB是希望天線具有的以分貝表示的增益，-Φ＝2R，-λ是對(duì)應(yīng)于中頻f0的波長。
通過舉例，對(duì)于20dB的增益，半徑R基本上等于2.15λ。
在另一方面，對(duì)應(yīng)于高于諧振模式TM0的諧振模式的輻射形狀作為所述腔156的側(cè)面尺寸的函數(shù)而變化。這里，這些側(cè)面尺寸被確定為，諧振模式TM1對(duì)應(yīng)于在由穿過反射器平面144的平面限定的三維半空間中基本全向的輻射圖案。
通過例如實(shí)驗(yàn)的方法，來確定使獲得所需輻射形狀成為可能的天線140的尺寸。
有利的是，在仿真天線140的軟件的幫助下，這些實(shí)驗(yàn)包括確定對(duì)應(yīng)于給定尺寸的輻射形狀，進(jìn)而包括改變這些尺寸直到獲得所需的輻射圖案。
最后，在此，天線140包括在腔156之內(nèi)的平面144的表面上并排放置的兩個(gè)激勵(lì)單元160和162。這些激勵(lì)單元160和162能夠發(fā)射和/或接收頻率分別為fT1和fT2的電磁波。頻率fT1接近于頻率fm0或其諧波之一。它位于窄通帶BP1之內(nèi)，以便激勵(lì)腔156的諧振模式TM0。頻率fT2接近于頻率fm1或其諧波之一。它位于通帶BP2之內(nèi)，以便激勵(lì)諧振模式TM1。
這些激勵(lì)單元本身是已知的。例如，它們是能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成電磁波的貼片或平板天線、偶極或縫隙天線。出于此目的，將激勵(lì)單元160和162鏈接到一個(gè)傳統(tǒng)電信號(hào)的發(fā)生器/接收機(jī)164。
現(xiàn)在將描述關(guān)于圖1所描述的多頻帶天線的操作模式。
在發(fā)射時(shí)，發(fā)生器/接收機(jī)164向一個(gè)或同時(shí)向兩個(gè)激勵(lì)單元160和162發(fā)射電信號(hào)。這些電信號(hào)被單元160轉(zhuǎn)換成頻率為fT1的電磁波，被單元162轉(zhuǎn)換為頻率為fT2的電磁波。頻率為fT1和fT2的這些電磁波并不互相干涉，因?yàn)轭l率fT1和fT2是完全不同的。特別地，在此，頻率fT1和fT2分別位于由寬度約為7GHz的吸收頻率范圍所隔開的窄通帶中。而且，這些工作頻率fT1和fT2分別位于阻帶B之內(nèi)的窄通帶內(nèi)，它們不會(huì)被PBG材料142吸收。
頻率為fT1的電磁波激勵(lì)腔156的諧振模式TM0，這增加了對(duì)于該頻率來說是定向的天線140的輻射以及在表面158上形成的發(fā)射和/或接收中的輻射斑的出現(xiàn)。這里，輻射斑是包含所有這樣的點(diǎn)的外表面的區(qū)域，其中在所述點(diǎn)的發(fā)射和/或接收中輻射的功率大于或等于由天線4從該外表面輻射的最大功率的一半。每個(gè)輻射斑容納一個(gè)幾何中心，其對(duì)應(yīng)于輻射功率基本上等于最大輻射功率的點(diǎn)。
在諧振模式TM0的情況下，該輻射斑內(nèi)切于一個(gè)直徑Φ由公式(1)給出的圓。
頻率為fT2的電磁波在其部分激勵(lì)諧振模式TM1，這增加了以該頻率fT2在半空間中的全向輻射以及在表面158上形成的發(fā)射和/或接收中的第二輻射斑的出現(xiàn)。
每個(gè)輻射斑對(duì)應(yīng)于在電磁波的輻射波束的源的基底或橫截面。
對(duì)于分隔適當(dāng)距離的單元160、162來說，輻射斑是不相交的。
在接收時(shí)，只有外表面158接收的、并且頻率位于通帶BP1或通帶BP2之內(nèi)的電磁波，才傳播到腔156那么遠(yuǎn)。
給定對(duì)于頻率fT1的天線140的輻射圖案的方向，只有頻率為fT1并且基本上垂直于外表面158的電磁波才被發(fā)射到激勵(lì)單元160那么遠(yuǎn)。相反，對(duì)于頻率fT2，給定天線140在半空間中實(shí)際上是全向的，在外表面上頻率為fT2的電磁波的接收方向?qū)嶋H上是任意的。
在腔156之內(nèi)，激勵(lì)單元160將頻率為fT1的電磁波轉(zhuǎn)換成發(fā)射給發(fā)生器/接收機(jī)164的電信號(hào)。激勵(lì)單元162以相同的方法來處理頻率為fT2的電磁波。
因此，天線140顯現(xiàn)出多功能天線的特征，即適合于運(yùn)轉(zhuǎn)在兩個(gè)不同的頻率上，并且對(duì)每個(gè)工作頻率來說有特定的輻射圖案。這里，天線140對(duì)于工作頻率fT1來說是定向的，對(duì)于頻率fT2來說在半空間中是全向的。
圖4表示一種多頻帶天線170的第二實(shí)施例，其包括一種與電磁波反射器金屬平面174有關(guān)的PBG材料172。
在該實(shí)施例中，放置所述PBG材料以顯現(xiàn)出由電磁波不被吸收的寬頻帶互相間隔的多個(gè)阻帶。
圖5表示所述天線140的傳輸系數(shù)的輪廓以及，特別地，同一PBG材料172的兩個(gè)阻帶B1和B2。阻帶B1中心位于頻率f0，阻帶B2中心位于f0的整數(shù)倍，在此為2f0。
顯現(xiàn)出多個(gè)阻帶的PBG材料是已知的，這里將不描述產(chǎn)生這些阻帶的所述材料172的配置。
與PBG材料142相似，PBG材料172包括一個(gè)形成具有恒定高度G的諧振平行六面腔180的幾何特征的周期中斷。
這里，確定高度G為產(chǎn)生基本上在阻帶B1中間的窄通帶E1和基本上在阻帶B2中間的通帶E2。這里，通帶E1中心位于基本上等于13GHz的基頻f0。窄通帶E2中心位于等于基頻f0整數(shù)倍的頻率f1。該頻率f1在這里基本上等于26GHz。
最后，例如，在腔180內(nèi)的反射器平面174上放置單個(gè)激勵(lì)單元190。該激勵(lì)單元190能夠發(fā)射和/或接收工作頻率為fT1和fT2的電磁波。這些頻率fT1和fT2都能夠激勵(lì)腔180的同一諧振模式，在此例如諧振模式TM0，以便對(duì)于這些頻率中的每一個(gè)顯現(xiàn)出實(shí)際上相同的輻射圖案。然而，這些頻率fT1和fT2分別位于通帶E1和E2中。
在該實(shí)施例中，激勵(lì)單元190是矩形貼片或平板天線，配備了鏈接到電信號(hào)的發(fā)生器/接收機(jī)196的兩個(gè)端口192、194。端口192、194能夠激勵(lì)所述激勵(lì)單元190的兩個(gè)極化，最好是兩個(gè)相互正交的極化。這里，端口192和194用于接收和/發(fā)射頻率分別為fT1和fT2的信號(hào)。
與天線140相似，所述天線170利用同一缺陷產(chǎn)生多個(gè)中心位于基頻的整數(shù)倍頻率的窄通帶這一事實(shí)。然而，在該實(shí)施例中，單個(gè)激勵(lì)單元用于同時(shí)工作在兩個(gè)工作頻率fT1和fT2。而且，在該實(shí)施例中，在頻率fT1和fT2發(fā)射的電磁波以相互正交的方式被極化，以便限制在這兩個(gè)工作頻率之間的干涉。
所述天線170的操作模式是基于對(duì)天線140進(jìn)行的描述。
這里描述的天線170是多頻帶天線，即適合于工作在多個(gè)不同頻率，但對(duì)每個(gè)工作頻率，顯現(xiàn)出相同的輻射圖案。
作為一種變體，使用適合于同時(shí)工作在頻率fT1和fT2的單個(gè)激勵(lì)單元，來代替天線140的激勵(lì)單元160和162。所述單個(gè)激勵(lì)單元，例如，與激勵(lì)單元190相同。相反地，作為變化的，使用兩個(gè)分別適合于工作在頻率fT1和fT2的不同的并且相互獨(dú)立的激勵(lì)單元，來代替天線170的激勵(lì)單元190。這兩個(gè)激勵(lì)單元，例如與激勵(lì)單元160和162相同。
權(quán)利要求
1.一種多頻帶天線，其包括-一種適合于在電磁波的空間和頻率方面濾波的PBG材料(142；172)(光子帶隙)，該P(yáng)BG材料顯現(xiàn)出至少一個(gè)阻帶，并形成一層在發(fā)射和/或接收中輻射的外表面(38；158)，-至少一個(gè)所述PBG材料的周期的缺陷(156；180)，以至于在所述PBG材料的所述至少一個(gè)阻帶之內(nèi)產(chǎn)生至少一個(gè)窄通帶，以及-一個(gè)適合于在由所述至少一個(gè)缺陷產(chǎn)生的所述至少一個(gè)窄通帶之內(nèi)發(fā)射和/或接收電磁波的激勵(lì)設(shè)備(160、162；190)，其特征在于-所述激勵(lì)設(shè)備適合于同時(shí)工作在至少第一和第二不同的工作頻率上；-所述第一和第二工作頻率分別位于第一和第二窄通帶之內(nèi)并互相區(qū)別，以及-所述第一和第二窄通帶是由所述PBG材料(142、172)的周期的同一缺陷(156、180)產(chǎn)生的。
2.權(quán)利要求1中所陳述的天線，其特征在于產(chǎn)生所述第一和第二窄通帶的PBG材料(142、172)的所述周期缺陷形成了一個(gè)泄漏諧振腔，其顯現(xiàn)出在垂直于所述外輻射表面(158)方向的恒定高度，以及調(diào)整所述高度以便在PBG材料的所述至少一個(gè)阻帶之內(nèi)放置所述第一和第二窄通帶。
3.權(quán)利要求2中所陳述的天線，其特征在于調(diào)整所述腔(156)的高度，以便在PBG材料(156)的同一個(gè)阻帶之內(nèi)放置所述第一和第二窄通帶。
4.權(quán)利要求2中所陳述的天線，其特征在于所述PBG材料(172)顯現(xiàn)出第一和第二相互間隔的不相交的阻帶，以及調(diào)整所述腔的高度以便在PBG材料(172)的第一和第二阻帶之內(nèi)分別放置所述第一和第二窄通帶。
5.權(quán)利要求1至4的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述第一窄通帶的中心基本上位于基頻上，而所述第二窄通帶的中心基本上位于所述基頻的整數(shù)倍上。
6.權(quán)利要求1至5的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述腔顯現(xiàn)出由基頻及其諧波形成的一族諧振頻率，對(duì)該族的每個(gè)諧振頻率來說所述腔的諧振模式和所述天線的輻射圖案是相同的，以及所述第一和第二工作頻率在其各自的窄通帶中分別對(duì)應(yīng)于同一族的頻率。
7.權(quán)利要求1至6的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述腔顯現(xiàn)出各自由基頻及其諧波形成的至少兩族諧振頻率，對(duì)同一族的每個(gè)諧振頻率來說所述諧振模式和所述天線的輻射圖案是相同的、并且不同于其它族的諧振頻率的那些，以及所述第一和第二工作頻率在其各自的窄通帶中分別對(duì)應(yīng)于屬于不同族的頻率。
8.權(quán)利要求1至7的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述激勵(lì)設(shè)備(190)能夠在第一工作頻率發(fā)射電磁波，其極化不同于在第二工作頻率發(fā)射的電磁波。
9.權(quán)利要求1至8的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述激勵(lì)設(shè)備包括至少一個(gè)適合于在第一和第二工作頻率同時(shí)發(fā)射和/或接收電磁波的相同激勵(lì)單元(190)。
10.權(quán)利要求1至8的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述激勵(lì)設(shè)備包括各自適合于發(fā)射和/或接收電磁波的第一和第二激勵(lì)單元(160、162)，以及所述第一激勵(lì)單元(160)適合于工作在第一工作頻率，而所述第二激勵(lì)單元(162)適合于工作在第二工作頻率。
11.權(quán)利要求10中所陳述的天線，其特征在于每個(gè)所述激勵(lì)單元能夠在所述外表面分別產(chǎn)生第一和第二互不相交的輻射斑，這些輻射斑的每一個(gè)代表在天線發(fā)射和/或接收中輻射的電磁波束的源。
12.權(quán)利要求1至11的任意一條中所陳述的天線，其特征在于所述泄漏諧振腔是平行六面體的形狀。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)注于一種多頻帶天線，其包括一種有至少一個(gè)帶隙的光子帶隙材料(142)，該帶隙材料的單個(gè)周期缺陷(156)以便在所述帶隙材料的所述至少一個(gè)帶隙之內(nèi)產(chǎn)生多個(gè)窄帶寬，以及一個(gè)能夠在窄帶寬之內(nèi)發(fā)射和/或接收電磁波的激勵(lì)設(shè)備(160、162)。
文檔編號(hào)H01Q19/17GK1706074SQ200380101923
公開日2005年12月7日 申請(qǐng)日期2003年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月24日
發(fā)明者馬奇·泰弗諾, 雷吉斯·尚塔拉, 伯納德·杰考, 魯多維克·萊熱, 蒂埃里·莫內(nèi)迪耶, 帕特里克·迪蒙 申請(qǐng)人:國家科研中心, 國家空間研究中心