專利名稱：用發(fā)光轉(zhuǎn)換元件生產(chǎn)發(fā)光二極管光源的方法
本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10257664.5和10250633.7的優(yōu)先權(quán)，就此將所述專利公開的內(nèi)容通過援引來采納。
本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)發(fā)光二極管光源的方法，其中至少由芯片中輻射出來的一次輻射的一部分被改變了波長(zhǎng)，在這里一種發(fā)光轉(zhuǎn)換元件以薄層的形式直接涂在芯片表面上。
一種帶有發(fā)光轉(zhuǎn)換元件的器件，例如在公開的文件WO 97/50132中已是熟知的了，它包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片(該芯片在工作時(shí)輻射出一次輻射)以及一種發(fā)光轉(zhuǎn)換元件，通過它一次輻射的一部分轉(zhuǎn)換成另外一種波長(zhǎng)的光。由此產(chǎn)生的發(fā)光二極管光源的可見射線是通過兩種射線的疊加而得到的，由此尤其特別的是也可以讓輻射光源產(chǎn)生出白色光。
通常發(fā)光轉(zhuǎn)換元件具有一種發(fā)光材料，該發(fā)光材料嵌在基材中。例如無機(jī)發(fā)光材料，像含有稀土金屬(特別是鈰)的石榴石，或有機(jī)發(fā)光材料，如珍珠發(fā)光材料都適合作為發(fā)光材料。其它適合的發(fā)光材料，例如在WO 98/12757提及的，它們的內(nèi)容就此只需援引采納。
為了使射線特別好地混合并以此獲得色彩盡可能均勻的射線，把發(fā)光材料直接均勻地涂在芯片的表面上是合適的，以使通過發(fā)光轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的一次輻射路程差盡可能小。比如說可以在芯片尚未裝到導(dǎo)線架上并且還沒有接電之前，就把發(fā)光轉(zhuǎn)換材料以一定厚度的薄薄的均勻涂層的形式涂到發(fā)光二極管芯片的表面上。薄涂層的涂敷可以通過不同的方式來實(shí)現(xiàn)，它尤其適用于用發(fā)光二極管芯片同時(shí)生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光二極管光源，該發(fā)光二極管芯片和大量同樣形式的芯片位于同一個(gè)晶片結(jié)合體上。而且由于轉(zhuǎn)換材料的沉積，發(fā)光二極管光源的色位波動(dòng)在很大程度上被避免了。
然而，當(dāng)所使用的發(fā)光二極管芯片前面(也即朝著輻射方向的面上)具有電觸點(diǎn)層，例如在碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)基的二極管通常就是這樣，簡(jiǎn)單地涂敷薄涂層并不是件很容易的事。在對(duì)這種發(fā)光二極管芯片的表面涂敷時(shí)必須注意保證它的接電性能。
因此，本發(fā)明的任務(wù)是開發(fā)一種方法，用其可以實(shí)現(xiàn)帶有前面電觸點(diǎn)的發(fā)光二極管芯片的簡(jiǎn)單和成本經(jīng)濟(jì)地涂敷。
按照權(quán)利要求1所述的方法是本任務(wù)的解決方案。權(quán)利要求2至14項(xiàng)包括了本發(fā)明有利的改進(jìn)方案。
按照權(quán)利要求1所述的方法，尤其是使得能夠在晶片結(jié)合體上由同樣的發(fā)光二極管芯片同時(shí)生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光二極管光源。
而且在本方法中，有利的是發(fā)光二極管光源色位(CIE色板)可以非常簡(jiǎn)單地進(jìn)行控制，而且也使在生產(chǎn)過程中色位的控制校準(zhǔn)成為可能。
在該方法中，要準(zhǔn)備好一個(gè)發(fā)光二極管芯片，它至少具有一種電接觸面形式的一個(gè)上面電觸點(diǎn)。這個(gè)電觸點(diǎn)緊接著通過將一種導(dǎo)電材料涂敷到電接觸面上使其變厚而被增高，觸點(diǎn)的高度至少要同發(fā)光轉(zhuǎn)換層最后設(shè)置的厚度一樣。在進(jìn)一步的加工步驟中，用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料對(duì)芯片表面進(jìn)行涂敷。
采用按照本發(fā)明的方法可以在不考慮前面觸點(diǎn)的情況下進(jìn)行前面可接電芯片的涂敷。因此通過把電觸點(diǎn)，確切地說是把電接觸面暴露出來(例如借助于一個(gè)掩模(Maske))，這樣一個(gè)昂貴的涂敷過程被減少到了既簡(jiǎn)單又成本經(jīng)濟(jì)地涂敷整個(gè)表面。
所述是發(fā)光轉(zhuǎn)換材料優(yōu)選具有一種可透射輻射的基材，該基材可用發(fā)光材料摻入。
這種基材例如可以具有二氧化硅(SiO2)和/或者三氧化二鋁(Al2O3)，由此發(fā)光轉(zhuǎn)換材料可達(dá)到所需的稠度(例如硬度)，以使其可以在多種方式下容易地和可控地被薄化。
在本方法的一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施例中，可透射輻射的基材具有一種氧化物和/或者氮化物，它的折射指數(shù)位于1.5和3.4之間。由于在邊界面的反射，輻射強(qiáng)度的損失可通過一種發(fā)光轉(zhuǎn)換材料得以避免，該發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的折射指數(shù)同發(fā)光二極管芯片表面的折射指數(shù)沒有強(qiáng)烈區(qū)別且位于發(fā)光二極管芯片表面的折射指數(shù)和環(huán)境折射指數(shù)之間。
本方法具有特別的優(yōu)點(diǎn)，即被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料覆蓋的電接點(diǎn)緊接著通過發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的薄化至少部分地被露出來。也就是說電接點(diǎn)不必全部露出來，更確切地說，僅僅當(dāng)電接點(diǎn)的一部分表面被露出來就足夠了。這一簡(jiǎn)單的措施使許多涂敷方法的應(yīng)用成為可能，例如汽相滲鍍或者濺射，因?yàn)橛眠@種方法前面的電接點(diǎn)會(huì)被覆蓋。
在本方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的涂層緊接著通過薄化被平整。例如在涂敷中，由于前面增高了的電觸點(diǎn)可導(dǎo)致涂層的不平整性。通過涂層的薄化可獲得發(fā)光二極管光源色位(CIE色板)更小的波動(dòng)以及發(fā)光二極管光源色位(CIE色板)更好的可重復(fù)性。
由于上面的電觸點(diǎn)，發(fā)光二極管光源的色位可以緊接著以其特別有利的方式進(jìn)行控制。這一控制優(yōu)選可以在涂敷的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料薄化的過程中來進(jìn)行，即當(dāng)上面電觸點(diǎn)一露出來就可以了。
發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂層的厚度可以非常實(shí)用的通過涂層的薄化來校準(zhǔn)。
而且通過發(fā)光二極管光源色位的控制，可以在發(fā)光轉(zhuǎn)換涂層的厚度和色位之間測(cè)定它們的相互關(guān)系。為了通過把涂敷的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料薄化有目的地校準(zhǔn)色位，應(yīng)用這一方法特別有利。
本方法尤其適用于通過應(yīng)用大量同樣形式的、最好共同位于原有晶片結(jié)合體上的芯片來同時(shí)生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光二極管光源。因此對(duì)于晶片結(jié)合體上芯片的相應(yīng)加工步驟至少基本上是同時(shí)進(jìn)行的。由此使得發(fā)光二極管光源的生產(chǎn)明顯更富效率且更加成本經(jīng)濟(jì)。
因?yàn)榘l(fā)光二極管芯片的光不僅僅從前面輻射而且也可以從側(cè)面輻射，因此在這類芯片中就特別有利，將發(fā)光二極管芯片的側(cè)面也至少部分地用發(fā)光二極管轉(zhuǎn)換材料進(jìn)行涂敷。在對(duì)晶片結(jié)合體上的大量發(fā)光二極管芯片進(jìn)行涂敷時(shí)就非常合適，在涂敷前沿著單個(gè)芯片間的分界線加工出溝槽，該溝槽在緊接著的芯片涂敷過程中至少部分地被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料填滿。
另外一種方案是，首先將整個(gè)晶片結(jié)合體用底面牢固地設(shè)置于一載體上，接著將芯片由晶片結(jié)合體上進(jìn)行分割，并使其仍然都粘牢在載體上，也就是說它們借助于載體接下來仍然保持在一個(gè)結(jié)合體上。同樣也保證了發(fā)光二極管芯片的側(cè)面在接下來的涂敷中至少部分地被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料所覆蓋。
在應(yīng)用按照本發(fā)明的方法時(shí)，由大量在晶片結(jié)合體上的同樣的芯片同時(shí)生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光二極管光源可有利地采用這種方案，即在發(fā)光轉(zhuǎn)換材料薄化的過程中檢查發(fā)光二極管光源的色位。在晶片結(jié)合體上發(fā)光二極管光源的色位及位置的確定和掌握提供了這種可能性，對(duì)發(fā)光二極管光源根據(jù)其色位進(jìn)行分類，因此取得發(fā)光二極管光源更準(zhǔn)確的色位規(guī)格詳細(xì)資料。
按照本發(fā)明的方法可尤其有利地應(yīng)用于此，即對(duì)整個(gè)晶片結(jié)合體上的發(fā)光二極管光源盡可能準(zhǔn)確地校準(zhǔn)一個(gè)確定的色位。因?yàn)橐粋€(gè)晶片結(jié)合體上的發(fā)光二極管芯片的高度在整個(gè)晶片上并不是均勻的，高度的波動(dòng)例如可能達(dá)到20個(gè)微米，從而發(fā)光轉(zhuǎn)換材料在整個(gè)晶片上的均勻薄化會(huì)導(dǎo)致發(fā)光轉(zhuǎn)換涂層形成不同的厚度。這個(gè)問題可以借助于按照本發(fā)明的方法來解決，方法是在晶片上的發(fā)光二極管光源的色位和位置被確定和掌握之后，對(duì)晶片按有相似色位的發(fā)光二極管光源的區(qū)域進(jìn)行劃分。通過對(duì)每一單個(gè)區(qū)域的發(fā)光轉(zhuǎn)換涂層按區(qū)域有選擇地薄化，同時(shí)對(duì)相應(yīng)區(qū)域的發(fā)光二極管光源中一個(gè)光源的色位反復(fù)進(jìn)行控制，就可實(shí)現(xiàn)對(duì)每一個(gè)這樣區(qū)域的確定色位的校準(zhǔn)。
其它優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)選的實(shí)施方式接下來借助

圖1a到2b示出的三個(gè)實(shí)施例說明。如圖所示圖1a到1f在第一個(gè)實(shí)施例的不同加工階段下，一個(gè)晶片的示意剖面圖，圖2a到2b在第二個(gè)實(shí)施例的不同加工階段下，一個(gè)晶片的示意剖面圖和圖3a到3b按照本發(fā)明方法的第三個(gè)實(shí)施例，在不同加工階段下，一個(gè)晶片的示意剖面圖。
圖1a所示的是一個(gè)晶片1，包括一個(gè)碳化硅(SiC)基體11和一個(gè)帶有發(fā)出輻射活性區(qū)(未示出)的氮化鎵銦(InGaN)基的外延半導(dǎo)體層列10?；钚詤^(qū)例如具有一個(gè)產(chǎn)生輻射的p-n結(jié)，或者一個(gè)產(chǎn)生輻射的單一或多重量子結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)對(duì)普通技術(shù)人員來說是很熟悉的，因此就不再進(jìn)一步說明了。例如在WO 01/39282 A2中描述了一種多重量子結(jié)構(gòu)，它的內(nèi)容可通過援引采納。在晶片1上，電接觸面2總是位于前面的芯片柵格(chipraster)內(nèi)。
在圖1b中對(duì)其它加工步驟作了說明，通過將導(dǎo)電材料3涂敷到電接觸面2上實(shí)現(xiàn)了電觸點(diǎn)的增高。導(dǎo)電材料3近似于橢圓形狀，例如可由金子構(gòu)成。導(dǎo)電材料3僅僅需要一個(gè)最小高度，并不需要都有相同的高度，這個(gè)事實(shí)是本方法的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
緊接著如圖1c所示，晶片結(jié)合體1的整個(gè)前面的表面用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4來涂敷，其中可通過汽相滲鍍、濺射、旋轉(zhuǎn)噴涂或其他方法進(jìn)行表面的涂敷。發(fā)光轉(zhuǎn)換材料可以由含有鈰(Ce)的石榴石材料構(gòu)成，特別是由釔鋁石榴石(YAG):鈰(Ce)構(gòu)成。在這一步驟中重要的是，用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4涂敷的涂層必須在整個(gè)晶片區(qū)域內(nèi)達(dá)到一定的最小厚度。
通過對(duì)硬化了的發(fā)光轉(zhuǎn)換涂層緊接著薄化，涂敷了發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4的涂層可獲得一個(gè)均勻的厚度，如圖1d所示。涂層的薄化借助于一個(gè)磨削面5的磨損來實(shí)現(xiàn)。
只要導(dǎo)電材料3通過薄化一被露出來，在單個(gè)芯片區(qū)域上就可以有目的地電接觸和接通電壓了。這時(shí)借助于一個(gè)光譜儀7就可以測(cè)定輻射光6的色位，如圖1e所示。可以有目的地進(jìn)一步將其薄化，例如直到發(fā)光二極管輻射出全部的白光。
例如還可以將發(fā)光轉(zhuǎn)換材料在所有的芯片上基本上以同樣的程度薄化。因?yàn)橐粋€(gè)晶片的發(fā)光二極管芯片的色位分布在整個(gè)晶片上并且通常情況下是變化的，人們可以有選擇地在帶有相似色位的發(fā)光二極管的區(qū)域內(nèi)將晶片進(jìn)行劃分，緊接著發(fā)光轉(zhuǎn)換材料按照區(qū)域有選擇地被薄化，例如通過在薄化的過程中，對(duì)一個(gè)區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管光源的色位有利地重復(fù)進(jìn)行控制可校準(zhǔn)一個(gè)區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管光源的色位。例如通過完成一個(gè)所謂的晶片圖，可緊接著測(cè)定并掌握所有發(fā)光二極管光源在晶片上的相應(yīng)色位和相應(yīng)位置。
最后如圖1f所示，沿著分界線8在晶片結(jié)合體1上對(duì)芯片進(jìn)行分割。例如這可以借助鋸切來實(shí)現(xiàn)。這時(shí)分割完的芯片就可以根據(jù)它們的色位來分類。
在圖2a和2b中說明的按照本發(fā)明方法的第二個(gè)實(shí)施例與根據(jù)圖1a到1f上述的實(shí)施例不同，在涂敷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4之前，在晶片1上的芯片柵格前面上，沿著分界線13加工出了溝槽12(圖2a)，這例如可以通過鋸切來實(shí)現(xiàn)。在進(jìn)一步的加工過程中，將在芯片的前面上涂敷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4，以使在溝槽12上的涂層至少超過在電接觸面2上涂敷的導(dǎo)電材料3的厚度(圖2b)。因此溝槽12的側(cè)面14完全被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4所覆蓋。在溝槽12中所涂敷的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4將使得在芯片側(cè)面發(fā)出的輻射被同樣轉(zhuǎn)換。如圖2b所示，在發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4被薄化以后，芯片將沿著分界線13被分割。
代替在晶片前面沿著分界線加工溝槽的方式，另外一種方案中可將晶片用其底面粘在一載體上，同時(shí)緊接著將芯片在晶片結(jié)合體上分割開，同時(shí)通過載體芯片仍牢固地連在一起，同時(shí)每個(gè)芯片相互之間都將保持一個(gè)確定的距離(未示出)。分割可以例如通過鋸切實(shí)現(xiàn)。例如可以使用一種帶粘性的和/或者有彈性的薄膜作為載體。例如一個(gè)有彈性的薄膜在芯片被分割以后可以被拉長(zhǎng)，以使芯片相互間的距離可均勻地在一個(gè)或者多個(gè)方向上增大。
緊接著在載體上可以涂敷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料，以使在相鄰芯片間的空間部分地或全部地被填滿。在本實(shí)施例中可以實(shí)現(xiàn)，直至芯片背面的所有表面全部被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料所覆蓋，以此方式制造的發(fā)光二極管的光源可實(shí)現(xiàn)特別均勻的輻射特性。
在圖3a和3b中所示的第三種實(shí)施例，與根據(jù)圖1a到1f所示的上述實(shí)施例不同，發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4被涂敷后，不覆蓋前面涂敷的導(dǎo)電材料3。這例如可以通過使用粘度非常小的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4來實(shí)現(xiàn)，它涂敷在兩個(gè)電觸點(diǎn)間的至少一個(gè)位置上，同時(shí)由于粘度小而被均勻地分布在表面上。在此發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的薄化被取消了，導(dǎo)電材料3至少部分地未被覆蓋。在發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4時(shí)效硬化后，發(fā)光二極管光源就可以被分割開了。
借助于實(shí)施例對(duì)本方法的說明當(dāng)然不能視為本發(fā)明就局限于此。例如芯片的前面可以是基材背對(duì)半導(dǎo)體涂層列的面，例如用于倒裝晶片安裝(Flip-chip-Montage)所設(shè)置的液晶顯示器(LED)芯片就是這種情況。而且芯片在其芯片的前面上可以有多個(gè)電觸點(diǎn)。一般說來本發(fā)明包括了每一項(xiàng)新的特征以及每個(gè)所公布的特征的組合，尤其包括了專利權(quán)利要求書中的每一項(xiàng)特征的組合，即使這一組合在專利權(quán)利要求書中沒有作詳盡的說明。
權(quán)利要求
1.特別用于混合色的發(fā)光二極管光源的生產(chǎn)方法，其中至少由芯片所輻射出來的一次輻射的一部分借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換被轉(zhuǎn)變，其步驟為-準(zhǔn)備一個(gè)芯片，它具有一個(gè)電接觸面形式的前面電觸點(diǎn)。-通過將一種導(dǎo)電材料涂敷到電接觸面上使前面電觸點(diǎn)增厚。-用一種發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂敷芯片。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中發(fā)光轉(zhuǎn)換材料具有一種可透射輻射的基材，它可摻入一種發(fā)光材料。
3.按照權(quán)利要求2所述的方法，其中透射輻射的基材具有二氧化硅(SiO2)和/或三氧化二鋁(Al2O3)。
4.按照權(quán)利要求2或3所述的方法，其中可透射輻射的基材具有一種氧化物和/或一種氮化物，它們的折射系數(shù)位于1.5至3.4之間。
5.按照權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料覆蓋的電接點(diǎn)緊接著通過發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的薄化而露出來。
6.按照權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的涂層通過薄化被平整。
7.按照權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中緊接著進(jìn)行發(fā)光二極管光源色位(CIE色板)的控制。
8.按照權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中通過發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂層的薄化來校準(zhǔn)它的厚度。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其中借助于發(fā)光二極管光源色位的控制進(jìn)行薄化的過程中，發(fā)光二極管光源的色位通過發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂層的厚度被校準(zhǔn)。
10.按照權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其中-發(fā)射出一次輻射的芯片同大量的其它同樣形式的芯片位于同一晶片結(jié)合體上，-整個(gè)晶片結(jié)合體上芯片的相應(yīng)加工步驟總是同時(shí)進(jìn)行的，-芯片緊接著被分割成發(fā)光二極管光源。
11.按照權(quán)利要求10所述的方法，其中在芯片用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂敷之前，沿著單個(gè)芯片之間的分界線加工出溝槽，以使這些溝槽在緊接著用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂敷芯片時(shí)至少部分地被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料填滿。
12.按照權(quán)利要求10所述的方法，其中在芯片用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂敷之前-將整個(gè)晶片結(jié)合體用其底面粘到一載體上，-在晶片結(jié)合體上的芯片被分割開，并使它仍牢固地粘在載體上，-分割開的芯片的側(cè)面，在芯片涂敷時(shí)至少部分地被發(fā)光轉(zhuǎn)換材料所覆蓋，-緊接著，結(jié)合體上的芯片通過載體和發(fā)光轉(zhuǎn)換材料被分割為單個(gè)的發(fā)光二極管光源。
13.按照權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中在芯片被分割成發(fā)光二極管光源之前，它們的色位和位置要被確定和掌握，分割后的發(fā)光二極管光源要根據(jù)它們的色位來分類。
14.按照權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中在芯片被分割之前要實(shí)施下列加工步驟-確定和掌握發(fā)光二極管光源的色位和位置，-晶片按有相似色位的發(fā)光二極管光源的區(qū)域進(jìn)行劃分，-通過對(duì)單個(gè)區(qū)域的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料有選擇地薄化，校準(zhǔn)具有相似色位的發(fā)光二極管光源區(qū)域的每一確定的色位，-對(duì)相應(yīng)區(qū)域的發(fā)光二極管光源的色位進(jìn)行控制。
全文摘要
本發(fā)明說明了一種尤其是混合色的發(fā)光二極管光源的生產(chǎn)方法，其中至少從芯片所輻射出來的一次輻射的一部分借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換被轉(zhuǎn)變。這里涉及到一種帶有前面(即朝著輻射方向的一側(cè))電觸點(diǎn)的芯片，在它的表面被涂敷一薄層形式的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。此外，前面電觸點(diǎn)在涂敷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料之前，通過在電接觸面上涂敷導(dǎo)電材料被增厚。本方法通過色位(IEC色板)的控制和發(fā)光轉(zhuǎn)換材料涂層的薄化可以對(duì)確定的色位有目的地校準(zhǔn)。而且本方法尤其適用于由在晶片結(jié)合體上的大量同樣形式的芯片來同時(shí)生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光二極管光源。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1708863SQ200380102478
公開日2005年12月14日 申請(qǐng)日期2003年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月30日
發(fā)明者B·布勞恩, H·布倫納 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司