專利名稱：利用磁力的可拆卸模版窗口和支撐框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及光刻系統(tǒng)，并且更具體地說，涉及安裝模版和薄膜(pellicles)的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中，利用光刻和光學(xué)印刷技術(shù)。在光刻法中，模版上包含的圖像被投射到在其上有光致抗蝕劑的晶片上。該模版或掩模被用于將所需圖像轉(zhuǎn)移至硅片上。該半導(dǎo)體晶片表面涂有光致抗蝕劑以使圖像蝕刻在晶片上面。薄膜與模版組合被用于保護(hù)模版表面不受損壞，并且防止碎片使圖像變形。該薄膜通常被安裝到固體框上固定至模版。
用于光刻中某一波長的光易于被大氣中的氧氣吸收。因此，當(dāng)這種氧-敏感的光波長被用于光刻中時，它們必須通過無氧的大氣被傳送。
光刻系統(tǒng)通常位于凈室環(huán)境中。在某些情況下，不能清除凈室中的大氣中的氧氣，因為這可能在光刻法中導(dǎo)致其它的問題。例如，用于光刻系統(tǒng)的激光干涉儀可能對空氣折射率的變化敏感，而空氣折射率的變化可能隨著無氧大氣的變化而發(fā)生。因此，無氧的環(huán)境可能必須被嚴(yán)格限制在低于整個光刻系統(tǒng)下。對于在含氧環(huán)境中具有高吸收的光波長而言，所需要的是一種傳送介質(zhì)。
薄膜通常被安裝在與對應(yīng)的模版相對的框架上。因此，在模版和薄膜間可能存在氣隙。并且，在157nm的曝光波長下沒有能用于保護(hù)已制作圖案的模版表面不受微粒污染的已知膜材料?，F(xiàn)在，優(yōu)選的替代辦法是使用通過框架與模版分隔的薄熔融石英玻璃窗口。通常該框架同時連接至模版和窗口上。另一方面，如果該窗口和框架都是熔融石英玻璃，并且配合面足夠平，則該模版、框架和窗口可以依靠分子力不用粘結(jié)劑而“接觸”在一起，以將表面結(jié)合在一起。然而，將模版、薄膜和框架用容易的方式連接在一起的問題依然存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及能基本上排除相關(guān)技術(shù)的一個或多個問題和缺點的一種利用磁力的可拆卸模版窗口和支撐框架。
本發(fā)明的一種實施方式包括用以在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對面的框架、用磁耦合連接至第一相對面的模版。薄膜利用磁耦合連接至第二相對面。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點將在隨后的說明中進(jìn)行陳述，并且部分將從說明中弄清楚，或可通過本發(fā)明的實踐弄清楚。本發(fā)明的優(yōu)點將通過本文中書面說明書和權(quán)利要求書以及附圖中的結(jié)構(gòu)和特別說明中認(rèn)識并獲得。
要理解前面所述的概要和隨后的具體說明是示范性和說明性的，并且意在提供如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


所包含的

本發(fā)明的實施例并且被結(jié)合進(jìn)而構(gòu)成此說明書的一部分，并與說明一起說明本發(fā)明的實施方式，以說明本發(fā)明的原理。在圖中圖1是表示常規(guī)光刻系統(tǒng)中的光路的相關(guān)部分的框圖；圖2是表示本發(fā)明的光刻系統(tǒng)中的光路的相關(guān)部分的框圖；圖3表示按照本發(fā)明的一種實施方式的模版和薄膜與多孔框架的裝配分解圖；圖4表示本發(fā)明的一實施例的操作；圖5表示模版-框架-薄膜裝配的另一視圖；圖6A-6B表示本發(fā)明的磁耦合的一種實施方式；
圖7A-7B表示本發(fā)明的磁耦合的另一實施方式。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，實例表示在附圖中。
“環(huán)境空氣”指含氧空氣，如通常的大氣。例如，“環(huán)境空氣”可指在含氧凈室大氣或環(huán)境中的空氣。
“凈化氣”指不含氧氣或某種其它不需要氣體的氣體，并且用于填充被凈化的氣隙或空間。
圖1表示常規(guī)光刻系統(tǒng)100的相關(guān)部分。常規(guī)光刻系統(tǒng)100位于環(huán)境空氣或氣體環(huán)境中。為簡潔起見，常規(guī)光刻系統(tǒng)的某些部分沒有在圖1中表示出來，例如光源光學(xué)系統(tǒng)、投射光學(xué)系統(tǒng)等。
常規(guī)光刻系統(tǒng)100由照射源102、模版104、框架106、薄膜108，和半導(dǎo)體晶片110組成。照射源102包括一個輻射源，用于利用模版104上的圖案對半導(dǎo)體晶片110的表面曝光。模版104包括一個有圖案的掩模，該圖案通過來自照射源102的輻射轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片110的表面?？蚣?06是將模版和薄膜裝配在上面的常規(guī)的固體框?？蚣?06含有氣隙112。氣隙112在模版104和薄膜108間的框架106的內(nèi)部形成。薄膜108是一個潔凈覆蓋層用以保護(hù)模版104不受微粒損壞。
半導(dǎo)體晶片110是一種半導(dǎo)體晶片，其表面通過照射源102的輻射被曝光及蝕刻以具有模版104上的圖案。
照射源102產(chǎn)生輻射114。輻射114經(jīng)過模版104、框架106、氣隙112，和薄膜108傳輸?shù)桨雽?dǎo)體晶片110的表面。當(dāng)輻射114包括被氧氣吸收的光波長時，在氣隙112中的氧氣可能會至少吸收這些光波的一部分，可能阻止足夠量的輻射114到達(dá)半導(dǎo)體晶片110的表面。這種吸收可能導(dǎo)致傳送模版104上的圖案到半導(dǎo)體晶片110的表面的輻射不足，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量下降。
圖2說明按照本發(fā)明一種實施方式的示例的光刻系統(tǒng)200。光刻系統(tǒng)200位于環(huán)境空氣環(huán)境中。光刻系統(tǒng)200保持在模版和薄膜間的凈化氣環(huán)境用以傳送對氧敏感的光波。
光刻系統(tǒng)200由照射源202、模版104、多孔框架206、薄膜108，和半導(dǎo)體晶片110組成。
照射源202包括用于曝光半導(dǎo)體晶片110表面的輻射源。照射源202可以包括任何適合曝光半導(dǎo)體晶片表面的可用輻射源，包括激光。照射源202發(fā)射輻射214。輻射214可能包括任何種類的適合的輻射，包括激光。輻射214可能包括適合曝光及蝕刻半導(dǎo)體晶片的氧-敏感光波。例如，這種光波可能包括波長為157nm的光。
模版104接收輻射214。模版104包括有圖案的掩模，該圖案通過來自照射源202的輻射214被轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片110的表面。
多孔框架206接收已通過模版104的輻射214。模版104被安裝至多孔框架206。多孔框架206包含允許空氣流過但阻擋微粒污染物通過的多孔材料。
薄膜108接收已經(jīng)通過多孔框架206的輻射214。薄膜108被安裝至多孔框架206。模版104與薄膜108成光學(xué)校直。
輻射214透過模版104、多孔框架206、凈化氣隙112，和薄膜108傳輸至半導(dǎo)體晶片110。半導(dǎo)體晶片110接收輻射光214。半導(dǎo)體晶片110包括被照射源202發(fā)射出的輻射214曝光并以模版104上的圖案蝕刻的表面。
多孔框架206包含氣隙112。氣隙112在模版104和薄膜108間的多孔框架206的內(nèi)部形成。用不含氧氣的凈化氣，例如氮氣充滿氣隙112，因此不干涉輻射214中的氧-敏感波長。多孔框架206還可防止微粒污染物進(jìn)入氣隙112并損壞模版104。多孔框架206有足夠高的孔隙率以允許氣體自多孔框架206包含的氣隙112中傳到多孔框架206的外部。
由于多孔框架206允許氣體流入和流出，在靜態(tài)模式中，多孔框架206使氣隙112中的壓力與大氣壓相符，消除模版104和/或薄膜108的變形。參看以引用方式結(jié)合在本文中的2002年12月9日提交的第6239863號美國專利與第10/314491號美國專利申請。
光刻系統(tǒng)200為由照射源202發(fā)出的輻射214提供凈化氣光路。因此，照射源202可以在不經(jīng)受由氧吸收引起的顯著衰減的條件下，傳輸氧敏感光波。
上文說明在示例光刻環(huán)境中的本發(fā)明的具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版。本發(fā)明并不限于這種環(huán)境，并適用于另外的光刻環(huán)境和非光刻環(huán)境。這里給出的實施例，目的是為了說明，而不是限制。根據(jù)這里所包含的示教，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
下文說明按照本發(fā)明的具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的實施例。這里所說明的實施例，目的是為了說明而不是限制。本發(fā)明適用于需要具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的任何應(yīng)用。
圖3的分解圖表示按照本發(fā)明的凈化的薄膜至模版氣隙裝置300的實施例。凈化的薄膜至模版氣隙裝置300包括模版104、多孔框架206、薄膜108、和氣隙112、凈化氣供應(yīng)接口316，和真空源接口318。
多孔框架206包括第一表面320和第二表面322(位于多孔框架206的與第一表面320相對側(cè)，在圖3中不可見)。第一表面320和第二表面322基本上互相平行。多孔框架206由一種多孔過濾材料構(gòu)成。多孔框架206的多孔過濾材料允許氣體的傳送，但阻止微粒的傳送。這些微?？赡馨諝庵械奈⒘?、灰塵、由光刻工藝產(chǎn)生的微粒、和由其它源產(chǎn)生的微粒。在優(yōu)選實施方式中，多孔框架206基本上為矩形。在替代實施方式中，多孔框架206可以包括其它形狀，例如圓形、橢圓形和不規(guī)則形狀。
在優(yōu)選實施方式中，多孔框架206由一種以上的金屬制成。舉例說來，多孔框架206可以包含鐵、銅、青銅、鎳、鈦或其它金屬，或選自以上金屬構(gòu)成組中金屬的組合或其合金。多孔框架206包含通過孔成形方法在金屬中形成的孔隙。舉例說來，多孔框架206可以由通過燒結(jié)而在它們的接觸點被結(jié)合的金屬粉?；蚪z制成，燒結(jié)可以在微粒或絲之間產(chǎn)生連續(xù)、明確的孔隙網(wǎng)絡(luò)。燒結(jié)技術(shù)通常將兩種以上的起初分離的微粒在低于熔點的溫度下焊接在一起并在微粒之間生成接觸區(qū)。形成孔隙的其它方法也在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)?？紫抖然蚩讖酱笮】梢酝ㄟ^加工過程控制，并且可以根據(jù)逐個應(yīng)用而確定。舉例說來，孔隙度可以被規(guī)定微米級，或微米的分?jǐn)?shù)級。但是，本發(fā)明并不限于這些孔隙度值。許多供應(yīng)商可能供應(yīng)按照燒結(jié)及其它技術(shù)制造的適當(dāng)多孔金屬。這些供應(yīng)商包括Michigan州Auburn Hills的GKNSinter Metals公司和California州Gardena的Capstan Permaflow股份有限公司。
薄膜108被連接至多孔框架206的第一表面320。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的那樣，薄膜108可以包含一種玻璃、膜或其它材料(盡管目前使用157nm的膜有困難)。薄膜108被連接或固定至第一表面320，以使氣隙112在第一表面320處被完全封閉。此外，薄膜108被固定至第一表面320，以使在薄膜108和第一表面320的接口處形成實質(zhì)上的氣密密封。
模版104被連接至多孔框架206的第二表面322。模版104被連接或固定至第二表面322，以使氣隙112在第二表面322處被完全封閉。此外，模版104被固定至第二表面322，以使在模版104和第二表面322的接口處形成實質(zhì)上的氣密密封。模版104與第二表面322被以本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的方式固定。
薄膜108、模版104和多孔框架206組合形成實質(zhì)上的氣密氣隙112，其中氣體僅流經(jīng)多孔框架206的材料。在優(yōu)選實施方式中，多孔框架206的多孔過濾材料能夠允許氣體的傳送而同時阻止微粒污染物的進(jìn)入。
與模版104和薄膜108裝配的“可呼吸的”多孔框架206可以或者被允許保持靜態(tài)(即對周圍環(huán)境開放)，或者被連接至如上所述的外部增壓凈化氣源。凈化氣供應(yīng)接口316連接多孔框架206及凈化氣源。凈化氣供應(yīng)接口316連接多孔框架206的第一框架端面324。凈化氣供應(yīng)接口316優(yōu)選將凈化氣從凈化氣源提供給第一框架端面324。凈化氣從凈化氣供應(yīng)接口316通過第一框架端面324的孔隙注入氣隙112。在替代實施方式中，凈化氣供應(yīng)接口316為多孔框架206中的第一端口、孔或閥，用以通過多孔框架206提供凈化氣并進(jìn)入氣隙112。
真空源接口318連接多孔框架206與真空源。真空源接口318連接至多孔框架206的第二框架端面326。如圖3所示，第二框架端面326位于多孔框架206的與第一框架端面324相對側(cè)(在圖3中不可見)。在替代實施方式中，第二框架端面326可以位于不與第一框架端面324相對的框架206的側(cè)面上。真空源接口318最好通過第二框架端面326從氣隙112中排空或去除凈化氣。在替代實施方式中，真空源接口318為多孔框架206中的第二端口、孔或閥，用以從氣隙112中更直接地排空或去除凈化氣。
在正常操作中，多孔框架206具有四個外露表面第一框架端面324、第二框架端面326、第三框架端面328和第四框架端面330(與第三框架端面328相對，在圖3中不可見)。在優(yōu)選實施方式中，多孔框架206的所有外露表面為多孔狀，并允許氣體從氣隙112通入和通出。在替代實施方式中，第一框架端面324和第二框架端面326為多孔框架206的僅有的多孔外露表面。這在本發(fā)明的動態(tài)應(yīng)用中特別有用，允許多孔框架206在第一框架端面324和第二框架端面326處被分別連接至凈化氣源和真空源，而沒有漏氣的其余外露表面。
凈化氣可以通過凈化氣供應(yīng)接口316進(jìn)入該裝置，并可以通過真空源接口318從該裝置排空，以產(chǎn)生凈化氣沿氣隙112的連續(xù)流。平衡通過氣隙112的凈化氣流，使其壓力等于大氣壓，以消除模版104和/或薄膜108的變形。
以上說明本發(fā)明的帶有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的實施例。本發(fā)明并不限于這些實施例。這里提出的這些實施例，目的是說明，而不是限制。根據(jù)這里所包含的示例內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
本節(jié)中提出與上述結(jié)構(gòu)和/或?qū)嵤┓绞较嚓P(guān)的示例操作和/或結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。這里提出的這些部件和方法，目的是說明，而不是限制。本發(fā)明并不限于這里所述的部件和方法的特定實施例。根據(jù)這里所包含的示例內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
圖4表示本發(fā)明的一實施例的操作。圖4表示多孔框架模版/薄膜組件404、凈化氣源416和真空源418。
在優(yōu)選實施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400包括模版、多孔框架、和薄膜，例如圖3所示的模版104、多孔框架206和薄膜108。多孔框架模版/薄膜組件400還包括氣隙112。
在優(yōu)選實施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400保持對模版臨界表面上的機(jī)械微?？刂?，同時允許連續(xù)凈化氣或空氣環(huán)境流入氣隙112。此外，多孔框架模版/薄膜組件400標(biāo)準(zhǔn)化氣隙112中的壓力，有效消除由大氣壓變化引起的模版或薄膜的變形。
在具體實施方式
中，多孔框架206的多孔過濾材料能夠允許氣體的傳送而同時阻止微粒污染物的進(jìn)入。此“可呼吸的”多孔框架模版/薄膜組件400可以被允許保持靜態(tài)(即對周圍環(huán)境開放)。在靜態(tài)實施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400不被連接至凈化氣源416或真空源418。環(huán)境空氣可以被允許通過多孔框架模版/薄膜組件400進(jìn)入氣隙112，如在示例環(huán)境空氣流動路徑420中。但是，在下面所述的優(yōu)選實施方式中，凈化氣的連續(xù)流被注入氣隙112以防止環(huán)境空氣進(jìn)入氣隙112。
多孔框架模版/薄膜組件400也可以在動態(tài)環(huán)境中操作。在動態(tài)實施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400可以被連接至凈化氣源416。凈化氣源416通過多孔框架模版/薄膜組件400的多孔框架供應(yīng)凈化氣至氣隙112。進(jìn)入氣隙112的凈化氣被表示為插入凈化氣流422。凈化氣源416的適用的供氣系統(tǒng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知。
此外，在動態(tài)實施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400可以被連接至真空源418。真空源418通過多孔框架模版/薄膜組件400的多孔框架從氣隙112中去除凈化氣和/或環(huán)境空氣(如果有的話)。從氣隙112去除的凈化氣被表示為去除氣流424。用作真空源418的適用真空系統(tǒng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知。
圖5表示本發(fā)明實施例的另一說明。如圖5所示，利用例如通過磁涂層所產(chǎn)生的磁耦合，框架106被連接至模版104和薄膜108。注意在157納米下使用的通常由熔融石英玻璃制成的薄膜的典型厚度為約0.8mm。如圖5所示，模版104和薄膜108的中央?yún)^(qū)域(圖案區(qū)域)通常專用于模版圖案(或者在薄膜108的情況下被清除)。中央?yún)^(qū)域的典型尺寸為約長100mm寬120mm。整個模版104和薄膜108的典型尺寸為大約150mm的方形。圍繞中央圖案區(qū)域的“暗區(qū)”可以被用于在模版104和薄膜108上沉積磁涂層?？梢栽诳蚣?06上沉積高磁導(dǎo)率涂層，以便耦合至形成模版104和薄膜108上涂層的高Hc材料。在本文中，高Hc材料是一種矯頑力值至少為1,000奧斯特、并更優(yōu)選至少為5,000或10,000奧斯特的材料。
注意使用多孔框架106不是本發(fā)明的必要條件，以可以使用一種固體(例如石英玻璃框架106)，采用其它用于凈化薄膜108和模版104間的空間的裝置。
耦合強(qiáng)度實質(zhì)上與磁場強(qiáng)度的平方成比例。模版104和薄膜108上的高Hc涂層一旦被磁化就成為永磁鐵?？梢杂米鞲逪c涂層的材料示例包括陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鎳合金、釹鐵硼合金、釤鈷和釤鈷合金、鋁鎳合金、釩合金、鈷合金、鎳釩鈷合金等等，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所清楚的那樣。
框架106上的涂層最好由高磁導(dǎo)率材料制成，以使該涂層在不飽和的情況下承載高磁通量，并在被磁化時保持高磁通量。因此，在高Hc材料與高磁導(dǎo)率涂層之間形成磁路。高磁導(dǎo)率材料的示例包括軟鐵及軟鐵合金、和鎳鐵合金。對本說明而言，高磁導(dǎo)率指能夠使用至少10、并優(yōu)選至少100的磁導(dǎo)率承載優(yōu)選至少1,000高斯的磁通量密度。
圖6A表示由高磁導(dǎo)率涂層601和高Hc涂層602形成的磁路，如上所述涂層被放置在模版104和框架106上。類似地，圖6B表示被放置在框架106上的高Hc涂層602，和被放置在薄膜108上的高磁導(dǎo)率涂層601。應(yīng)該理解兩圖中的涂層601和602可以被反轉(zhuǎn)，只要保持它們的相對布置。
在圖6A和6B中可以進(jìn)一步看到，高Hc涂層602包括多個磁化區(qū)域603A、603B、603C，以便與高磁導(dǎo)率涂層601結(jié)合形成磁路。高Hc涂層602應(yīng)該最好被磁化成交變磁場方向的高空間頻率圖案。區(qū)域603的典型尺寸應(yīng)該為橫向尺寸與涂層602的厚度的處于相同數(shù)量級。因此，對于.5微米厚的涂層602而言，區(qū)域603的橫向尺寸(寬度)應(yīng)該最好不超過幾微米。
圖7A和7B與圖6A和6B類似，但表示一種高Hc涂層已經(jīng)被圖案化為“條”703A、703B、703C的實施方式。因此，代替高磁化交變區(qū)域(圖6A和6B中的603)，圖7A和7B中的“條”703之間的區(qū)域保持為空。
也應(yīng)該理解與高Hc性質(zhì)相關(guān)的磁滯以有助于保持取向，因為磁耦合防止元件彼此相對滑動。磁耦合允許使用凸點(或接合點中的脊)，從而減少接合點(框架106、薄膜108和模版104的耦合位置)處的耦合力矩，導(dǎo)致變形減少。
本發(fā)明的另一優(yōu)點是各元件可以非常容易地被拆卸和裝配，而僅需要最小的力。
裝配過程相對較快，并且易于逆操作。由于磁力在一定距離處起作用，輕微的凸點或脊可以被用于最小化模版104、框架106和薄膜108之間的接合處的耦合力矩。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會理解，在不偏離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和領(lǐng)域的前提下，可以做出各種形式和內(nèi)容上的改變。因此，本發(fā)明的范圍和領(lǐng)域?qū)⒉幌抻谏鲜鋈魏螌嵤├?，而是?yīng)該僅按照權(quán)利要求書及其等價物被限定。
權(quán)利要求
1.一種用于在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對面的框架；利用磁耦合被連接至所述第一相對面的模版；和利用磁耦合被連接至所述第二相對面的薄膜。
2.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第一相對面包含高磁導(dǎo)率涂層。
3.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第二相對面包含高磁導(dǎo)率涂層。
4.如權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層包含選自由軟鐵、鎳鐵、和鎳鐵合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
5.如權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層承載至少1,000高斯的磁通量，并在1,000高斯下保持至少100的磁導(dǎo)率。
6.如權(quán)利要求4的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對面的所述高磁導(dǎo)率涂層。
7.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對面的所述高磁導(dǎo)率涂層。
8.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括選自由陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鈷合金、鎳合金、釩合金、釤鈷合金、釤鈷、鋁鎳合金、鎳鐵合金、釹鐵硼合金和釩鈷合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
9.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括交變磁場方向的高空間頻率圖案。
10.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述高Hc具有至少為1,000奧斯特的數(shù)值。
11.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述Hc具有至少為5,000奧斯特的數(shù)值。
12.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第一相對面包含高Hc涂層。
13.如權(quán)利要求12的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對面的所述高Hc涂層。
14.如權(quán)利要求12的設(shè)備，其中所述高Hc涂層被制作成條狀圖案。
15.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第二相對面包含高Hc涂層。
16.如權(quán)利要求15的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對面的所述高Hc涂層。
17.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述框架包括嵌入的永磁鐵。
18.一種用于在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含框架；利用磁耦合被連接至所述框架的第一側(cè)的模版；和利用磁耦合被連接至所述框架的第二側(cè)的薄膜。
19.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第一側(cè)包含高磁導(dǎo)率涂層。
20.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第二側(cè)包含高磁導(dǎo)率涂層。
21.如權(quán)利要求20的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層包含選自由軟鐵、鎳鐵、和鎳鐵合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
22.如權(quán)利要求20的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層承載至少1,000高斯的磁通量，并在1,000高斯下保持至少100的磁導(dǎo)率。
23.如權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高磁導(dǎo)率涂層。
24.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高磁導(dǎo)率涂層。
25.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括選自由陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鈷合金、鎳合金、釩合金、釤鈷合金、釤鈷、鋁鎳合金、鎳鐵合金、釹鐵硼合金和釩鈷合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
26.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括交變磁場方向的高空間頻率圖案。
27.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述高Hc具有至少為1,000奧斯特的數(shù)值。
28.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述Hc具有至少為5,000奧斯特的數(shù)值。
29.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第一側(cè)包含高Hc涂層。
30.如權(quán)利要求29的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高Hc涂層。
31.如權(quán)利要求29的設(shè)備，其中所述高Hc涂層被制作成條狀圖案。
32.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第二側(cè)包含高Hc涂層。
33.如權(quán)利要求32的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高Hc涂層。
34.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述框架包括嵌入的永磁鐵。
全文摘要
一種用以在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對面的框架，利用磁耦合被連接至第一相對面的模版，和利用磁耦合被連接至第二相對面的薄膜。
文檔編號H01L21/027GK1534382SQ20041000205
公開日2004年10月6日 申請日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月9日
發(fā)明者丹尼爾·N·加爾伯特, 丹尼爾 N 加爾伯特 申請人:Asml控股股份有限公司