專利名稱：于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法及具有如此形成的金屬凸塊的半導(dǎo)體晶片裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種形成金屬凸塊的方法，更特別地，是有關(guān)于一種于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法及具有如此形成的金屬凸塊的半導(dǎo)體晶片裝置。
背景技術(shù)：
基于環(huán)保的理由，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，導(dǎo)電膠已逐漸普遍地被使用代替钖材料。然而，目前半導(dǎo)體晶片的焊墊的材料為鋁，基于共金性的問(wèn)題，要如何提升導(dǎo)電膠與晶片的焊墊之間的導(dǎo)電連接性的研究已成為目前刻不容緩的課題。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法及具有如此形成的金屬凸塊的半導(dǎo)體晶片裝置，可以提升外電路與晶片的焊墊之間的電連接性，簡(jiǎn)化半導(dǎo)體晶片的封裝工藝。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于包含如下的步驟(1)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；(2)在該晶片的焊墊安裝表面上形成一感光薄膜層；(3)借助一光罩對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理，以使在該感光薄膜層中形成將該焊墊暴露的暴露孔；(4)于每一暴露孔內(nèi)的焊墊上形成一導(dǎo)電連接體；(5)于每一導(dǎo)電連接體上形成導(dǎo)電材料；(6)于該導(dǎo)電材料上形成一金屬蓋體；及(7)移除該感光薄膜層。
所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成導(dǎo)電連接體的步驟(4)中，每一導(dǎo)電連接體是延伸至暴露孔的周壁上，使每一導(dǎo)電連接體具有一容置空間，且，在形成導(dǎo)電材料的步驟(5)中，導(dǎo)電材料是形成于每一導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成金屬蓋體的步驟(6)中，該金屬蓋體是形成于該導(dǎo)電材料上并且封閉該導(dǎo)電連接體的容置空間，以使該導(dǎo)電材料被密封于該導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在提供半導(dǎo)體晶片的步驟(1)中，該晶片是已從晶圓切割出來(lái)的晶片。
所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在提供半導(dǎo)體晶片的步驟(1)中，該晶片是尚未從晶圓切割出來(lái)的晶片。
所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成暴露孔的步驟(3)中，更包含如下的步驟把一覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該焊墊的部分的光罩置放于該感光薄膜層上；對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理，使該感光薄膜層的未被該光罩覆蓋的部分硬化；及在移去光罩之后，把感光薄膜層的被該光罩覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露對(duì)應(yīng)的焊墊的暴露孔。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于包含一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；數(shù)個(gè)導(dǎo)電連接體，每一導(dǎo)電連接體是設(shè)于該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊上，于每一導(dǎo)電連接體上設(shè)有導(dǎo)電材料；及數(shù)個(gè)金屬蓋體，每一金屬蓋體是設(shè)于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料上。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于每一導(dǎo)電連接體具有一用于容置該導(dǎo)電材料的容置空間，每一金屬蓋體是封閉對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體的容置空間，使該導(dǎo)電材料被密封于該導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
本發(fā)明的可以提升外電路與晶片的焊墊之間的電連接性，簡(jiǎn)化半導(dǎo)體晶片的封裝工藝。

圖1至圖6是描繪本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法的流程的示意剖視圖；及圖7至圖12是描繪在本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法的流程的示意剖視圖。
圖式的主要元件代表符號(hào)表1 半導(dǎo)體晶片 10 焊墊安裝表面11 焊墊2 感光薄膜層3 光罩4 導(dǎo)電連接體40 容置空間5 導(dǎo)電材料6 金屬蓋體具體實(shí)施方式在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前，應(yīng)要注意的是在整個(gè)說(shuō)明當(dāng)中，相同的元件是由相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)示。
請(qǐng)參閱圖1至圖6所示，本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法的流程是被顯示。
如在圖1中所顯示般，首先，一半導(dǎo)體晶片1是被提供。該半導(dǎo)體晶片1具有一焊墊安裝表面10及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面10上的焊墊11(圖式中僅顯示一個(gè)焊墊)。
應(yīng)要注意的是，該半導(dǎo)體晶片1可以是為已從晶圓(Wafer)切割出來(lái)的晶片，也可以是為尚未從晶圓切割出來(lái)的晶片。
接著，請(qǐng)參閱圖2所示，在該晶片1的焊墊安裝表面10上是形成一感光薄膜層2。之后，一覆蓋該感光薄膜層2的對(duì)應(yīng)于該等焊墊11的部分的光罩3是置放于該感光薄膜層2上。然后，該感光薄膜層2是經(jīng)歷曝光處理以致于該感光薄膜層2的未被該光罩3覆蓋的部分會(huì)硬化。
應(yīng)要注意的是，端視形成該感光薄膜層2的材料的類型而定，一覆蓋該感光薄膜層2的對(duì)應(yīng)于該等焊墊11的部分以外的部分的光罩是能夠被使用。在這情況中，被光罩覆蓋的部分是會(huì)硬化。
請(qǐng)參閱圖3所示，在移去光罩之后，感光薄膜層2的被該光罩覆蓋的部分是以習(xí)知的技術(shù)沖洗去除，以形成將對(duì)應(yīng)的焊墊11暴露的暴露孔。接著，于每一暴露孔的周壁與焊墊11上形成一導(dǎo)電連接體4。導(dǎo)電連接體4是能夠以任何適合的電鍍方式來(lái)形成。每一導(dǎo)電連接體4具有一容置空間40。
然后，請(qǐng)參閱圖4所示，如導(dǎo)電膠般的導(dǎo)電材料5是被形成于導(dǎo)電連接體4的容置空間40內(nèi)。
請(qǐng)參閱圖5所示，在導(dǎo)電材料5被形成之后，一金屬蓋體6是形成于該導(dǎo)電材料5上并且封閉該導(dǎo)電連接體4的容置空間40，以致于該導(dǎo)電材料5被密封于該導(dǎo)電連接體4的容置空間40內(nèi)。該金屬蓋體6是能夠以任何適合的電鍍方式來(lái)形成。
最后，請(qǐng)參閱圖6所示，該感光薄膜層2被移除。
本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)1.以導(dǎo)電連接體4作為導(dǎo)電材料5與焊墊11之間的媒介能夠提升導(dǎo)電性。
2.把導(dǎo)電材料5密封于導(dǎo)電連接體4的容置空間內(nèi)能夠有效防止導(dǎo)電材料5的氧化。
3.以導(dǎo)電連接體4作為導(dǎo)電材料5與焊墊11之間的媒介能夠避免在導(dǎo)電材料5直接與焊墊11連接的情況中可能會(huì)產(chǎn)生的脫離(peeling off)現(xiàn)象。
請(qǐng)參閱圖7至圖12所示，本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法的流程是被顯示。
如在圖7中所顯示般，首先，一半導(dǎo)體晶片1是被提供。該半導(dǎo)體晶片1具有一焊墊安裝表面10及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面10上的焊墊11(圖式中僅顯示一個(gè)焊墊)。
接著，請(qǐng)參閱圖8所示，在該晶片1的焊墊安裝表面10上是形成一感光薄膜層2。之后，一覆蓋該感光薄膜層2的對(duì)應(yīng)于該等焊墊11的部分的光罩3是置放于該感光薄膜層2上。然后，該感光薄膜層2是經(jīng)歷曝光處理以致于該感光薄膜層2的未被該光罩3覆蓋的部分會(huì)硬化。
請(qǐng)參閱圖9所示，在移去光罩之后，感光薄膜層2的被該光罩覆蓋的部分是以習(xí)知技術(shù)沖洗去除，以形成將對(duì)應(yīng)的焊墊11暴露的暴露孔。接著，于每一焊墊11上形成一導(dǎo)電連接體4。導(dǎo)電連接體4是能夠以任何適合的電鍍方式來(lái)形成。
然后，請(qǐng)參閱圖10所示，如導(dǎo)電膠般的導(dǎo)電材料5是被形成于該導(dǎo)電連接體4上。
請(qǐng)參閱圖11所示，在導(dǎo)電材料5被形成之后，一金屬蓋體6是形成于該導(dǎo)電材料5上。該金屬蓋體6是能夠以任何適合的電鍍方式來(lái)形成。
最后，請(qǐng)參閱圖12所示，該感光薄膜層2是被移除。
綜上所述，本發(fā)明的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法及具有如此形成的金屬凸塊的半導(dǎo)體晶片裝置，確能藉上述所揭露的構(gòu)造、裝置，達(dá)到預(yù)期的目的與功效。
但，上述所揭的圖式及說(shuō)明，僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，非為限定本發(fā)明的保護(hù)范圍；大凡熟悉該項(xiàng)技藝的人仕，其所依本發(fā)明的特征范疇，所作的其他等效變化或修飾，皆應(yīng)涵蓋在本案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于包含如下的步驟(1)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；(2)在該晶片的焊墊安裝表面上形成一感光薄膜層；(3)借助一光罩對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理，以使在該感光薄膜層中形成將該焊墊暴露的暴露孔；(4)于每一暴露孔內(nèi)的焊墊上形成一導(dǎo)電連接體；(5)于每一導(dǎo)電連接體上形成導(dǎo)電材料；(6)于該導(dǎo)電材料上形成一金屬蓋體；及(7)移除該感光薄膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成導(dǎo)電連接體的步驟(4)中，每一導(dǎo)電連接體是延伸至暴露孔的周壁上，使每一導(dǎo)電連接體具有一容置空間，且，在形成導(dǎo)電材料的步驟(5)中，導(dǎo)電材料是形成于每一導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成金屬蓋體的步驟(6)中，該金屬蓋體是形成于該導(dǎo)電材料上并且封閉該導(dǎo)電連接體的容置空間，以使該導(dǎo)電材料被密封于該導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在提供半導(dǎo)體晶片的步驟(1)中，該晶片是已從晶圓切割出來(lái)的晶片。
5.如權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在提供半導(dǎo)體晶片的步驟(1)中，該晶片是尚未從晶圓切割出來(lái)的晶片。
6.如權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法，其特征在于在形成暴露孔的步驟(3)中，更包含如下的步驟把一覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該焊墊的部分的光罩置放于該感光薄膜層上；對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理，使該感光薄膜層的未被該光罩覆蓋的部分硬化；及在移去光罩之后，把感光薄膜層的被該光罩覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露對(duì)應(yīng)的焊墊的暴露孔。
7.一種半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于包含一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；數(shù)個(gè)導(dǎo)電連接體，每一導(dǎo)電連接體是設(shè)于該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊上，于每一導(dǎo)電連接體上設(shè)有導(dǎo)電材料；及數(shù)個(gè)金屬蓋體，每一金屬蓋體是設(shè)于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料上。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于每一導(dǎo)電連接體具有一用于容置該導(dǎo)電材料的容置空間，每一金屬蓋體是封閉對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體的容置空間，使該導(dǎo)電材料被密封于該導(dǎo)電連接體的容置空間內(nèi)。
全文摘要
一種于半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸塊的方法及具有如此形成的金屬凸塊的半導(dǎo)體晶片裝置，該方法包含如下的步驟提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；在該晶片的焊墊安裝表面上形成一感光薄膜層；借助一光罩對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理以使在該感光薄膜層中形成將該焊墊暴露的暴露孔；于每一暴露孔內(nèi)的焊墊上形成一導(dǎo)電連接體；于每一導(dǎo)電連接體上形成導(dǎo)電材料；再形成一金屬蓋體于該導(dǎo)電材料上；及移除該感光薄膜層。本發(fā)明的可以提升外電路與晶片的焊墊之間的電連接性，簡(jiǎn)化半導(dǎo)體晶片的封裝工藝。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1665008SQ20041000748
公開(kāi)日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2004年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月5日
發(fā)明者沈育濃 申請(qǐng)人:沈育濃