專利名稱：微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法，尤其涉及將換能器和給換能器提供電連接的布線部集成在同一基板上的微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法。
背景技術：
以往，人們已經(jīng)對將換能器和控制電路集成在同一基板上的微型電力機械系統(tǒng)(MEMSMicro Electro Mechanical Systems)，進行了研究開發(fā)。這里，所謂“換能器”是指，具有將電能轉換成其他形式的能，和/或將其他的能轉換成電能的功能的元件。具備至少局部可以物理性變形的結構體的微型執(zhí)行元件或者微型傳感器，是進行電-機械能變換的典型換能器之所述微型電力機械系統(tǒng)的制造是，可通過在基板上形成控制電路之后，形成換能器而實現(xiàn)。為此，如果換能器形成工序中的加工溫度過高，則有可能出現(xiàn)控制電路劣化的問題。
一般要求換能器在殘留應力、蠕變強度、磨損強度、疲勞破壞強度、表面粗糙度方面，超過基準水平。該機械特性，對于在半導電體制造加工中制作的通常的LSI，是沒有被要求的。為了提高這種機械特性，在換能器的形成中，必須在高溫下處理的薄膜沉積工序或者退火工序，很多情況下都是必不可少的。例如，對于被認為最廣泛應用于微型電力機械系統(tǒng)的材料之一的聚硅，為了獲得殘留應力小的優(yōu)質(zhì)的膜特性，至少要在600℃下進行150分以上、或者1050℃下進行30分以上的退火工序。另外，關于氮化硅，人們已知，由于具有豐富的硅組成，因此，通過在有氧環(huán)境下進行退火，可以將殘留應力降低至10Mpa以下，但是，此時需要825～850℃下180分以上的退火條件。除此之外，氧化物強電介質(zhì)的鋯鈦酸鉛(PZT)為了提高其結晶相的取向，必須在600～650℃左右進行熱處理，且機械化學強度極高的碳化硅在成膜時需要750～800℃的溫度條件。由此，聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、碳化硅具有良好的材料特性，是半導電體加工中的典型材料，而將這些作為優(yōu)質(zhì)的換能器結構體材料使用的時候，需要600℃以上的高溫加工。
相對于此，一般的CMOS電路下，控制電路的耐熱溫度是約450～525℃。從而，形成控制電路之后，如果進行如上所述的必須在高溫下進行的換能器形成，則會損壞控制電路。
控制電路損壞的主要原因被認為是，通常使用于布線部的鋁合金的電阻上升以及斷線所引起的。由于鋁的熔點是660℃即很低，因此，形成使用了鋁或者其合金的控制回路之后，不能進行溫度上升至660℃程度以上的加工。另外，鋁即使在660℃以下的溫度下，也會隨著晶粒生長或者原子擴散，容易產(chǎn)生空隙。使用這樣的熔點低的鋁形成控制電路的布線，則換能器形成工序中布線就會劣化。因此，作為控制電路的布線材料使用鋁的情況下，必須要在不使鋁布線劣化的溫度范圍內(nèi)形成換能器，從而鋁的劣化溫度就規(guī)定了控制電路的耐熱溫度。
作為能提高控制電路的耐熱溫度的方法，可以以半導電體集成電路技術領域中已廣為熟知的高熔點金屬的鎢，代替鋁使用(例如，參照非專利文獻1的圖4)。非專利文獻1公開了具備將鎢使用于導電體的控制電路和使用了聚硅的換能器的微型電力機械系統(tǒng)。在該微型電力機械系統(tǒng)中，構成換能器的聚硅在1050℃高溫下被進行1小時的退火，控制電路具備對于該高溫加工的耐熱性。
另一方面，通常LSI領域中使用，通過CMP(Chemical MechanicalPolishing)處理從而磨削去除不要部分的導電體的大馬士革(damascene)工藝法。根據(jù)該大馬士革工藝法，能夠使用此前由于難以蝕刻而很少利用的銅系材料。大馬士革工藝法，是排除下層布線的布局的影響從而能夠形成微細化布線的技術。由于與鋁的電阻率相比銅的電阻率更低，因此，通過采用銅布線，可以降低布線的電阻，實現(xiàn)了改善CPU的工作頻率等。
銅布線中設置了用于防止銅原子擴散的氮化鈦等的阻擋層。阻擋層的臨界厚度被設定為與不使用阻擋層的鋁布線的比電阻值(銅的1.58倍)相比，使用了阻擋層的銅布線的比電阻值變小。對于基于大馬士革工藝法的銅布線，由于以往只適用于0.25μm規(guī)范(rule)以下的微細布線，因此，被使用的阻擋層的厚度也變成40nm以下，變得極薄。
另外，人們已知，在銅中混入2.98wt％的鈦，則在800℃下進行退火時，也可以抑制銅的晶粒生長(例如，參照非專利文獻2)。
也可以將大馬士革工藝法適用于微型機械的制作(例如，參照非專利文獻3)。非專利文獻3公開了以下結構，即，將以0.18μm規(guī)范下形成的銅布線/Low-k層間絕緣膜的疊層體作為了感應器，并對于Low-k層間絕緣膜，將其最上層的金屬層作為掩膜，進行各向異性蝕刻去除之后，通過各向同性蝕刻，去除基板，構成在感應器下部設置有空心結構的構成。
J.M.Bustillo，R.T.Howe，R.S.Muller，”SurfaceMicromachining for Microelectro-mechanical Systems”，Proceedings of theIEEE，Vol.86，No.8，pp.1552-1574(August 1998)[非專利文獻2]C.J.Liu，J.S.Jeng，J.S.Chen，”Effects of Ti addition on themorphology，interfacial reaction，and diffusion of Cu on SiO2”，Journal ofVacuum Science&Technology B，Vol.20，No.6，pp.2361-2366(Nov/Dec2002)[非專利文獻3]H.Lakdawala，et al.”Micromachined High-Q Inductors in a0.18-μmCopper Interconnect Low-K Dielectric CMOS Process”，IEEE Journalof Solid-State Circuits，Vol.37，No.3，pp.394-403(March 2002)但是，非專利文獻1記載的結構中，由于導電體鎢的電阻值大，電阻值的溫度變化大，因此特別長距離的布線中的損失和電阻變化也大。因此，會招致微型電力機械系統(tǒng)的工作速度的降低、消耗電力的增大，或者伴隨布線部溫度特性的元件工作特性變化。
另外，關于以通常的LSI作為目的的銅布線，有必要用40nm以下薄的阻擋層防止銅原子的擴散，因此，為了適用高溫環(huán)境下的長時間加工，必須采取嚴格的制造管理措施。阻擋層的主要的擴散路徑是阻擋材料的晶粒邊界。因此，為了提高防止擴散效果，增大阻擋材料的晶粒邊界、使晶粒間結晶的取向一致是特別有效的。但是，如果阻擋層的膜厚度小，則很多阻擋層原子受到與絕緣膜的界面效果的影響從而晶粒粒徑變小，且結晶方向也容易變得隨機，而為了以高可靠性防止這些，必須要對布線質(zhì)量進行嚴格管理和檢查。
另外，為了防止銅的晶粒生長，在銅中混入2.98wt％左右的鈦，則固有電阻值5μΩcm變得比鋁的固有電阻值2.7μΩcm大，因此，與鋁相比，對于降低電阻值的目的，并不是有效的構成。
非專利文獻3公開了將大馬士革工藝法適用于微型機械制作的方法。根據(jù)該方法，相當于換能器的感應器是在低溫加工中形成的，但是，非專利文獻3中，沒有提及解決必須對換能器進行高溫加工的場合下的問題的結構。另外，根據(jù)各向異性蝕刻技術，對層間絕緣膜進行圖案化之后，根據(jù)各向同性蝕刻，去除硅基板，構成了空心結構。因此，形成的換能器的結構只限于極其簡單的結構。另外，由于沒有明確規(guī)定硅基板當中的通過蝕刻被去除的區(qū)域，因此，很難防止由過蝕刻產(chǎn)生的控制電路的損壞，或者換能器的鉆蝕引起的可靠性的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述事實作出的，其目的在于，提供一種能同時實現(xiàn)防止布線部的高溫破壞、確保換能器特性、降低布線電阻的微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法。
本發(fā)明的微型電力機械系統(tǒng)，是具備基板、由上述基板支撐的換能器、與換能器進行電連接的導電體層的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述換能器，具有由硅或者硅化合物形成的部分；所述導電體層，由作為主成分含有選自銅、金、銀中的至少一種元素的高熔點導電體形成，且所述導電體層的至少一部分，位于所述換能器的由硅或者硅化合物形成的部分與基板之間的層面上。
優(yōu)選的實施方式中，所述換能器備有含有由硅或者硅化合物形成的所述部分的結構體、設置在所述結構體周圍的空隙；且所述導電體層的一部分，位于所述結構體的下方。
優(yōu)選的實施方式中，所述換能器的所述部分，由聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、和/或碳化硅形成。
優(yōu)選的實施方式中，所述高熔點導電體含有0.1～1.0wt％的Ti、Ta、W、Mo、Si中任何一種元素。
優(yōu)選的實施方式中，所述高熔點導電體的表面由膜厚50nm以上的阻擋層覆蓋。
優(yōu)選的實施方式中，所述阻擋層含有Ti、W、Ta、Re中的任何一種金屬，所述任何一種金屬的氮化物，和/或所述任何一種金屬的硅化物。
優(yōu)選的實施方式中，所述導電體層具有布線圖案，且所述布線圖案的最小線寬度是0.35μm以上。
優(yōu)選的實施方式中，所述導電體層的布線圖案，包含形成在不同水平面的上層布線部分以及下層布線部分。
本發(fā)明的另一種微型電力機械系統(tǒng)，是備有基板、被所述基板支撐的布線部區(qū)域以及換能器區(qū)域的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述布線部區(qū)域，具有多個導電體以及設置在所述多個導電體之間的絕緣體；所述換能器區(qū)域，具有至少1個換能器；所述換能器，備有結構體以及設置在所述結構體周圍的空隙，并且還備有形成于所述布線部區(qū)域和所述換能器區(qū)域的邊界部，并分離所述絕緣體和所述空隙的遮蔽壁。
優(yōu)選的實施方式中，所述布線部區(qū)域的所述絕緣體，由以下部分形成，即，由通過蝕刻作為犧牲層發(fā)揮作用的一部分而形成所述空隙的絕緣膜當中，沒有被蝕刻的部分形成。
優(yōu)選的實施方式中，所述遮蔽壁，由以下材料形成，即，由對用于蝕刻所述絕緣膜的蝕刻劑起阻擋功能的材料形成。
優(yōu)選的實施方式中，所述遮蔽壁，將所述布線部區(qū)域以密閉地方式從所述換能器區(qū)域分離。
優(yōu)選的實施方式中，所述遮蔽壁的至少一部分，由與所述導電體和/或所述結構體相同的材料形成。
優(yōu)選的實施方式中，所述遮蔽壁的至少一部分，由與所述結構體相同的材料形成。
優(yōu)選的實施方式中，所述導電體和所述結構體，是通過大馬士革工藝法一同形成的。
優(yōu)選的實施方式中，所述結構體的表面被平滑化，且所述表面發(fā)揮光學反射面的功能。
優(yōu)選的實施方式中，所述換能器，還具備驅動所述結構體的電極；所述電極的表面，根據(jù)所述大馬士革工藝法，被平滑化處理，并夾持所述空隙，與所述結構體相對。
優(yōu)選的實施方式中，所述結構體，根據(jù)雙大馬士革工藝法形成；與所述電極相對的所述結構體的面，作為非平滑化處理面發(fā)揮作用。
優(yōu)選的實施方式中，具備將所述結構體和/或所述導電體一體化形成的導電保護膜。
優(yōu)選的實施方式中，所述導電保護膜含有金和/或銀。
本發(fā)明的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，是備有換能器和與所述換能器進行電連接的布線部的微型電力機械系統(tǒng)的制造方法，其特征是包括在基板上形成具有凹部的絕緣體的第一工序；通過用將銅、金、銀中任何一個作為主成分的高熔點導電體，填入到所述凹部，形成導電體層的第二工序；形成所述換能器的結構體的第三工序，而且，所述第三工序包含將所述基板溫度上升至600℃以上的工序。
優(yōu)選的實施方式中，所述第二工序包括為覆蓋所述絕緣體為而沉積所述高熔點導電體的工序；通過對所述高熔點導電體進行平滑化處理，去除所述高熔點導電體中位于所述凹部外側的部分的工序。
優(yōu)選的實施方式中，至少所述結構體的一部分，由聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、碳化硅中的任何一種形成。
本發(fā)明的另一種微型電力機械系統(tǒng)制造方法，包括在基板上形成布線部區(qū)域、換能器區(qū)域以及遮蔽壁的工序；以及通過各向同性蝕刻去除所述犧牲層而形成空隙的工序，所述布線部區(qū)域形成有導電體和設置在所述導電體之間的絕緣體，所述換能器區(qū)域形成有結構體和設置在所述結構體周圍的犧牲層，所述遮蔽壁對所述布線部區(qū)域和所述換能器區(qū)域進行分離，其特征是包括以下工序，即，在所述基板上形成對所述蝕刻具備耐性的阻止層的第一工序；
在所述阻止層上形成所述絕緣體和所述犧牲層的第二工序；在所述絕緣體和所述犧牲層的邊界部，以與所述阻止層連續(xù)地方式形成對所述蝕刻具備耐性的遮蔽壁的第三工序；以與所述遮蔽壁連續(xù)的方式，形成保護所述絕緣體的保護膜的第四工序；通過各向同性蝕刻去除所述犧牲層的第五工序。
優(yōu)選的實施方式中，將所述導電體的一部分和/或所述結構體的一部分，與所述遮蔽壁同時形成。
優(yōu)選的實施方式中，通過大馬士革工藝法，形成所述結構體。
優(yōu)選的實施方式中，對成為光學反射面的所述結構體表面，進行平滑化處理。
優(yōu)選的實施方式中，對經(jīng)由空隙彼此相對的所述結構體和對所述結構體進行驅動的電極的相對面中的至少一方進行平滑化處理。
優(yōu)選的實施方式中，為了將與所述電極相對的所述結構體的面作為非平滑化處理面，通過雙大馬士革工藝法，形成所述結構體。
優(yōu)選的實施方式中，形成經(jīng)由至少在局部設置有開口部的阻止體而疊層的第一絕緣層和第二絕緣層，并且使所述第一以及第二絕緣層發(fā)揮作為所述犧牲層的功能。
優(yōu)選的實施方式中，將所述開口部作為對所述犧牲層進行蝕刻的蝕刻劑的流入口使用。


圖1(a)～(c)是表示本發(fā)明的微型電力機械系統(tǒng)的制造方法的實施方式的工序剖面圖。
圖2(a)和(b)是表示本發(fā)明的微型電力機械系統(tǒng)的制造方法的實施方式的工序剖面圖。
圖3(a)是表示微型電力機械系統(tǒng)的放大剖面圖，(b)表示其上面圖。
圖4是表示本發(fā)明的實施方式中的微型電力機械系統(tǒng)的俯視圖。
圖中1-基板，2-布線部區(qū)域(控制電路部)，3-換能器區(qū)域，14，16，21，23-阻擋層，15，22，31-導電體，17，19，27，29-阻止體，18，28-層間絕緣膜，20，30-布線間絕緣物，25，26-固定電極，29a-開口部，33-可動電極，34-遮蔽壁，35-導電保護膜。
具體實施例方式
下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。
首先，參照圖1。圖1中(a)到(c)是，擴大顯示本實施方式的制造工序的前半階段中的基板的一部分的剖面圖。
圖1(a)是表示在進行了第一層導電體層的形成工序的階段中基板的剖面。使用于本實施方式的基板是n型硅基板1，且在該n型硅基板1上，形成了布線部區(qū)域2以及換能器區(qū)域3。
布線部區(qū)域2中，主要形成了CMOS電路或者BiCMOS電路，且根據(jù)來自外部的輸入信號，生成能驅動換能器的驅動信號。換能器區(qū)域3中，主要形成了多個換能器和用于選擇要驅動的換能器的多個開關元件。開關元件由nMOS晶體管形成。
本實施方式中的布線部區(qū)域2以及換能器區(qū)域3的開關元件，均由形成于硅基板1表面的晶體管構成。開關元件的一部分，可以是形成于硅基板1上的薄膜晶體管。在所有的開關元件都由薄膜晶體管構成的情況下，基板1沒必要一定是單晶硅基板，也可以是石英基板等絕緣基板，或者可以是表面設置了絕緣層的導電性基板。但是，在哪種情況下，基板都必須具有能承受形成換能器時進行的高溫加工的性質(zhì)。
可以通過例如設計規(guī)范0.35μm以上的比較粗的制造加工，制作所述的電路。本實施方式的設計規(guī)范是0.50μm。將設計規(guī)范定為0.35μm以上的主要目的是，為了進一步提高形成換能器時對于高溫加工的耐性。通過增大設定設計規(guī)范，作為第一效果，可以將柵極氧化膜6的厚度增加到7nm以上，因此，更容易防止由雜質(zhì)擴散引起的實效膜厚的降低。另外，作為第二效果，確保充分的布線寬度的同時，如后所述，可以將阻擋層14的膜厚增加至50μm以上。
通常，對于LSI設定大的設計規(guī)范的直接結果是芯片面積增大了，但是在微型電力機械系統(tǒng)中，不易發(fā)生該問題。這是因為，在很多情況下，決定微型電力機械系統(tǒng)的基板大小的支配性的主要原因，不是布線部區(qū)域2的電路規(guī)模，而是對于換能器區(qū)域3所必需的面積。因此，與在最新LSI中使用的設計規(guī)范相比，微型電力機械系統(tǒng)采用相對粗的設計規(guī)范，則對于制造成本和耐熱性兩方面都是有效的。
本實施方式的所述電路的制作過程是，采用公知的LSI制造技術，在基板1上依次形成n/p各阱4、元件分離氧化膜5、柵極氧化膜6、柵極電極7。柵極電極7由聚硅7a和為降低電阻而形成于其上層的硅化金屬(TiSi2等)7b構成。在形成柵極電極7之后，形成源/漏極8和層間絕緣膜9。
層間絕緣膜9優(yōu)選由高耐熱性材料形成。本實施方式中，層間絕緣膜9由根據(jù)LPCVD(Low Pressure CVD)法沉積的氧化硅膜形成。根據(jù)CMP法對層間絕緣膜9的表面進行平滑化之后，形成通孔。
接著，形成TiSi2等的薄片層10之后，在其上面形成鎢等的埋入金屬11。依次沉積氮化硅膜的阻止體12以及氧化硅膜的線間絕緣膜13之后，根據(jù)RIE(Reactive Ion Etching)，形成布線用凹部。在該凹部中填入阻擋層14以及導電體15。
阻擋層14是，從高熔點金屬(Ti、W、Ta、Re等)、或者它們的氮化物(TiN、WN、TaN等)、硅化物(TiSi、TaSi、Wsi等)、3元系非晶材料(TiSiN、WSiN、TaSiN等)中選擇的適當組成比的材料。在這里，阻擋層14的材料是TiN。由于形成具有50nm厚度以上的阻擋層14，因此與線間絕緣膜13之間的界面附近以外的晶粒粒徑變大，且結晶方向性也一致的部分增多，從而大幅提高了防止擴散效果。因此，不需要特別嚴格的布線質(zhì)量的工序管理，能具備850℃、3小時以上耐熱性。對阻擋層14，最好實施進行氧氣氛中600℃左右的熱處理的填塞(stuffing)。或者，也可以將阻擋層14形成為Ti/TiN/Ti等復合種類的疊層膜。
導電體15是銅、金、銀中任何一個金屬或者將些金屬作為母材的合金。銅、金、銀中任何一個的熔點都是960℃以上，遠遠高于鋁的熔點660℃。另外，銅、金、銀的固有電阻值中任何一個都在2.35μΩcm以下，而鎢的固有電阻值小于5.65μΩcm。
本實施方式中，為了抑制晶粒邊界的移動從而抑制空隙的產(chǎn)生，進行合金化。這可以通過例如在銅中添加0.60～0.65wt％的Ti而實現(xiàn)。通過添加這樣的雜質(zhì)，將銅的結晶方向強烈取向于(111)面，并由此最小化表面能的同時，由析出的Ti微結晶，可以進行晶粒邊界的束縛。為了維持低的電阻，優(yōu)選將Ti添加量設定在0.1～1wt％范圍內(nèi)。添加的元素，除了Ti，還可以選擇Ta、W、Mo和/或Si。
通過CMP處理，去除形成于線絕緣膜13上的導電體15中位于凹部外側的不必要的部分之后，形成上側的阻擋層16。阻擋層16的材料可以使用阻擋層14的材料。
圖1(b)是進行了第二層的導電體層(2 nd Wire)的工序的階段中的基板的放大剖面圖。這里形成的導電體，在布線部區(qū)域2中起著第2層的布線層的功能，且在換能器區(qū)域3中起著作為換能器的固定電極25、26的功能。該導電體的形成工序是根據(jù)雙大馬士革加工實施的。雙大馬士革加工中，該工序也采用了Trench First方式。下面，說明該工序。
首先，在線間絕緣膜13上，依次沉積阻止體17、層間絕緣膜18、阻止體19、以及布線間絕緣膜20。本實施方式中的阻止體17、19的材料是氮化硅，而層間絕緣膜18和線間絕緣膜20的材料是氧化硅。
接著，在線間絕緣膜20上涂敷光刻膠之后，通過曝光、顯影工序，在該光刻膠上賦予規(guī)定規(guī)定布線圖案的圖案。具體地說，形成具有能規(guī)定第二層的布線層和固定電極25、26的開口部的光刻膠。使用由此圖案化了的光刻膠，進行線間絕緣膜20的蝕刻，形成對應于所述開口部的凹部，規(guī)定布線間絕緣膜20。該凹部的底面由阻止體19規(guī)定。即，在蝕刻布線間絕緣膜20的時候，阻止體19發(fā)揮蝕刻阻止層的功能。
去除該光刻膠后，涂敷下一光刻膠。通過曝光、顯影工序，在該光刻膠上賦予規(guī)定通孔的圖案。即，在光刻膠上，形成對應于通孔圖案的位置以及大小的開口部，并在該開口部的底部露出下層阻止體19的一部分。在應形成通孔的區(qū)域中，經(jīng)由開口部去除阻止體19之后，依次去除該區(qū)域的層間絕緣膜18以及阻止體17。由此，形成到達第一層布線的開口部(通孔)。
接著，用阻擋層21和導電體22，依次填充入該開口部(通孔)和凹部。具體地說，依次沉積構成阻擋層21和導電體22的膜，使之覆蓋布線間絕緣膜20，然后，在阻擋層21和導電體22中，去除位于開口部(通孔)以及凹部以外的區(qū)域的不要的部分。由此，形成經(jīng)由下層的布線和通孔而電連接的第二層的布線圖案。
此后，形成上側的阻擋層23。阻擋層22、24以及導電體23的詳細情況，分別與阻擋層14、16以及導電體15相同，具有高耐熱性。
在換能器區(qū)域3中，與該布線的形成同時，形成用于支撐可動電極的基底24、以及用于驅動可動電極的固定電極25、26。根據(jù)已說明的CMP處理，對固定電極25、26的上面進行平滑化。由此，可以不發(fā)生向表面的凸形狀的電場集中，如后所述，很難發(fā)生與可動電極之間的放電破壞、且能提高靜電耐壓。
另外，在形成布線圖案之后為形成通孔而進行光刻工序時，可能產(chǎn)生Trench First方式固有的曝光邊界狹窄的問題，但是，由于設計規(guī)范粗至0.35μm以上，因此可消除該問題。其結果，可以發(fā)揮容易進行蝕刻的同方式的長處。
接著，參照圖1(c)。圖1(c)是進行了第三層的聚硅導電體層的形成工序的階段中的基板的放大剖面圖。該導電體層，在布線部區(qū)域2中發(fā)揮了第3層的布線圖案的功能，且在換能器區(qū)域3中發(fā)揮作為換能器的可動電極的功能。該導電體的形成工序，也是根據(jù)雙大馬士革加工實施的。
在所述導電體形成工序中，采用首先對中間阻止體29進行圖案化的Midle First方式。這是為了同時形成，成為犧牲層蝕刻時的蝕刻劑流入口的開口部29a。其中，與通常的Midle First方式不同，在開口部29a上不除去層間絕緣膜30而將其殘留。下面對該工序進行詳細說明。
首先，在圖1(b)所示的結構上，層疊阻止體27、層間絕緣膜28、以及阻止體29。本實施方式中的阻止體27、29的材料是氮化硅，而層間絕緣膜28的材料是氧化硅。該層間絕緣膜28的一部分，在換能器區(qū)域3中發(fā)揮著犧牲層的功能，且在之后的工序中通過蝕刻被去除。
接著，在阻止體29上涂敷光刻膠之后，通過曝光、顯影工序，形成通孔圖案。具體地說，在光刻膠上形成規(guī)定通孔的開口部。經(jīng)由該開口部，進行阻止體29的圖案化。此時，開口部29a也和通孔用圖案同時形成。
進行阻止體29的圖案化之后，沉積成為布線間絕緣膜30的膜。接著，在該膜上涂敷光刻膠，并通過曝光、顯影工序，將布線圖案賦予光刻膠。通過將該光刻膠作為蝕刻掩膜，對成為布線間絕緣膜30的膜以及層間絕緣膜28進行連續(xù)蝕刻，形成規(guī)定布線圖案的凹部。此時，在成為線間絕緣膜30的膜中沒有被光刻膠覆蓋的部分被蝕刻，該部分形成上述的凹部。另外，在阻止體29上，由于在打開通孔用的開口部的部分，層間絕緣膜28也被蝕刻，從而形成了通孔用凹部。該布線間絕緣膜30的一部分，也在換能器區(qū)域3中發(fā)揮犧牲層的功能，并在后面的工序中通過蝕刻被去除。
通常的Midle First工藝法中，阻止體29的通孔用開口部的全部，都設置在沒被該光刻膠所覆蓋的區(qū)域下。即，在通孔用開口部下的層間絕緣膜28，全都被去除成為凹部，并在以下工序中用導電體31填入。
鑒于此，本實施方式中的開口部29a，設置在被該光刻膠所覆蓋的區(qū)域下。因此，在該部分中，成為線間絕緣膜30的膜和層間絕緣膜28，都不被蝕刻，并以殘留的狀態(tài)，僅形成開口部29a。因此，在最后的犧牲層蝕刻工序中，開口部29a就可以成為蝕刻劑的流入口發(fā)揮作用。
接著，除去阻止體27之后，用導電體31填入位于線間絕緣膜30之間的凹部和形成于層間絕緣膜28的凹部。在這里，導電體31是n摻雜的聚硅。聚硅膜的沉積是通過LPCVD法進行的；而摻雜是依據(jù)，將磷化氫(PH3)等雜質(zhì)氣體與硅烷(SiH4)氣體同時混入的in-situ摻雜而進行的。將成膜溫度設為580℃、退火溫度設為600℃、退火時間設為3小時，則可以獲得殘留應力小的膜。
接著，根據(jù)CMP處理，對聚硅膜進行平滑化，制作填入凹部的導電體31。由此，在布線部區(qū)域2中形成第三層的布線用的導電體31。該第三層導電體層，作為最上層布線層發(fā)揮功能，與外部連接用端子32同時形成。
在換能器區(qū)域3中，由上述聚硅膜的一部分，形成換能器結構體的可動電極33?？蓜与姌O33，連接并固定于基底24，以鉸鏈部33a為中心被旋轉自由地支撐著，是由在固定電極25、26之間起作用的靜電力，可以左右偏斜的靜電驅動型傾斜鏡。由于使用了聚硅，因此，鉸鏈部33a具有良好的蠕變特性等機械特性。
另外，在可動電極33上面33b上，如后所述，形成反射膜，并用作光學反射面。上面33b由于在布線形成時用CMP處理進行了平滑化，因此，顯示優(yōu)良的平面度以及表面粗糙度的值。即，進行一次CMP處理，可以對去除不需要的導電體形成圖案的效果，以及光學反射面的反射效率的提高，同時奏效。另外，由于聚硅提高了與CMP處理之間的適合性，因此，對于提高上面33b的平面度精度，也有效果。
本實施方式中，在形成所述導電體31和可動電極33的同時，可以在布線部區(qū)域2和換能器區(qū)域3之間，形成遮蔽壁34。即，由填入形成于層間絕緣膜28以及布線間絕緣膜30之間的溝的聚硅，形成遮蔽壁34。本實施方式的遮蔽壁34，俯視觀察時形成為閉環(huán)，以便分離布線部區(qū)域2和換能器區(qū)域3。由此，遮蔽壁34，可以防止在對換能器區(qū)域3的犧牲層進行蝕刻的時候，蝕刻劑流入到布線部區(qū)域2，從而保護布線部區(qū)域2內(nèi)的層間絕緣膜28和線間絕緣膜30。換句話說，遮蔽壁34，通過對層間絕緣膜28和線間絕緣膜30的一部分進行蝕刻而在換能器區(qū)域3形成空隙之后，規(guī)定層間絕緣膜28和線間絕緣膜30中，沒被蝕刻的部分和被蝕刻的部分(空隙)之間的邊界。在犧牲層蝕刻工序中，再次進行對此的詳細說明。
在這里，關于可動電極33和固定電極25、26之間的間隙距離精度，對使用雙大馬士革工藝法的效果，進行說明。該間隙距離對于換能器的特性具有很大影響，制造上的精度管理是重要的。另一方面，一般CMP處理很難終點判定，也給膜厚精度管理帶來困難。
針對與此，本實施方式中，將有必要是平滑面但是作為絕對位置不需要高度精度的固定電極25、26的上面，和可動電極33的上面33b，對應于雙大馬士革工藝法的CMP處理面，而且，將特別需要間隙距離精度的可動電極33的下面，對應于雙大馬士革工藝法的非CMP處理面。即，僅靠層間絕緣膜28以及阻止體27的沉積膜厚，就能以高精度管理固定電極25、26的上面和可動電極33的下面的間隙距離精度，從而，將換能器的特性偏差抑制為很小，最大限度地發(fā)揮換能器的綜合特性。
以下，參照圖2(a)以及(b)，對制造工序的后半階段，進行說明。
圖2(a)是在形成導電性/絕緣性的2個保護膜之后的、基板的放大剖面圖。導電保護膜35是備有導電性和針對其之后的蝕刻工序的耐腐蝕性的膜，且作為其材料優(yōu)選含有金或者銀的金屬膜。這里，導電保護膜35是具有4N以上純度的金(Au)膜。為了獲得與聚硅的導電體31之間的粘接性，在界面形成薄的鉻(Cr)層。導電保護膜35的厚度優(yōu)選20～500nm，圖案形成基于提離(lift-off)法。將光刻膠的圖案形成與第三層的布線圖案形成同時進行，并設計成共用同樣的掩膜，力圖降低制造成本。
導電保護膜35，具有以下說明的4個不同效果。
1)形成于布線用導電體31上的導電保護膜35a，具有降低布線電阻的效果。聚硅導電體31即使是進行了深摻雜的導電體，其固有電阻也可以大至300μΩcm以上，且雖然不利于長距離布線用途，但是通過與固有電阻為小至2.4μΩcm的低電阻的導電保護膜35a一體化，可以大幅度降低電阻值，從而可提高布線性能。
2)形成于外部連接用的端子32上的導電保護膜，作為接觸墊35b，具有能確保耐銹性、與鍵合引線的連接可靠性的效果。另外，接觸墊35b，在進行絕緣保護膜36的開口蝕刻的時候，可以發(fā)揮作為蝕刻的阻止體的功能，而在對犧牲層進行蝕刻的時候，可以發(fā)揮作為針對該蝕刻劑的保護膜的功能。
3)形成于可動電極33上的導電保護膜，發(fā)揮作為具備耐腐蝕性的光反射膜35c的功能。特別是，Au或者Ag膜可以高效率地反射寬波長域的可視光，具有提高鏡子效率的效果。
4)形成于遮蔽壁34上的導電保護膜35d，具有針對犧牲層蝕刻的蝕刻劑的耐性，并具有與遮蔽壁34協(xié)同保護布線部區(qū)域2的效果。
由此，通過在一個導電保護膜35上，對每個場所起相互不同的4個效果，可以同時實現(xiàn)性能以及可靠性提高，和生產(chǎn)性提高。
絕緣保護膜36具有對絕緣性和針對犧牲層蝕刻工序的耐腐蝕性(耐蝕刻性)。在這里，絕緣保護膜36的材料是氮化硅。
絕緣保護膜36，覆蓋了布線部區(qū)域2中除了接觸窗36a之外的整個面，并在犧牲層蝕刻時保護布線部區(qū)域2，使之不被蝕刻。另外，對于換能器區(qū)域3，基本上開口整個面而能夠進行犧牲層蝕刻。布線部區(qū)域2與換能器區(qū)域3之間的邊界上，與遮蔽壁34以及導電保護膜35a無間隙地密合，完全分離犧牲層蝕刻時的蝕刻劑。
圖2(b)是表示犧牲層蝕刻工序結束時的晶片的剖面。
對于犧牲層蝕刻，使用選擇性地去除層間絕緣膜28和線間絕緣膜30的蝕刻劑，進行各向同性蝕刻。在本實施方式中，層間絕緣膜28和線間絕緣膜30的材料，由于是氧化硅，因此，進行干蝕刻時是使用CF4+H2、進行濕蝕刻時是使用HF等的蝕刻劑。
由于接觸墊35b、絕緣保護膜36、導電保護膜35d、遮蔽壁34、阻止體27，形成了針對所述蝕刻劑的連續(xù)且無縫的耐蝕刻膜，因此，不被這些所保護的部分，就會被蝕刻去除。即，通過遮蔽壁34的作用(針對蝕刻劑的阻擋效果)，僅去除層間絕緣膜28和線間絕緣膜30中的處于換能器區(qū)域3中的部分。
蝕刻劑從圖的上部侵入，最初去除線間絕緣膜30。如前所述的一樣，由于在阻止體29預先設置了開口部29a，因此，蝕刻劑可以蔓延至層間絕緣膜28。一旦去除全部層間絕緣膜28，則蝕刻完畢。
完成犧牲層蝕刻之后，進行沖洗、干燥、檢查，然后進行切片，使各芯片粘著到圖中未示出的包裝上。之后，實施用于連接接觸墊35b和包裝的引線鍵合，安裝透明蓋密封，從而完畢。
由此，在本實施方式中，層間絕緣膜28和線間絕緣膜30的換能器側，發(fā)揮著用于在結構體周圍形成空隙的犧牲層的功能。在本實施方式中，由于以同一工序進行了布線部區(qū)域的層間絕緣膜和換能器區(qū)域的犧牲層的形成，從而可簡化制造工序。
另外，在使用鋁等金屬形成布線部區(qū)域以及換能器區(qū)域的結構體的時候，也可以獲得遮蔽壁34的效果。此時，由于使用鋁等金屬形成了遮蔽壁34，因此，優(yōu)選使用不能蝕刻鋁等金屬的蝕刻劑，蝕刻犧牲層，并在換能器區(qū)域形成空隙。
在所述的實施方式中，通過形成以“3 rd Wire”表示的導電體的工序，形成了遮蔽壁34，但是也可以以與這些導電體圖案化不同的其它工序形成遮蔽壁34。
圖3(a)表示本實施方式的微型電力機械系統(tǒng)的放大剖面圖，而圖3(b)是其上面圖。圖中表示微型電力機械系統(tǒng)處于完成并工作的狀態(tài)。
來自外部的輸入信號，經(jīng)鍵合引線37，到達控制電路。形成于布線部區(qū)域2的基板1上的控制電路，進行運算處理，生成向各換能器的驅動信號。應被驅動的換能器被依次掃描，并被切換。此時，對應于固定電極26的柵極電極38起著字線的作用、源極電極39起著位線的作用，且被選擇的固定電極26中，注入了規(guī)定電荷，并在與可動電極33之間產(chǎn)生靜電力，使可動電極33傾斜動作。
阻止體27起著可動電極33和固定電極26之間的防短路膜的作用。即，即使由誤動作或者外力，可動電極傾斜過多的時候，也因為存在阻止體27，所以可動電極33不會直接與固定電極26接觸，可防止由短路引起的故障的發(fā)生。
由此可知，阻止體27，在第三層的導電體層形成工序中，起著通孔形成時的阻止體作用；在犧牲層蝕刻工序中，起著隔離蝕刻劑用的保護膜作用；在完成狀態(tài)下，起著可動電極33與固定電極26之間的防短路膜作用。由于使1個阻止體27在以上的三個相互不同的工序中發(fā)揮不同的效果，因此，可同時謀求制造工序的簡略化和可靠性的提高。
圖4是表示本實施方式的微型電力機械系統(tǒng)的俯視圖。圖4表示從硅晶片分離成一個一個芯片的狀態(tài)，還沒有進行封裝?？赏ㄟ^對硅晶片進行切片而進行芯片的分離。
圖4表示的基板1具有5mm×5mm的矩形形狀，且在基板1的中央部，設置了直徑約4.5mm的換能器區(qū)域3。該換能器區(qū)域3中，形成了多個可動電極33，構成了微型鏡陣列。
換能器區(qū)域3的外側設置有布線部區(qū)域2。在布線部區(qū)域2上，形成有多個接觸墊35b。布線部區(qū)域2和換能器區(qū)域3的邊界部上，以包圍換能器區(qū)域3的方式設置有閉環(huán)狀的遮蔽壁34，從而將布線部區(qū)域2和換能器區(qū)域3分離。
在本實施方式中，由于進行晶片的切片之前進行犧牲層蝕刻，因此，僅在布線部區(qū)域2和換能器區(qū)域3的邊界部上，設置遮蔽壁34。但是，也可以在芯片的周邊部，再以閉環(huán)狀設置一個同樣遮蔽壁34。由此，可以在切片之后進行犧牲層蝕刻。通過在芯片周邊部設置閉環(huán)狀遮蔽壁，可有效防止來自芯片周邊的蝕刻劑侵入。
另外，還可以以圍繞布線部區(qū)域2的方式形成遮蔽壁34。另外，也可以在完成犧牲層蝕刻之后的工序中，去除或者切斷部分遮蔽壁34。
如以上說明，根據(jù)本實施方式，由以銅、金、銀中任何一個為主成分的導電體，形成布線部，并由聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、碳化硅中任何一個，形成換能器，因此，可以提供能同時進行布線部的破壞防止以及換能器的特性確保的溫度條件，而且還可以降低布線電阻。
另外，本實施方式可獲得以下的效果。
由于含有0.1～1.0wt％的Ti、Ta、W、Mo、Si中任何一種元素，因此，可抑制導電體的晶粒生長的同時，抑制布線電阻上升。
由于用膜厚50nm以上的阻擋層覆蓋了導電體外周面，因此，不需進行嚴格的制造管理，就能確保高的耐熱可靠性。
在基板上的布線部區(qū)域和換能器區(qū)域的邊界部，形成分離這兩者的遮蔽壁，并蝕刻了犧牲層等，因此，可以形成復雜形狀的換能器結構體。另外，還可以提高布線部區(qū)域的制造可靠性。
由于將遮蔽壁的至少一部分與導電體或者結構體同時形成，因此，不需要進行為形成遮蔽壁的特別的掩膜或者制造工序，從而抑制了制造成本的增加。
由于將通過大馬士革工藝法進行了平滑化處理的結構體的表面作為光學反射面利用，因此，進行一次大馬士革處理，就可以對去除不需要的導電體并形成圖案的效果，以及使光學反射面的反射效率的提高，同時奏效。
由于使基于大馬士革工藝法進行了平滑化處理的固定電極的表面，與可動電極相對，因此，進行一次平滑化處理，就可以對去除不需要的導電體并形成圖案的效果，以及防止由相對的電極面的平滑化而引起的電場集中，進而抑制放電破壞的效果，同時奏效。
結構體由雙大馬士革工藝法形成，且使與電極相對的結構體的面設置為非平滑化處理面，因此，能夠以高精度管理電極與結構體之間的間隙距離精度，從而，可以將換能器的特性偏差抑制為很小。
由于與結構體和導電體作為一體形成了導電保護膜，因此，可同時進行布線部的低電阻化和保護。
由于作為導電保護膜的材料，形成了包含金或者銀的膜，因此，除了所述低電阻化和保護之外，還可以謀求換能器光反射率的提高。
由于經(jīng)由至少局部設置有開口部的阻止體而依次疊層了層間絕緣膜與線間絕緣膜，而且，在該開口部形成了換能器犧牲層用蝕刻劑的流入口，因此，不需要為形成犧牲層用蝕刻劑的流入口而進行特別的掩膜或者制造工序，從而抑制了制造成本的增加。
另外，本實施方式的微型電力機械系統(tǒng)，作為換能器具有傾斜鏡，但本發(fā)明并不僅限于此。換能器的構成可以是任意結構。
另外，在本實施方式中，由聚硅形成了換能器的結構體，但是，也可以由必須要在600～850℃的范圍內(nèi)進行處理的其他材料，例如氮化硅、氧化硅、鋯鈦酸鉛、或者碳化硅形成。
本發(fā)明的微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法，最適合使用于具有布線層和換能器的微型執(zhí)行元件或者微型傳感器。特別是，本發(fā)明適合應用于形成布線層之后需要600℃以上高溫加工的微型電力機械系統(tǒng)。
權利要求
1.一種微型電力機械系統(tǒng)，備有基板、支撐于所述基板上的換能器以及支撐于所述基板上并且與所述換能器電連接的導電體層，其特征是所述換能器，具有由硅或者硅化合物形成的部分；所述導電體層，由作為主成分含有選自銅、金、銀中的至少一種元素的高熔點導電體形成，且所述導電體層的至少一部分，位于所述換能器的由硅或者硅化合物形成的部分與基板之間的層面上。
2.如權利要求1所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述換能器備有含有由硅或者硅化合物形成的所述部分的結構體、設置在所述結構體周圍的空隙；所述導電體層的一部分，位于所述結構體的下方。
3.如權利要求1所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述換能器的所述部分，由聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、和/或碳化硅形成。
4.如權利要求1所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述高熔點導電體含有0.1～1.0wt％的Ti、Ta、W、Mo、Si中任何一種元素。
5.如權利要求1所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述高熔點導電體的表面由膜厚50nm以上的阻擋層覆蓋。
6.如權利要求5所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述阻擋層含有Ti、W、Ta、Re中的任何一種金屬，所述任何一種金屬的氮化物，和/或所述任何一種金屬的硅化物。
7.如權利要求1所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述導電體層具有布線圖案，所述布線圖案的最小線寬是0.35μm以上。
8.如權利要求7所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述導電體層的布線圖案，包含形成在不同層面的上層布線部分以及下層布線部分。
9.一種微型電力機械系統(tǒng)，備有基板、支撐于所述基板上的布線部區(qū)域以及換能器區(qū)域，其特征是所述布線部區(qū)域，具有多個導電體以及設置在所述多個導電體之間的絕緣體；所述換能器區(qū)域，具有至少1個換能器；所述換能器，備有結構體以及設置在所述結構體周圍的空隙；并且還備有形成于所述布線部區(qū)域和所述換能器區(qū)域的邊界部、并分離所述絕緣體和所述空隙的遮蔽壁。
10.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述布線部區(qū)域的所述絕緣體，由以下部分形成，即，通過對其發(fā)揮犧牲層功能的一部分進行蝕刻而形成了所述空隙的絕緣膜中、沒有被蝕刻的部分。
11.如權利要求10所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述遮蔽壁，由對用于蝕刻所述絕緣膜的蝕刻劑起阻擋功能的材料形成。
12.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述遮蔽壁，將所述布線部區(qū)域以密閉地方式從所述換能器區(qū)域分離。
13.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述遮蔽壁的至少一部分，由與所述導電體和/或所述結構體相同的材料形成。
14.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述導電體的至少一部分，由與所述結構體相同的材料形成。
15.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述導電體和所述結構體，是通過大馬士革工藝法一同形成的。
16.如權利要求15所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述結構體的表面被平滑化，且所述表面發(fā)揮光學反射面的功能。
17.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述換能器，還具備驅動所述結構體的電極；所述電極的表面，根據(jù)所述大馬士革工藝法被平滑化處理，并經(jīng)由所述空隙與所述結構體相對。
18.如權利要求17所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述結構體，根據(jù)雙大馬士革工藝法形成；與所述電極相對的所述結構體的面，作為非平滑化處理面發(fā)揮作用。
19.如權利要求9所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是備有與所述結構體和/或所述導電體一體化形成的導電保護膜。
20.如權利要求19所述的微型電力機械系統(tǒng)，其特征是所述導電保護膜含有金和/或銀。
21.一種微型電力機械系統(tǒng)制造方法，所述微型電力機械系統(tǒng)備有換能器和與所述換能器電連接的布線部，其特征是包括將具有凹部的絕緣體形成于基板上的第一工序；通過用以銅、金、銀中任何一個作為主成分的高熔點導電體填入到所述凹部，形成導電體層的第二工序；形成所述換能器的結構體的第三工序，所述第三工序包含將所述基板溫度升高至600℃以上的工序。
22.如權利要求21所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是所述第二工序包括以覆蓋所述絕緣體的方式沉積所述高熔點導電體的工序；通過對所述高熔點導電體進行平滑化處理，去除所述高熔點導電體中位于所述凹部外側的部分的工序。
23.如權利要求21所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是至少所述結構體的一部分，由聚硅、氮化硅、鋯鈦酸鉛、碳化硅中的任何一種形成。
24.一種微型電力機械系統(tǒng)制造方法，包括在基板上形成具有導電體和設置在所述導電體之間的絕緣體的布線部區(qū)域、具有結構體和設置在所述結構體周圍的犧牲層的換能器區(qū)域、以及分離所述布線部區(qū)域和所述換能器區(qū)域的遮蔽壁的工序；以及通過各向同性蝕刻去除所述犧牲層而形成空隙的工序，其特征是還包括以下工序，即，在所述基板上形成對所述蝕刻具備耐性的阻止層的第一工序；在所述阻止層上形成所述絕緣體和所述犧牲層的第二工序；在所述絕緣體和所述犧牲層的邊界部，以與所述阻止層連續(xù)地方式，形成對所述蝕刻具備耐性的遮蔽壁的第三工序；以與所述遮蔽壁連續(xù)的方式，形成保護所述絕緣體的保護膜的第四工序；通過各向同性蝕刻，去除所述犧牲層的第五工序。
25.如權利要求24所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是將所述導電體的一部分和/或所述結構體的一部分，與所述遮蔽壁同時形成。
26.如權利要求24所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是通過大馬士革工藝法形成所述結構體。
27.如權利要求26所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是對成為光學反射面的所述結構體的表面，進行平滑化處理。
28.如權利要求26所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是經(jīng)由空隙彼此相對的所述結構體與驅動所述結構體的電極的相對面中的至少一方被進行平滑化處理。
29.如權利要求28所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是通過雙大馬士革工藝法形成所述結構體，以使與所述電極相對的所述結構體的面為非平滑化處理面。
30.如權利要求25所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是形成經(jīng)由至少局部設置有開口部的阻止體而疊層的第一絕緣層和第二絕緣層，使所述第一以及第二絕緣層發(fā)揮作為所述犧牲層的功能。
31.如權利要求30所述的微型電力機械系統(tǒng)制造方法，其特征是作為對所述犧牲層進行蝕刻的蝕刻劑的流入口，使用所述開口部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能同時實現(xiàn)防止布線部的高溫破壞、確保換能器特性、降低布線電阻的微型電力機械系統(tǒng)及其制造方法，所述微型電力機械系統(tǒng)具備以下部分，即，基板(1)、由基板(1)支撐的換能器、支撐于所述基板(1)上并且與換能器電連接的導電體層，其中所述換能器，具有由硅或者硅化合物形成的部分；所述導電體層，由作為主成分含有選自銅、金、銀中的至少一種元素的高熔點導電體形成，高熔點導電體的至少一部分，位于換能器的所述部分和基板之間的層面上。
文檔編號H01L21/768GK1603883SQ20041001184
公開日2005年4月6日 申請日期2004年9月22日 優(yōu)先權日2003年9月29日
發(fā)明者蟲鹿由浩 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社