專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷與導(dǎo)體構(gòu)成的電子元器件，特別涉及使用磁性體作為構(gòu)成母體的材料并用部分具有不同的磁性、介電性、絕緣性等的玻璃陶瓷復(fù)合組成物的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為有代表性的電子元器件，可舉出層疊片狀電感元件、層疊片狀阻抗元件、層疊片狀共模扼流圈、LC濾波器等防EMI元器件。此外，多層基板、元器件內(nèi)裝模塊等也適用于層疊片狀元器件以外的元器件。
以往已知有由鐵氧體等磁性體與形成線圈等的導(dǎo)體組成的電子元器件。近年來，為了適應(yīng)電子設(shè)備的高頻化，要求提高電子元器件的特性。
在代表性的電子元器件即層疊片狀阻抗元件中，已經(jīng)知道，由于在內(nèi)部導(dǎo)體間或外部電極與內(nèi)部導(dǎo)體間的雜散電容的原因，將使高頻特性惡化，也發(fā)表了許多有關(guān)使內(nèi)部導(dǎo)體或外部導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)優(yōu)化的報告。此外還知道，如下述的專利文獻1所代表的那樣，為了提高層疊變壓器中的耦合系數(shù)，采用了將非磁性體設(shè)置在磁性材料中的結(jié)構(gòu)。
但是在以往的層疊片狀阻抗元件中，成為使高頻特性惡化原因的雜散電容的值，是由片狀結(jié)構(gòu)與成為母體的磁性材料的相對介電常數(shù)所決定，設(shè)法改善導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以使特性提高是有一定限度的。作為其解決措施，如專利文獻2所揭示的那樣，可考慮采用部分使用相對介電常數(shù)低的材料的結(jié)構(gòu)。
專利文獻1特公昭62-22245號公報專利文獻2特開2000-331831號公報但是，在這樣同時燒結(jié)不同種類材料的情況下，必須減少如下的一些問題(1)因材料間的相互擴散而引起的材料特性的劣化，(2)因收縮性能不同而引起的裂紋，
(3)因熱膨脹系數(shù)不同而引起的裂紋。
目前還不知道有關(guān)能解決這些問題、并能獲得所希望的電氣特性的材料。
另一方面，層疊變壓器等所代表的、具備磁性材料的電子元器件中，雖然有許多通過采用部分設(shè)置小的磁性材料的結(jié)構(gòu)來提高特性的方案，但仍未見到有關(guān)解決這些問題的材料的方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種采用玻璃陶瓷復(fù)合組合物的電子元器件，該玻璃陶瓷復(fù)合組合物具備磁導(dǎo)率和介電常數(shù)低、絕緣性好這樣的特征，對作為母體的磁性材料的相互擴散少，能抑制接合部中裂紋、脫落或變形等的發(fā)生，而且能抑制向內(nèi)部導(dǎo)體特別向Ag的擴散。
為解決上述問題，本發(fā)明的電子元器件具備由鐵系氧化物磁性組成物構(gòu)成的磁性體部分，與所述磁性體部分連接形成的、由玻璃陶瓷復(fù)合組成物構(gòu)成的非磁性體部分，以及形成于所述磁性體部分和所述非磁性部分中至少一方的內(nèi)部導(dǎo)體部分，所述玻璃陶瓷復(fù)合組成物具有作為主成分的微晶玻璃與作為副成份的填充物的石英，所述微晶玻璃以氧化物換算，含有25重量％～55重量％的SiO2，30重量％～55重量％的MgO，5重量％～30重量％的Al2O3，0重量％～30重量％的B2O3，而且相對于100重量％的所述微晶玻璃，含有5重量％～30重量％的所述石英，同時所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中。
本發(fā)明的電子元器件，由于在磁性體部分所使用的鐵系氧化物磁性組成物與非磁性體部分所使用的玻璃陶瓷復(fù)合組成物之間的界面上相互擴散少，故能獲得良好的共燒結(jié)性。
又，所述非磁性體部分所使用的玻璃陶瓷復(fù)合組成物具有導(dǎo)磁率和介電常數(shù)低、而絕緣性好的那種優(yōu)良特性，且具有抑制向作為內(nèi)部導(dǎo)體用的Ag等金屬材料的擴散的作用，因此能在所述電子元器件中使用Ag等低電阻的金屬材料，從而可降低所述電子元器件的直流電阻。
圖1為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖2為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖3為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖4為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖5為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖6為本發(fā)明有關(guān)的電子元器件的各種例子的概略剖視圖。
圖7為作為本發(fā)明有關(guān)的其他電子元器件的噪聲濾波器的主要部分透視立體圖。
圖8為上述噪聲濾波器的分解立體圖。
圖9為圖7的III-III箭頭方向剖視圖，是表示常態(tài)的信號傳播的狀態(tài)。
圖10為圖7的III-III箭頭方向剖視圖，是共模的信號傳播的狀態(tài)。
圖11為評價玻璃陶瓷復(fù)合組成物用的、與磁性體的相互擴散評價用的試料立體圖。
圖12為評價玻璃陶瓷復(fù)合組成物用的、絕緣性評價用試料的立體圖。
標(biāo)號的說明1、非磁性體部分；2 磁性體部分；4、內(nèi)部電極(內(nèi)部導(dǎo)體部分)；5、外部電極；具體實施方式
根據(jù)圖1至圖10詳細說明本發(fā)明的使用玻璃陶瓷復(fù)合組成物的電子元器件的各實施例。
實施例1圖1至圖6是本發(fā)明的使用玻璃陶瓷復(fù)合組成物的電子元器件的一實施例，所示為概略剖視圖。
上述的電子元器件都具備形成大致長方體形狀或大致圓板形的磁性體部2，形成于磁性體部2內(nèi)的、采用玻璃陶瓷復(fù)合組成物的非磁性體部1，在所述非磁性體部1及所述磁性體部2的至少一方作為線圈形狀或互相面對的各層狀的內(nèi)部導(dǎo)體部的內(nèi)部電極4。而且，上述電子元器件最好設(shè)置與內(nèi)部電極4電連接的外部電極5。
上述的電子元器件中，通過內(nèi)裝采用玻璃陶瓷復(fù)合組成物的非磁性部1，可減少內(nèi)部電極4與外部電極5之間發(fā)生的雜散電容，從而可抑制因上述雜散電容而引起的高頻特性的惡化，同時減輕非磁性體部1與磁性體部2在共燒結(jié)時的所述問題，提高成品率。
而且，圖1所示的電子元器件中，可得到以減少線圈間及外部電極的雜散電容并提高直流疊加特性為主要目的阻抗元件。圖2到圖4所示的各電子元器件中，可得到以提高直流疊加特性為主要目的阻抗元件。
圖5所示的電子元器件是一種互相層疊板狀電容器部8與板狀電感器部9的LC元件，電容器部8具有設(shè)于電介質(zhì)部7中的互相面對的各層狀的內(nèi)部電極4，電感器部9在磁性體部2內(nèi)具有線圈狀內(nèi)部電極4。作為電介質(zhì)部7的材料，可用通常的電容器所使用的電介質(zhì)或玻璃陶瓷復(fù)合組成物。上述的電子元器件中，可得到以減少電感器部9的線圈間的雜散電容為主要目的的LC元件。
對于圖6所示的電子元器件，可得到以提高各電感器部9a與9b的線圈間的耦合、而且減少上述線圈間的雜散電容并提高上述線圈間的絕緣性為主要目的的共模扼流圈元件。
這里，上述磁性體部所用的玻璃陶瓷復(fù)合組成物，是具有作為主成分的微晶玻璃與作為副成分的填充物的石英的玻璃陶瓷復(fù)合組成物，所述微晶玻璃以氧化物換算，含有25重量％～55重量％的SiO2、30重量％～55重量％的MgO，5重量％～30重量％的Al2O3，0重量％～30重量％的B2O3，而且對于所述微晶玻璃100量％含有5重量％～30重量％，并分散于所述微晶玻璃的玻璃中。詳情以后再述。
實施例2圖7為本發(fā)明的作為另一電子元器件的噪聲濾波器的一實施例，是主要部分的透視立體圖。圖8為上述噪聲濾波器的分解立體圖。圖9為圖7的III-III線箭頭方向剖視圖，所示為常態(tài)信號傳播的狀態(tài)。圖10為圖7的III-III線箭頭方向剖視圖，所示為共模信號傳播的狀態(tài)。
圖7中所示，噪聲濾波器21大致由下述幾部分構(gòu)成磁性體層22(圖8中磁性體層22a～22d)，各信號線路23、24，接地電極25A，介質(zhì)部27，各信號用電極端子28、29，接地電極用電極端子30。
各信號線路23、24是由導(dǎo)電性金屬材料形成為近似帶狀、并設(shè)置在磁性體層22b與22c間的2條信號線路。而且，各信號線路23、24維持一定間隔互相平行地延伸，沿磁性體層22b、22c的短邊(寬度)方向成往復(fù)的曲折狀，并向長邊(長度)方向延伸。又，各信號線路23、24的延伸方向也可在長度方向與寬度方向交替進行。
所述介質(zhì)部27由設(shè)置于2條信號線路23、24間的作為異性媒質(zhì)的非磁性體媒質(zhì)構(gòu)成，用本發(fā)明的玻璃陶瓷復(fù)合組成物形成。介質(zhì)部27埋設(shè)于互相并排的2條信號線路23、24間的間隙中。這里，作為所述介質(zhì)部27的材料，采用在上述實施例1所示的玻璃陶瓷復(fù)合組成物。
本實施例的噪聲濾波器21如上所述構(gòu)成。以下說明該噪聲濾波器的工作原理。
首先，將噪聲濾波器21配置于設(shè)置有傳輸差動信號的2條布線的基板上，在各布線的途中分別連接信號用電極端子28、29，同時將接地用電極端子30連接接地端。這樣一來，信號通過由各信號線路23、24與接地電極25形成的傳輸線路26傳輸，同時接地電極25保持地電位。
這里，當(dāng)共模信號在各信號線路23、24上傳播時，各信號線路23、24上通電的電流方向相同。這時，由于各信號線路23、24互相靠近并排設(shè)置，因此各自的信號線路23、24產(chǎn)生的磁通互相加強，從而對共模信號而言，各信號線路23、24如一條線路那樣工作。
又，各信號線路23、24在磁性體層22b、22c之間形成。因此，對共模信號來說，由各信號線路23、24及接地電極25形成的傳輸線路26具有電感L，而且由于磁性體層22b、22c的介電常數(shù)，而與接地電極25之間具有電容C。
也就是說，各信號線路23、24對共模信號起到與分布參數(shù)電路等效的作用，流過該各信號線路23、24的共模信號在電感L、電容C保持一定的頻帶中，能無損耗地傳輸。另一方面，當(dāng)共模信號的頻率提高時，磁性體層22b、22c的磁導(dǎo)率變化，電感L中產(chǎn)生損耗分量R(磁性損耗)。因此，由于磁性損耗使高頻帶的共模信號衰減。
與之相反，當(dāng)在各信號線路23、24中傳播常態(tài)信號時，主要在各信號線路23、24間形成傳輸線路26。這時，通過各信號線路23、24的電流方向相反，而電量大致相等。因此，由于各自的信號線路23、24產(chǎn)生的磁通互相抵消，故電感L和損耗分量R(磁性損耗)都低于共模的情況。
但是，在將各信號線路23、24形成于均勻媒質(zhì)中時，無論是共模與常態(tài)的任一種模式，有效的材料特性也不改變。也就是說存在下述的問題，即無論哪個頻率，共模對常態(tài)的損耗比率不變，通過信號時的噪聲抑制效果受損，如果提高噪聲抑制效果，則信號也被衰減。
與之相反，本實施例中，在各信號線路23、24之間設(shè)置其相對磁導(dǎo)率μr1小于磁性體22b、22c的相對磁導(dǎo)率μr0的介質(zhì)部27，故與常態(tài)產(chǎn)生的磁通φn如圖9所示那樣通過(橫穿)介質(zhì)層27的情況相反，如圖10所示那樣，共模產(chǎn)生的磁通Φc不通過介質(zhì)部27。
因此，比較設(shè)與不設(shè)介質(zhì)部27的情況時，在常態(tài)產(chǎn)生的磁通Φn的通道中，由于介質(zhì)部27而降低了有效相對磁導(dǎo)率μwn，與之相反，在共模產(chǎn)生的磁通Φc的通道中，不降低有效相對磁導(dǎo)率μwc。
這時，當(dāng)有效相對磁導(dǎo)率一降低、一般損耗的峰值產(chǎn)生的頻率(與有效相對磁導(dǎo)率對應(yīng)的磁導(dǎo)率的實部μ’與虛部μ”為相同值的頻率)有移向高頻側(cè)的傾向。因此，未設(shè)置介質(zhì)部27時，在幾MHz左右產(chǎn)生損耗的峰值，而不同的是，在設(shè)置介質(zhì)部27時，在幾十MHz左右產(chǎn)生損耗的峰值。
這時，由磁導(dǎo)率的虛部M”與實部M’的比率(M”/M’)及實部M’的大小所決定的損耗的大小本身，設(shè)置介質(zhì)部27時也比不設(shè)介質(zhì)部27時來得小。
因而，對常態(tài)信號而言，磁性損耗R的峰值產(chǎn)生的頻率移向高頻側(cè)，同時磁性損失R的本身也減小。結(jié)果，共模信號能從低頻除去，而不同的是，常態(tài)信號連高頻分量也可無衰減地傳輸。因此，可以不產(chǎn)生波形失真地傳輸作為必要模式的常態(tài)信號，可兼有維持波形質(zhì)量與除去噪聲的效果。
圖7所示的電子元器件，由于介質(zhì)部的εr特別低，故提高了接地電極的距離尺寸中的自由度，此外，也容易達到與噪聲濾波器連接的電路的阻抗匹配。因此可得到能使噪聲濾波器的反射損耗降低、并抑制由諧振引起的噪聲增大或信號波形失真的噪聲濾波器。
實施例3以下說明用于上述電子元器件的玻璃陶瓷復(fù)合組成物的組成范圍及決定它的經(jīng)過。
也就是說，上述磁性體部所用的玻璃陶瓷復(fù)合組成物是具備作為主成份的結(jié)晶化玻璃與作為副成分的填充料的石英的玻璃陶瓷復(fù)合組成物，所述微晶玻璃用氧化物換算，含有的20重量％～55重量％的SiO2，30重量％～55重量％MgO，35重量％～30重量％的Al2O，30％～30重量％的B2O，同時，相對于100重量％的所述微晶玻璃，含有5重量％～30重量％的所述石英，而且所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中，下面說明決定其組成范圍的經(jīng)過。
圖11示出評價玻璃陶瓷復(fù)合組成物用的、與磁性材料的相互擴散評價用的試料的立體圖。圖12示出評價玻璃陶瓷復(fù)合組成物用的、絕緣性評價用試料的立體圖。
首先，作為磁性材料是用Ni-Cu-Zn系磁性材料(示于以下的表7的材料編號“a”，作為與該材料共燒結(jié)的材料著眼于將玻璃與填充料混合的材料系，討論以下的材料。
作為選定的條件，取相對磁導(dǎo)率μr1、相對介電常數(shù)εr≤8、熱膨脹系數(shù)5≤α≤15ppm/℃，對上述磁性材料與作為內(nèi)部導(dǎo)體的Ag、Ag/Pd(重量％o為85/15)、Au的相互擴散進行評價。
進行調(diào)合，得到表1所示的最終組成物的組成比(單位為重量％)，在Pt坩堝中用1600℃熔融，通過水中急冷得到玻璃材料。
將該玻璃材料用球磨機磨64小時～80小時，以Φ5mm的PSZ(部份穩(wěn)定化氧化鋯)作為媒質(zhì)，溶劑用甲苯，進行微粉碎并調(diào)制。
其后，為了考慮燒結(jié)性，使其成為表1所示的最終生成物的組成比，則添加規(guī)定的填充料，用球磨機磨16小時，以PSZ為媒質(zhì)，溶劑用甲苯，進行微粉碎并調(diào)制。
接著，在上述調(diào)制后，添加PVB(聚乙烯醇縮丁醛)系的粘合劑15重量％，經(jīng)16小時的粘合劑混合，得到漿料。將得到的漿料用刮刀法干燥，得到約50μm厚度的、由玻璃陶瓷復(fù)合組成物構(gòu)成的片狀成形體。
其次，對于磁性材料，以表7所示的試料編號“a”的組成進行調(diào)合，用球磨機將PSZ作為媒質(zhì)用純水進行調(diào)合16小時。用加熱板使水分蒸發(fā)干燥后，以750℃～800℃進行煅燒。煅燒后的粉末用球磨機以PSZ作為媒質(zhì)，溶劑用エキネン/甲苯為1∶1的比例進行粉碎48小時。
粉碎后，添加PVB系的粘合劑15重量％，進行16小時粘合劑混合，得到漿料。將得到的漿料用刮刀法干燥，得到約50μm厚度的、由磁性材料構(gòu)成的片狀成形體。
將上述的玻璃陶瓷復(fù)合組成物構(gòu)成的薄片和磁性材料構(gòu)成的薄片各自形成600μm的厚度，層疊成各自材料貼合的結(jié)構(gòu)，用WIP(溫水各向等壓壓力機)以147MPa進行加壓。
對加壓后的材料切成正方形，使邊長為厚度的4倍，如圖11所示，得到由玻璃陶瓷復(fù)合組成物31、磁性材料32構(gòu)成的薄片33，作為與磁性材料的相互擴散評價用的試料。
在上述薄片33上涂布在Ag或Au粉中加入乙基纖維素的粘合劑而制成的膏劑，形成寬200μm、厚25μm。將上述薄片33層疊成在中間內(nèi)裝由上述膏構(gòu)成的內(nèi)部電極(內(nèi)部導(dǎo)體部)的形狀，制成厚度1mm、邊長2mm的與內(nèi)部電極的相互擴散評價用試料。
以900℃～1000℃、保持時間2小時，燒結(jié)這些試料，將評價εr、熱膨脹系數(shù)α的結(jié)果及評價相互擴散狀態(tài)的結(jié)果示于表2。
表2中，利用WDX(波長色散型X射線分析法)對試料內(nèi)部的研磨面進行觀察，將強度換算成濃度的值，將在玻璃陶瓷復(fù)合組成物與陶瓷材料間達到為0.1％以上、在玻璃陶瓷復(fù)合組成物與導(dǎo)體材料間達到0.5％以上的擴散范圍為距離材料接合界面小于25μm時作為“○”，25～50μ時作為“△”，大于50μm時作為“×”。
表2中，綜合評價◎表示本實施例，其他表示比較例。對以下的表也相同。
表1
表2
由表2可見，如試料編號“K”、“N”、“O”那樣的組成構(gòu)成的玻璃陶瓷復(fù)合組成物，是εr小、熱膨脹系數(shù)α接近磁性材料、再有與該磁性材料的相互擴散程度小、容易共燒結(jié)的材料。特別是像試料編號“N”那樣的采用石英作為填充料的試料，其εr小、熱膨脹系數(shù)α大的傾向更顯著。據(jù)認為這是由于，石英的α在垂直于C軸方向約為15ppm/℃，較大，且εr約4左右，較小。
此外，利用XRD(X射線衍射法)研究試料編號“N”的評價用試料的結(jié)晶狀態(tài)的結(jié)果，明確地確認了頑輝石、鎂橄欖石、石英的峰值。
以下用表1所示的試料對玻璃陶瓷復(fù)合組成物的電氣絕緣性進行評價。即，作為上述絕緣性評價用試料，制成用Ag作為內(nèi)部導(dǎo)體形成電極為對向結(jié)構(gòu)的測試片，評價電場下的耐濕性、高溫性。
以下示出具體的評價用試料的制作方法。
如圖12所示那樣，將乙基纖維素粘合劑加入Ag粉制成的膏劑涂布到含有表1所示的最終生成物的組成材料的各片狀成形體上，形成寬200μm，厚25μm，層疊成內(nèi)部電極34在中間以距離50μm的間隔對向的電容器結(jié)構(gòu)，經(jīng)加壓、切割，分別得到厚1mm、邊長2mm的成形體。
其次，在900℃、保持時間2小時的條件下燒結(jié)上述各成形體，接著，將以Ag、乙基纖維素系粘合劑、松油醇為主成分的膏劑分別涂布各內(nèi)部電極露出的各端面，通過850℃燒結(jié)，分別形成上述膏劑的各外部電極35，分別得到絕緣性評價用試料36。
其次，在對上述絕緣性評價用試料36加上電場強度為1.0kV/mm的電壓的狀態(tài)下，分別放入70℃且濕度95％的恒溫恒濕槽(恒溫恒濕條件)及120℃的高溫槽(高溫條件)，根據(jù)電阻值的變化來評價絕緣性。其結(jié)果示于表2。
表2中，取各條件下的試料放入數(shù)為30個。以放入后電阻值降低2位數(shù)以上的時間作為劣化時間，描出威伯爾曲線，將3.33％的累積故障時間超過500小時的作為“○”，100小時～500小時的作為“△”，未滿100小時的作為“×”。
由表2可見，試料編號“K”、“N”、“O”那樣的組成構(gòu)成的玻璃陶瓷復(fù)合組成物是εr小、熱膨脹系數(shù)α接近磁性材料、而且絕緣性好的材料。
其次，著眼于上述研究過的試料編號“N”構(gòu)成的材料系，準(zhǔn)備表3所示玻璃陶瓷復(fù)合組成物(表3還示出最終組成物的組成比)，燒結(jié)經(jīng)分別貼合由該玻璃陶瓷復(fù)合組成物及磁性材料構(gòu)成的片狀成形體，制成評價用試料，評價與磁性材料的共燒結(jié)性。
作為磁性材料，用Ni-Cu-Zn系磁性材料(示于以下表7的試料編號“α”)，采用與上述同樣的方法，得到由玻璃陶瓷復(fù)合組成物及磁性材料構(gòu)成的片狀成形體。層疊各片狀成形體，使其厚度相等，在98MPa、60℃條件下加壓30秒，然后切斷，使各自的尺寸比例變化，制成圖11所示的評價用試料。
在升溫時間為300℃/h、峰值溫度為900℃、保持時間2小時、降溫時間為200℃/h組成的條件下，燒結(jié)這些評價用試料，評價試料的裂痕、破損。它們的評價結(jié)果、各試料編號的材料特性以及絕緣性評價結(jié)果，合并示于表3。
表3中，作為相互擴散、絕緣性的評價方法是與上述相同的，作為共燒結(jié)性評價，是用光學(xué)顯微鏡觀察到試料表面裂痕、破損，或試料界面的脫落、破損的，判斷為“×”，未觀察到的判斷為“○”。
又，在表3至表5中，有形狀A(yù)及形狀B兩種形狀，形狀A(yù)意指貼合的各自的材料厚度為500μm、厚度合計為1000μm、邊長為4000μm的長方體，形狀B意指貼合的各自的材料厚度為2000μm、厚度合計為4000μm、邊長為8000μm的長方體。
表3中，作為燒結(jié)性評價，將在900℃與950℃的燒結(jié)體的密度變化小于5％的判斷為“○”，大于5％、小于10％的判斷為“△”，超過10％的判斷為“×”。
表3 從表3可見石英量小于5重量％及超30重量％時易發(fā)生裂紋。又，超過30重量％時燒結(jié)困難。根據(jù)裂紋的評價結(jié)果，最好是15重量％～25重量％。
對于SiO2，25重量％以下時易發(fā)生裂紋。超過55重量％時易發(fā)生裂紋。
對于MgO，小于30重量％時易發(fā)生裂紋。又，超過55重量％時易發(fā)生裂紋。
對于SiO2及MgO，綜合考慮絕緣性、介電特性、熱膨脹系數(shù)時，最好各自取30重量％～45重量％。
對于Al2O3，小于5重量％時Ag易擴散。超過30重量％時，由于εr增大，故不好。
即使不含B2O3，雖也能夠燒結(jié)，但熔融溫度增高。超過30重量％時Ag擴散變得顯著。最好為5重量％～15重量％。
根據(jù)上述，可以找出適合于與Ni-Cu-Zn系磁性材料共燒結(jié)的玻璃陶瓷復(fù)合組成物。
以下，對于由上述討論過的試料編號“テ”構(gòu)成的材料系，評價Ni-Cu-Zn以外的鐵系氧化物磁性組成物的共燒結(jié)性。SiO2/MgO/Al2O3/B2O3(石英)組成為40/40/10/10(20)重量％(石英表示相對于SiO2/MgO/Al2O3/B2O3的100重量％的含有量)，采用形成為與上述相同的片狀的試料。
作為磁性材料，對表4、表5所示試料編號a～e組成及晶體結(jié)構(gòu)不同的5種材料，采用形成為與上述相同的片狀的試料，與上述相同來評價有關(guān)在材料界面的相互擴散、裂紋、破損的共燒結(jié)性。表4、表5中用克分子(mol)％分別表示各氧化物的混合量。上述評價結(jié)果示于表4和表5。
表4
表5
可見，在任何一種組成及晶體結(jié)構(gòu)不同的磁性材料中，相互擴散程度也低，而且在共燒結(jié)性方面，雖然存在結(jié)構(gòu)上的限制，但處理比較容易。
此外可見，對于上述玻璃陶瓷復(fù)合組成物，成為接合對象的材料不限于Ni-Cu-Zn材料，鐵系氧化物磁性組成物也合適。
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，具備由鐵系氧化物磁性組成物構(gòu)成的磁性體部分，與所述磁性體部分連接形成的、由玻璃陶瓷復(fù)合組成物構(gòu)成的非磁性體部分，以及形成于所述磁性體部分和所述非磁性部分中至少一方的內(nèi)部導(dǎo)體部分，其特征在于，所述玻璃陶瓷復(fù)合組成物具有作為主成分的微晶玻璃與作為副成份的填充物的石英，所述微晶玻璃以氧化物換算，含有25重量％～55重量％的SiO2，30重量％～55重量％的MgO，5重量％～30重量％的Al2O3，0重量％～30重量％的B2O3，而且相對于100重量％的所述微晶玻璃，含有5重量％～30重量％的所述石英，同時所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中。
全文摘要
本發(fā)明提供玻璃陶瓷復(fù)合組成物的電子元器件，具備由鐵系氧化物磁性組成物構(gòu)成的磁性體部分，與所述磁性體部分連接形成的、由玻璃陶瓷復(fù)合組成物構(gòu)成的非磁性體部分，以及形成于所述磁性體部分和所述非磁性部分中至少一方的內(nèi)部導(dǎo)體部分，所述玻璃陶瓷復(fù)合組成物具有作為主成分的微晶玻璃與作為副成分的填充物的石英，所述微晶玻璃以氧化物換算，含有25重量％～55重量％的SiO
文檔編號H01F17/04GK1540689SQ20041003515
公開日2004年10月27日 申請日期2004年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月21日
發(fā)明者河野大司, 菊田博昭, 昭 申請人:株式會社村田制作所