專利名稱：高q值螺旋線圈芯片及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻使用的線圈芯片，用于蜂窩式電話或個人數(shù)字助理(PDA)等尺寸小且重量輕的電子裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及具有高Q特性的螺旋線圈芯片，其緊湊、短小且重量輕，足以裝配在蜂窩式電話各種模塊中。本發(fā)明還涉及生產(chǎn)這種螺旋線圈芯片的方法。
背景技術(shù)：
近年來，諸如蜂窩式電話的移動通信裝置在縮小尺寸和降低重量方面已經(jīng)取得了很大進展。因而，也需要尺寸小、長度短和重量輕的高頻線圈芯片以裝配在那些裝置中使用的芯片和各種模塊里。至今，線圈芯片的尺寸已減小到芯片長度為1mm或更小，及線圈直徑(或?qū)挾?為0.5mm或更小。
如同在生產(chǎn)較大線圈的情形那樣，這種線圈芯片通常通過直接在線軸上纏繞導(dǎo)線生產(chǎn)，例如在日本專利申請公開文本2000-252127中所公開的。然而，在現(xiàn)在情形下，以這種生產(chǎn)工藝進一步縮小尺寸是不可能的，因而，需要新的生產(chǎn)技術(shù)。現(xiàn)在，已考慮利用非纏繞工藝的技術(shù)進一步縮小線圈芯片的技術(shù)，并已用于實際應(yīng)用。這種技術(shù)，例如包括在日本專利申請公開文本H11-204362中所公開的激光切割工藝，或在日本專利申請公開文本H11-283834中所公開的薄膜形成技術(shù)。
在激光切割工藝中，要形成為纏繞的導(dǎo)線的材料作為覆蓋芯部件的敷層膜涂敷，然后，利用激光束把敷層膜處理為細導(dǎo)線。然而，這一工藝涉及這樣的缺陷，即從激光輻射效果看，芯部件的材料可能受到限制。此外，被處理的表面在由激光束切割后受到表面粗糙的損害，因而，如果進一步降低導(dǎo)線間距，則由于表面粗糙，導(dǎo)線間距可能變得不規(guī)則。就以上而言，當未來要生產(chǎn)更緊湊的線圈芯片時，該工藝有許多問題有待解決。
在使用被認為是最實用的技術(shù)的薄膜形成技術(shù)的生產(chǎn)方法中，幾層線圈圖形通過在絕緣層上形成的通孔連接。然而在該方法中，當線圈芯片制成為更緊湊及其上形成的導(dǎo)線更薄時，塞住對應(yīng)于導(dǎo)線有相當長度及很小直徑的通孔是困難的。此外，由于實際上該方法不能把纏繞的導(dǎo)線排布在最外面的表面，該方法在結(jié)構(gòu)上不適宜在生產(chǎn)具有高Q特性的線圈中使用。
一般來說，當要生產(chǎn)具有不同截面積及相同電感的線圈芯片時，線圈截面積越大，線圈的匝數(shù)應(yīng)當越小。因而，如果線圈在芯片最外表面形成，則即使芯片的尺寸和匝數(shù)相同，也能獲得較大的電感。當使線圈的截面積小時，則必須增加線圈的匝數(shù)以保持電感。然而，線圈匝數(shù)的增加引起線圈直流電阻的增加，及纏繞導(dǎo)線之間漏電流的增加，這導(dǎo)致Q值的降低。
此外，線圈匝數(shù)的增加放大了由用于線圈芯部件的介電材料引起的介電損耗的影響。介電損耗隨施加于線圈芯片信號頻率的增加而增加。如上所述，上述薄膜形成工藝難以生產(chǎn)具有在其最外表面形成的纏繞導(dǎo)線的線圈芯片，因而，該工藝被認為不適于生產(chǎn)應(yīng)用于較高頻率的線圈芯片。
此外，當使線圈芯片緊湊時，例如在考慮超高頻應(yīng)用時，端子電極之間的電容就不再是可忽略的。在這種情況下，為了獲得高Q值，必須使相對電極遠離以降低電極之間的電容，并使與線圈電感及電極之間的電容相關(guān)的諧振頻率高于使用的信號頻率。電感越大且所使用的頻率越高，則電極之間電容的影響被放大得越大。在端子電極彼此相反的常規(guī)芯片中難以降低電容。
發(fā)明概述本發(fā)明是鑒于上述的情形做出的。本發(fā)明的一個目的是提供一種生產(chǎn)線圈芯片的方法，該方法能夠生產(chǎn)未來縮小尺寸的線圈芯片，并能夠用于生產(chǎn)具有高電感和高Q值的線圈芯片。本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠由該方法生產(chǎn)的線圈芯片。
在根據(jù)本發(fā)明的、能達到以上目的的螺旋線圈芯片中，使用具有低介電損耗特性的材料作為線圈的芯部件，并通過使用由半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)代表的薄膜形成技術(shù)的一次成形工藝，卷繞的導(dǎo)體纏繞在芯部件的最外周圍。此外，在形成的表面上形成端子電極線圈，使得電極排布的方式不是彼此相對的。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法，該方法包括以下步驟通過薄膜形成處理裝置在基片上表面和下表面形成以預(yù)定間隔并列的多個導(dǎo)線，在不同于導(dǎo)線延伸方向的一個方向把基片切割為多個切割基片，以及通過薄膜形成處理裝置在切割基片上形成附加導(dǎo)線，以便同時對所有切割基片分別連接并列在基片的上表面和下表面多個導(dǎo)線。
在根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法中，最好在基片切割之后，切割的基片被組合而形成集合的基片，其中切割基片的切割面構(gòu)成集合基片的上和下表面，并在集合的基片上和下表面形成附加導(dǎo)線。此外，在根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的該方法中，基片最好由具有低介電損耗特性的材料制成，且端子電極在切割基片兩表面之一上形成，其上在附加導(dǎo)線形成之后形成導(dǎo)線或附加導(dǎo)線。
此外，為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的螺旋線圈芯片包括通過連接多個導(dǎo)線形成的螺旋線圈，這些導(dǎo)線是在帶有多個附加導(dǎo)線的基片上表面和下表面上并列形成的，這些附加導(dǎo)線是在切割面上形成的，切割面是通過在不同于導(dǎo)線延伸方向的一個方向，把基片切割為多個切割基片而獲得的。在這一螺旋線圈芯片中，基片最好由具有低介電損耗特性的材料制成，且端子電極裝設(shè)在其上形成有導(dǎo)線或附加導(dǎo)線的基片兩表面之一。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法包括以下步驟在一基片上表面和下表面形成以預(yù)定間隔彼此平行延伸的多個導(dǎo)線，其中基片上和下表面上的導(dǎo)線的排布以相同方向延伸，在不同于導(dǎo)線延伸方向的一個方向把基片切割為多個切割基片，其方式是使導(dǎo)線被切割為預(yù)定長度，借助于粘合劑及多個附屬的部件把切割的基片重構(gòu)為一集合基片，其中切割基片的切割面在集合基片中面向上和下排布，以及在集合基片的上表面和下表面形成多個導(dǎo)線，這些導(dǎo)線的長度等于基片的厚度加在基片上表面和下表面形成的導(dǎo)線的厚度，并以上述預(yù)定間隔彼此平行地延伸，其中多個導(dǎo)線的每一個連接在基片上表面和下表面上形成的導(dǎo)線的端部，這些導(dǎo)線穿過集合基片厚度。
在根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)螺旋線圈芯片的這一方法中，在基片上表面和下表面上形成導(dǎo)線的步驟及在集合基片的上表面和下表面上形成導(dǎo)線的步驟的每一步驟，最好包括在導(dǎo)線上形成防護膜的步驟。此外，在生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法中，在集合基片上表面和下表面上形成多個導(dǎo)線的步驟，最好包括在集合基片的上表面和下表面之一上形成螺旋線圈芯片端子電極的步驟。
此外，借助于粘合劑和多個輔助部件重構(gòu)切割基片為集合基片的步驟最好包括以下步驟以有規(guī)則間隔并列多個輔助部件，每一間隔大于基片厚度加上在基片的上表面和下表面按預(yù)定量形成的導(dǎo)線的厚度，將每一切割基片與每一間隔配合，使得切割基片的切割面指向垂直于輔助部件并列的方向，借助于粘合劑將切割基片與多個輔助部件組合，以及研磨切割基片及多個輔助部件這種兩個表面，這些輔助部件在垂直于輔助部件并列的方向已被組合。
此外，在根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)螺旋線圈芯片的上述方法中，借助于粘合劑及多個輔助部件重構(gòu)切割基片為集合的基片的步驟最好包括以下步驟使基片的切割面指向預(yù)定的方向，并在垂直于上述預(yù)定方向的方向交替排布切割基片和多個輔助部件，借助于粘合劑將切割基片和多個輔助部件組合，以及研磨已被組合指向上述預(yù)定方向的切割基片及多個輔助部件表面，使得在基片的上表面和下表面形成的導(dǎo)線的端部暴露。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明，用作為螺旋線圈芯片基底材料的集合基片最好在生產(chǎn)螺旋線圈芯片中制備。集合基片最好包括彼此基本平行排布的芯部件，它們之間有基本規(guī)則的間隔，它們的上表面和下表面暴露在集合基片的上和下表面，其芯部件在預(yù)定的方向延伸并具有低介電損耗特性，與芯部件緊密接觸的多個導(dǎo)線，多個導(dǎo)線在不同于芯部件延伸方向的一個方向穿過集合基片，使得導(dǎo)線的端部暴露在集合基片的上表面和下表面，以及填充多個導(dǎo)線與芯部件之間的空間的基底部分(base)。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的螺旋線圈芯片包括由具有低介電損耗特性材料制成的芯部件，由金屬電鍍并圍繞芯部件纏繞形成的線圈，以及起到金屬電鍍種晶作用、裝設(shè)在芯部件與線圈之間的層。在根據(jù)本發(fā)明的這種螺旋線圈芯片中，線圈最好包含Cu作為主要材料，種晶最好包含CrCu或TiCu作為主要材料。
本發(fā)明提供了一種線圈芯片，其中采用由半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)等代表的薄膜形成技術(shù)及適于形成厚膜的金屬電鍍工藝，具有大截面積的線圈纏繞在芯部件的外周邊。因而，根據(jù)本發(fā)明的線圈芯片包括便于金屬電鍍、設(shè)置在芯部件與線圈導(dǎo)線之間的所謂種晶材料。利用這一特性，易于降低直流電阻成分并能夠提供具有高Q值的線圈。


圖1示意示性地示出了根據(jù)本發(fā)明的螺旋線圈芯片的結(jié)構(gòu)；圖2A示出了生產(chǎn)圖1所示螺旋線圈芯片的過程；圖2B示出了生產(chǎn)圖1所示螺旋線圈芯片的過程；圖2C示出了生產(chǎn)圖1所示螺旋線圈芯片的過程；圖2D示出了生產(chǎn)圖1所示螺旋線圈芯片的過程；圖2E示出了生產(chǎn)圖1所示螺旋線圈芯片的過程；圖3A示出了形成集合基片的過程；圖3B示出了形成集合基片的過程；圖3C示出了形成集合基片的過程；圖3D示出了形成集合基片的過程；圖3E示出了形成集合基片的過程；圖3F示出了形成集合基片的過程；圖3G示出了形成集合基片的過程；圖3H示出了形成集合基片的過程；
圖3I示出了形成集合基片的過程；圖3J示出了形成集合基片的過程；圖3K示出了集合基片表面的放大視圖。
優(yōu)選實施例的詳細說明圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的螺旋線圈芯片部件(即螺旋線圈芯片1)的結(jié)構(gòu)。為了降低介電損耗，利用Teflon和主要包括具有低介電常數(shù)的乙烯芐基型材料作為芯部件3的材料。纏繞導(dǎo)線5按以下方式形成。首先，在芯部件3上在真空狀態(tài)下形成CrCu種晶層，借助于照相工藝形成圖案，然后，通過金屬電鍍在種晶上形成導(dǎo)線。這樣，導(dǎo)線形成為多層結(jié)構(gòu)(本實施例中，是兩層結(jié)構(gòu))。
在熱電極7上的兩端，設(shè)置有Ni(鎳)層或Ni合金層，以改進熱電極與安裝芯片部件時可能使用的焊料的可沾性。實際上，由低介電損耗材料諸如有機絕緣膜(例如，主要包括乙烯芐基型材料)制成的層形成為在芯片部件最外表面的防護膜。然而，在圖1所示的芯片部件中省略了該防護膜的表示，以便于對芯片部件結(jié)構(gòu)的理解。
以下將參照圖2A到2E說明生產(chǎn)螺旋線圈的工藝。首先，通過噴鍍以基本上平板的形式在基片13的兩側(cè)上形成構(gòu)成纏繞導(dǎo)線種晶的CrCu膜?；?3由具有低介電損耗特性的材料，諸如Teflon和乙烯芐基制成。然后，將一干膜附著到各CrCu薄膜的外表面。干膜受到諸如曝光和顯象的處理，以便形成構(gòu)成纏繞導(dǎo)線一部分的導(dǎo)線圖案。
此后，通過金屬鍍覆在CrCu薄膜上生長厚Cu膜。然后，去除干膜并通過研磨或濕浸等去除底層膜(CrCu膜)。使用上述工藝形成線圈導(dǎo)線部分(以下將簡稱為導(dǎo)線)。如果需要，可通過重復(fù)上述曝光、顯象和Cu膜的生長工藝增加導(dǎo)線的厚度。
在導(dǎo)線形成之后，在導(dǎo)線的頂部和導(dǎo)線之間作為覆蓋層19形成由環(huán)氧樹脂、Teflon或主要包括乙烯芐基等材料制成的防護膜。利用上述工藝，獲得了圖2A中所示工藝基底材料。然后，沿垂直于導(dǎo)線延伸方向的方向切割工藝基底材料，使得切割塊在導(dǎo)線延伸的方向如圖2C所示有預(yù)定的尺寸。然后，如圖2C所示，將切割后的桿狀工藝基底材料14旋轉(zhuǎn)90度。
然后，通過稍后將具體說明的工藝，將桿狀工藝基底材料14組合為單個的集合基片。集合基片上的桿狀工藝基底材料14以這樣的方式被保持，使得它們的位置關(guān)系固定在如圖2C所示的狀態(tài)。
然后，通過噴鍍在集合基片頂部和底部兩表面形成作為導(dǎo)線種晶層的CrCu薄膜。此后，將干膜附著到CrCu薄膜上，并再進行包括導(dǎo)線圖案曝光、顯象、在不必要位置去除薄膜等工藝。通過這些工藝，形成連接導(dǎo)線15末端的導(dǎo)線種晶層。關(guān)于這一點，只有導(dǎo)線15的末端暴露在構(gòu)成芯部件3的低介電損耗材料(諸如Teflon或主要包括乙烯芐基型材料)的兩側(cè)。這樣形成的導(dǎo)線在使用干膜形成圖案之后，通過金屬鍍覆形成厚度。然后通過研磨或濕浸等去除干膜和底層。這樣，形成構(gòu)成線圈其余部分的導(dǎo)線16。
圖2D示出了在導(dǎo)線厚度已增加之后桿狀工藝基底材料的位置關(guān)系。如圖2E所示，由環(huán)氧樹脂、Teflon或乙烯芐基型等制成的防護膜在導(dǎo)線的頂部和導(dǎo)線之間作為覆蓋層20形成。之后，在線圈的端部形成包含Ni和焊料分層結(jié)構(gòu)的端電極7，且各工藝基底材料被切割并分開為線圈芯片1。
以下將說明如何制成集合基片。如圖3A所示，首先，向玻璃板30附加通過施加紫外線輻射能被釋放的膠帶31，并在膠帶31上附著由諸如環(huán)氧樹脂、Teflon或乙烯芐基等防護膜材料制成的板部件32。然后，如圖3B所示，在板部件32及膠帶31上形成接收槽33。通過這樣形成的接收槽，板部件32被分為多個輔助部件32a。
如稍后所描述的，接收槽33接收已被切割為桿的工藝基底材料14，其方式使得工藝基底材料14的切割表面(即其上沒有形成導(dǎo)線的表面)14a指向板部件32a(或多個輔助部件)的向上和向下的方向(即指向垂直于輔助部件并列的平面的方向)。因而，各接收槽33的寬度被設(shè)計為，比其上已形成導(dǎo)線15和覆蓋層19的桿狀工藝基底材料14的覆蓋層19的外表面之間的距離大預(yù)定長度。具體來說，本實施例中上述預(yù)定長度設(shè)置為20im。
除了圖3B所示的玻璃基片之外，制備具有多個平行槽41的厚板40，如圖3C所示，這些平行槽穿過該板，以在其上下表面之間開通。如圖3C所示，熱發(fā)泡膠帶42被附著到厚板的上表面，覆蓋除平行槽41的其余部分。熱發(fā)泡膠帶42是能夠通過加熱易于被釋放的膠帶。如圖3B所示的其上已形成槽的玻璃基片30被粘合到厚板40的上表面，使板件32面向厚板40的上表面，且接收槽33相對于厚板40的槽形成大約90°的角度(圖3D)。粘合之后，玻璃板30受到紫外光的輻射，使膠帶31釋放。這樣，獲得如圖3E所示的產(chǎn)品，其中多個輔助部件32a形式的板件粘合在厚板40上熱發(fā)泡膠帶42上，輔助部件之間有受控的間隔。
隨后，將已切割為桿狀的工藝基底材料14插入板件32a之間的空間，如圖3F所示。桿狀工藝基底材料14也粘合在熱成形膠帶42上。在粘合時，每一工藝基底材料14的配置使得其沒有形成膜(即切割面14a)的兩表面指向厚板40的厚度方向(即在圖3F中面向上和下)。已切割為桿形的工藝基底材料14可能有切割時施加的應(yīng)力所生成的撓曲等。然而，由于接收槽33的寬度設(shè)計為比桿狀工藝基底材料14寬度大5到20im，工藝基底材料14a能容易地被接收槽33接收。
此外，為了組合多個板件32a和工藝基底材料14，向板部件32a與工藝基底材料14不存在熱發(fā)泡膠帶42的區(qū)域施涂粘合劑43。換言之，粘合劑43施涂到對應(yīng)于厚板的平行槽41部分的板部件32a與工藝基底材料14的部分。在施涂粘合劑43之后，如圖3G所示，對其上施涂粘合劑敷層的部分通過夾具加壓，以便組合板件和工藝基底材料，同時保持它們的位置關(guān)系。加壓夾具包括一槽插入夾具45和涂敷部分加壓夾具50。
槽插入夾具45能夠插入到厚板40的平行槽41，并具有多個凸起部分46。槽插入夾具45的凸起46的長度足夠長以與所有工藝基底材料14接觸。此外，凸起部分46的上端面共面。由于如稍后所述頂面要與粘合劑接觸，凸起部分46特別是其頂端面最好涂敷具有高粘合釋放性質(zhì)的釋放劑(諸如碳氟樹脂等)。涂敷部分加壓夾具50有多個凸起部分51，用于在其和槽插入夾具45的凸起部分46的頂面之間保持并固定工藝基底材料14及板部件32a。凸起部分51的長度與凸起部分46的長度相同，且凸起部分51的端面共同面。這些凸起部分51最好也涂敷釋放劑，因為如同上述凸起部分46的情形，它們也與粘合劑接觸。
工藝基底材料14和板部件32a在它們由夾具45和50保持固定的狀態(tài)下被加熱，使得粘合劑凝固。通過這一加熱過程，熱發(fā)泡膠帶42失去粘合性，使得工藝基底材料14和板部件32a凝固易于從厚板40分離。然后，如同3I所示，由粘合劑43局部結(jié)合的工藝基底材料14和板部件32a被浸漬到粘合劑中。此后，它們借助于上述的夾具45和50被夾持，并再次被加熱使得粘合劑凝固。經(jīng)過如上處理之后，多個板部件32a和多個工藝基底材料14整體集成為集合基片10。
在四角進行成形處理之后，集合基片10被插入到具有在基準外框53上提供的特定尺寸的凹陷55中。借助于外框53，集合基片10被緊固到研磨設(shè)備上，使得集合基片的兩面被研磨。研磨完成后在集合基片10的表面觀察的導(dǎo)線狀態(tài)圖示于圖3K，該圖以放大方式示出了表面的一部分。在集合基片表面，觀察到板部件32a，作為夾在板部件32a與排布在每一基片3兩側(cè)的導(dǎo)線15端部之間的芯部件的基片3。此外，也能觀察到充滿板部件與基片之間、導(dǎo)線之間及板部件之間的空間的粘合劑層。與此相關(guān)，由粘合劑與覆蓋層等組成的部分構(gòu)成集合基片10中除了導(dǎo)線15和芯部件3的基底部分。
是上述狀態(tài)下的集合部件經(jīng)受上述工藝過程，諸如CrCu膜形成和構(gòu)圖等，使得暴露在集合部件表面的基片3兩側(cè)上的導(dǎo)線15通過新形成的導(dǎo)線16連接。通過在集合基片兩側(cè)進行的這些處理，獲得了具有纏繞在乙烯芐基型基片外圍的CrCu和Cu兩層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線5。這樣，生產(chǎn)出超小型螺旋線圈，其具有由Teflon或主要包含乙烯芐基等材料制成的芯部件3。
實際上，在圖3J所示的集合部件表面觀察到的基片和導(dǎo)線的端部，它們的形狀在垂直于它們縱向的方向上是彎曲的，因而不能對它們施加普通的一次性曝光。因而，在本實施例中，采用了所謂逐次著色的曝光。在逐次著色曝光中，分析對應(yīng)于每一線圈或幾個線圈導(dǎo)線端部的圖象，以便對后續(xù)要進行的的曝光過程確定曝光位置。
雖然本實施例中用于形成導(dǎo)線的集合部件的曝光是作為逐次著色曝光進行的，但由Ni和焊料等制成的端電極是通過普通的曝光工藝形成的。這是因為與導(dǎo)線端部相比，端電極的尺寸比較大，而所需的位置精度與導(dǎo)線端部比較要低。在形成端電極時使用普通的曝光工藝能提高線圈的生產(chǎn)率。
利用上述生產(chǎn)工藝，生產(chǎn)出圖1所示的螺旋線圈。利用該工藝，易于生產(chǎn)更加緊湊的線圈芯片。此外，由于能夠把線圈配置在芯部件最外面，因而能夠生產(chǎn)出具有高電感和高Q值的線圈芯片。此外，利用上述工藝，能容易地在線圈芯片的一面上形成端電極。利用端電極的這種排布，能生產(chǎn)出一種高Q值螺旋線圈，其中以降低的成本降低了由電極生成的電容。
雖然參照由Teflon和主要包含乙烯芐基等材料制成的芯部件說明了本實施例，但本發(fā)明不限于這一特性。還可使用各種低介電損耗材料，例如碳氟樹脂，如四氟乙烯樹脂或含玻璃纖維的樹脂材料等。此外，雖然利用CrCu作為導(dǎo)線的底層膜或種晶，但可使用諸如TiCu等各種材料。同樣，端子材料也不限于兩層的Ni和焊料。雖然在本實施例中，種晶和端子的材料是通過噴鍍涂敷的，但本發(fā)明不限于這一特性。也可使用諸如汽象沉積、CVD等各種工藝涂敷這些材料。
在本實施例中，除導(dǎo)線之外所有部件最好由相同材料構(gòu)成(例如主要包含乙烯芐基型材料)，以便研磨工藝中的研磨速率不依賴于研磨的位置而有很大變化。然而，本發(fā)明不限于這種情形，而可以使用各種具有低介電損耗的材料和粘合劑，只要能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎相同的的研磨速率即可。此外，可以使用Teflon和主要包含乙烯芐基的材料之外的各種材料，只要它們具有所需的特性(如低介電損耗等)即可。
雖然對于防護膜最好使用與芯部件相同的材料，但由于在芯部件以外的情形下，介電損耗已沒有影響，因而可使用由環(huán)氧樹脂等制成的普通粘合劑。從噴鍍CrCu到構(gòu)圖案的上述工藝不限于上述的順序，順序最好按環(huán)境的要求而變化。例如，CrCu膜等可在完成顯象之后形成，然后可進行蝕刻。
在根據(jù)本發(fā)明生用于產(chǎn)螺旋線圈芯片的工藝中，每一工藝，諸如膜形成工藝在整個表面上進行，其上要通過單一(或一次)膜形成工藝形成線圈。因而，能夠以低成本生產(chǎn)高Q螺旋線圈。
根據(jù)本發(fā)明，能在其上形成線圈的表面上形成端電極，使得電極之間的電容能大大降低。因而，能夠生產(chǎn)在高頻下保持高Q的線圈芯片。此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠在線圈形成的同時或以簡單的附加工藝，形成端電極。因而，能夠降低線圈芯片的生產(chǎn)成本。
根據(jù)本發(fā)明，能夠在芯材料最外面形成線圈。因而，與能夠生產(chǎn)與其它相同尺寸的線圈芯片相比，具有較小介電損耗和較高Q值的緊湊的線圈芯片。
根據(jù)本發(fā)明，當首先在基片上表面和下表面形成的導(dǎo)線在基片被切割之后被連接時，通過組合切割基片制備要在形成連接導(dǎo)線工藝中使用的集合基片。使用集合基片，在形成這些連接導(dǎo)線時，也能夠在其上通過單一膜形成工藝在線圈形成的整個表面形成一層膜。因而，能夠進一步降低生產(chǎn)線圈芯片的成本。
根據(jù)本發(fā)明，在制造集合基片時使用輔助部件，以便能夠以規(guī)則間隔排布已切割而具有對應(yīng)于線圈寬度的預(yù)定寬度的基片。使用輔助部件，能夠容易地生產(chǎn)集合基片。
根據(jù)本發(fā)明，在制造集合基片中，在切割基片被組合為一個基片后，對上和下表面進行研磨。因而能夠使用單個(即一次)薄膜形成工藝，并能夠有效地進行膜形成。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法包括以下步驟利用薄膜形成處理裝置在基片上表面和下表面形成以預(yù)定間隔并列的多個導(dǎo)線；沿不同于所述導(dǎo)線延伸方向的方向?qū)⑺龌懈顬槎鄠€切割基片；以及利用薄膜形成處理裝置在所述切割基片上形成附加導(dǎo)線，以便對所有所述切割基片分別同時連接并列在基片的上和下表面的多個導(dǎo)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)的螺旋線圈芯片的方法，其中在所述基片被切割為多個切割基片之后，將所述切割的基片組合形成集合的基片，其中所述切割基片的切割面構(gòu)成所述集合基片的上表面和下表面，并在所述集合的基片的上表面和下表面形成所述附加導(dǎo)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)的螺旋線圈芯片的方法，其中所述基片由具有低介電損耗特性的材料制成，且端子電極在所述切割基片的兩表面之一上形成，在所述表面上，在形成所述附加導(dǎo)線之后形成所述導(dǎo)線或所述附加導(dǎo)線。
4.一種螺旋線圈芯片包括通過連接多個導(dǎo)線形成的螺旋線圈，所述導(dǎo)線是在帶有多個附加導(dǎo)線的基片的上表面和下表面上并列形成的，所述附加導(dǎo)線是在切割面上形成的，切割面是通過在不同于導(dǎo)線延伸方向的方向切割所述基片獲得的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的螺旋線圈芯片，其中所述基片由具有低介電損耗特性的材料制成，且端子電極被設(shè)置在其上形成有所述導(dǎo)線或所述附加導(dǎo)線的所述基片的兩表面之一。
6.一種生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法包括以下步驟在一基片的上表面和下表面上形成以預(yù)定間隔彼此平行延伸的多個導(dǎo)線，其中所述基片的上表面和下表面上的所述導(dǎo)線的排布以相同方向延伸；在不同于所述導(dǎo)線延伸方向的方向把基片切割為多個切割基片，其方式是使所述導(dǎo)線被切割為預(yù)定長度；借助于粘合劑及多個附屬部件將所述切割的基片重構(gòu)為一集合基片，其中所述切割基片的切割面在集合基片中面向上和下排布；以及在所述集合基片的上表面和下表面形成多個導(dǎo)線，所述導(dǎo)線的長度等于所述基片厚度加所述基片的上表面和下表面上形成的導(dǎo)線的厚度，并以所述預(yù)定間隔彼此平行地延伸，其中所述多個導(dǎo)線的每一個連接在所述基片的上表面和下表面上形成的所述導(dǎo)線端部，所述導(dǎo)線穿過所述集合基片的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法，其中在所述基片的上表面和下表面上形成導(dǎo)線的步驟，及在所述集合基片的上表面和下表面上形成導(dǎo)線的所述步驟的步驟中的每一個，包括在所述導(dǎo)線上形成防護膜的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法，其中在所述集合基片的上表面和下表面上形成多個導(dǎo)線的所述步驟包括在所述集合基片的上表面和下表面任何之一上形成所述螺旋線圈芯片端子電極的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法，其中借助于粘合劑和多個輔助部件重構(gòu)切割基片為集合基片的步驟包括以下步驟將其間具有規(guī)則間隔的所述多個輔助部件并列排列，各所述間隔大于基片厚度加所述基片的上表面和下表面按預(yù)定量形成的所述導(dǎo)線的厚度；將每一所述切割基片與每一間隔空間配合，使得切割基片的切割面指向垂直于所述輔助部件并列的方向；借助于所述粘合劑組合所述切割基片與所述多個輔助部件；以及研磨所述切割基片及所述多個輔助部件的這兩個表面，所述輔助部件在垂直于所述輔助部件并列的方向已被組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的生產(chǎn)螺旋線圈芯片的方法，其中借助于粘合劑及多個輔助部件重構(gòu)切割基片為集合的基片的步驟包括以下步驟使所述切割基片的切割面指向預(yù)定的方向，并在垂直于所述預(yù)定方向的方向交替排布所述切割基片和所述多個輔助部件；借助于所述粘合劑組合所述切割基片和所述多個輔助部件；以及研磨已被組合指向所述預(yù)定方向的所述切割基片及所述多個輔助部件的這兩個表面，使得在所述基片的上表面和下表面形成的所述導(dǎo)線的端部暴露。
11.一種用于生產(chǎn)作為螺旋線圈芯片基底材料的螺旋線圈芯片的集合基片，它包括彼此基本平行排布的芯部件，其間有基本規(guī)則的間隔，所述芯部件的上表面和下表面在所述集合基片的上和下表面處暴露，所述芯部件在預(yù)定的方向延伸并具有低介電損耗特性；與所述芯部件緊密接觸的多個導(dǎo)線，所述多個導(dǎo)線在不同于所述芯部件延伸方向的方向穿過所述集合基片，使得導(dǎo)線的端部暴露在所述集合基片的上表面和下表面；以及填充所述多個導(dǎo)線與所述芯部件之間的空間的基底部分。
12.一種螺旋線圈芯片包括由具有低介電損耗特性材料制成的芯部件，由金屬鍍覆并圍繞所述芯部件纏繞形成的線圈，以及起到金屬鍍覆種晶作用、設(shè)置在所述芯部件與線圈之間的層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的螺旋線圈芯片，其中所述線圈包含Cu作為主要材料，種晶包含CrCu或TiCu作為主要材料。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供具有一種結(jié)構(gòu)的線圈芯片和生產(chǎn)這種線圈芯片的方法，利用所述結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)線圈芯片的小尺寸，并能夠獲得高電感和高Q值。為此目的，本發(fā)明提供了一種線圈結(jié)構(gòu)，它包括由低介電損耗特性材料制成的芯部件，通過金屬鍍覆并在芯部件外圍纏繞形成一線圈，以及作為金屬鍍覆種晶裝設(shè)在芯部件與線圈之間的層。
文檔編號H01F17/02GK1518018SQ20041003932
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月21日
發(fā)明者莊司茂 申請人:Tdk株式會社