專利名稱：接觸孔形成方法、薄膜半導(dǎo)體裝置的制法、電子器件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成于半導(dǎo)體裝置的層間絕緣膜等上的接觸孔的形成方法以及薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法、電子器件的制造方法、電子器件。
背景技術(shù)：
近年來，作為電子器件的半導(dǎo)體裝置，為了實(shí)現(xiàn)高集成化正在進(jìn)行布線的多層化。而且，具有多層布線的半導(dǎo)體裝置，在通過層間絕緣膜電連接配設(shè)的上下布線圖案時(shí)，是在層間絕緣膜上形成接觸孔，通過該接觸孔來進(jìn)行的。以往，接觸孔一般如專利文獻(xiàn)1所述，如下那樣地形成。
首先，在基板上成膜金屬等導(dǎo)電材料，并對其進(jìn)行蝕刻以形成下層布線層。接著，在下層布線層之上形成層間絕緣膜。然后，在層間絕緣膜之上涂敷光致抗蝕劑膜(photo resist)，利用光刻法(photolithography)將其曝光、顯影，使對應(yīng)于接觸孔的部分開口以形成抗蝕膜。接下來，將抗蝕膜作為掩模干法蝕刻層間絕緣膜，通過設(shè)置貫通了層間絕緣膜的開口，從而形成接觸孔。之后，除去抗蝕膜，在層間絕緣膜上形成借助接觸孔與下層布線層電連接的上層布線層。
(專利文獻(xiàn)1)特開2001-267320號公報(bào)如上所述，以往的接觸孔是通過在絕緣膜之上涂敷光致抗蝕劑并形成圖案，將已形成圖案的抗蝕膜作為掩模干法蝕刻絕緣膜，在絕緣膜上設(shè)置貫通孔來形成的。因此，以往的接觸孔的形成方法，為了干法蝕刻絕緣膜，需要高價(jià)的真空裝置。而且，由于是使用了真空裝置的處理，故在形成接觸孔時(shí)需要多的時(shí)間與工夫及能量，真空裝置的保養(yǎng)也不容易。
另外，干法蝕刻時(shí)，產(chǎn)生向帶電粒子的基板的沖擊或基板表面的電荷積蓄等所導(dǎo)致的等離子體損傷(plasma damage)，存在使半導(dǎo)體裝置的電特性惡化的問題。再有，干法蝕刻時(shí)存在難以充分確保絕緣膜與下層的導(dǎo)電膜的蝕刻中的選擇比的問題，存在下層的導(dǎo)電膜被蝕刻，而不能電阻性的電導(dǎo)通的問題。還有，干法蝕刻時(shí)也存在光致抗蝕劑硬化，蝕刻后難除去光致抗蝕劑的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述以往技術(shù)的缺點(diǎn)，其目的在于提供一種不使用真空裝置來形成接觸孔的方法。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的接觸孔形成方法，是用來電連接隔著絕緣膜設(shè)置的第1導(dǎo)電部與第2導(dǎo)電部的接觸孔的形成方法，其特征在于，具有在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔的形成區(qū)域上設(shè)置掩模部件的掩模形成工序；在已除去上述掩模部件的整個(gè)基板上形成絕緣膜的絕緣膜形成工序；和除去上述掩模部件，在上述絕緣膜上形成貫通孔的掩模部件除去工序。
即，本發(fā)明在形成接觸孔的位置上設(shè)置掩模部件，并在其周圍形成絕緣膜。之后，由于一旦除去掩模部件，則在絕緣膜上形成貫通孔，故可以將其作為接觸孔。因此，根據(jù)本發(fā)明，為了形成接觸孔，沒有必要干法蝕刻絕緣膜，不需要高價(jià)的真空裝置。因此，在可以迅速地進(jìn)行接觸孔的形成的同時(shí)，可以節(jié)省形成接觸孔的工夫與能量，可以降低電子器件的成本。另外，本發(fā)明由于不使用干法蝕刻等方法，故不會(huì)產(chǎn)生等離子體損傷或光致抗蝕劑硬化等問題。再有，在本發(fā)明中，對下層的導(dǎo)電層的暴露是相當(dāng)于掩模部件(例如光致抗蝕劑)的除去劑，不蝕刻導(dǎo)電層。因此，能形成穩(wěn)定的接觸孔。
掩模形成工序可以具有在整個(gè)上述基板上形成由上述掩模部件構(gòu)成的掩模部件膜的成膜工序；和除去掩模部件膜的不要部分，只在上述接觸孔的形成區(qū)域上殘留上述掩模部件膜的圖案形成工序。
或者，掩模形成工序可以具有選擇性地向上述接觸孔的形成區(qū)域供給含有掩模形成材料的液體材料的選擇涂敷工序；和固化已涂敷的上述液體材料的固化工序。此時(shí)，由于不需要除去工序，故可以簡化制造過程。而且，選擇涂敷工序可以通過使用液滴噴出裝置的液滴噴出法進(jìn)行。
另外，掩模形成工序具有將上述接觸孔的形成區(qū)域親液化，將其周圍疏液化的表面處理工序，選擇涂敷工序可以在其表面處理工序以后進(jìn)行。這種情況下，針對已親液化的區(qū)域可以更可靠地進(jìn)行液體材料的選擇性涂敷。
在掩模部件由光致抗蝕劑等有機(jī)材料構(gòu)成的情況下，上述成膜工序可以構(gòu)成為具有涂敷液體有機(jī)材料的涂敷工序；和固化上述液體有機(jī)材料，以形成有機(jī)膜的固化工序，上述圖案形成工序，可以構(gòu)成為具有曝光上述有機(jī)膜的曝光工序；和顯影已曝光的上述有機(jī)膜的顯影工序。因此，可以直接利用以往的半導(dǎo)體裝置等的制造工序，可以避免新設(shè)備的負(fù)擔(dān)。液體有機(jī)材料的涂敷可以利用旋轉(zhuǎn)涂敷或浸漬涂敷等來進(jìn)行。而且，作為液體有機(jī)材料，可以使用將有機(jī)材料分散于所定溶劑中而進(jìn)行溶解的材料或硬化前的材料為液狀的材料等的液狀有機(jī)材料。
再有，在掩模部件為有機(jī)材料的情況下，上述掩模形成工序優(yōu)選具有選擇性地向上述接觸孔的形成區(qū)域供給液體有機(jī)材料的選擇涂敷工序；和固化涂敷完的上述液體有機(jī)材料的固化工序。液體有機(jī)材料向接觸孔形成區(qū)域的選擇性供給可以利用噴墨式打印機(jī)的打印頭等定量噴出裝置來進(jìn)行。在選擇性地向接觸孔的形成區(qū)域供給液體有機(jī)材料時(shí)，希望進(jìn)行將接觸孔的形成區(qū)域親液化，將其周圍疏液化的表面處理工序，之后進(jìn)行選擇涂敷工序。由此，可以提高液體有機(jī)材料向接觸孔的形成區(qū)域的潤濕性、附著性，可以防止液體有機(jī)材料擴(kuò)散到周圍，可以可靠地將掩模部件配置于接觸孔的形成區(qū)域上。
在掩模部件由光致抗蝕劑等有機(jī)材料構(gòu)成的情況下，最好設(shè)有將設(shè)于接觸孔的形成區(qū)域上的掩模部件配置于實(shí)質(zhì)上不存在氧與水的氣氛下，一邊將上述掩模部件加熱到所定溫度，一邊在掩模部件上照射紫外線的硬化工序。具體地講，可以在減壓條件下進(jìn)行硬化工序。若將掩模部件配置于減壓條件下，則溶存于掩模部件內(nèi)的水份從掩模部件脫離。而且，利用紫外線的照射，可以不會(huì)受到水份的影響，從而促進(jìn)交聯(lián)反應(yīng)，可以令掩模部件致密，可以提高耐熱性、耐化學(xué)性。在上述硬化工序后可以追加將掩模部件加熱到上述所定溫度以上的溫度下的熱處理工序。由此，可以做成更致密且耐熱性、耐化學(xué)性優(yōu)良的掩模部件，同時(shí)，在之后進(jìn)行的絕緣膜形成工序的熱處理中，可以使來自掩模部件的氣體釋放降低。
再有，希望由有機(jī)材料形成的掩模部件進(jìn)行疏液處理。若疏液處理掩模部件，則在通過涂敷液體絕緣材料來形成絕緣膜時(shí)，可以防止液體絕緣材料附著于掩模部件上面，可以容易地進(jìn)行掩模部件的除去。疏液處理可以通過在已活化的氟等中暴露掩模部件來進(jìn)行?；钚缘姆梢酝ㄟ^將四氟化碳(CF4)等氟系的氣體在大氣壓狀態(tài)下生成等離子體(即大氣壓等離子體)，而容易地得到。而且，若利用疏液性的光致抗蝕劑形成掩模部件，則疏液處理是不需要的。
在掩模部件為鋁等無機(jī)材料時(shí)，上述成膜工序是對基板例如利用蒸鍍等成膜無機(jī)掩模部件，從而形成上述掩模部件膜，上述圖案形成工序例如可以利用光刻技術(shù)來將上述掩模部件膜形成圖案。對無機(jī)掩模部件的基板的蒸鍍，可以使用真空蒸鍍或?yàn)R射等物理蒸鍍、CVD等化學(xué)蒸鍍。上述光刻技術(shù)是利用光刻法在掩模部件膜上面形成抗蝕劑掩模，使用該抗蝕劑掩模來蝕刻掩模部件膜的方法。
形成絕緣膜的絕緣膜形成工序可以具有在上述基板上涂敷液體絕緣材料的絕緣材料涂敷工序；和固化涂敷完的上述液體絕緣材料的絕緣材料固化工序。由此，不使用真空裝置等即能形成絕緣膜，可以達(dá)到工序的簡化、成本降低的目的。
作為這種情況下使用的液體絕緣材料，可以使用具有硅氧烷鍵的SOG(Spin On Glass)、聚硅氨烷、聚酰亞胺、低介電常數(shù)材料(即Low-K材料)等。另外，上述液體絕緣材料并不一定具有絕緣性，最終得到的膜為絕緣膜即可。而且，這些液體絕緣材料，可以在溶解于有機(jī)溶劑并涂敷后，一般通過進(jìn)行熱處理來形成絕緣膜。因此，希望加熱液體絕緣材料來進(jìn)行絕緣材料固化工序。
掩模除去工序中的掩模部件的除去，在掩模部件由有機(jī)材料形成的情況下，可以利用大氣壓下或減壓下的氧等離子體的灰化(ashing)、臭氧的灰化或通常的光致抗蝕劑剝落液來進(jìn)行。另外，在掩模部件由無機(jī)材料構(gòu)成的情況下，可以通過將該無機(jī)材料浸泡在可溶解的蝕刻液體內(nèi)，來除去掩模部件。當(dāng)然也可以進(jìn)行旋轉(zhuǎn)蝕刻。在利用這種方法的掩模部件的除去中，由于可以選擇對下層的導(dǎo)電層完全沒有影響的方法，故可以穩(wěn)定對接觸孔進(jìn)行開口。
接下來，將上述絕緣膜做成多層形成的結(jié)構(gòu)，可以包括在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整個(gè)基板上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成工序；除去上述第1掩模部件，在上述第1絕緣膜上形成第1貫通孔的第1掩模部件除去工序；在已形成于上述第1絕緣膜之上的第1貫通孔上設(shè)置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整個(gè)第1絕緣膜上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成工序；和除去上述第2掩模部件，在上述第2絕緣膜上形成與上述第1貫通孔同軸的第2貫通孔的第2掩模部件除去工序。由此，能形成貫通多層絕緣膜的接觸孔，例如可以實(shí)現(xiàn)連接第1導(dǎo)電層與第3導(dǎo)電層的多層布線。
或者，做成使上述絕緣膜多層形成的結(jié)構(gòu)，可以包括在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整個(gè)基板上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成工序；在上述第1掩模部件上設(shè)置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整個(gè)第1絕緣膜上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成工序；和除去上述第1掩模部件及第2掩模部件，在上述第1絕緣膜及第2絕緣膜上形成貫通孔的掩模部件除去工序。這種情況下也能實(shí)現(xiàn)具有貫通多層絕緣膜的接觸孔的多層布線結(jié)構(gòu)，再有，與在每層絕緣膜上形成·除去掩模部件的上述方法相比，可簡化制造過程。
接著，本發(fā)明的薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，是在基板上形成薄膜半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源極及漏極區(qū)域的半導(dǎo)體膜的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域上的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述半導(dǎo)體膜上涂敷液體材料，形成柵極絕緣膜的工序；除去上述第1掩模部件的工序；在上述柵極絕緣膜上設(shè)置開口柵電極形成區(qū)域的第2掩模部件的工序；在已開口的上述柵電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成柵電極的工序；除去上述第2掩模部件的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域的接觸插頭形成區(qū)域上及柵電極的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第3掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述柵電極及上述柵極絕緣膜上涂敷液體材料，形成層間絕緣膜的工序；除去上述第3掩模部件的工序；和在上述第3掩模部件除去后，在上述接觸插頭形成區(qū)域上涂敷液體材料，形成接觸插頭的工序。根據(jù)這種方法，沒有必要為了形成接觸插頭而進(jìn)行干法蝕刻，也不需要高價(jià)的真空裝置。因此，可以迅速地進(jìn)行接觸插頭的形成動(dòng)作，同時(shí)可以節(jié)省形成該接觸插頭用的工夫與能量，可以降低該薄膜半導(dǎo)體裝置的制造成本。
而且，在上述薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以具有在上述層間絕緣膜及上述接觸插頭上設(shè)置開口電極形成區(qū)域的第4掩模部件的工序；和在已開口的上述電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成電極的工序。
接著，本發(fā)明的電子器件的制造方法，是使用了上述本發(fā)明的接觸孔形成方法的制造方法，其特征在于，具有向已形成的接觸孔填充導(dǎo)電材料的工序；和在填充完的導(dǎo)電材料上形成所定圖案的布線的工序。根據(jù)這種方法，可以簡便地制造電特性優(yōu)良、可靠性高的電子器件。而且，這種情況下作為接觸孔的填充材料及布線的形成材料，可以使用相同或不同的導(dǎo)電性材料。
還有，本發(fā)明的電子器件的制造方法，作為不同的方式，也可以具有一邊向已形成的接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，一邊在含有該接觸孔的絕緣層上形成所定圖案的布線的工序。這樣通過在同一工序中進(jìn)行接觸孔的填充與布線的形成，能達(dá)到制造過程的簡化的目的。
而且，本發(fā)明的電子器件，其特征在于，具有利用上述接觸孔形成方法而形成的接觸孔。由此，可以得到上述的效果。


圖1是表示實(shí)施方式的電子器件的制造工序的一部分的說明圖。
圖2是說明接著第1實(shí)施方式的圖1的工序的圖。
圖3是第2實(shí)施方式的接觸孔形成方法的主要部分工序圖。
圖4是第3實(shí)施方式的接觸孔形成方法的工序圖。
圖5是第4實(shí)施方式的接觸孔形成方法的說明圖。
圖中10-玻璃基板，12-底層絕緣膜，14-第1導(dǎo)電部(多晶硅膜)，16-源極區(qū)域，18-漏極區(qū)域，20-溝道區(qū)域，22、36-掩模部件膜(抗蝕膜)，24、40、70-掩模部件(掩模柱)，26、42-絕緣膜(柵極絕緣膜、絕緣層)，28-第1接觸孔，34-柵電極，44-第2接觸孔，46-接觸插頭，52-第2導(dǎo)電層(布線)，60-基板，64-第1導(dǎo)電部(硅膜)，66-掩模部件膜，74-接觸孔，80-定量噴出裝置，82-液體掩模部件，88-接觸孔形成區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
根據(jù)附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的接觸孔形成方法及使用該方法制造出的電子器件的最佳實(shí)施方式。
圖1、圖2是利用了本發(fā)明的第1實(shí)施方式的接觸孔形成方法的電子器件的制造工序的一例。該制造工序是在形成液晶面板等開關(guān)電路時(shí)使用了實(shí)施方式的接觸孔形成方法的工序，是連接由低溫聚硅(LTPS)構(gòu)成的薄膜晶體管(TFT)與布線的方法的工序圖。
首先，如圖1(1)所示，在玻璃基板10的表面上形成二氧化硅等底層絕緣膜12。該底層絕緣膜12可以在玻璃基板10上涂敷包含具有硅氧烷鍵的SOG等絕緣材料的液體材料(液體絕緣材料)，燒結(jié)，使其加熱分解而形成。由此，不必使用高價(jià)的真空裝置等，可以節(jié)省成膜所需投入的能量或時(shí)間等。液體絕緣材料的涂敷在選擇實(shí)施方式時(shí)，可以利用所謂的旋轉(zhuǎn)涂敷(spin coat)來進(jìn)行。然而，液體絕緣材料的涂敷也可以利用浸漬涂敷(dip coat)或液體噴霧化學(xué)沉積法(Liquid Source Misted ChemicalDepositionLSMCD)、狹縫涂敷(slit coat)等來進(jìn)行。
另外，液體絕緣材料的涂敷也可以利用所謂的噴墨式打印機(jī)的打印頭等定量噴出裝置來進(jìn)行。若使用該定量噴出裝置，則由于能只涂敷所希望的部分，故可以節(jié)省材料。再有，作為液體絕緣材料，可以使用將聚硅氨烷、聚酰亞胺、Low-K材料等分散地溶解到二甲苯等所定溶劑中的材料。
接下來，在底層絕緣膜12上形成多晶硅膜14。該多晶硅膜14可以如下所述地形成。首先，在底層絕緣膜12上例如形成氟樹脂膜等疏液性膜(圖中未示出)。而且，在該疏液膜的元件形成區(qū)域上照射紫外線等，分解除去元件形成區(qū)域的疏液膜，并進(jìn)行圖案形成，做成疏液堤。然后，在元件形成區(qū)域上涂敷液體氫化硅，并使其干燥。
接著，燒結(jié)并熱分解已干燥的氫化硅的膜，形成非晶體硅膜。接下來，在整個(gè)玻璃基板10上照射紫外線，分解除去疏液堤后，在非晶體硅膜上照射XeCl等準(zhǔn)分子激光，退火，將非晶體硅膜多晶化，做成多晶硅膜14。
接下來，覆蓋多晶硅膜14與底層絕緣膜12，在整個(gè)玻璃基板10上涂敷液體有機(jī)材料即光致抗蝕劑。而且，在70～90℃的溫度下干燥(預(yù)烘干prebake)涂敷完的光致抗蝕劑，如圖1(1)的2點(diǎn)劃線所示，形成抗蝕劑膜(掩模部件膜)22。而且，液體有機(jī)材料可以是感光性樹脂(例如聚酰亞胺)。另外，液體有機(jī)材料的涂敷與上述液體絕緣材料的涂敷同樣，可以使用旋轉(zhuǎn)涂敷、浸漬涂敷、LSMCD、狹縫涂敷、定量噴出裝置進(jìn)行的涂敷。
然后，利用光刻法曝光、顯影抗蝕劑膜22，在成為第1導(dǎo)電部的多晶硅膜14上的接觸孔形成區(qū)域上只殘留抗蝕劑膜22，形成掩模柱(掩模部件)24。該掩模柱(mask pillar)24形成為與形成接觸孔的絕緣膜的厚度同等、或其以上的高度。另外，可以形成得比形成該絕緣膜得液體成膜材料的涂敷厚度高。再有，掩模柱24根據(jù)需要進(jìn)行硬化處理。掩模柱24的硬化處理，在實(shí)施方式中如下所述地進(jìn)行。
首先，將已形成掩模柱24的玻璃基板10搬入圖中未示出的真空容器內(nèi)，將真空容器內(nèi)減壓為例如1.3kPa(10Torr)以下，如0.2Torr左右。而且，將掩模柱24加熱到所定溫度，例如100～150℃(例如130℃)左右的通常的光致抗蝕劑的后烘(post bake)溫度，同時(shí)在掩模柱24上照射幾分鐘波長254nm左右的紫外線。由此，掩模柱24的溶存的水份被脫水，利用紫外線使交聯(lián)反應(yīng)促進(jìn)。而且，由于掩模柱24不受到氧或水份的影響，故促進(jìn)交聯(lián)反應(yīng)，變得致密，耐熱性、耐化學(xué)性提高。
接著，掩模柱24的硬化處理，可以根據(jù)需要進(jìn)行將掩模柱24加熱到后烘溫度以上的熱處理。該熱處理例如在300℃～450℃的溫度下進(jìn)行10分鐘左右。由此，可以做成耐熱性、耐化學(xué)性非常優(yōu)良的掩模柱，能使用各種液體成膜材料。而且，紫外線照射氣氛除了減壓狀態(tài)以外，例如也可以是實(shí)際不存在氧及水份的氣氛(例如氮?dú)夥?。
然后，如本圖(2)所示，在已除去掩模柱24的整個(gè)玻璃基板10上形成柵極絕緣膜26。該柵極絕緣膜26可以與底層絕緣膜12同樣地形成。而且，除去掩模柱24，如本圖(3)所示，形成貫通了柵極絕緣膜26的第1接觸孔28。
而且，希望掩模柱24在涂敷用于形成柵極絕緣膜26的液體絕緣材料前進(jìn)行疏液處理。由此，可以防止液體絕緣材料附著在掩模柱24的上面，可以容易地進(jìn)行掩模柱24的除去。掩模柱的疏液處理可以通過利用等離子體分解含有四氟化碳等氟原子的氣體，生成活性的氟單原子或離子，在該活性的氟中暴露掩模柱24來進(jìn)行。
接下來，如圖1(4)所示，覆蓋柵極絕緣膜26，形成抗蝕劑30。接著對抗蝕劑30進(jìn)行圖案形成，在與柵電極對應(yīng)的位置上形成開口部32。而且，向開口部32供給含有導(dǎo)電材料的液體材料(例如以有機(jī)金屬化合物為主要成分的液體材料)，將其熱處理，形成柵電極34。然后，除去抗蝕劑30。而且抗蝕劑30也可以用疏液膜構(gòu)成。
在這里，含有導(dǎo)電材料的液體材料，雖然可以利用LSMCD或旋轉(zhuǎn)涂敷、狹縫涂敷等向開口部32提供，但例如也可以利用噴墨式打印機(jī)的打印頭等定量噴出裝置選擇性地向開口部32供給。由此，在達(dá)到液體材料的節(jié)約的同時(shí)，可以防止液體材料向開口部周圍附著，另外可以容易地形成所希望厚度的柵電極34。
接下來，將柵電極34作為掩模，向多晶硅膜14注入適宜的雜質(zhì)(例如，形成p型導(dǎo)電層時(shí)為硼離子)，在形成圖1(5)所示的源極區(qū)域16及漏極區(qū)域18的同時(shí)，與柵電極34整合，形成溝道區(qū)域20。然后，如本圖(5)所示，在整個(gè)玻璃基板10上形成作為掩模部件的抗蝕膜36。接著，利用光刻法將抗蝕膜36曝光、顯影。
而且，如圖2(1)所示，在與成為接觸孔形成區(qū)域的第1接觸孔28對應(yīng)的位置及柵電極34的所定位置上形成由抗蝕膜36構(gòu)成的掩模柱40。這些掩模柱40中與多晶硅膜14的源極區(qū)域16與漏極區(qū)域18對應(yīng)的位置上的掩模柱，下端通過第1接觸孔28與源極區(qū)域16及漏極區(qū)域18的上面接觸。根據(jù)需要，該掩模柱40進(jìn)行與上述同樣的硬化處理。
再有，掩模柱40，如圖2(1)的右側(cè)所示，柵極絕緣膜26之上的部分可以形成得比第1接觸孔28大。由此，如后所述，在除去掩模柱40而形成的接觸孔中形成臺階{參照同圖(2)}，接觸孔的階梯覆蓋(stepcoverage)擴(kuò)大，可以防止接觸孔內(nèi)的斷線。
接著，如圖2(2)所示，在掩模柱40的周圍即除去掩模柱40后的整個(gè)玻璃基板10上形成由二氧化硅等構(gòu)成的絕緣膜42。該絕緣膜42與底層絕緣膜12同樣，可以利用LSMCD或旋轉(zhuǎn)涂敷、狹縫涂敷等涂敷液體絕緣材料，對其進(jìn)行熱處理來形成。由此，表面的平坦化成為可能。然后，灰化除去掩模柱40，在絕緣膜42上形成第2接觸孔44。此時(shí)，也使第1接觸孔28貫通。而且，絕緣膜42除了使用了液體材料的涂敷方法以外，例如也能利用濺射等來形成。
接下來，如本圖(3)所示，使用圖中未示出的定量噴出裝置，向接觸孔28、44供給以有機(jī)金屬化合物為主要成分的液體接觸形成材料。之后，燒結(jié)固化接觸孔28、44內(nèi)的液體接觸形成材料，做成接觸插頭46。而且，在使接觸孔28、44貫通時(shí)，優(yōu)選在整個(gè)基板上照射紫外線，將第1接觸孔28的底面即成為第1導(dǎo)電部的源極區(qū)域16、漏極區(qū)域18、柵電極34的接觸插頭形成區(qū)域進(jìn)行親液處理。通過對這些區(qū)域進(jìn)行親液處理，可以提高與接觸插頭46的密接性、接合性，減小電阻。
還有，覆蓋絕緣層42形成抗蝕劑48。而且，利用未圖示的掩模，在抗蝕劑48上照射紫外線，進(jìn)行圖案形成，在抗蝕劑48上形成布線溝槽50。之后，例如利用定量噴出裝置向布線溝槽50供給使構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的ITO的微粉末或金屬微粒分散到有機(jī)溶劑而成的液體布線材料，將其熱處理，形成成為第2導(dǎo)電部的布線52。由此，作為第1導(dǎo)電部的源極區(qū)域16、漏極區(qū)域18、柵電極34與作為第2導(dǎo)電部的布線52通過設(shè)于接觸孔內(nèi)接觸插頭46電連接。該布線52也可以與圖中未示出的液晶面板的透明電極一體形成。接著，除去抗蝕劑48{參照圖2(4)}。然后，覆蓋布線52，形成二氧化硅、氮化硅(SiN)等鈍化膜(passivation)。
而且，作為形成接觸插頭46及布線52的導(dǎo)電材料，可以采用相同或不同的材料。另外，可以在同一工序中形成接觸插頭46及布線52，即一邊向接觸孔28、44內(nèi)填充導(dǎo)電材料，一邊在布線溝槽50內(nèi)形成布線52。這種情況下，形成接觸插頭46及布線52的導(dǎo)電材料使用相同的材料。
這樣，在實(shí)施方式中，通過在接觸孔的形成位置上設(shè)置掩模柱后，在掩模柱周圍形成絕緣膜，除去掩模柱來形成接觸孔。因此，在實(shí)施方式中，不進(jìn)行絕緣膜的蝕刻即可形成接觸孔，不需要高價(jià)的真空裝置，可以削減工序數(shù)目，達(dá)到工序的簡化的目的。另外，在可以迅速地進(jìn)行接觸孔的形成的同時(shí)，可以節(jié)省形成接觸孔的工夫與能量，可以降低電子器件的成本。而且，在實(shí)施方式中，除去掩模柱40以形成接觸孔，由于只向接觸孔供給液體插頭形成材料，故可以大幅度地削減接觸插頭的形成材料的使用量。
圖3是說明第2實(shí)施方式的接觸孔形成方法的主要部分工序圖。在圖3中，首先與上述第1實(shí)施方式相同，在玻璃基板10的表面上形成底層絕緣膜12，在其上設(shè)置多晶硅膜14。之后，覆蓋多晶硅膜14與底層絕緣膜12，形成本圖中未示出的抗蝕膜。接著，將抗蝕膜曝光顯影，如圖3(1)所示，在多晶硅膜14的形成接觸孔的預(yù)定位置上形成掩模柱24。再有，在硬化處理、疏液處理掩模柱24后，在掩模柱24周圍形成由二氧化硅等構(gòu)成的柵極絕緣膜26。
然后，如本圖(2)所示，在殘留掩模柱24的狀態(tài)中，在柵極絕緣膜26上形成抗蝕劑30。而且，利用未圖示的掩模，在抗蝕劑30上照射紫外線，進(jìn)行圖案形成，在抗蝕劑30上形成開口部32。接著，向開口部32內(nèi)注入液體電極材料并燒結(jié)，從而在柵極絕緣膜26上形成柵電極34。之后，除去抗蝕劑30。
接下來，將柵電極34作為掩模，向多晶硅膜14上注入雜質(zhì)，如圖3(3)所示，形成源極區(qū)域16及漏極區(qū)域18。然后，覆蓋柵電極34及柵極絕緣膜26，形成抗蝕膜36。還有，曝光顯影抗蝕膜36并進(jìn)行圖案形成，如本圖(4)所示，在掩模柱24之上與柵電極34的所定位置上形成掩模柱40。然后，硬化處理、疏液處理掩模柱40，再如本圖(5)所示，在掩模柱40的周圍形成絕緣膜42。而且，除去掩模柱24、40，在絕緣膜42上形成第2接觸孔44，同時(shí)在其下方的柵極絕緣膜26上形成第1接觸孔28。之后，進(jìn)行上述圖2(3)、(4)的工序，完成TFT。
這樣，在該第2實(shí)施方式的接觸孔形成方法中，由于將形成柵極絕緣膜26時(shí)設(shè)置的掩模柱24與由抗蝕膜36構(gòu)成的掩模柱40一同除去，故可以進(jìn)一步達(dá)到工序的簡化的目的。
圖4是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的接觸孔形成方法的工序圖，是利用所謂的光刻法來形成接觸孔的工序圖。而且，在該第3實(shí)施方式中，如圖4(1)所示，在硅晶片或玻璃等的基板60的上面隔著絕緣膜62形成成為已使雜質(zhì)擴(kuò)散的第1導(dǎo)電部的硅膜64。
因此，在該第3實(shí)施方式的接觸孔形成方法中，如圖4(1)所示，首先在硅膜64上成膜由鋁(Al)或銅(Cu)等無機(jī)材料構(gòu)成的掩模部件膜66。該由無機(jī)材料構(gòu)成的掩模部件膜66利用真空蒸鍍或?yàn)R射等物理蒸鍍、CVD等化學(xué)蒸鍍來形成。
接下來，在掩模部件膜66上涂敷光致抗蝕劑并使其干燥，形成抗蝕膜68。然后，利用光刻法曝光顯影抗蝕膜68，如本圖(2)所示，只在與掩模部件膜66的接觸孔形成區(qū)域?qū)?yīng)的位置上殘留抗蝕膜68。再有，將基板60浸漬在能溶解掩模部件膜66的蝕刻液內(nèi)，進(jìn)行掩模部件膜66的蝕刻。由此，如圖4(3)所示，只在抗蝕膜68的下方將掩模部件膜66作為掩模柱70殘留下來。
接著，利用灰化等除去抗蝕膜68后，如本圖(4)所示，在已除去掩模柱70的整個(gè)基板60上形成絕緣膜72。接下來，在已形成掩模柱70的狀態(tài)下，進(jìn)行針對絕緣膜72的熱處理，使該絕緣膜72硬化。再有，將設(shè)置了絕緣膜72的基板60浸漬于蝕刻液內(nèi)，將作為掩模部件的掩模柱70蝕刻并除去。由此，如本圖(5)所示，形成貫通了絕緣膜72的接觸孔74。之后，與上述同樣，在絕緣膜72上形成圖中未示出的布線層，通過設(shè)于接觸孔74內(nèi)的接觸插頭等電連接該布線層與硅膜64。
這樣，通過使用由無機(jī)材料構(gòu)成的掩模部件，通過選擇與第1導(dǎo)電部的材質(zhì)對應(yīng)的接觸材料，可以消除形成接觸孔用的蝕刻對下部導(dǎo)電部的傷。因此，可以改善與接觸孔內(nèi)配置的導(dǎo)電性材料的密接性、接合性，減小連接電阻。另外，在進(jìn)行形成掩模柱70的蝕刻時(shí)，即使是所謂的過度蝕刻的情況，也不會(huì)對下層的硅膜64造成損傷，可靠地形成掩模柱70。因此，由于該掩模柱70形成的接觸孔74可靠地形成，故沒有與其他導(dǎo)電部的短路或耐壓不足等產(chǎn)生的可能性。
而且，作為掩模部件，在使用無感光性的聚酰亞胺等有機(jī)材料時(shí)，通過形成有機(jī)材料構(gòu)成的掩模部件膜，并將其進(jìn)行上述的光刻處理，可以形成掩模柱，可以形成接觸孔。
圖5是第4實(shí)施方式的說明圖。該實(shí)施方式的接觸孔形成方法是利用噴墨式打印機(jī)的打印頭等定量噴出裝置80涂敷液體掩模材料82，來形成掩模部件。這種情況下，例如只向絕緣基板84上形成的下部導(dǎo)電部(第1導(dǎo)電部)86的接觸孔形成區(qū)域88選擇性地供給液體掩模材料82。而且，通過固化已向接觸孔形成區(qū)域88供給的液體掩模材料82，從而在接觸孔形成區(qū)域88上形成掩模部件。
而且，這種情況下，在接觸孔形成區(qū)域88上涂敷液體掩模材料82前，希望親液化處理接觸孔形成區(qū)域88，同時(shí)疏液化處理其周圍90。由此，可以防止液體掩模材料82向接觸孔形成區(qū)域88的周圍90擴(kuò)散。另外，可以提高液體掩模材料針對接觸孔形成區(qū)域88的潤濕性，提高液體掩模材料的附著性，增多液體掩模材料向接觸孔形成區(qū)域88的供給量。而且，周圍90的疏液處理，可以在周圍90形成氟樹脂等疏液膜來進(jìn)行。
本發(fā)明并未限于上述實(shí)施方式，可以在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，上述實(shí)施方式的各構(gòu)成可以省略一部分，或與上述不同地任意組合。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔形成方法，形成用于電連接隔著絕緣膜設(shè)置的第1導(dǎo)電部與第2導(dǎo)電部的接觸孔，其特征在于，具有在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔的形成區(qū)域上設(shè)置掩模部件的掩模形成工序；在已除去上述掩模部件的整個(gè)基板上形成絕緣膜的絕緣膜形成工序；和除去上述掩模部件，在上述絕緣膜上形成貫通孔的掩模部件除去工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有在整個(gè)上述基板上形成由上述掩模部件構(gòu)成的掩模部件膜的成膜工序；和除去掩模部件膜的不要部分，只在上述接觸孔的形成區(qū)域上殘留上述掩模部件膜的圖案形成工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有選擇性地向上述接觸孔的形成區(qū)域供給含有掩模形成材料的液體材料的選擇涂敷工序；和固化已涂敷的上述液體材料的固化工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述選擇涂敷工序通過使用液滴噴出裝置的液滴噴出法來進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模形成工序具有將上述接觸孔的形成區(qū)域親液化，將其周圍疏液化的表面處理工序，所述選擇涂敷工序在上述表面處理工序以后進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由有機(jī)材料構(gòu)成，在上述選擇涂敷工序中選擇性地向上述接觸孔的形成區(qū)域供給液體有機(jī)材料，在所述固化工序中固化涂敷完的上述液體有機(jī)材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由有機(jī)材料構(gòu)成，上述成膜工序具有涂敷液體有機(jī)材料的涂敷工序；和固化上述液體有機(jī)材料，以形成有機(jī)膜的固化工序，上述圖案形成工序具有曝光上述有機(jī)膜的曝光工序；和顯影已曝光的上述有機(jī)膜的顯影工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，具有將設(shè)于上述接觸孔的形成區(qū)域上的上述掩模部件配置于實(shí)質(zhì)上不存在氧與水的氣氛下，一邊將上述掩模部件加熱到所定溫度，一邊在掩模部件上照射紫外線的硬化工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，具有將設(shè)于上述接觸孔的形成區(qū)域上的上述掩模部件配置于減壓條件下，一邊將上述掩模部件加熱到所定溫度，一邊在掩模部件上照射紫外線的硬化工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述硬化工序具有在上述紫外線的照射后，將所述掩模部件加熱到上述所定溫度以上的溫度的熱處理工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求6～10中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，其特征在于，疏液處理上述掩模部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由無機(jī)材料構(gòu)成，上述成膜工序通過在上述基板上全面形成無機(jī)掩模材料來形成上述掩模部件膜，上述圖案形成工序?qū)⒂缮鲜鰺o機(jī)材料構(gòu)成的掩模部件膜進(jìn)行圖案形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述掩模部件由無機(jī)材料構(gòu)成，上述成膜工序通過在上述基板上蒸鍍或?yàn)R射無機(jī)掩模材料來形成上述掩模部件膜，上述圖案形成工序光刻上述掩模部件膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述絕緣膜形成工序具有在上述基板上涂敷液體絕緣材料的絕緣材料涂敷工序；和固化涂敷完的上述液體絕緣材料的絕緣材料固化工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述絕緣材料固化工序是通過加熱上述液體絕緣材料來進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，其特征在于，上述絕緣膜包含第1及第2絕緣膜，包括在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整個(gè)基板上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成工序；除去上述第1掩模部件，在上述第1絕緣膜上形成第1貫通孔的第1掩模部件除去工序；在已形成于上述第1絕緣膜之上的第1貫通孔上設(shè)置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整個(gè)第1絕緣膜上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成工序；和除去上述第2掩模部件，在上述第2絕緣膜上形成與上述第1貫通孔同軸的第2貫通孔的第2掩模部件除去工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，其特征在于，形成多層形成上述絕緣膜的結(jié)構(gòu)，包括在上述第1導(dǎo)電部上的接觸孔形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的第1掩模部件形成工序；在已除去上述第1掩模部件的整個(gè)基板上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成工序；在上述第1掩模部件上設(shè)置第2掩模部件的第2掩模部件形成工序；在已除去上述第2掩模部件的整個(gè)第1絕緣膜上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成工序；和除去上述第1掩模部件及第2掩模部件，在上述第1絕緣膜及第2絕緣膜上形成貫通孔的掩模部件除去工序。
18.一種薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，在基板上形成薄膜半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源極及漏極區(qū)域的半導(dǎo)體膜的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域上的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述半導(dǎo)體膜上涂敷液體材料，形成柵極絕緣膜的工序；除去上述第1掩模部件的工序；在上述柵極絕緣膜上設(shè)置開口柵電極形成區(qū)域的第2掩模部件的工序；在已開口的上述柵電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成柵電極的工序；除去上述第2掩模部件的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域的接觸插頭形成區(qū)域上及柵電極的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第3掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭以外的上述柵電極及上述柵極絕緣膜上涂敷液體材料，形成層間絕緣膜的工序；除去上述第3掩模部件的工序；和在上述第3掩模部件除去后，在上述接觸插頭形成區(qū)域上涂敷液體材料，形成接觸插頭的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在上述層間絕緣膜及上述接觸插頭上設(shè)置開口電極形成區(qū)域的第4掩模部件的工序；和在已開口的上述電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成電極的工序。
20.一種薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，在基板上形成薄膜半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源極及漏極區(qū)域的半導(dǎo)體膜的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域上的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述半導(dǎo)體膜上涂敷液體材料，形成柵極絕緣膜的工序；除去上述第1掩模部件的工序；在上述柵極絕緣膜上設(shè)置開口柵電極形成區(qū)域的第2掩模部件的工序；在已開口的上述柵電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成柵電極的工序；除去上述第2掩模部件的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域的接觸插頭形成區(qū)域上及柵電極的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第3掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述柵電極及上述柵極絕緣膜上涂敷液體材料，形成層間絕緣膜的工序；除去上述第3掩模部件的工序；除去上述第3掩模部件后，在上述層間絕緣膜上設(shè)置開口電極形成區(qū)域的第4掩模部件的工序；和在上述接觸插頭形成區(qū)域及已開口的上述電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，形成接觸插頭及電極的工序。
21.一種薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，在基板上形成薄膜半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源極及漏極區(qū)域的半導(dǎo)體膜的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域上的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述半導(dǎo)體膜上涂敷液體材料，形成柵極絕緣膜的工序；在上述柵極絕緣膜上設(shè)置開口柵電極形成區(qū)域的第2掩模部件的工序；在已開口的上述柵電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成柵電極的工序；除去上述第2掩模部件的工序；在上述第1掩模部件上以及柵極電極的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第3掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述柵電極及上述柵極絕緣膜上涂敷液體材料，形成層間絕緣膜的工序；除去上述第1掩模部件及上述第3掩模部件的工序；和在除去上述第1掩模部件及上述第3掩模部件后，在上述接觸插頭形成區(qū)域上涂敷液體材料，形成接觸插頭的工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在上述層間絕緣膜及上述接觸插頭上設(shè)置開口電極形成區(qū)域的第4掩模部件的工序；和在已開口的上述電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成電極的工序。
23.一種薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，在基板上形成薄膜半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有在上述基板上形成含有源極及漏極區(qū)域的半導(dǎo)體膜的工序；在上述源極及上述漏極區(qū)域上的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第1掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述半導(dǎo)體膜上涂敷液體材料，形成柵極絕緣膜的工序；在上述柵極絕緣膜上設(shè)置開口柵電極形成區(qū)域的第2掩模部件的工序；在已開口的上述柵電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，以形成柵電極的工序；除去上述第2掩模部件的工序；在上述第1掩模部件上以及柵極電極的接觸插頭形成區(qū)域上設(shè)置第3掩模部件的工序；在除了上述接觸插頭形成區(qū)域以外的上述柵電極及上述柵極絕緣膜上涂敷液體材料，形成層間絕緣膜的工序；除去上述第1掩模部件及上述第3掩模部件的工序；除去上述第1掩模部件及上述第3掩模部件后，在上述層間絕緣膜以及所述接觸插頭上設(shè)置開口電極形成區(qū)域的第4掩模部件的工序；和在上述接觸插頭形成區(qū)域及已開口的上述電極形成區(qū)域上涂敷液體材料，形成接觸插頭及電極的工序。
24.一種電子器件的制造方法，其特征在于，使用了權(quán)利要求1～17中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，具有向已形成的接觸孔填充導(dǎo)電材料的工序；和在填充完的導(dǎo)電材料上形成所定圖案的布線的工序。
25.一種電子器件的制造方法，其特征在于，使用了權(quán)利要求1～17中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法，具有一邊向已形成的接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，一邊在含有該接觸孔的絕緣層上形成所定圖案的布線的工序。
26.一種電子器件的制造方法，其特征在于，具有利用權(quán)利要求1～17中任一項(xiàng)所述的接觸孔形成方法而形成的接觸孔。
27.一種電子器件的制造方法，其特征在于，具有利用權(quán)利要求18～23中任一項(xiàng)所述的薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法而形成的薄膜半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
一種不使用真空裝置形成接觸孔的方法，將與多晶硅膜(14)的源極區(qū)域(16)、漏極區(qū)域(18)及柵電極(34)之上的接觸孔形成區(qū)域?qū)?yīng)的位置的抗蝕劑膜曝光，顯影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整個(gè)玻璃基板(10)上涂敷液體絕緣材料，形成絕緣層(42)。接著，灰化除去掩模柱(40)，形成可以貫通絕緣層(42)、柵極絕緣膜(26)的第2接觸孔(44)、第1接觸孔(28)。
文檔編號H01L29/49GK1531061SQ200410039649
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月17日
發(fā)明者佐藤充, 一夫, 湯田坂一夫 申請人:精工愛普生株式會(huì)社