專利名稱：晶片承裝結(jié)構(gòu)及承接座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片承裝結(jié)構(gòu)及承接座設(shè)計，特別涉及一種可廣泛應(yīng)用于DRAM、SRAM、SDRAM、Flash、DDR或Rambus等記憶晶片、微處理器、邏輯性或RF射頻晶片等的晶片承裝結(jié)構(gòu)及承接座背景技術(shù)傳統(tǒng)的由晶圓切割完成的半導(dǎo)體晶片，在其選定面設(shè)有復(fù)數(shù)焊點及集成電路元件，欲將該晶片具體應(yīng)用于電路板等電性設(shè)備時，通常必須經(jīng)過一道封裝結(jié)構(gòu)過程；請參閱圖1所示，其是在單一晶片10的復(fù)數(shù)焊點101該面設(shè)置有往外電性的導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架形成有復(fù)數(shù)個引指20，而于引指20的選定面與焊點101間，焊連接有金屬導(dǎo)線30，藉此并以一封膠體40令該晶片10及引指20一端形成封裝，僅預(yù)留各引指20另一端于封膠體40外側(cè)，以與電路板等其它電性裝置焊接應(yīng)用。
由上述可知，習(xí)見的晶片欲應(yīng)用在電路板等其它電性裝置前，均必須經(jīng)過煩瑣的封裝制程，以及使用精密而昂貴的機(jī)械與模具設(shè)備進(jìn)行封裝，因而，除了導(dǎo)致其制造與使用成本無法有效降低外，并致使該晶片的應(yīng)用彈性受限制，例如無法任意更換晶片以獲得擴(kuò)充或變更的效益，或無法使晶片任意匹配不同的電路焊接點(如電路板面的焊接點)，甚至必須因為一顆難以變換的晶片而汰廢整片電路板，因此，傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)之實施，誠非合理實用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要解決上述晶片封裝過程煩瑣，致使制造與使用成本高的問題，而提供一種可免除封裝制程及設(shè)備，使制造與使用成本降低，并可彈性更換晶片或承接座應(yīng)用的晶片承裝結(jié)構(gòu)及承接座。
本發(fā)明之晶片承裝結(jié)構(gòu)包括有晶片、承接座，其中，晶片的面上設(shè)有復(fù)數(shù)接點；承接座的座體處設(shè)有開放狀的承接面以供置放晶片，在承接面設(shè)有數(shù)個匹配晶片復(fù)數(shù)接點的轉(zhuǎn)接介質(zhì)之各接觸端，各轉(zhuǎn)接介質(zhì)延伸于承接座選定面形成外露狀的焊接端；藉此，任意選擇晶片設(shè)于承接座的承接面處，使晶片的復(fù)數(shù)接點與承接面之各轉(zhuǎn)接介質(zhì)的接觸端相導(dǎo)接，以此組成可任意組裝應(yīng)用的晶片承裝結(jié)構(gòu)，如此可免除高成本封裝制程。
所述的承接座端面設(shè)有至少一凹槽，該凹槽中的任意一面可作為所述的承接面；所述的承接座端面設(shè)有至少一凸座，并以該凸座的任意端面作為所述的承接面；所述的承接座可為平面狀座體，而以其平面作為所述的承接面；所述的延伸位于承接面之轉(zhuǎn)接介質(zhì)的接觸端為固定接觸或彈性接觸或足以與晶片復(fù)數(shù)接點接觸的結(jié)構(gòu)性形態(tài)；所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為凸伸于承接座外的接腳形態(tài)；所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為以至少一平面外露于承接座選定面的形態(tài)；所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為略縮于承接座內(nèi)，而以焊接端夾持有錫球構(gòu)成外露。


圖1為習(xí)知晶片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2為本發(fā)明的承接面形成于凹槽的實施示意圖。
圖3為本發(fā)明的承接面設(shè)于凹槽的組裝示意圖。
圖4為本發(fā)明的承接面設(shè)于凸座的實施示意圖。
圖5為本發(fā)明的承接面設(shè)于承接座面的實施示意圖。
圖6為本發(fā)明的轉(zhuǎn)接介質(zhì)之焊接端的實施示意圖一。
圖7為本發(fā)明的轉(zhuǎn)接介質(zhì)之焊接端的實施示意圖二。
圖8為本發(fā)明的轉(zhuǎn)接介質(zhì)之焊接端的實施示意圖三。
圖9為本發(fā)明的階梯凹槽的實施狀態(tài)示意圖。
圖10為本發(fā)明的復(fù)數(shù)凹槽的實施狀態(tài)示意圖具體實施方請參閱圖2所示，本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于各種晶片，本發(fā)明之晶片承裝結(jié)構(gòu)包括有晶片1及承接座2，其中，晶片1可為硅、砷化鎵或其它半導(dǎo)體材料所分割成型的晶片，于選定面設(shè)有復(fù)數(shù)個接點11及規(guī)劃而成的集成電路元件；而具體實施上可構(gòu)成為DRAM、SRAM、SDRAM、Flash、DDR或Rambus等記憶晶片、微處理器、邏輯性或RF射頻晶片等，并無局限；承接座2為一體或組合成型的絕緣座體，在座體選定處設(shè)有完全開放或任意開放的承接面21以供置放晶片1，于該承接面21設(shè)有數(shù)個匹配晶片復(fù)數(shù)接點11的導(dǎo)電性轉(zhuǎn)接介質(zhì)22之各接觸端221，并令各轉(zhuǎn)接介質(zhì)22延伸于承接座2選定面形成有焊接端222或插接端；藉此，請參閱圖3所示，任意選定特定晶片1置設(shè)于承接座2的承接面21，令該晶片1選定面的復(fù)數(shù)接點11與承接面21的各轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的接觸端221相導(dǎo)接，即組成本發(fā)明可彈性應(yīng)用并免除封裝制程的晶片承裝結(jié)構(gòu)。
但是，本發(fā)明所述的承接座2之完全開放或可任意開放的承接面21形態(tài)，是可具體實施為在承接座2選定端面設(shè)有凹槽23，并利用該凹槽23底面作為所述的承接面21，并排列設(shè)置復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的接觸端221，藉此以與晶片1構(gòu)成組裝連接，如圖2及圖3所示；也可具體實施為在承接座2的選定端面設(shè)有凸座24，并利用該凸座24的端面作為承接面21，并排列設(shè)置復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的接觸端221，以與晶片1構(gòu)成組裝連接，如圖4所示；也可直接在承接座2上面形成為平面狀而作為承接面21，進(jìn)而排列設(shè)置復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的接觸端221，以與晶片1構(gòu)成組裝連接狀態(tài)，如圖5所示，因此，本發(fā)明所述的承接面21的形成，并不以單一形態(tài)為限。
另外，本發(fā)明的承接座2的復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22，可為以金屬材料所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)性物，并固定于承接座2的任意選定處，而其延伸位于承接面21的接觸端221實施狀態(tài)，可為固定式接觸端或彈性接觸端或其它足以與晶片1的復(fù)數(shù)接點11接觸的結(jié)構(gòu)性形態(tài)，如圖2至圖5所示；復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22延伸于承接座2選定面外露的焊接端222，可實施為凸伸于承接座2周圍或底部的接腳形態(tài)，如圖2至圖5所示，或形成為以至少一平面外露于承接座2周圍或底部的形態(tài)，如圖6、圖7所示，或其它足以外露而接觸應(yīng)用的結(jié)構(gòu)性形態(tài)，如圖8所示，是使該焊接端222略縮于承接座2內(nèi)，而以該焊接端222夾持有錫球223形成外露；因此，舉凡足以使復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的結(jié)構(gòu)性接觸端221與晶片1接點11完全對應(yīng)或選擇性對應(yīng)接觸的形態(tài)，以及足以使焊接端222與其它設(shè)備連接而應(yīng)用的結(jié)構(gòu)性形態(tài)，于本發(fā)明技術(shù)范圍中均可加以實施構(gòu)成。
運用本發(fā)明的技術(shù)手段，即可預(yù)先制成匹配特定功能晶片的承接座2，以使接觸端221與接點11完全對應(yīng)而組裝使用，也可預(yù)先制成通用不同晶片的承接座2，而選擇性使接觸端221與接點11局部對應(yīng)組裝使用；由此可見，藉助本發(fā)明，不僅免除習(xí)知晶片封裝的煩瑣制程(例如不須進(jìn)行打線過程)及使用精密而昂貴的封裝機(jī)械設(shè)備，而能有效的使制造及使用成本降低；也可因承接座2的完全開放或可任意開放的承接面21，及承接面21復(fù)數(shù)接觸端221結(jié)構(gòu)形態(tài)，達(dá)成同一承接座2可變換不同晶片1，或同一晶片1可變換不同形態(tài)承接座2等彈性應(yīng)用效果，例如，視電路板或其它設(shè)備導(dǎo)接點數(shù)目變異而更換相匹配的承接座2，或令承接座2應(yīng)用成為測試治具，或令承接座2供與封裝完成的晶體組裝以適應(yīng)不同應(yīng)用需求，故比習(xí)知晶片固定封裝技術(shù)更臻實用進(jìn)步。
另外，所述的承接座2并不以提供與一晶片1組裝為限，也可如前述凹槽23結(jié)構(gòu)形態(tài)，進(jìn)一步實施呈階梯狀凹槽23，如圖9所示，并以各階梯面作為所述的承接面21，而設(shè)有復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的結(jié)構(gòu)性接觸端221，藉此進(jìn)一步在階梯狀凹槽23中層疊置設(shè)組裝數(shù)個晶片1；也可進(jìn)一步實施在承接座2選定面設(shè)有復(fù)數(shù)凹槽23，如圖10所示，選定其槽底面或槽側(cè)面作為所述的承接面21，并設(shè)有復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)22的結(jié)構(gòu)性接觸端221，以供與數(shù)個晶片1任意植入應(yīng)用，除達(dá)成前述相當(dāng)效果外，并更臻獲得空間及成本節(jié)約效益。
權(quán)利要求
1.一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括有晶片，于晶片的選定面設(shè)有復(fù)數(shù)接點；承接座，于承接座的座體處設(shè)有開放狀的承接面以供置放晶片，在承接面設(shè)有數(shù)個匹配晶片復(fù)數(shù)接點的轉(zhuǎn)接介質(zhì)之各接觸端，各轉(zhuǎn)接介質(zhì)延伸于承接座選定面形成外露狀的焊接端；藉此任意選擇晶片設(shè)于承接座的承接面處，使晶片的復(fù)數(shù)接點與承接面之各轉(zhuǎn)接介質(zhì)的接觸端相導(dǎo)接，以此組成可任意組裝應(yīng)用的晶片承裝結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的承接座端面設(shè)有至少一凹槽，該凹槽中的任意一面可作為所述的承接面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的承接座端面設(shè)有至少一凸座，并以該凸座的任意端面作為所述的承接面。
4.根據(jù)權(quán)利求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的承接座可為平面狀座體，而以其平面作為所述的承接面。
5.根據(jù)權(quán)利求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的延伸位于承接面之轉(zhuǎn)接介質(zhì)的接觸端為固定接觸或彈性接觸或足以與晶片復(fù)數(shù)接點接觸的結(jié)構(gòu)性形態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為凸伸于承接座外的接腳形態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為以至少一平面外露于承接座選定面的形態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利求1所述的一種晶片承裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的焊接端形成為略縮于承接座內(nèi)，而以焊接端夾持有錫球構(gòu)成外露。
9.一種晶片承接座，其是與晶片任意組裝應(yīng)用的承接座，其特征在于承接座的選定處設(shè)有開放狀的承接面可供晶片置放，在承接面處設(shè)有復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)接介質(zhì)的各接觸端，各轉(zhuǎn)接介質(zhì)延伸于承接座選定面形成有外露的焊接端。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片承裝結(jié)構(gòu)及承接座，其是使設(shè)有復(fù)數(shù)接點及集成電路元件的半導(dǎo)體晶片，與能任意組裝或分離的承接座組成晶片承裝結(jié)構(gòu)；其中，承接座為一體或組合成型的絕緣座體，該座體設(shè)有至少一承接面，該承接面設(shè)有數(shù)個匹配晶片接點的轉(zhuǎn)接介質(zhì)的各接觸端，并令各轉(zhuǎn)接介質(zhì)延伸于承接座選定面形成有焊接端或插接端，藉此，以與半導(dǎo)體晶片構(gòu)成可任意組裝或分離應(yīng)用狀態(tài)，本發(fā)明并可免除封裝制程及設(shè)備，使制造及使用成本降低。
文檔編號H01L23/32GK1697166SQ20041004420
公開日2005年11月16日 申請日期2004年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
發(fā)明者連世雄 申請人:宏連國際科技股份有限公司