專利名稱：圖形形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體裝置的制造過程等中使用的圖形形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路的高度集成化和半導(dǎo)體元件的小型化，要求平版印刷技術(shù)的快速開發(fā)。目前，正利用作為曝光光而使用汞燈、KrF準(zhǔn)分子激光器或ArF準(zhǔn)分子激光器等的光刻技術(shù)進(jìn)行圖形的形成，同時(shí)也在研究更短波長的F2激光的使用，但在曝光裝置和抗蝕材料中還殘留有很多課題，所以使用更短波長的曝光光的光刻技術(shù)的實(shí)用化時(shí)期還未到來。
根據(jù)以上的狀況，最近為了使用以往的曝光光進(jìn)一步促進(jìn)圖形的微細(xì)化，提出了浸漬平版印刷術(shù)(immersion lithography)(參照M.Switkes andM.Rothschild，“l(fā)mmersion lithography at 157nm”，J.Vac.Sci.Technol.，B19，2353(2001))。
根據(jù)該浸漬平版印刷術(shù)，在曝光裝置內(nèi)的投影透鏡和晶片上的抗蝕膜之間的區(qū)域被折射率為n的液體充滿，所以曝光裝置的NA(數(shù)值孔徑)值成為n·NA，所以抗蝕膜的分辨力提高。
下面，參照圖9(a)～(d)來說明使用浸漬平版印刷術(shù)的以往的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物).......................................... 2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑)....................................................0.06g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)...........................20g然后，如圖9(a)所示，在基板1上涂布上述的化學(xué)增幅型抗蝕材料，而形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜2。
然后，如圖9(b)所示，邊向抗蝕膜2上面供給全氟聚醚3，邊隔著掩模5，向抗蝕膜2照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光4而進(jìn)行圖形曝光。另外，在圖9(b)中，省略了使通過掩模5的曝光光4在抗蝕膜2的表面上聚光的投影透鏡的圖示，但投影透鏡和抗蝕膜2之間的區(qū)域被全氟聚醚3充滿。通過這種方式，則因在抗蝕膜2的曝光部2a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)在抗蝕膜2的未曝光部2b中，由于不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性。
然后，如圖9(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜2，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖9(d)所示，得到由抗蝕膜2的未曝光部2a形成的抗蝕圖形6。
但是，如圖9(d)所示，由以往例所得到的抗蝕圖6的形狀不良，是具有帽檐(T-top形狀)狀突出部的形狀。
另外，在以往例中，由于使用了正型的抗蝕材料，所以抗蝕圖形6的形狀成為帽檐狀，但若使用負(fù)型的抗蝕材料，則抗蝕圖形的截面將成為肩垂?fàn)睢?br>
如果使用這種形狀差的抗蝕圖形對被處理膜進(jìn)行蝕刻，則得到的圖形形狀也變差，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的制造過程的生產(chǎn)率和成品率下降的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的在于使通過浸漬平版印刷術(shù)得到的抗蝕圖形的形狀良好。
為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明人等對于由浸漬平版印刷術(shù)得到的抗蝕圖形的形狀不良的原因進(jìn)行了探討，結(jié)果發(fā)現(xiàn)由于在向抗蝕膜上方供給例如由全氟聚醚構(gòu)成的具有疏水性的非水溶液的狀態(tài)下進(jìn)行圖形曝光，所以在圖形曝光后的顯影工序中具有疏水性的非水溶液殘留在抗蝕膜的表面，并且該非水溶液阻止了顯影液向抗蝕膜滲透。另外，也發(fā)現(xiàn)了若在圖形曝光后的抗蝕膜表面上存在與顯影液具有親和性的物質(zhì)例如水，則由于水具有的親和性，顯影液容易向抗蝕膜滲透的現(xiàn)象。本發(fā)明是基于上述見解而完成的，具體可按照以下方法實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的第1圖形形成方法具備形成抗蝕膜的工序；在向抗蝕膜的上方供給添加與顯影液具有親和力的物質(zhì)而成的浸漬溶液的狀態(tài)下，對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第1圖形形成方法，由于在浸漬溶液中含有與顯影液具有親和力的物質(zhì)，所以圖形曝光后的抗蝕膜表面由于存在與顯影液具有親和力的物質(zhì)而具有親和性，所以顯影液變得容易浸透到抗蝕膜中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖形蝕刻的被處理膜形成的圖形的形狀也變良好。
本發(fā)明的第3圖形形成方法具備形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的化學(xué)增幅型抗蝕膜的工序；在向抗蝕膜的上面供給添加基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物而成的溶液的狀態(tài)下，對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第3圖形形成方法，在抗蝕膜中含有酸發(fā)生劑，同時(shí)在浸漬溶液中含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜曝光部的表面因存在與顯影液具有親和力的物質(zhì)而具有親和性，所以顯影液變得容易浸透到抗蝕膜的曝光部中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖進(jìn)行蝕刻的被處理膜而形成的圖形的形狀也變良好。
本發(fā)明的第5圖形形成方法具備形成抗蝕膜的工序；在向抗蝕膜的上面供給添加一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物而成的溶液的狀態(tài)下，對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第5圖形形成方法，由于在浸漬溶液中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜的曝光部表面因存在與顯影液具有親和力的物質(zhì)而具有親和性，所以顯影液變得容易浸透到抗蝕膜的曝光部中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖形蝕刻的被處理膜而形成的圖形的形狀也變良好。
本發(fā)明的第6圖形形成方法具備形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的化學(xué)增幅型抗蝕膜的工序；在抗蝕膜的上方形成含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的水溶性膜的工序；在向水溶性膜上方供給含有非水溶液的浸漬溶液的狀態(tài)下，對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第6圖形形成方法，由于在抗蝕膜中含有酸發(fā)生劑，同時(shí)在形成于抗蝕膜上面的水溶性膜中含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物，所以圖形曝光后的水溶性膜和抗蝕膜的各曝光部的表面因與顯影液具有親和力的物質(zhì)例如水而具有親和性，從而顯影液變得容易浸透到抗蝕膜的曝光部中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖形蝕刻的被處理膜而形成的圖形的形狀也變良好。
本發(fā)明的第9圖形形成方法具備形成抗蝕膜的工序；在抗蝕膜的上面形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的水溶性膜的工序；在向水溶性膜的上方供給由非水溶液構(gòu)成的浸漬溶液的狀態(tài)下對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第9圖形形成方法，由于形成在抗蝕膜上的水溶性膜中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物，所以圖形曝光后的水溶性膜和抗蝕膜的各曝光部的表面因存在與顯影液具有親和力的物質(zhì)而具有親和性，從而顯影液變得容易浸透到抗蝕膜的曝光部中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖形蝕刻的被處理膜而形成的圖形的形狀也變良好本發(fā)明的第11圖形形成方法具備形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的化學(xué)增幅型抗蝕膜的工序；在向抗蝕膜的上方供給含有非水溶液的浸漬溶液的狀態(tài)下，對抗蝕膜選擇性地照射曝光光，進(jìn)行圖形曝光的工序；對進(jìn)行過圖形曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕圖形的工序。
根據(jù)第11圖形形成方法，在抗蝕膜中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜的曝光部表面因存在與顯影液具有親和力的物質(zhì)的而具有親和性，從而顯影液變得容易浸透到抗蝕膜的曝光部中。因此，抗蝕圖形的形狀變良好，而且由使用該抗蝕圖形蝕刻的被處理膜而形成的圖形的形狀也變良好。
在第1、第3、第5、第6、第9、或第11的圖形形成方法中，作為非水溶液可以使用全氟聚醚。
在第1、第3、第5、第6、第9、或第11的圖形形成方法中，曝光光優(yōu)選是F2激光。
在第3、第5、第6、第9或第11的圖形形成方法中，優(yōu)選在溶液中含有水。
這樣，由于抗蝕膜曝光部表面的親和性進(jìn)一步增加，所以顯影液更容易地浸透到抗蝕膜的曝光部中。
在第6、第9或第11的圖形形成方法中，優(yōu)選溶液中含有基于酸而發(fā)生水的化合物。
這樣，由于抗蝕膜曝光部表面的親和性進(jìn)一步增加，所以顯影液更容易地浸透到抗蝕膜的曝光部中。
在第3或第5的圖形形成方法中，化學(xué)增幅型抗蝕材料優(yōu)選含有基于酸而發(fā)生水的化合物。
這樣，由于抗蝕膜曝光部表面的親和性進(jìn)一步增加，所以顯影液更容易地浸透到抗蝕膜的曝光部中。
在第3、第5、第6、第9或第11的圖形形成方法中，作為酸發(fā)生劑，可以使用鎓鹽、含鹵素的化合物、重氮酮化合物、重氮甲烷化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或磺酰亞胺化合物等。
在第3、第5、第6、第9或第11的圖形形成方法中，基于酸而產(chǎn)生水的化合物，可以使用叔醇、叔醇的二元醇、仲醇或仲醇的二元醇等。
在第6或第11的圖形形成方法中，作為水溶性膜可以使用聚乙烯醇膜或聚乙烯吡咯烷酮膜。
圖1是共用于本發(fā)明各實(shí)施方式中的曝光裝置的部分剖視圖。
圖2(a)～(d)是表示實(shí)施方式1的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖3(a)～(d)是表示實(shí)施方式2的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖4(a)～(d)是表示實(shí)施方式3的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖5(a)～(d)是表示實(shí)施方式4的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖6(a)～(d)是表示實(shí)施方式5的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖7(a)～(d)是表示實(shí)施方式6的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖8(a)～(d)是表示實(shí)施方式7的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖9(a)～(d)是表示以往的圖形形成方法的各工序的剖視圖。
圖中101-基板，102-抗蝕膜，102a-曝光部，102b-未曝光部，103-溶液，104-曝光光，105-抗蝕圖形，106-聚光透鏡，201-基板，202-抗蝕膜，202a-曝光部，202b-未曝光部，203-溶液，204-曝光光，205-抗蝕圖形，301-基板，302-抗蝕膜，302a-曝光部，302b-未曝光部，303-溶液，304-曝光光，305-抗蝕圖形，401-基板，402-抗蝕膜，402a-曝光部，402b-未曝光部，403-溶液，404-曝光光，405-抗蝕圖形，501-基板，502-抗蝕膜，502a-曝光部，502b-未曝光部，503-水溶性膜，504-溶液，505-曝光光，506-抗蝕圖形，601-基板，602-抗蝕膜，602a-曝光部，602b-未曝光部，603-水溶性膜，604-溶液，605-曝光光，606-抗蝕圖形，701-基板，702-抗蝕膜，702a-曝光部，702b-未曝光部，703-溶液，704-曝光光，705-抗蝕圖形。
具體實(shí)施例方式
下面，說明本發(fā)明的各實(shí)施方式的圖形形成方法，但作為其前提，對用在各實(shí)施方式之中的曝光裝置參照圖1進(jìn)行說明。此外，在各實(shí)施方式的圖形形成方法中所用的曝光裝置并不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)，能夠廣泛地使用可實(shí)現(xiàn)浸漬平版印刷術(shù)的裝置。
如圖1所示，在形成在半導(dǎo)體基板10上方的抗蝕膜11的上方配置曝光裝置的聚光透鏡12，并在聚光透鏡12和抗蝕膜11之間設(shè)有儲(chǔ)存溶液(折射率n)13的溶液儲(chǔ)存部14。在溶液儲(chǔ)存部14上設(shè)有溶液13流入的流入口14a和溶液13流出的流出口14b，從流入口14a流入到溶液儲(chǔ)存部14中的溶液13暫時(shí)被儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14后，從流出部14b向外部流出。因此，曝光光15通過描繪有所需圖形的掩模16之后，經(jīng)聚光透鏡12聚光，然后通過溶液13的內(nèi)部達(dá)到抗蝕膜11的表面。因此，從溶液13中通過并達(dá)到抗蝕膜11表面的曝光光的數(shù)值孔徑NA的值，將變?yōu)闆]有儲(chǔ)存有溶液13時(shí)的n倍。
(實(shí)施方式1)下面，參照圖2(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)............................................. 2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑).........................................................0.06g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)................................20g然后，如圖2(a)所示，在基板101上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜102。
然后，如圖2(b)所示，在向抗蝕膜102上方供給溶液103的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向抗蝕膜102照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光104而進(jìn)行圖形曝光，所述溶液103是在作為非水溶液的[化1]所示的全氟聚醚(折射率n1.37)中添加有8wt％的水的溶液，且邊循環(huán)邊被暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中。另外，在圖2中，106是將曝光光104聚光在抗蝕膜102上的聚光透鏡。這樣，則因在抗蝕膜102的曝光部102a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)在抗蝕膜102的未曝光部102b中，不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性。
化1 然后，如圖2(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜102，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖2(d)所示，得到由抗蝕膜102的未曝光部102b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形105。
根據(jù)實(shí)施方式1，由于在溶液103中含有水，所以圖形曝光后的抗蝕膜102的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜102中，所得抗蝕圖形105的形狀變良好。
(實(shí)施方式2)下面，參照圖3(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的負(fù)型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基羧酸)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基羧酸∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)............................................. 2g1，3，5-N-(三羥甲基)蜜胺(交聯(lián)劑)......................0.4g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑).......................................................0.06g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)..............................20g然后，如圖3(a)所示，在基板201上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜202。
接著，如圖3(b)所示，在向抗蝕膜202上方供給溶液203的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向抗蝕膜202照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光204而進(jìn)行圖形曝光，所述溶液203是在作為非水溶液的全氟聚醚(折射率n1.37)中添加有4wt％的水的溶液，且邊循環(huán)邊被暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中。這樣，則因在抗蝕膜202的曝光部202a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以通過交聯(lián)劑的作用，變得對堿性顯影液難溶，同時(shí)在抗蝕膜202的未曝光部202b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的可溶性。
然后，如圖3(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜202，利用電熱板在110℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖3(d)所示，得到由抗蝕膜202的曝光部202a構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形205。
根據(jù)實(shí)施方式2，由于在溶液203中含有水，所以圖形曝光后的抗蝕膜202的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜202中，所得抗蝕圖形205的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式1中使用了在非水溶液中添加8wt％水制成的溶液，而在實(shí)施方式2中使用了在非水溶液中添加4wt％水制成的溶液，但是對于水的添加量沒有特別的限定。通常以數(shù)wt％的添加量添加。
另外，雖然在實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?中使用了化學(xué)增幅型抗蝕材料，但也可以取而代之，使用非化學(xué)增幅型的抗蝕材料。
(實(shí)施方式3)下面，參照圖4(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)................................................ 2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑)........................................................0.06g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)...............................20g然后，如圖4(a)所示，在基板301上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜302。
然后，如圖4(b)所示，在向抗蝕膜302上方供給溶液303的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向抗蝕膜302照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光304而進(jìn)行圖形曝光，所述溶液303是在非水溶液的全氟聚醚(折射率n1.37)中添加作為基于酸而發(fā)生水的化合物的3-甲基-1，2-丁二醇6wt％的溶液，且邊循環(huán)邊被暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中。這樣，則因在抗蝕膜302的曝光部302a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)在抗蝕膜302的未曝光部302b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性。
然后，如圖4(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜302，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖4(d)所示，得到由抗蝕膜302的未曝光部302b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形305。
根據(jù)實(shí)施方式3，在抗蝕膜302中含有酸發(fā)生劑，同時(shí)在溶液303中含有基于酸而發(fā)生水的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜302的曝光部302a的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜302的曝光部302a中，所得抗蝕圖形305的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式3中使用了在非水溶液中添加基于酸而發(fā)生水的化合物6wt％制成的溶液403，但是對于化合物的添加量沒有特別的限定。通常以數(shù)wt％的添加量添加。
(實(shí)施方式4)下面參照圖5(a)～(d)說明本發(fā)明實(shí)施方式4的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)............................................... 2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑)........................................................0.04g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)...............................20g然后，如圖5(a)所示，在基板401上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜402。
然后，如圖5(b)所示，在向抗蝕膜402上方供給溶液403的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向抗蝕膜402照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光404而進(jìn)行圖形曝光，所述溶液403，在非水溶液的全氟聚醚(折射率n1.37)中添加作為基于光而發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的2，6-二硝基芐基甲苯磺酸酯5wt％和作為基于酸而發(fā)生水的化合物的2，4-戊二醇8wt％，且邊循環(huán)邊被暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中。這樣，則因在抗蝕膜402的曝光部402a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)在抗蝕膜402的未曝光部402b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性。
然后，如圖5(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜402，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖5(d)所示，得到由抗蝕膜402的未曝光部402b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形405。
根據(jù)實(shí)施方式4，在溶液403中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生水的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜402的曝光部402a的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜402的曝光部402a中，所得抗蝕圖形405的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式4中使用了由在非水溶液中添加酸發(fā)生劑5wt％和基于酸而發(fā)生水的化合物8wt％而制成的溶液403，但是對于酸發(fā)生劑和化合物的添加量沒有特別的限定。通常分別以數(shù)wt％的添加量添加。
另外，在實(shí)施方式4中使用了正型的化學(xué)增幅型抗蝕材料，但也可以使用正型的非化學(xué)增幅型抗蝕材料。
(實(shí)施方式5)下面，參照圖6(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式5的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)....................................................2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑)..........................................................0.06g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑).................................20g然后，如圖6(a)所示，在基板501上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜502。然后，在該抗蝕膜502上形成由聚乙烯醇膜形成的水溶性膜503，所述聚乙烯醇膜中含有作為基于酸而發(fā)生水的化合物的2-甲基-2-丁醇7wt％。
然后，如圖6(b)所示，在把邊循環(huán)邊暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中的由全氟聚醚構(gòu)成的溶液504供給在水溶性膜503上的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向水溶性膜503和抗蝕膜502照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光505而進(jìn)行圖形曝光。這樣，則在抗蝕膜502的曝光部502a中，因由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)由水溶性膜503發(fā)生水。另一方面，在抗蝕膜502的未曝光部502b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性，同時(shí)不會(huì)由水溶性膜503發(fā)生水。
接著，如圖6(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜502，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖6(d)所示，由于水溶性膜503和抗蝕膜502的曝光部502a在堿性顯影液中溶解，因此得到由抗蝕膜502的未曝光部502b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形505。
根據(jù)實(shí)施方式5，由于在抗蝕膜502中含有酸發(fā)生劑，同時(shí)在水溶性膜503中含有基于酸而發(fā)生水的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜502的曝光部502a的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜502的曝光部502a中，所得抗蝕圖形505的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式5中使用了添加有7wt％的基于酸而發(fā)生水的化合物的水溶性膜503，但是對于化合物的添加量沒有特別的限定。通常以數(shù)wt％的添加量添加。
(實(shí)施方式6)下面，參照圖7(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式6的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)................................................. 2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenylsulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑).......................................................0.045g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)..............................20g然后，如圖7(a)所示，在基板601上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜602后，在該抗蝕膜602上形成由聚乙烯吡咯烷酮膜構(gòu)成的水溶性膜603，所述水溶性膜603含有作為基于光而發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的N-(三氟甲基磺酰氧基)琥珀酰亞胺4wt％和作為基于酸而發(fā)生水的化合物的苯頻哪醇5wt％。
接著，如圖7(b)所示，在把邊循環(huán)邊暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中的由全氟聚醚構(gòu)成的溶液604供給水溶性膜603上的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向水溶性膜603和抗蝕膜602照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光605而進(jìn)行圖形曝光。這樣，則因在抗蝕膜602的曝光部602a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)在抗蝕膜602的未曝光部602b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性。另外，在水溶性膜603的曝光部中，因由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以由化合物發(fā)生水。
接著，如圖7(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜602，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖7(d)所示，由于水溶性膜603和抗蝕膜602的曝光部602a在堿性顯影液中溶解，所以可得到由抗蝕膜602的未曝光部602b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形605。
根據(jù)實(shí)施方式6，在水溶性膜603中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生水的化合物，所以圖形曝光后的水溶性膜603和抗蝕膜602的各曝光部的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜602的曝光部中，所得抗蝕圖形605的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式6中使用了添加有4wt％的酸發(fā)生劑和5wt％的基于酸而發(fā)生水的化合物的水溶性膜603，但是對于酸發(fā)生劑和化合物的添加量沒有特別的限定。通常分別以數(shù)wt％的添加量添加。
另外，在實(shí)施方式6中使用了正型的化學(xué)增幅型抗蝕材料，但也可以使用正型的非化學(xué)增幅型抗蝕材料。
(實(shí)施方式7)
下面，參照圖8(a)～(d)說明本發(fā)明的實(shí)施方式7的圖形形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下組成的正型化學(xué)增幅型抗蝕材料。
聚((降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯)-(馬來酸酐))(其中，降冰片烯-5-亞甲基叔丁基羧酸酯∶馬來酸酐＝50mol％∶50mol％)(基礎(chǔ)聚合物)..................................................2g三苯基锍九氟丁磺酸酯(triphenyl sulfonium nonaflate)(酸發(fā)生劑)........................................................0.06g3-甲基-1，2-丁二醇(基于酸而發(fā)生水的化合物).............0.12g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)...............................20g然后，如圖8(a)所示，在基板701上涂布上述化學(xué)增幅型抗蝕材料，形成具有0.20μm厚度的抗蝕膜702。
然后，如圖7(b)所示，把由作為非水溶液的全氟聚醚(折射率1.37)制成的且邊循環(huán)邊暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部14(參照圖1)中的溶液703供給在抗蝕膜702上的狀態(tài)下，隔著未圖示的掩模，向抗蝕膜702照射由NA為0.60的F2激光構(gòu)成的曝光光704而進(jìn)行圖形曝光。這樣，則因在抗蝕膜702的曝光部702a中，由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以變得對堿性顯影液可溶，同時(shí)發(fā)生水。另一方面，在抗蝕膜702的未曝光部702b中，因不由酸發(fā)生劑發(fā)生酸，所以保持著對堿性顯影液的難溶性，同時(shí)不發(fā)生水。
然后，如圖8(c)所示，對進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜702，利用電熱板在100℃的溫度下加熱60秒后，用2.38wt％的四甲基氫氧化銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，則如圖8(d)所示，得到由抗蝕膜702的未曝光部702b構(gòu)成的、具有0.06μm的線寬且形狀良好的抗蝕圖形705。
根據(jù)實(shí)施方式7，在抗蝕膜702中含有酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生水的化合物，所以圖形曝光后的抗蝕膜702的曝光部702a的表面因水而具有親和性，從而顯影液變得容易滲透到抗蝕膜702的曝光部中，所得抗蝕圖形705的形狀變良好。
另外，在實(shí)施方式7中，對添加到化學(xué)增幅型抗蝕材料中的基于酸而發(fā)生水的化合物的添加量沒有特別的限定。通常分別以數(shù)wt％的添加量添加。
另外，在實(shí)施方式1～實(shí)施方式7中，作為曝光光使用了F2激光，但也可以使用其他的真空紫外線、g射線或i射線等的紫外線、或KrF激光、ArF激光、Kr2激光、ArKr激光或Ar2激光等遠(yuǎn)紫外線。
在實(shí)施方式3～實(shí)施方式7中，可以在溶液中添加水。這樣，由于抗蝕膜表面的親和性提高，所以進(jìn)一步促進(jìn)顯影液向抗蝕膜的滲透。
在實(shí)施方式5～7中，可以在溶液中添加基于酸而發(fā)生水的化合物。這樣，則在抗蝕膜的曝光部中，通過基于發(fā)生的酸的作用而產(chǎn)生的水的親和性，進(jìn)一步促進(jìn)顯影液向抗蝕膜的滲透。
在實(shí)施方式3或?qū)嵤┓绞?中，可以在化學(xué)增幅型抗蝕材料中添加基于酸而發(fā)生水的化合物。這樣，則在抗蝕膜的曝光部中，通過基于發(fā)生的酸的作用而產(chǎn)生的水的親和性，進(jìn)一步促進(jìn)顯影液向抗蝕膜的滲透。
在實(shí)施方式1～實(shí)施方式7中，添加到化學(xué)增幅型抗蝕材料、溶液或水溶性膜中的酸發(fā)生劑，可以使用鎓鹽、含鹵素的化合物、重氮酮化合物、重氮甲烷化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或磺酰亞胺化合物等。
成為酸發(fā)生劑的鎓鹽的例子，可以舉出二苯基碘鎓三氟甲磺酸酯(triflate)、三苯基锍三氟甲磺酸酯(triflate)或三苯基锍九氟丁磺酸酯(nanoflate)等。
另外，成為酸發(fā)生劑的含鹵素的化合物的例子，可以舉出2-苯基-4，6-雙(三氯甲基)-s-三嗪或2-萘基-4，6-雙(三氯甲基)-s-三嗪等。
另外，成為酸發(fā)生劑的重氮酮化合物的例子，可以舉出1，3-二苯基二酮-2-重氮丙烷、1，3-二環(huán)己基二酮-2-重氮丙烷或1，2-萘醌二疊氮基-4-磺酸與2，2，3，4，4’-四羥基二苯甲酮的酯等。
另外，成為酸發(fā)生劑的重氮甲烷化合物，可以舉出雙(三氟甲基磺?；?重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺酰基)重氮甲烷、雙(苯基磺?；?重氮甲烷、雙(對甲苯磺酰基)重氮甲烷或雙(對氯苯基磺?；?重氮甲烷等。
此外，成為酸發(fā)生劑的砜化合物，可以舉出4-三苯酰甲基砜、萊基苯酰甲基砜或雙(苯基磺?；?甲烷等。
此外，作為酸發(fā)生劑的磺酸酯化合物，可以舉出苯偶姻甲苯磺酸酯、2，6-二硝基芐基甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯、4-硝基芐基甲苯磺酸酯或鄰苯三酚甲苯磺酸酯等。
另外，成為酸發(fā)生劑的磺酰亞胺化合物，可以舉出N-(三氟甲基磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)雙環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺或N-(4-甲基苯基磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺等。
在實(shí)施方式3～7中，添加到化學(xué)增幅型抗蝕材料、溶液或水溶性膜中的基于酸而發(fā)生水的化合物，可以使用叔醇、叔醇的二元醇、仲醇或仲醇的二元醇等。
另外，作為基于酸而發(fā)生水的化合物的叔醇的例子，可以舉出叔丁醇或2-甲基-2-丁醇等。
此外，作為基于酸而發(fā)生水的化合物的叔醇的二元醇的例子，可以舉出3-甲基-1，3-丁二醇或苯頻哪醇等。
另外，作為基于酸而發(fā)生水的化合物的仲醇的例子，可以舉出2-丙醇、2-丁醇或2-甲基-3-丁醇等。
另外，作為基于酸而發(fā)生水的化合物的仲醇的二元醇，可以舉出3-甲基-1，2-丁二醇或2，4-戊二醇等。
進(jìn)而，作為實(shí)施方式5或6的水溶性膜，可以適當(dāng)?shù)厥褂镁垡蚁┐寄せ蚓垡蚁┻量┩橥さ取?br>
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明第1、第3、第5、第6、第9、第11的圖形形成方法，由于圖形曝光后的抗蝕膜的表面因水而具有親和性，所以顯影液變得容易浸透到抗蝕膜中，由此，抗蝕圖形的形狀變良好，從而由使用該抗蝕圖形蝕刻得到的被處理膜構(gòu)成的圖形形狀也變良好。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，具備形成抗蝕膜的工序；在向所述抗蝕膜的上方供給含有與顯影液具有親和力的物質(zhì)的浸漬溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖形的工序。
2.一種圖形形成方法，具備形成抗蝕膜的工序；在向所述抗蝕膜的上方供給添加有水的非水溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖形的工序。
3.一種圖形形成方法，具備形成由含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的化學(xué)增幅型抗蝕材料構(gòu)成的抗蝕膜的工序；在向所述抗蝕膜的上方供給含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的浸漬溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖形的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖形形成方法，其特征在于，所述化學(xué)增幅型抗蝕材料中含有在酸的存在下發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物。
5.一種圖形形成方法，具備形成抗蝕膜的工序；向所述抗蝕膜的上方供給含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的浸漬溶液，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對圖形曝光后的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖形的工序。
6.一種圖形形成方法，具備形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑的化學(xué)增幅型抗蝕膜的工序；在所述抗蝕膜上形成含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的水溶性膜的工序；在向所述水溶性膜上方供給浸漬溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其特征在于，所述浸漬溶液中含有在酸的存在下發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其特征在于，所述化學(xué)增幅型抗蝕材料中含有在酸的存在下發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物。
9.一種圖形形成方法，具備形成抗蝕膜的工序；在所述抗蝕膜的上方形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的水溶性膜的工序；在向所述水溶性膜的上方供給浸漬溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖形形成方法，其特征在于，所述浸漬溶液中含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物。
11.一種圖形形成方法，具備形成含有一旦照射光就發(fā)生酸的酸發(fā)生劑和基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物的化學(xué)增幅型抗蝕膜的工序；在向所述抗蝕膜的上方供給浸漬溶液的狀態(tài)下，對所述抗蝕膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖形曝光的工序；對經(jīng)過圖形曝光的所述抗蝕膜進(jìn)行顯影而形成抗蝕圖形的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖形形成方法，其特征在于，所述浸漬溶液中含有基于酸而發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述浸漬溶液中含有全氟聚醚或水。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述曝光光是KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2激光、KrAr激光或Ar2激光。
15.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是鎓鹽、含鹵素的化合物、重氮酮化合物、重氮甲烷化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或磺酰亞胺化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由二苯基碘鎓三氟甲磺酸酯、二苯基碘鎓九氟丁磺酸酯、三苯基锍三氟甲磺酸酯或三苯基锍九氟丁磺酸酯構(gòu)成的鎓鹽。
17.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由2-苯基-4，6-雙(三氯甲基)-s-三嗪或2-萘基-4，6-雙(三氯甲基)-s-三嗪構(gòu)成的含鹵素化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由1，3-二苯基二酮-2-重氮丙烷、1，3-二環(huán)己基二酮-2-重氮丙烷或1，2-萘醌二疊氮基-4-磺酸與2，2，3，4，4-四羥基二苯甲酮的酯構(gòu)成的重氮酮化合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由雙(三氟甲基磺?；?重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷、雙(苯基磺?；?重氮甲烷、雙(對甲苯磺酰基)重氮甲烷或雙(對氯苯基磺?；?重氮甲烷構(gòu)成的重氮甲烷化合物。
20.根據(jù)權(quán)利要求的3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由4-三苯酰甲基砜、萊基苯酰甲基砜或雙(苯基磺?；?甲烷構(gòu)成的砜化合物。
21.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由苯偶姻甲苯磺酸酯、2，6-二硝基芐基甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯、4-硝基芐基甲苯磺酸酯或鄰苯三酚甲苯磺酸酯構(gòu)成的磺酸酯化合物。
22.根據(jù)權(quán)利要求3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述酸發(fā)生劑是由N-(三氟甲基磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)雙環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)酞酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)-7-氧雜二環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧基酰亞胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)二環(huán)[2.2.1]庚烷-5，6-氧代-2，3-二羧基酰亞胺或N-(4-甲基苯基磺酰氧基)萘基二羧基酰亞胺構(gòu)成的磺酰亞胺化合物。
23.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物是叔醇、叔醇的二元醇、仲醇或仲醇的二元醇。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的圖形形成方法，其特征在于所述發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物是由叔丁醇或2-甲基-2-丁醇構(gòu)成的叔醇。
25.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9、或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物是由3-甲基-1，3-丁二醇或苯頻哪醇構(gòu)成的叔醇的二元醇。
26.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9、或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述發(fā)生與顯影液具有親和性的物質(zhì)的化合物是由2-丙醇、2-丁醇或2-甲基-3-丁醇構(gòu)成的仲醇。
27.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、9、或11的任意一項(xiàng)所述的圖形形成方法，其特征在于，所述發(fā)生與顯影液具有親和力的物質(zhì)的化合物是由3-甲基-1，2-丁二醇或2，4-戊二醇構(gòu)成的仲醇的二元醇。
28.根據(jù)權(quán)利要求6或9所述的圖形形成方法，其特征在于，所述水溶性膜是聚乙烯醇膜或聚乙烯吡咯烷酮膜。
全文摘要
一種圖形形成方法，在形成由化學(xué)增幅型抗蝕材料構(gòu)成的抗蝕膜(101)之后，在向抗蝕膜(102)上方供給溶液(103)的狀態(tài)下，向抗蝕膜(102)選擇性地照射曝光光(104)而進(jìn)行圖形曝光，所述溶液(103)，是在全氟聚醚中添加有水且邊循環(huán)邊被暫時(shí)儲(chǔ)存在溶液儲(chǔ)存部中的溶液。對于進(jìn)行了圖形曝光的抗蝕膜(102)進(jìn)行后烘后，通過堿性顯影液進(jìn)行顯影，得到了由抗蝕膜(102)的未曝光部(102b)構(gòu)成的、且具有良好形狀的抗蝕圖形(105)。根據(jù)本發(fā)明，可使由浸漬平版印刷術(shù)得到的抗蝕圖形的形狀良好。
文檔編號H01L21/027GK1574234SQ20041004471
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月12日
發(fā)明者遠(yuǎn)藤政孝, 笹子勝 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社