專利名稱：在半導(dǎo)體襯底中形成的螺旋電感以及形成該電感的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及電感，并尤其涉及在半導(dǎo)體襯底中形成的螺旋電感。
背景技術(shù)：
當(dāng)前在無線通信的變革和對更小的無線通信裝置的需求針對于無線電通信電子裝置的優(yōu)化和小型化產(chǎn)生了重大成果。無源部件(例如電感、電容器和變壓器)，充當(dāng)在這些裝置的操作的一個(gè)必要的角色并因而做出針對于減小這樣無源部件的尺寸和改進(jìn)其性能和制造效率的努力。
分立的電感和電容器是被使用在交流電和射頻應(yīng)用的電磁式部件，例如振蕩器，放大器和信號過濾器，以提供頻率相關(guān)的作用。具體來說，電感上的電壓是電感與通過電感的電流的時(shí)間導(dǎo)數(shù)的乘積的函數(shù)。一個(gè)常規(guī)電感包括多匝線圈圍繞由鐵磁或絕緣材料構(gòu)成的核心。雖然電感核心不是必需的，但一個(gè)鐵磁核心的使用例如增大電感值。電感也是線圈匝數(shù)和核心截面積的函數(shù)(具體來說，電感與匝數(shù)的平方成比例)。常規(guī)分立電感形成一個(gè)螺旋(也稱為螺線管形狀)或環(huán)形線圈。核心一般由包括多個(gè)磁疇的鋼、鈷或鎳(或鐵磁合金)形成。被提供給電感的電流在核心材料中感應(yīng)出一個(gè)磁場，磁疇排列并增加在材料的磁導(dǎo)率，這增大了電感。
在半導(dǎo)體工業(yè)中的發(fā)展多年來針對于在減少的尺寸上制造更高性能的裝置。半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)和制造的一個(gè)挑戰(zhàn)是在半導(dǎo)體器件中集成高性能電容器和電感。理想地，使用在半導(dǎo)體制造技術(shù)中常規(guī)的方法和程序?qū)⑦@些部件形成于一個(gè)半導(dǎo)體襯底的相對小的表面上。但是，與有源裝置的特征尺寸和線寬相比，電感和電容器比較大并且不容易集成在典型地在亞微米范圍有特征尺寸的半導(dǎo)體器件中。
多數(shù)形成于半導(dǎo)體襯底表面的電感為螺旋形狀，其中螺旋平面與襯底表面是平行的。許多形成螺旋電感的已知技術(shù)，例如施加掩模、構(gòu)圖并蝕刻在襯底表面上形成的導(dǎo)電性材料層。多個(gè)互連的螺旋電感也可能形成以提供所希望的電感特性和/或簡化制造處理。例如，見美國專利第6,429,504號描述一個(gè)多層螺旋電感和第5610433號公開從每層包括兩個(gè)或更多線圈的多個(gè)層形成一個(gè)有高Q因子高值電感。該線圈在多個(gè)的層中以串聯(lián)的形式互連。
Q(或品質(zhì)因子)，一個(gè)電感品質(zhì)的重要指標(biāo)，被定義為電感的電抗與阻抗比。作為輸入信號的頻率，高Q電感(例如，具有低阻抗)呈現(xiàn)一個(gè)窄Q峰，在此該峰發(fā)生在電感諧振頻率。高Q電感在以窄帶寬工作的頻率相關(guān)電路中的使用尤其重要。例如，增加工作在一個(gè)振蕩器中的電感的Q值，則減少了該振蕩器的相位噪聲，并將振蕩器的頻率限制在一個(gè)更窄的頻寬。由于Q值是電感阻抗的倒數(shù)函數(shù)，減小阻抗則增加Q。使阻抗減到最小的已知技術(shù)是增加形成電感的導(dǎo)電性材料的截面面積。但是，這樣的導(dǎo)體可能在蝕刻、清洗和鈍化步驟中出現(xiàn)困難，并在半導(dǎo)體襯底上占據(jù)寶貴的空間。同樣，當(dāng)在電介質(zhì)材料中，金屬導(dǎo)體之間形成間隙時(shí)出現(xiàn)困難，產(chǎn)生器件可靠性問題，因?yàn)殚g隙可能促進(jìn)局部電介質(zhì)擊穿并隨之導(dǎo)致螺旋電感的短路。
形成于半導(dǎo)體襯底的表面的一個(gè)螺旋電感的磁場垂直于襯底。該磁場在半導(dǎo)體襯底中引起渦流并且形成于襯底中的導(dǎo)電性互連結(jié)構(gòu)連接有源的半導(dǎo)體區(qū)域。因?yàn)檫@些渦流是一種損耗機(jī)制，它們增加電感阻抗并因而降低電感的Q因子。為了避免這樣的損耗，在相對低的工作頻率，通過以有源器件模擬一個(gè)電感，可以達(dá)到感應(yīng)作用。但有源器件有一個(gè)有限動(dòng)態(tài)范圍，向工作的電路注入不必要的噪音，并且在更高的工作頻無法提供可接受的感應(yīng)作用。
限制渦流損耗的一個(gè)已知的技術(shù)在電感下方平行于電感安置一個(gè)導(dǎo)電的屏蔽。該導(dǎo)體縮短磁力線，減少在下方的半導(dǎo)體襯底材料中的渦流。通過使用深溝道技術(shù)以移除該電感下方的硅的區(qū)域，也可以減小渦流。這個(gè)技術(shù)，可能用于在包括雙極型和CMOS晶體管(互補(bǔ)金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)的集成電路中形成隔離區(qū)域，從晶片的前表面或頂表面移除硅。增加電感和下方的硅之間的距離也降低渦流損耗。當(dāng)這些技術(shù)被使用時(shí)，導(dǎo)致Q因子的少量改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了對半導(dǎo)體襯底上與有源器件連接的電感的制造提供更進(jìn)一步的改進(jìn)，被提供用于形成這樣一個(gè)電感的結(jié)構(gòu)和處理包括一個(gè)半導(dǎo)體襯底和該襯底上覆蓋的一個(gè)電介質(zhì)層。構(gòu)成電感的導(dǎo)線被形成于電介質(zhì)層的一個(gè)上表面上。導(dǎo)線下方的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)區(qū)域被移除。
一個(gè)半導(dǎo)體器件包括一個(gè)半導(dǎo)體襯底和該半導(dǎo)體襯底上覆蓋的電介質(zhì)層。一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體被布置在該電介質(zhì)層上。半導(dǎo)體襯底在連續(xù)導(dǎo)體下方的至少一部分區(qū)域中形成一個(gè)開口。


當(dāng)結(jié)合下列附圖考慮下文描述內(nèi)容時(shí)，當(dāng)前發(fā)明可能更加容易地被了解并且優(yōu)點(diǎn)和用途更加清楚，其中圖1-14說明隨著依照本發(fā)明的多個(gè)處理步驟完成的一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和電感。
依照通常習(xí)慣，多個(gè)所描述的裝置特性不是按照比例來描繪的，而描繪來強(qiáng)調(diào)關(guān)于本發(fā)明的特定特性。貫穿附圖和正文，參考標(biāo)號表示類似元件。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明用于形成一個(gè)電感的一個(gè)處理開始，圖1說明集成電路半導(dǎo)體襯底10，常規(guī)地包括多個(gè)有源元件(沒被顯示)。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，為了調(diào)節(jié)電感，有源元件不被形成于區(qū)域12和14中。
電介質(zhì)層40(一般具有3-5微米厚度)被形成于該硅襯底的一個(gè)上表面42，隨之形成窗口44穿過電介質(zhì)層40延伸到該襯底10的區(qū)域46和48。該窗口被以已知的光刻掩模，構(gòu)圖和蝕刻處理形成。在隨后處理步驟中，一個(gè)導(dǎo)電性材料層被形成，上表面覆蓋了上表面45。在圖1說明的硅襯底區(qū)域中，一個(gè)電感被形成于導(dǎo)電性材料層中，并且連接元件(例如，鎢塞)被形成于窗口44中，用于在該區(qū)域46和48中連接電感和有源元件。
如圖2所述，一個(gè)鈦層50被淀積在窗口44中，并且在場效應(yīng)區(qū)52上，即，電介質(zhì)層40的一個(gè)上表面。在窗口44的底表面53，鈦層50與有源區(qū)下敷設(shè)的硅起反應(yīng)形成一個(gè)局部的硅化鈦區(qū)域。這個(gè)硅化物區(qū)域在有源區(qū)之間提供改善的導(dǎo)電性，并且互連的鎢塞稍后形成于窗口44中。
接著氮化鈦(TiN)層58被淀積于窗口44中，并且在場效應(yīng)區(qū)52上。可知，氮化鈦可以從例如電介質(zhì)層40這樣的氧基材料分層。鈦層50作為一個(gè)附著層以促進(jìn)在氮化鈦層58和場效應(yīng)區(qū)52、側(cè)壁56和底表面53下方的電介質(zhì)材料之間的結(jié)合。TiN層58作為下面敷設(shè)的鈦層和用于下述鎢淀積步驟中的氟基氣體之間的隔離層，因?yàn)榉鶜怏w與鈦容易發(fā)生反應(yīng)。
如圖3所示，通過化學(xué)氣相淀積處理引入六氟化鎢(WF6)和硅烷(SiH4)，鎢層60被形成于窗口44和場效應(yīng)區(qū)52中。硅襯底10接著經(jīng)歷一個(gè)化學(xué)-機(jī)械拋光步驟，形成鎢塞62。見圖4。
如圖5所示，鋁疊層66從底部到頂部包括，鈦層67、氮化鈦層68、鋁層69和抗反射覆蓋層70，被淀積在場效應(yīng)區(qū)52上。鋁疊層66的鈦層67和氮化鈦層68，跟上述鈦和氮化鈦層50和58一樣為相同的目的服務(wù)。
使用常規(guī)掩模、構(gòu)圖和蝕刻步驟，鋁疊層66的某些區(qū)域被移除，以在襯底10的一個(gè)區(qū)域上形成所希望導(dǎo)體形狀，用于電感71，包括如圖6所示的多根鋁導(dǎo)線66A。
在圖6上沒被顯示的襯底10的其他區(qū)域中，導(dǎo)電性互連結(jié)構(gòu)通過施加掩模、構(gòu)圖和蝕刻步驟被形成于鋁疊層66中，并且下面敷設(shè)的與有源區(qū)接觸的導(dǎo)電性鎢塞被形成于襯底10中。互連結(jié)構(gòu)被稱為金屬1層或第一金屬化層，連接到下面敷設(shè)的鎢塞。熟練的技術(shù)人員可知，附加的互連結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電通孔和金屬化合物電介質(zhì)層被形成覆蓋在鋁疊層66上，以形成一個(gè)用于集成電路的完全互連系統(tǒng)。因而電感71的形成方便地集成在用于形成裝置互連的處理中，因?yàn)殡姼锌梢噪S著該互連結(jié)構(gòu)的形成而形成。
如圖7可見的平面圖所示(圖6沿著圖7的線6-6的橫截面視圖)，在這個(gè)實(shí)施例中的導(dǎo)線66A是線性的并且被以大約90度角橫斷，形成一個(gè)線性螺旋形狀的電感71。電感71的接線端76也許通過鎢塞62被連接到在區(qū)域46和48中，下面敷設(shè)的有源器件。
一個(gè)彎曲的螺旋電感80如圖8所示，可能也通過適當(dāng)掩模、構(gòu)圖和蝕刻鋁疊層66的材料區(qū)域而形成。具有所希望得到的電感值的M電感可能通過選擇形成電感71的導(dǎo)體大小和幾何形狀的適當(dāng)?shù)倪x擇而形成。
在圖6說明的本發(fā)明的實(shí)施例中，電感71被形成于金屬1層或第一金屬化層中。在以下說明的其他實(shí)施例中，電感被形成于上層的金屬化層中。
依照本發(fā)明，電感71下面敷設(shè)的襯底10的區(qū)域12和14(指晶片的后側(cè)方)在電感71的形成以后被移除，形成空隙82。由此得出的結(jié)構(gòu)被在截面視圖9和平面視圖10中示出。材料蝕刻處理或激光顯微機(jī)械加工是可以用于移除區(qū)域12和14的已知技術(shù)，該區(qū)域一般具有大約300-500微米的厚度。雖然在圖10中的空隙82有長方形形狀，但這不過是一個(gè)范例。一個(gè)圓螺旋電感的空隙，例如，一般是圓形的。在一個(gè)實(shí)施例中，空隙82被以一種非導(dǎo)電性電介質(zhì)或封裝材料填充，例如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺。在一個(gè)實(shí)施例中在電感71的形成之前，空隙82被形成于襯底10中，雖然這樣技術(shù)也許更加困難，因?yàn)橐苍S有必要用電介質(zhì)材料填充空隙，例如二氧化硅，以允許隨后的覆蓋層的形成。
如以上所討論的，在電感71之下的半導(dǎo)體和導(dǎo)電性材料的缺乏降低了電感感應(yīng)的渦流并提高了電感的Q因子。
圖11描述一個(gè)電感89的實(shí)施例，為擴(kuò)大接線端76，在同一個(gè)金屬化層，例如導(dǎo)線66A中包括一個(gè)導(dǎo)電元件90。在這個(gè)實(shí)施例中，該空隙82比圖9的實(shí)施例中的大，因此與圖9的電感71相比，電感89的Q因子增加了。
圖12是圖11中電感89的平面視圖，采用圖11的橫截面視圖和圖12的面11-11。
圖13是電感92的一個(gè)橫截面視圖，其中兩個(gè)接線端76與電感71間隔開以允許形成一個(gè)與出現(xiàn)在之前描述的實(shí)施例中的空隙相比，更大的空隙82。為了形成這個(gè)實(shí)施例，一個(gè)金屬化合電介質(zhì)層94被淀積在導(dǎo)線66A上，并且該金屬化合電介質(zhì)層94上覆蓋的第二金屬化層包括一個(gè)形成于此的導(dǎo)電元件98。鎢塞100連接接線端76和導(dǎo)電元件98。鎢塞102連接在襯底10中的導(dǎo)線98和一個(gè)有源區(qū)。隨著兩個(gè)接線端76連接到電感92的范圍外的一個(gè)有源區(qū)，空隙82可以基本上包圍電感92以下的整個(gè)區(qū)域。
熟練的技術(shù)人員可知，集成電路一般包括被形成于半導(dǎo)體襯底中的多個(gè)金屬化層用于互連設(shè)備的有源區(qū)。所提到的這些層一般以一個(gè)數(shù)字標(biāo)志前面加一個(gè)字母“M”來表示，例如金屬化層一(M1)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)電感被形成于較高的金屬化層中(即，在M1之上)，與向上地和/或向下地延伸用于連接電感接線端和裝置有源區(qū)或其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的鎢塞。
一般，一個(gè)第五金屬化層(M5)距離該半導(dǎo)體襯底10約5微米。因此形成在其中的電感距離該襯底10約5微米。觀察發(fā)現(xiàn)(根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo))以該電感和該襯底之間5微米的間隔對下面敷設(shè)的襯底材料的移除改善了電感的Q。觀察發(fā)現(xiàn)，上述已知的損耗襯底的作用由等于電感最小直徑的一個(gè)電感-襯底間隔距離所決定。代表性的電感直徑可以在50-100微米的范圍內(nèi)。因而本發(fā)明的教導(dǎo)可能方便地被使用于形成于任何金屬化層中的電感上，因?yàn)樗薪饘倩瘜佣荚诎雽?dǎo)體襯底的100微米中。
圖14是說明本發(fā)明應(yīng)該實(shí)施例的橫截面視圖，其中應(yīng)該電感120被形成于集成電路裝置的第三金屬化層或M3中。圖14不說明以上實(shí)施例中顯示的某些輔助層(例如，鈦和氮化鈦)。一個(gè)半導(dǎo)體襯底122包括多個(gè)依照先有技術(shù)形成的有源器件(未顯示)。導(dǎo)電通孔124被形成于電介質(zhì)層126中。第一金屬化層(M1)包括形成于一個(gè)金屬化合電介質(zhì)層132中用于連接導(dǎo)電通孔124和上面覆蓋的導(dǎo)電通孔130的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)128。技術(shù)上已知，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)也從圖14的交叉位置的平面向內(nèi)和向外延伸。
第二金屬化層(M2)包括覆蓋的導(dǎo)電通孔130并連接到形成于一個(gè)金屬化合電介質(zhì)層144中的導(dǎo)電通孔142的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140。第三金屬化層包括電感120和的一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)146，它們同時(shí)由在該金屬化合電介質(zhì)層144上形成的導(dǎo)電層上執(zhí)行的已知的掩模、構(gòu)圖和蝕刻步驟所形成。附加的金屬化層和金屬化合電介質(zhì)層(在圖14中未顯示)可以形成于所示的結(jié)構(gòu)上。
在該金屬化合電介質(zhì)層144形成之前，空隙被使用常規(guī)的施加掩模、構(gòu)圖和蝕刻步驟形成于區(qū)域150中，在該電感120下方。在金屬化合電介質(zhì)層144的形成之前，空隙被以二氧化硅(電介質(zhì)材料)或其他相對低損耗材料填充。根據(jù)以上教導(dǎo)，在其它實(shí)施例中(圖14中未顯示)襯底122在電感120之下的區(qū)域也被移除。在上述的實(shí)施例中，在電感120之下的半導(dǎo)體和金屬化層的除去減少渦流損耗并改進(jìn)電感Q因子。
所描述的一種結(jié)構(gòu)和處理對于在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成電感是有用的。雖然本發(fā)明的具體應(yīng)用已經(jīng)說明，在此被公開的主要內(nèi)容提供用于以多種方式以及在多種電路結(jié)構(gòu)中實(shí)施本發(fā)明的基礎(chǔ)。在本發(fā)明的范圍內(nèi)可能做出多種變更。本發(fā)明僅僅由以下的權(quán)利要求所限制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；覆蓋半導(dǎo)體襯底的電介質(zhì)層；淀積在該電介質(zhì)層上的連續(xù)導(dǎo)體；以及其中該半導(dǎo)體襯底在該連續(xù)導(dǎo)體下方的至少一部分區(qū)域中形成有一個(gè)開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在該電介質(zhì)層中基本上垂直的第一和第二導(dǎo)電通孔，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括第一和第二端子，并且其中該半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)，并且其中第一和第二導(dǎo)電通孔將一個(gè)有源區(qū)分別電連接到第一和第二端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該連續(xù)導(dǎo)體的材料包括鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括電感。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該連續(xù)導(dǎo)體的大小和幾何圖形提供所希望的電感值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括螺旋形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在該開口中淀積的電介質(zhì)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在該開口中淀積的選自非導(dǎo)電和非半導(dǎo)體材料之一的一種材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體襯底進(jìn)一步包括上表面和下表面，并且其中在該連續(xù)導(dǎo)體下方的區(qū)域中，該開口從上表面延伸至下表面。
10.一種半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；形成于該半導(dǎo)體襯底中的多個(gè)有源區(qū)；覆蓋該半導(dǎo)體襯底的電介質(zhì)層；覆蓋在該電介質(zhì)層上的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電互連層；形成于其中一個(gè)導(dǎo)電互連層中的連續(xù)導(dǎo)體；以及其中該半導(dǎo)體襯底在該連續(xù)導(dǎo)體下方的一個(gè)區(qū)域中形成有一個(gè)開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中該連續(xù)導(dǎo)體下方的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電互連層中的至少一個(gè)在該連續(xù)導(dǎo)體下方的一個(gè)區(qū)域中形成有一個(gè)開口，并且其中把選自非導(dǎo)電材料和非半導(dǎo)體材料之一的材料淀積在該開口中。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括淀積在一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電互連層的連續(xù)層之間的電介質(zhì)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括導(dǎo)電通孔，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括第一和第二端子，并且其中導(dǎo)電通孔將第一和第二端子中的每一個(gè)電連接到多個(gè)有源區(qū)之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括導(dǎo)電通孔，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括第一和第二端子，并且其中該導(dǎo)電通孔將第一和第二端子中的每一個(gè)電連接到一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電互連層之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括第一和第二導(dǎo)電通孔，其中該連續(xù)導(dǎo)體包括第一和第二端子，并且其中該第一導(dǎo)電通孔將第一端子電連接到多個(gè)有源區(qū)中之一，并且其中該第二導(dǎo)電通孔將第二端子電連接到其中一個(gè)導(dǎo)電互連層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括把選自非導(dǎo)電和非半導(dǎo)體材料之一的材料淀積于該開口中。
17.一個(gè)半導(dǎo)體器件包括其中形成有有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底；覆蓋在該半導(dǎo)體襯底上的電介質(zhì)層；形成于該電介質(zhì)層中在該電介質(zhì)層的上表面和一個(gè)有源區(qū)之間延伸的導(dǎo)電通孔；導(dǎo)線包括一個(gè)形成于該上表面上的電感并進(jìn)一步包括第一和第二端子，其中第一和第二端子中的每一個(gè)端子與一個(gè)導(dǎo)電通孔電連接；以及其中該半導(dǎo)體襯底包括至少一部分導(dǎo)線下方的開口。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中被淀積在該開口中的材料由從電介質(zhì)材料和結(jié)合材料之間選擇。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中被淀積在該開口中的材料包括非導(dǎo)電材料和非半導(dǎo)體材料之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體襯底進(jìn)一步包括一個(gè)上表面和一個(gè)下表面，并且其中該開口在至少一部分導(dǎo)線下方從該上表面延伸至該下表面。
21.一種用于形成電感的方法，其中包括形成一個(gè)半導(dǎo)體襯底；在該襯底上面形成一個(gè)電介質(zhì)層，其中該電介質(zhì)層包括上表面；在該上表面上形成導(dǎo)線，其中該導(dǎo)線顯示出電感作用；以及移除至少一部分導(dǎo)線下方的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)區(qū)域。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法進(jìn)一步包括在該半導(dǎo)體襯底中形成有源區(qū)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中該導(dǎo)線包括第一和第二端子，進(jìn)一步包括通過該電介質(zhì)層形成導(dǎo)電互連，以將第一和第二端子連接到有源區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中移除該半導(dǎo)體襯底的一個(gè)區(qū)域的步驟包括蝕刻該半導(dǎo)體襯底。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中移除該半導(dǎo)體襯底的一個(gè)區(qū)域的步驟包括顯微機(jī)械加工該半導(dǎo)體襯底。
26.一種用于形成電感的方法，包括形成半導(dǎo)體襯底；在該襯底上上形成一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層，其中該一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層的上層包括一個(gè)上表面；在該上表面上形成導(dǎo)線，其中該導(dǎo)線表現(xiàn)出電感作用，以及通過移除至少一部分導(dǎo)線下方的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層的一個(gè)區(qū)域而形成一個(gè)開口。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法進(jìn)一步包括在該開口中淀積一種電介質(zhì)材料。
全文摘要
形成于半導(dǎo)體襯底上的電感，包括有源區(qū)器件區(qū)。該電感包括形成于該半導(dǎo)體襯底上覆蓋的電介質(zhì)層上的導(dǎo)線。該導(dǎo)線被構(gòu)圖并被蝕刻成所希望的形狀，在一個(gè)實(shí)施例中為一個(gè)平面螺旋。在該電感下的襯底的一個(gè)區(qū)域被移除以降低電感的Q因子。
文檔編號H01L21/822GK1707806SQ20041005584
公開日2005年12月14日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月22日
發(fā)明者愛德華·B·哈里斯, 斯蒂芬·W·唐尼 申請人:艾格瑞系統(tǒng)有限公司