專(zhuān)利名稱(chēng)：：形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種非揮發(fā)記憶元件(non-volatilememorydevice)，特別是涉及一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元的局部捕捉電荷記憶胞(localizedtrappedchargememorycell)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：一非揮發(fā)記憶元件是被設(shè)計(jì)就算沒(méi)有電源下仍然可以維持編程資訊(programmedinformation)。只讀記憶體(readonlymemory，簡(jiǎn)稱(chēng)ROM，該記憶體即為存儲(chǔ)器、內(nèi)存，以下均稱(chēng)為記憶體)是一種非揮發(fā)記憶體，通常用于如運(yùn)用微處理器的(microprocessor-based)數(shù)碼電子設(shè)備(digitalelectronicequipment)的電子設(shè)備以及如行動(dòng)電話(cellularphone)的手提式電子裝置(portableelectronicdevice)。只讀記憶元件，通常包括多個(gè)記憶胞陣列。每一記憶胞陣列可顯現(xiàn)如包括交叉的字元線(字元線即為字符線，以下均稱(chēng)為字元線)與位元線(位元線即為位線，以下均稱(chēng)為位元線)。每一字元線與位元線交叉處相當(dāng)于記憶體的一位元。在罩幕式可編程(maskprogrammable)金氧半導(dǎo)體(MOS)只讀記憶元件中，在字元與位元線交叉處的一金氧半導(dǎo)晶體管(MOStransistor)的存在或不存在區(qū)別一儲(chǔ)存的邏輯“0”與邏輯“1”。一可編程只讀記憶體(PROM)和罩幕式可編程金氧半導(dǎo)體相似，除了使用者可用一可編程只讀記憶體程式器(programmer)儲(chǔ)存資料數(shù)值(即程式化可編程只讀記憶體)。一可編程只讀記憶元件通常是用易熔環(huán)(fusiblelink)在字元及位元線交叉處制造的。這相當(dāng)于全部位元在一特定邏輯數(shù)值，通常是邏輯“1”?？删幊讨蛔x記憶體程式器被用以設(shè)定想要的位元到相對(duì)的邏輯數(shù)值，其通常是藉由供應(yīng)一高電壓來(lái)蒸發(fā)易熔環(huán)對(duì)應(yīng)至想要的位元。一典型的可編程只讀記憶元件可以只被編程一次。一可抹除可編程只讀記憶體(EPROM)是像可編程只讀記憶體(PROM)一樣地可編程，但也可以藉由暴露于紫外線而被抹除(例如對(duì)一所有邏輯“1”狀態(tài))。一典型的可抹除可編程只讀記憶元件在字元與位元線交叉處(即每個(gè)位元位置)具有一浮置閘極MOS晶體管。每一MOS晶體管有兩個(gè)閘極一浮置閘極與一非浮置閘極。該浮置閘極沒(méi)有與任何導(dǎo)體電性相連，且被一高阻抗絕緣材質(zhì)所環(huán)繞。為程式化可抹除可編程只讀記憶元件，需供應(yīng)一高電壓至每個(gè)位元位置的非浮置閘極，其中被儲(chǔ)存一邏輯數(shù)值(即邏輯“0”)。這將導(dǎo)致絕緣材質(zhì)中的崩潰(breakdown)以及允許一負(fù)電荷去累積在浮置電極上。當(dāng)高電壓被移除時(shí)，浮置閘極上仍有負(fù)電荷。在后續(xù)讀取操作期間，負(fù)電荷會(huì)避免MOS晶體管(電晶體)在被選擇時(shí)在其一汲極端與一源極端之間形成一低電阻通道(即打開(kāi))。一可抹除可編程只讀記憶體(EPROM)集成電路一般是被覆蓋在具有一石英蓋(quartzlid)的一包裝(package)中，而且可抹除可編程只讀記憶體是藉由暴露可抹除可編程只讀記憶體集成電路在通過(guò)石英蓋的紫外線下而被抹除。當(dāng)環(huán)繞浮置閘極的絕緣材質(zhì)暴露于紫外線時(shí)將變成低傳導(dǎo)性，而使浮置閘極上累積的負(fù)電荷消散。一可電除可編程只讀記憶(EEPROM)元件與一可抹除可編程只讀記憶(EPROM)元件類(lèi)似，除了個(gè)別儲(chǔ)存的位元可被電除。在EEPROM元件中的浮置閘極被一較厚的絕緣層環(huán)繞，且在浮置閘極上累積的負(fù)電荷可藉由供應(yīng)一相對(duì)極性的電壓而消散，此相對(duì)極性就是非浮置閘極的編程電壓的極性?？扉W記憶元件有時(shí)稱(chēng)為快閃可電除可編程只讀記憶元件，且其不同于可電除可編程只讀記憶元件，即電除包含快閃記憶元件的大部分或整個(gè)含量。在非揮發(fā)記憶體中的一相當(dāng)新的發(fā)展是局部捕捉電荷元件。通常這些元件歸類(lèi)為氮化只讀記憶(NROM)元件，縮寫(xiě)為“NROM”是SaifunSemiconductorsLtd.(Netanya，Israel)的部分結(jié)合商標(biāo)(partofacombinationtrademark)。一局部捕捉電荷陣列的每個(gè)記憶胞通常是一n通道金氧半(nMOS)晶體管，其具有一氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide，簡(jiǎn)稱(chēng)ONO)介電結(jié)構(gòu)形成閘極介電層。資料被儲(chǔ)存在鄰近n通道金氧半晶體管的源極與汲極端的兩個(gè)不同位置，以使2位元資料被儲(chǔ)存在n通道金氧半晶體管結(jié)構(gòu)中。局部捕捉電荷記憶胞一般可藉經(jīng)由ONO介電結(jié)構(gòu)的底氧化層的通道熱電子(channelhotelectron，簡(jiǎn)稱(chēng)CHE)注入而被程式化。在程式化期間，電荷會(huì)被捕捉到ONO介電結(jié)構(gòu)中。局部捕捉電荷記憶胞可藉經(jīng)由ONO介電結(jié)構(gòu)的底氧化層的穿隧增大熱電洞(tunnelingenhancedhothole，簡(jiǎn)稱(chēng)TEHH)注入而被抹除。在集成電路的制造中在半導(dǎo)體基底中形成以及/或是配置的材質(zhì)容易因熱能(thermal(heat)energy)而影響物理與化學(xué)機(jī)制。特別是熱能會(huì)促使物理與化學(xué)機(jī)制有害(deleterious)于集成電路的正常操作。因?yàn)檫@個(gè)原因，所以“熱裕度(thermalbudget)”決定了半導(dǎo)體晶圓制作程序。這些熱裕度規(guī)定晶圓所能承受的熱能的最大總量，以及通常在不超過(guò)規(guī)范的熱裕度下施行晶圓制程。在一已知的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)的形成方法中，要注入摻雜原子(如磷原子)到基底中，以形成n通道金氧半(nMOS)晶體管結(jié)構(gòu)的源極/汲極區(qū)域。這些源極/汲極區(qū)域是當(dāng)作記憶胞的位元線。在埋入式源極/汲極區(qū)域上成長(zhǎng)相當(dāng)厚的氧化層以電性隔絕埋入式源極/汲極區(qū)域與之后形成在氧化層上的字元線。在已知的方法中產(chǎn)生一個(gè)問(wèn)題，就是要成長(zhǎng)相當(dāng)厚的氧化層需要提供基底相當(dāng)高的溫度一段長(zhǎng)時(shí)間。而在氧化物成長(zhǎng)制程期間基底所需承受的熱能量會(huì)導(dǎo)致部分或超過(guò)制程所預(yù)定的熱裕度，而使先前形成的源極/汲極區(qū)域中的摻雜原子在上升的溫度下有移動(dòng)(即擴(kuò)散)的趨向。因此，對(duì)一局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)而言，提供比氧化物成長(zhǎng)制程使用較少熱能的一種形成用來(lái)電性隔絕位元線與字元線的材質(zhì)層的方法是有利的。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)又沒(méi)有適切的方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。有鑒于上述現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及有此記憶胞的記憶陣列，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法存在的缺陷，而提供一種新的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其源極/汲極區(qū)域中的摻雜原子不會(huì)有移動(dòng)(即擴(kuò)散)的趨向，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其成為可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的還一目的在于，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元成為局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法存在的缺陷，而提供一種新的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種比氧化物成長(zhǎng)制程使用較少熱能的一種形成用來(lái)電性隔絕位元線與字元線的材質(zhì)層的方法，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種使用上述形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種使用上述形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其成為可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的還一目的在于，提供一種使用上述形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元成為局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其包括以下步驟依序在一基底的一表面上形成一第一氧化層、一電子捕捉層、一第二氧化層、一第一導(dǎo)電層以及一介電層；圖案化該介電層以及該第一導(dǎo)電層，以形成至少一組成疊層；在該至少一組成疊層上與旁邊沉積一第三氧化層；相對(duì)該第二氧化層去除該第三氧化層的上段的部位，以穿過(guò)該第三氧化層暴露出該介電層的上部；去除該介電層以及剩余的該第三氧化層的上部，以使該基底的該表面上的該第三氧化層的上表面的高度與圖案化的該第一導(dǎo)電層的上表面的高度相同；以及在圖案化的該第一導(dǎo)電層及該第三氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第三氧化層的沉積包括經(jīng)由一高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)制程在該組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第三氧化層的沉積是在比需熱成長(zhǎng)該第三氧化層的溫度較低的一溫度下施行。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中施行該第三氧化層的沉積，以使該第三氧化層具有在1200?！?400埃之間的厚度。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中部分該第三氧化層的上部的去除包括在一蝕刻劑溶液中浸除部分該第三氧化層的上部。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的電子捕捉層包括氮化硅。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第一導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的介電層包括氮化硅。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第二導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的圖案化步驟更包括圖案化該第二氧化層、該電子捕捉層以及該第一氧化層，以形成該至少一組成疊層；以及在該至少一組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層之前在該組成疊層旁邊形成一氧化層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。依據(jù)本發(fā)明提出一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。依據(jù)本發(fā)明提出一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其包括以下步驟依序在一基底的一表面上形成一第一氧化層、一第一氮化層、一第二氧化層、一第一導(dǎo)電層以及一第二氮化層；圖案化該第二氮化層以及該第一導(dǎo)電層，以形成至少一組成疊層；使用該至少一組成疊層作為一摻雜罩幕，以選擇性注入摻雜原子到該基底的該表面中，藉以在鄰接該至少一組成疊層的該基底中形成一位元線；在該組成疊層上與旁邊沉積一第三氧化層；相對(duì)該第二氧化層去除該第三氧化層的上段的部位，以穿過(guò)該第三氧化層暴露出該第二氮化層的上部；去除該第二氮化層以及剩余的該第三氧化層的上部，以使該基底的該表面上的該第三氧化層的上表面的高度與圖案化的該第一導(dǎo)電層的上表面的高度相同；以及在圖案化的該第一導(dǎo)電層及該第三氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第三氧化層的沉積包括經(jīng)由一高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)制程在該組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第三氧化層的沉積是在比需熱成長(zhǎng)該第三氧化層的溫度較低的一溫度下施行。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中施行該第三氧化層的沉積，以使該第三氧化層具有在1200埃～1400埃之間的厚度。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第三氧化層的上段的部位的去除包括在一蝕刻劑溶液中浸除該第三氧化層的上段的部位。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中所述的第一與第二導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。前述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其中圖案化步驟更包括圖案化該第二氧化層、該第一氮化層以及該第一氧化層，以形成該至少一組成疊層；以及在該至少一組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層之前在該組成疊層旁邊形成一氧化層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。依據(jù)本發(fā)明提出一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。依據(jù)本發(fā)明提出一種使用形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種形成至少一非揮發(fā)性記憶胞的方法，包括依序在一基底的一表面上形成一第一氧化層、一電子捕捉層、一第二氧化層、一第一導(dǎo)電層以及一介電層，再圖案化介電層以及第一導(dǎo)電層，以形成至少一組成疊層(componentstack)。接著，在至少一組成疊層上與旁邊沉積一第三氧化層。且在一較佳實(shí)施例中，圖案化步驟更包括圖案化第二氧化層、電子捕捉層以及第一氧化層，以形成組成疊層，而在至少一組成疊層上與旁邊沉積第三氧化層之前可在組成疊層旁邊形成一氧化層。之后，相對(duì)第二氧化層去除部分第三氧化層的上部，以穿過(guò)第三氧化層暴露出介電層的上部，再去除介電層以及剩余的第三氧化層的上部，以使基底的表面上的第三氧化層的上表面的高度與圖案化的第一導(dǎo)電層的上表面的高度相同。接著，在圖案化的第一導(dǎo)電層及第三氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。一非揮發(fā)性記憶陣列包含于一基底的一表面中的多個(gè)間隔且平行的位元線。數(shù)個(gè)堆疊層配置于位元線上的基底表面上，其中堆疊層包含一電子捕捉層。數(shù)個(gè)間隔的字元線配置在堆疊層上，其中字元線是彼此互相平行且垂直于位元線。而非揮發(fā)性記憶陣列中的非揮發(fā)性記憶胞是用前述方法形成的。在一實(shí)行中，第三氧化層的沉積是在比需熱成長(zhǎng)第三氧化層的溫度較低的一溫度下施行。經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及有此記憶胞的記憶陣列。該形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，包括在一組成疊層上沉積一氧化層，且組成疊層具有一介電層、介電層上有一第一導(dǎo)電層。之后，去除部分氧化層的上部以暴露介電層，再去除介電層以及剩余的氧化層的上部，以使氧化層與第一導(dǎo)電層的上表面幾乎是平的。接著，在第一導(dǎo)電層及氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。在一基底表面中形成包含間隔且平行的多個(gè)位元線的一非揮發(fā)性記憶陣列。在位元線上的基底表面上有包含一電子捕捉層的數(shù)個(gè)堆疊層。在堆疊層上有數(shù)個(gè)間隔的字元線。而字元線是互相平行且垂直于位元線。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，可以使其源極/汲極區(qū)域中的摻雜原子不會(huì)有移動(dòng)(即擴(kuò)散)的趨向。2、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元，從而更加適于實(shí)用。3、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)。4、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元成為局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)。5、本發(fā)明的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，可以提供一種比氧化物成長(zhǎng)制程使用較少熱能的一種形成用來(lái)電性隔絕位元線與字元線的材質(zhì)層的方法。6、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元，從而更加適于實(shí)用。7、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)。8、本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是使其可在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元成為局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)。綜上所述，本發(fā)明特殊的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可形成在每一胞中儲(chǔ)存多個(gè)位元成為局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)，而且其源極/汲極區(qū)域中的摻雜原子不會(huì)有移動(dòng)(即擴(kuò)散)的趨向。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類(lèi)形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中未見(jiàn)有類(lèi)似的設(shè)計(jì)公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上、結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是一半導(dǎo)體基底的剖面示意圖。圖2是圖1的剖面示意圖。圖3是圖2的剖面示意圖。圖4是圖3的剖面示意圖。圖5是圖4的剖面示意圖。圖6是圖5的剖面示意圖。圖7是圖6的剖面示意圖。圖8是包括圖7的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)的一非揮發(fā)記憶陣列的頂部平面圖。圖9是圖8的非揮發(fā)記憶陣列的9-9剖面的剖面示意圖。圖10是圖8的非揮發(fā)記憶陣列的10-10剖面的剖面示意圖。20基底22、22A、22B、22C氧化層24、24A、24B、24C氮化層26、26A、26B、26C氧化層28、28A、28B、28C多晶硅層30、30A、30B、30C氮化層32A、32B、32C組成疊層33、36氧化層34A、34B源極/汲極區(qū)域34C、34D源極/汲極區(qū)域38部位40上段42多晶硅層44導(dǎo)電層46A局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46B局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46C局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)48非揮發(fā)記憶陣列50源極/汲極區(qū)域具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及有此記憶胞的記憶陣列其具體實(shí)施方式、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。以下將詳細(xì)描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并以附圖作例子。而在圖示與說(shuō)明書(shū)中相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)是指相同或相似的部位。請(qǐng)注意圖示均為簡(jiǎn)化的形成而非精確的比率。在此僅用于方便與清楚的目的而揭露的描述，即方向上的用語(yǔ)如上、下、前、后、左、右、等都是用來(lái)描述圖示的，而非用以限定本發(fā)明。雖然在此揭露某一實(shí)施例，但此一實(shí)施例只是用于舉例而不是用來(lái)作限定。而之后的描述雖詳述舉例用的實(shí)例，但在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。而且在此描述的方法與結(jié)構(gòu)并沒(méi)有包含完整的記憶元件制程。本發(fā)明可利用各種現(xiàn)有的技術(shù)來(lái)實(shí)施，在實(shí)施方式中所述的只是為了提供理解本發(fā)明之用。本發(fā)明的應(yīng)用性遍及一般的半導(dǎo)體元件與制程。不過(guò)為說(shuō)明之用，以下將描述有關(guān)一種局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)(localizedtrappedchargememorycellstructure)及其形成方法。請(qǐng)參閱圖1至圖10所示，是目前用來(lái)描述一較佳實(shí)施例的形成局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)的方法，以及包括此種結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性記憶元件。圖1是一半導(dǎo)體基底20的剖面示意圖，其中具有一第一二氧化硅(氧化)層22形成在一上表面上、一氮化硅(氮化)層24形成在一第一氧化層22上、一第二氧化層26形成在氮化層24上以及一多晶質(zhì)硅(多晶硅)層28形成在第二氧化層26上。半導(dǎo)體基底20可以是例如一半導(dǎo)體晶圓(如一硅晶圓)。氧化層22、26基本上包括二氧化硅(SiO2)，且其是被成長(zhǎng)或沉積在半導(dǎo)體基底20的上表面上。氮化層24基本上包括氮化硅(Si3N4)，且其是被沉積在氧化層22的一上表面上。氧化層22、氮化層24與氧化層26形成一氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide，簡(jiǎn)稱(chēng)ONO)結(jié)構(gòu)。要儲(chǔ)存資料的話，電子會(huì)如前述被捕捉到ONO結(jié)構(gòu)的氮化層24中。而氮化層24是被氧化層22與26電性隔絕。氧化層22與26最好夠厚以使被捕捉到氮化層24中的電子不能輕易穿隧過(guò)氧化層22與26。此種穿隧現(xiàn)象(tunneling)也許會(huì)發(fā)生在如當(dāng)氧化層22與26約小于50埃厚時(shí)。在一實(shí)施例中，氧化層22是成長(zhǎng)或沉積至約在50～100埃之間的一厚度、氮化層24是沉積至約在35～75埃之間的一厚度，而氧化層26是成長(zhǎng)或沉積至約在50～150埃之間的一厚度。如果氧化層26是成長(zhǎng)在氮化層24上而不是用沉積的，則該氮化層24的某些部位會(huì)在氧化層26的形成中以約1埃的氮對(duì)2埃的氧的比率被消耗掉。因此，該氮化層24例如是沉積至一預(yù)定為35～75埃的厚度并加上約氧化層26的預(yù)定厚度的一半厚度。舉例來(lái)說(shuō)，如果氧化層26的預(yù)定厚度是150埃，且氮化層24的預(yù)定厚度是50埃，則氮化層24最初的沉積厚度應(yīng)為125埃(50埃+75埃)。多晶硅層28例如是利用化學(xué)氣相沉積制程(CVDprocess)沉積在氧化層26的一上表面上。多晶硅最好被摻雜以增加其導(dǎo)電率。在摻雜(doping)期間，摻質(zhì)原子(如磷)會(huì)被注入多晶硅中。而摻雜步驟也可經(jīng)由一后續(xù)的擴(kuò)散制程或離子植入制程來(lái)施行。多晶硅層28的植入摻雜可被稱(chēng)為「n型多晶植入(ntypepolyimplantation)」。另外，也可以在前述的化學(xué)氣相沉積制程期間臨場(chǎng)(in-situ)摻雜多晶硅。在一實(shí)施例中，多晶硅層28是沉積至約在600～800埃之間的一厚度。請(qǐng)參閱圖2所示，是圖1的剖面示意圖，其中已在多晶硅層28的一上表面上形成一氮化層30。氮化層30基本上包括氮化硅(Si3N4)，且其是被沉積在多晶硅層28的上表面上。在一實(shí)施例中，氮化層30是沉積至約在800～2000埃之間的一厚度。請(qǐng)參閱圖3所示，是圖2的剖面示意圖，其是接續(xù)第二氮化層與多晶硅層的圖案化，以在第二氧化層上形成組成疊層，以及將n型摻質(zhì)原子(n+)注入半導(dǎo)體基底的上表面的無(wú)保護(hù)區(qū)域中。如圖3所示，其是一圖案化制程以及將n型摻質(zhì)原子(n+)注入半導(dǎo)體基底20的上表面的無(wú)保護(hù)區(qū)域中。圖案化氮化層30與多晶硅層28可藉由于多晶硅層28的上表面上形成并圖案化一光阻材質(zhì)層，以及以最終光阻圖案作為蝕刻罩幕。在圖示之中，圖案化制程蝕刻了氮化層30與多晶硅層28的無(wú)保護(hù)部位，更在形成氧化層33以免除蝕刻傷害(etchdamage)之后蝕刻了氧化層26、氮化層24以及氧化層22。蝕刻工作例如包含有依序?qū)嵤┑亩鄠€(gè)蝕刻制程。舉例來(lái)說(shuō)，一第一蝕刻制程可以是一選擇性蝕刻制程(如一干式電漿蝕刻制程)，其氮化物對(duì)多晶硅是高選擇比。一第二蝕刻制程可以是一選擇性蝕刻制程(如一干式電漿蝕刻制程)，其多晶硅對(duì)氧化物是高選擇比。一第三蝕刻制程可以是一選擇性蝕刻制程(如一干式電漿蝕刻制程)，其ONO對(duì)硅基底是高選擇比。氮化層30的圖案化產(chǎn)生了氮化層30A-30C、多晶硅層28的圖案化產(chǎn)生了多晶硅層28A-28C、氧化層26的圖案化產(chǎn)生了氧化層26A-26C、氮化層24的圖案化產(chǎn)生了氮化層24A-24C，以及氧化層22的圖案化產(chǎn)生了氧化層22A-22C。如圖3所示，堆疊的氧化層22A、氮化層24A、氧化層26A、多晶硅層28A及氮化層30A形成一組成疊層32A。該堆疊的氧化層22B、氮化層24B、氧化層26B、多晶硅層28B及氮化層30B形成一組成疊層32B。堆疊的氧化層22C、氮化層24C、氧化層26C、多晶硅層28C及氮化層30C形成一組成疊層32C。氮化層30、多晶硅層28、氧化層26、氮化層24以及氧化層22的圖案化如圖3所示未影響到硅基底20。在圖案化氮化層30、多晶硅層28、氧化層26、氮化層24以及氧化層22以形成組成疊層32A-32C之后，利用如一爐制程在基底上形成厚度如在約20～100埃間的氧化層33(免除蝕刻傷害用的氧化物)。在氧化制程之后，將n型摻質(zhì)原子(N+)注入環(huán)繞組成疊層32A-32C的半導(dǎo)體基底20的上表面區(qū)域中。而n型摻質(zhì)原子可以例如是磷原子，是經(jīng)由化學(xué)擴(kuò)散或離子植入而注入半導(dǎo)體基底20的上表面的無(wú)保護(hù)區(qū)域中。然后，半導(dǎo)體基底20可被提供一熱工作以(在化學(xué)擴(kuò)散后)灌入或(在離子制入之后)退火。在n型摻質(zhì)原子的注入期間，n型摻質(zhì)原子會(huì)穿過(guò)氧化層33并在半導(dǎo)體基底20中形成埋入式源極/汲極區(qū)域34A-34D，如圖3所示。該埋入式源極/汲極區(qū)域34A-34D由于可藉由組成疊層32A-32C作對(duì)準(zhǔn)因此有其優(yōu)異性。請(qǐng)參閱圖4所示，是圖3的剖面示意圖，其是接續(xù)在第二氧化層的上表面上的組成疊層上與環(huán)繞第二氧化層的上表面的區(qū)域上的一第三氧化層的沉積。如圖3所示，其是接續(xù)在組成疊層32A-32C上與在組成疊層32A-32C旁的氧化層33的區(qū)域上的一氧化層36的沉積。氧化層36可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(CVD)制程沉積，且具有一較佳厚度在約1200～3000埃之間。氧化層36較佳的是一高密度電漿(highdensityplasma，簡(jiǎn)稱(chēng)HDP)化學(xué)氣相沉積(CVD)氧化層。在一適合的高密度電漿化學(xué)氣相沉積制程中，半導(dǎo)體基底20是放置在一反應(yīng)室中的一對(duì)電極之間，且分別以流速約150sccm、225sccm、100sccm將SiH4、O2、Ar氣體通入反應(yīng)室中。因此，高密度電漿化學(xué)氣相沉積氧化層將在氧化層33上表面上的組成疊層32A-32C上與環(huán)繞著或在組成疊層32A-32C旁邊的氧化層33的上表面區(qū)域上形成。下述更明白，氧化層36將用以電性隔絕作為位元線的埋入式源極/汲極區(qū)域與后續(xù)形成在氧化層36上的字元線。在一較低溫度下經(jīng)沉積形成的氧化層36可有利于降低摻雜原子從源極/汲極區(qū)域34A-34D移動(dòng)，且具有其他優(yōu)點(diǎn)。在較其它成長(zhǎng)氧化層36所需的溫度低的一溫度下沉積氧化層36可以降低在制程的一熱裕度上氧化層36形成的沖擊，且可能會(huì)低于制程的熱裕度。如上所述，制程的熱裕度可定為至少部分使先前形成的源極/汲極區(qū)域(如源極/汲極區(qū)域34A-34D)中的摻雜原子在上升的溫度下有移動(dòng)(即擴(kuò)散)的趨向。再者，沉積的氧化層36可比一成長(zhǎng)氧化層在厚度與沒(méi)有空孔上均勻。結(jié)果，在字元線與位元線之間沉積的氧化層36可具有一較成長(zhǎng)氧化層高的電崩潰電壓(breakdownvoltage)。請(qǐng)參閱圖5所示，是圖4的剖面示意圖，其是接續(xù)部分第三氧化層的上部的去除。如圖5所示，其是接續(xù)部分第三氧化層36的上段40的部位38的去除。部位38的去除可經(jīng)由如一氧化層36的濕式蝕刻浸除制程(wetetchdipping)來(lái)達(dá)成。濕式蝕刻浸除制程可藉由倒轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基底20并將氧化層36的上段40浸在一蝕刻劑溶液如氫氟酸(HF)中。而蝕刻劑溶液可例如是一稀釋氫氟酸溶液，且包括一緩沖劑阻止不要的氫離子產(chǎn)生(如NH4F)。當(dāng)上段40中的氮化層30A-30C的上緣穿過(guò)氧化層36暴露出來(lái)時(shí)，如圖5所示終止去除制程。請(qǐng)參閱圖6所示，是圖5的剖面示意圖，其是接續(xù)剩余的第二氮化層以及剩余的第三氧化層的上部的去除。如圖6所示，其是接續(xù)氮化層30A-30C以及剩余的氧化層36的上部40的去除。氮化層30A-30C的去除可經(jīng)由如一濕式蝕刻制程(如在75℃下的熱磷酸)來(lái)達(dá)成，其氮化物對(duì)氧化物的選擇比被調(diào)整，以去除氮化層30A-30C以及剩余的氧化層36的上部40，而不會(huì)去除重要的氧化層36(顯示在圖6中)。如圖6所表示，氮化層30A-30C以及剩余的氧化層36的上部40被去除，以使半導(dǎo)體基底20的一表面上的氧化層36的上表面的高度(elevation)與多晶硅層28A-28C的上表面的高度大致相同。請(qǐng)參閱圖7所示，是圖6的剖面示意圖，其中在剩余的第一多晶硅層及剩余的部分第三氧化層上已形成有一第二多晶硅層，以及有一導(dǎo)電層形成在第二多晶硅層上，其中在此顯示3局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)。如圖7所示，其中在多晶硅層28A-28C及剩余的部分氧化層36上已形成有一多晶硅層42，以及有一導(dǎo)電層44形成在多晶硅層42上。而多晶硅層42例如是利用化學(xué)氣相沉積制程沉積在晶硅層28A-28C的上表面及剩余的部分氧化層36上。多晶硅層42與多晶硅層28A-28C之間的界面應(yīng)形成歐姆接觸(Ohmiccontact)而無(wú)界面污染。多晶硅層42最好被摻雜以增加其導(dǎo)電率。在摻雜期間，摻質(zhì)原子(如磷)會(huì)被注入多晶硅中。而摻雜步驟也可經(jīng)由一后續(xù)的擴(kuò)散制程或離子植入制程來(lái)施行。也可以在前述的化學(xué)氣相沉積制程期間臨場(chǎng)摻雜多晶硅。導(dǎo)電層44例如是一硅化金屬層(metal-silicidelayer)。在一實(shí)例中導(dǎo)電層44是一硅化鎢層(WSix)。硅化金屬如硅化鎢通常是經(jīng)由化學(xué)氣相沉積制程沉積以形成導(dǎo)電層。在圖7中形成有3局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46A-46C。所有的3局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46A-46C包含氧化層22、氮化層24以及氧化層26。氮化層24作為3局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46A-46C中的一電子捕捉層。局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46A包括多晶硅層28A與部分源極/汲極區(qū)域34A與34B。局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46B包括多晶硅層28B與部分源極/汲極區(qū)域34B與34C。而局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46C包括多晶硅層28C與部分源極/汲極區(qū)域34C與34D。請(qǐng)參閱圖8所示，是包括圖7的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)的一非揮發(fā)記憶陣列的頂部平面圖，其是接續(xù)導(dǎo)電層與第二多晶硅層的圖案化，以形成字元。如圖8所示，是包括圖7的局部捕捉電荷記憶胞結(jié)構(gòu)46A-46C的一非揮發(fā)記憶陣列48的頂部平面圖，其是接續(xù)導(dǎo)電層44、多晶硅層42以及多晶硅層28A-28C的圖案化，以形成字元線44A、44B與44C。在圖8中，3埋入式源極/汲極區(qū)域50形成圖7中所示的4位元線。圖9是圖8的非揮發(fā)記憶陣列48的9-9剖面的剖面示意圖；以及圖10是圖8的非揮發(fā)記憶陣列48的10-10剖面的剖面示意圖。鑒于前述，熟悉此技藝者應(yīng)可了解，本發(fā)明的方法能有助于只讀記憶元件的形成，特別是具有局部捕捉電荷的只讀記憶元件。前述實(shí)施例是用以提供一種范例，而非限定本發(fā)明在此種范例中。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其包括以下步驟依序在一基底的一表面上形成一第一氧化層、一電子捕捉層、一第二氧化層、一第一導(dǎo)電層以及一介電層；圖案化該介電層以及該第一導(dǎo)電層，以形成至少一組成疊層；在該至少一組成疊層上與旁邊沉積一第三氧化層；相對(duì)該第二氧化層去除該第三氧化層的上段的部位，以穿過(guò)該第三氧化層暴露出該介電層的上部；去除該介電層以及剩余的該第三氧化層的上部，以使該基底的該表面上的該第三氧化層的上表面的高度與圖案化的該第一導(dǎo)電層的上表面的高度相同；以及在圖案化的該第一導(dǎo)電層及該第三氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第三氧化層的沉積包括經(jīng)由一高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)制程在該組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第三氧化層的沉積是在比需熱成長(zhǎng)該第三氧化層的溫度較低的一溫度下施行。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中施行該第三氧化層的沉積，以使該第三氧化層具有在1200埃～1400埃之間的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中部分該第三氧化層的上部的去除包括在一蝕刻劑溶液中浸除部分該第三氧化層的上部。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的電子捕捉層包括氮化硅。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第一導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的介電層包括氮化硅。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第二導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中圖案化步驟更包括圖案化該第二氧化層、該電子捕捉層以及該第一氧化層，以形成該至少一組成疊層；以及在該至少一組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層之前在該組成疊層旁邊形成一氧化層。11.一種使用權(quán)利要求10形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。12.一種使用權(quán)利要求1形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。13.一種使用權(quán)利要求3形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。14.一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其包括以下步驟依序在一基底的一表面上形成一第一氧化層、一第一氮化層、一第二氧化層、一第一導(dǎo)電層以及一第二氮化層；圖案化該第二氮化層以及該第一導(dǎo)電層，以形成至少一組成疊層；使用該至少一組成疊層作為一摻雜罩幕，以選擇性注入摻雜原子到該基底的該表面中，藉以在鄰接該至少一組成疊層的該基底中形成一位元線；在該組成疊層上與旁邊沉積一第三氧化層；相對(duì)該第二氧化層去除該第三氧化層的上段的部位，以穿過(guò)該第三氧化層暴露出該第二氮化層的上部；去除該第二氮化層以及剩余的該第三氧化層的上部，以使該基底的該表面上的該第三氧化層的上表面的高度與圖案化的該第一導(dǎo)電層的上表面的高度相同；以及在圖案化的該第一導(dǎo)電層及該第三氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第三氧化層的沉積包括經(jīng)由一高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)制程在該組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第三氧化層的沉積是在比需熱成長(zhǎng)該第三氧化層的溫度較低的一溫度下施行。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中施行該第三氧化層的沉積，以使該第三氧化層具有在1200?！?400埃之間的厚度。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第三氧化層的上段的部位的去除包括在一蝕刻劑溶液中浸除該第三氧化層的上段的部位。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中所述的第一與第二導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅。20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，其特征在于其中圖案化步驟更包括圖案化該第二氧化層、該第一氮化層以及該第一氧化層，以形成該至少一組成疊層；以及在該至少一組成疊層上與旁邊沉積該第三氧化層之前在該組成疊層旁邊形成一氧化層。21.一種使用權(quán)利要求20形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。22.一種使用權(quán)利要求14形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。23.一種使用權(quán)利要求16形成非揮發(fā)性記憶胞的方法制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明是關(guān)于一種形成非揮發(fā)性記憶胞的方法及用這方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該形成非揮發(fā)性記憶胞的方法，包括在一組成疊層上沉積一氧化層，且組成疊層具有一介電層、介電層上有一第一導(dǎo)電層。之后，去除部分氧化層的上部以暴露介電層，再去除介電層以及剩余的氧化層的上部，以使氧化層與第一導(dǎo)電層的上表面幾乎是平的。接著，在第一導(dǎo)電層及氧化層的上表面上形成一第二導(dǎo)電層。在一基底表面中形成包含間隔且平行的多個(gè)位元線的一非揮發(fā)性記憶陣列。在位元線上的基底表面上有包含一電子捕捉層的數(shù)個(gè)堆疊層。在堆疊層上有數(shù)個(gè)間隔的字元線。而字元線是互相平行且垂直于位元線。文檔編號(hào)H01L21/8247GK1577807SQ20041005949公開(kāi)日2005年2月9日申請(qǐng)日期2004年6月28日優(yōu)先權(quán)日2003年7月25日發(fā)明者許富雄,劉振欽,黃蘭婷申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司