專利名稱：存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法和用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元的制造，更為具體地，涉及諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電連接用存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的形成方法。
背景技術(shù)：
DRAM的存儲(chǔ)單元通常由一個(gè)存取晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器構(gòu)成。根據(jù)其在半導(dǎo)體基板上的形成位置，該電容器可分為層壓型或溝道型。
采用層壓型電容器的半導(dǎo)體制造商已經(jīng)研究出了生產(chǎn)在有限區(qū)域內(nèi)具有更高容量的電容器的方法，來滿足半導(dǎo)體用戶的不同需求。本項(xiàng)研究是由產(chǎn)生緊縮關(guān)鍵尺寸(CD)的存儲(chǔ)單元的高集成密度驅(qū)動(dòng)的，從而降低了容量。然而，為了在調(diào)節(jié)值范圍內(nèi)保證更新工作周期，就需要在有限區(qū)域內(nèi)增加容量。
隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器集成度的逐漸增加，通常由作為下電極節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和作為上電極的平面節(jié)點(diǎn)組成的電容器的圖案尺寸在逐漸減小。從而，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最低關(guān)鍵尺寸(CD)就變得很小以致不能在制造過程中保持原來的圖案，換句話說，由于傾斜現(xiàn)象(leaning phenomenon)使存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)破裂。
為了防止傾斜現(xiàn)象，傳統(tǒng)方法包括在直線結(jié)構(gòu)中形成的下層結(jié)構(gòu)上形成直線型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最低CD或者降低存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度。然而，利用前者難以在首先確定了設(shè)計(jì)規(guī)則時(shí)增加最低CD，而利用后者難以獲得所需的容量。
作為在有限區(qū)域內(nèi)提供更大的最低CD并且減少傾斜現(xiàn)象的發(fā)生的先進(jìn)方法，近來對(duì)上述第一種方法進(jìn)行了改進(jìn)。在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)形成過程中，在與已有直線結(jié)構(gòu)相比偏移一個(gè)角度的對(duì)角方向形成活性區(qū)、柵極、位線觸點(diǎn)、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)或內(nèi)埋觸點(diǎn)以及位線圖案。從而，形成正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。與現(xiàn)有直線型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相比，這種改進(jìn)的方法增加了存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最低CD，并且在此領(lǐng)域中稱為對(duì)角結(jié)構(gòu)。然而，雖然對(duì)角結(jié)構(gòu)可以增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的CD來保證穩(wěn)定性，但是存在包含于形成與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)適當(dāng)連接的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)中的嚴(yán)重復(fù)雜性。
為了用對(duì)角結(jié)構(gòu)解決該問題，提出了形成融合直線結(jié)構(gòu)和對(duì)角結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)的正方型存儲(chǔ)電極的另一種方法。在此方法中，由已有直線結(jié)構(gòu)形成活性區(qū)、柵極、位線、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)等。然后，在其整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成緩沖層，并且在緩沖層上形成墊式觸點(diǎn)，以使正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和在直線結(jié)構(gòu)中形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)相連。在制造正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中，已知正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最低CD約為基于直線結(jié)構(gòu)的直線型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的兩倍。
下面將參照?qǐng)D1至6對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電連接用觸點(diǎn)形成方法進(jìn)行說明，以僅提供對(duì)隨后將要說明的本發(fā)明的完全理解。
圖1是顯示在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，正方型電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和與該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接的觸點(diǎn)之間的布置關(guān)系的俯視圖。圖2至6是顯示制造與參照?qǐng)D1的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接用觸點(diǎn)的順序流程的剖視圖。
首先參照?qǐng)D1，在第一方向上形成作為多個(gè)存取晶體管的柵極六條字線堆棧8，并且在垂直于第一方向的方向上形成與存取晶體管的漏極相連的四條位線堆棧20。電容器的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)32沿對(duì)角方向延伸至位線堆棧20和字線堆棧8，來形成近長方形(oblong)結(jié)構(gòu)。因此，如由交叉線區(qū)域所示，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)22與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊12重疊。由前述直線結(jié)構(gòu)形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)22和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊12，以及其下部結(jié)構(gòu)。此外，通過緩沖層形成的墊式觸點(diǎn)26與形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)22的區(qū)域部分重疊。同時(shí)，序號(hào)15表示用于連接一條位線與漏極位線觸點(diǎn)，序號(hào)14表示位線接觸墊。圖2至6是沿圖1中所示的直線A-A’和B-B’的剖視圖。
在圖2至6左側(cè)，沿圖1的A-A’剖切線的剖視圖，即沿與存取晶體管的柵極相連的字線方向，每個(gè)均由順序流程來顯示。在圖2至6右側(cè)，沿圖1的B-B’剖切線的剖視圖，即沿與存取晶體管的漏極相連的字線方向，由順序流程來顯示。
圖2顯示了在基于位線上電容器(COB)(capacitor over bit line)結(jié)構(gòu)的DRAM中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)前的結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體基板2的預(yù)定區(qū)域上形成器件分隔層4來界定許多活性區(qū)(或稱有源區(qū))。在活性區(qū)上形成柵極氧化層8a。在其上形成許多橫穿活性區(qū)的平行字線堆棧8。字線堆棧8包含依次層積的字線8b和覆蓋層8c。利用字線堆棧8和器件分隔層4作離子注入掩膜向活性區(qū)注入雜質(zhì)離子，以形成雜質(zhì)區(qū)6s、6d。在一對(duì)橫穿各自活性區(qū)的字線堆棧8之間的活性雜質(zhì)區(qū)6d與DRAM單元晶體管的公共漏極區(qū)相關(guān)。此外在每個(gè)公共漏極區(qū)6d兩側(cè)形成的雜質(zhì)區(qū)6s與DRAM單元晶體管的源極區(qū)相關(guān)。在柵極氧化層8a和字線堆棧8的側(cè)壁上形成字線間隔8d。在包含字線間隔8d的半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面上形成第一絕緣層10。部分蝕刻第一絕緣層10來形成與公共漏極區(qū)6d相連的位線接觸墊14和與源極區(qū)6s相連的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊12。然后，在包含位線接觸墊14和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊13半導(dǎo)體基板一個(gè)表面上形成第二絕緣層16。圖案化第二絕緣層16以形成位線觸點(diǎn)15。然后，形成許多位線堆棧20，該位線堆棧20與位線觸點(diǎn)15相連并且在其側(cè)壁上具有一個(gè)間隔20d。位線堆棧20是橫穿字線堆棧8形成的。位線堆棧20包括依次層積的位線20b和位線覆蓋層20c。每個(gè)位線20b通過位線觸點(diǎn)15與位線接觸墊14電連接。位線間隔20d形成于位線20b和覆蓋層20c的側(cè)壁上。第三絕緣層18是按等于位線覆蓋層20c的上部的高度，在包含位線堆棧20和位線間隔20d的半導(dǎo)體基板2的整個(gè)一個(gè)表面上形成的。
如圖3中所示，通過通常的方法連續(xù)圖案化第三絕緣層18和第二絕緣側(cè)16來形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)22，以使得與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊12相連。從而，活性區(qū)6s、6d，位線接觸墊14，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊13，位線堆棧20，字線堆棧8和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊12等組成直線下層結(jié)構(gòu)。
如圖4中所示，在具有已形成了的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)24的半導(dǎo)體基板2上形成緩沖層24。用PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)材料來形成緩沖層24。
參照?qǐng)D5，在具有緩沖層24的半導(dǎo)體基板2上形成用于與節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)22連接的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和墊式觸點(diǎn)26。經(jīng)由通過光刻流程在緩沖層24上形成開孔；用導(dǎo)電材料沉積該開孔；然后使其平整的流程來形成墊式觸點(diǎn)26。
參照?qǐng)D6，在具有墊式觸點(diǎn)26的半導(dǎo)體基板2上依次形成蝕刻截止層28和模制氧化層(molding oxide layer)30，隨后，在模制氧化層30上形成蝕刻掩模圖案。形成一個(gè)開口部分以部分暴露通過蝕刻流程與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連的墊式觸點(diǎn)26的上部。在包括開口部分的半導(dǎo)體基板的整個(gè)一個(gè)表面上進(jìn)行CVD(化學(xué)氣相沉積)流程，從而用多晶硅制成導(dǎo)電層。通過平整流程等將保留在模制氧化層上的導(dǎo)電層去除，從而形成正方型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)32。每個(gè)正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)32a至32e顯示圖1中所示的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的截面。
在上述傳統(tǒng)流程中，為了在基于直線下層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板上形成正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)后形成用緩沖層的觸點(diǎn)。從而，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)和用緩沖層的觸點(diǎn)，即兩個(gè)觸點(diǎn)，形成于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊和從其上部相連的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之間。換句話說，需要用于形成用緩沖層連接正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和直線結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的墊式觸點(diǎn)的附加流程。
此外，觸點(diǎn)形成流程應(yīng)該伴隨著臨界光刻流程，從而流程范圍就很緊并且整個(gè)制造過程就相對(duì)復(fù)雜和困難。
本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的這些和其他缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法和所得到的結(jié)構(gòu)，其減少了形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件所需的流程數(shù)量。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法以及所得到的結(jié)構(gòu)，其中所得到的結(jié)構(gòu)可以在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的過程中防止存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)破裂。本發(fā)明的其他實(shí)施例提供了一種在形成正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的方法，該方法可以提高流程的穩(wěn)定性并且降低半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造成本。本發(fā)明的實(shí)施例也可以為存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)提供一種用存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來增加接觸面積的結(jié)構(gòu)。


參照附圖，本發(fā)明示例性實(shí)施例的上述和其他特征將變得更加明顯。
圖1是顯示根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連的觸點(diǎn)之間的布置關(guān)系的俯視圖。
圖2至5是顯示根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)在形成與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連的觸點(diǎn)中順序流程的剖視圖。
圖6是顯示與通過圖2至5的流程形成的觸點(diǎn)接觸的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的剖視圖。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)之間布置關(guān)系的俯視圖。
圖8和圖10至15是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示意性實(shí)施例的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的順序制造流程的剖視圖。
圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示意性實(shí)施例形成直線型掩模圖案來形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的布局圖。
圖16是顯示與圖15的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)接觸的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的剖視圖。
圖17至21是顯示根據(jù)本發(fā)明的示意性實(shí)施例的形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)中順序流程的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，下面將參照?qǐng)D7至21對(duì)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法和所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解本發(fā)明可以用許多方式來實(shí)行而不局限于下述實(shí)施例。下面各種實(shí)施例自然是示例性的。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例在正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)之間布置關(guān)系的放大俯視圖，而圖9是顯示直線型掩模圖案的放大俯視圖。圖8和圖10至15是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示意性實(shí)施例在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)中順序流程的剖視圖。圖17至21是顯示在圖10的流程后執(zhí)行的順序流程的剖視圖。圖16是在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)后進(jìn)行的一個(gè)流程中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的剖視圖。
首先參照?qǐng)D7，字線堆棧108是垂直顯示的并且作為許多存取晶體管的柵極而形成的。此外，四條位線堆棧120是水平顯示的并且與存取晶體管的漏極相連。電容器的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132在與位線堆棧120和字線堆棧108呈對(duì)角的方向形成近長方形(ablong)結(jié)構(gòu)。因此，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)112部分重疊，在柵極長度方向上延伸至很長。正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132的下部與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122的上部接觸。按照直線結(jié)構(gòu)形成字線堆棧108的下層結(jié)構(gòu)、位線堆棧120以及存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112等。位線觸點(diǎn)115用于連接位線和位線接觸墊114。
圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例俯視圖，并且在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的其他俯視圖中，只改變了圖7中所示的用來表示存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的序號(hào)，而其他的保持不變。
圖8和圖10至16是顯示沿圖7中直線C-C’和D-D’剖開的本發(fā)明的一個(gè)示意性實(shí)施例的三維結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖17至21顯示本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例。
圖8和圖10的左邊是顯示沿圖7的C-C’方向或者在字線方向上的順序流程的剖視圖。圖8和圖10至21的右邊是顯示沿圖7的D-D’方向或者在位線方向上順序流程的剖視圖。
圖8顯示了在位線上電容器(COB)結(jié)構(gòu)的DRAM中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)前的結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體極板102的預(yù)定區(qū)域上形成器件分隔層104以界定許多活性區(qū)。在活性區(qū)上形成柵極氧化層108a。其上依次形成導(dǎo)電層108b和字線覆蓋層108c。導(dǎo)電層108b由多晶硅層或多晶硅化金屬層形成。字線覆蓋層108c優(yōu)選為由氮化硅層制成。連續(xù)圖案化字線覆蓋層108c和導(dǎo)電層108b來形成多個(gè)橫穿活性區(qū)的平行字線堆棧108。字線堆棧包含依次層積的導(dǎo)電層108b和字線覆蓋層108c。通過用字線堆棧108和器件分隔層104作離子注入掩模向活性區(qū)注入雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)區(qū)106s、106d。在橫穿每個(gè)活性區(qū)的一對(duì)字線堆棧108之間的活性雜質(zhì)區(qū)106d與DRAM單元晶體管的公共漏極區(qū)相關(guān)。
此外，在公共漏極區(qū)106d的兩側(cè)形成的雜質(zhì)區(qū)106s與DRAM單元晶體管的源極區(qū)相關(guān)。通過傳統(tǒng)方法在柵極氧化層108a和字線堆棧108的側(cè)壁上形成字線間隔108d。字線間隔108d優(yōu)選為由與字線覆蓋層108c相同的材料層制成。在具有字線間隔108d的半導(dǎo)體極板102的一個(gè)表面上形成第一絕緣層110。部分蝕刻第一絕緣層110來形成與公共漏極區(qū)106d相連的位線襯墊114和與源極區(qū)106s相連的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112。然后在包含位線襯墊114和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112的半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面上形成第二絕緣層116。圖案化第二絕緣層116來形成位線觸點(diǎn)115(參見圖7)。形成與位線觸點(diǎn)115相連的許多位線堆棧120。位線堆棧120是橫穿字線堆棧108形成的。位線堆棧120是由依次層積的位線120b和位線覆蓋層120c形成的。優(yōu)選地，位線120b可以由諸如鎢層或者多晶硅化鎢層的導(dǎo)電層形成，并且位線覆蓋層120c由氮化硅層形成。位線120b通過位線觸點(diǎn)115(參見圖7)與位線襯墊114電連接。可以增加在位線堆棧120的側(cè)壁上形成位線間隔(未顯示)的流程。位線間隔是由與位線覆蓋層120c相同的材料形成的。
如圖8中所示，在形成了位線堆棧的半導(dǎo)體基板102上，平整層間絕緣層的上部以與位線覆蓋層120c的上部高度一致。
層間絕緣層118可以通過在半導(dǎo)體基板102沉積絕緣材料然后對(duì)其進(jìn)行平整流程來形成，并且優(yōu)選為用與位線覆蓋層120c相比具有高蝕刻選擇比的材料形成。此外，層間絕緣層118由氧化硅層形成。層間絕緣層可以由單種材料層或多種材料層形成。
參照?qǐng)D9，在具有層間絕緣層118的半導(dǎo)體基板102上形成線型掩模圖案123。
線型掩模圖案123形成于垂直位線堆棧120的方向上，并且不包含圖7的線C-C’。從而，在圖10中掩模圖案120沒有顯示在字線方向(左側(cè))上的剖視圖中，而顯示在位線方向(右側(cè))上的剖視圖中。
掩模圖案123優(yōu)選為通過選擇性使用多晶硅層、氮化硅層、用作光刻膠的材料或者任意與層間絕緣層118的層材料相比具有低的蝕刻選擇比的材料中的任意一種來形成。掩模圖案123也可以形成為100至5000的厚度。
參照?qǐng)D10，利用掩模圖案123，各向同性地蝕刻層間絕緣層118以形成開口部分122c。
如圖10所示，掩模圖案123沒有顯示在該圖右側(cè)(位線方向)，但是掩模圖案123顯示在該圖左側(cè)(字線方向)。由于位線覆蓋層120c與層間絕緣層118相比具有低的蝕刻選擇比，所以即使沒有掩模圖案123，也只選擇性地蝕刻層間絕緣層118以形成開口部分112c。
開口部分122c是通過諸如濕法蝕刻、干法蝕刻和用等離子蝕刻的傳統(tǒng)蝕刻方法中的任意一種方法在柵極縱向上延伸而形成的。
開口部分122c可以通過利用掩模圖案123在100至8000范圍內(nèi)各向異性地蝕刻層間絕緣層118，然后通過在10至1000范圍內(nèi)各向同性地蝕刻其蝕刻部分來形成。
如圖11所示，間隔材料層121a優(yōu)選為用與層間絕緣層118的層材料相比具有低蝕刻選擇比的材料形成。例如，間隔材料層121a可以由從氮化硅層、氮氧化硅層和多晶硅層中選擇出來的一層來形成。間隔材料層121a的厚度優(yōu)選為在10至800范圍內(nèi)形成。
參照?qǐng)D12，間隔121是在掩模圖案的側(cè)壁上形成的，也在除與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112重疊區(qū)域之外的開口部分122c的內(nèi)部形成的。
間隔121是通過在形成了開口部分122c和掩模圖案123的半導(dǎo)體基板102的一個(gè)表面上形成間隔材料層121a，然后進(jìn)行各向異性蝕刻來形成的，其中僅有在開口部分122c的下部與存儲(chǔ)接觸墊112重疊的間隔材料層121a通過各向異性蝕刻由使用掩模圖案123去除。從而，在形成間隔121的過程中，也形成了位線間隔。
參照?qǐng)D13，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔122d形成為具有T形并且從開口部分122c的上部與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112相連。
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔122d是通過各向異性地蝕刻沒有間隔121的部分直至暴露存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112而形成的。
參照?qǐng)D14，用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122的導(dǎo)電材料層122a是在具有存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔122d的半導(dǎo)體基板102的一個(gè)表面上形成的。
優(yōu)選為用多晶硅材料來形成導(dǎo)電材料層，但是也可以用其他導(dǎo)電材料。
參照?qǐng)D15，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122是在具有導(dǎo)電層料層122a的半導(dǎo)體基板102上進(jìn)行平整流程后形成的。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122形成為與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112的上部接觸，并且其上部區(qū)域在單元晶體管的長度方向上延伸以形成大于其下部區(qū)域尺寸的結(jié)構(gòu)。
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122是由通過用字線覆蓋層120c作平整截止層來執(zhí)行平整流程而形成的，并且也去除了掩模圖案123。主要通過化學(xué)和機(jī)械拋光(CMP)流程或者通過回蝕(etch back)流程來執(zhí)行平整流程。
隨后，根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例將對(duì)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的形成方法和結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在另一實(shí)施例中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的形成過程中，直至并包括形成開口部分(圖10的122c)的流程與為上面示例性實(shí)施例提供的說明相同，從而將省略重復(fù)說明。將參照?qǐng)D17至21對(duì)在形成開口部分(圖10的122c)后的后續(xù)流程進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D17，在形成開口部分(圖10的122c)后，對(duì)與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112接觸的、作為開口部件122c的下部的部分進(jìn)行各向異性蝕刻，以通過用掩模圖案123作蝕刻掩模來暴露存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112。形成從開口部分122c的上部連接到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112的T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔222d。這種各向異性蝕刻是通過干法蝕刻或者用等離子蝕刻方法等來進(jìn)行的。
參照?qǐng)D18，間隔材料層221a是在具有所形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔222d內(nèi)部的半導(dǎo)體基板一個(gè)表面上形成的。間隔材料層221a是用與層間絕緣層118的層材料相比具有低蝕刻選擇比的材料形成。從而，間隔材料層221a可以由從氮化硅層、氮氧化硅層和多晶硅層中選擇出來的任意一種材料來形成。間隔材料層221a厚度可以在10至800范圍內(nèi)形成。
參照?qǐng)D19，通過去除利用掩模圖案123作為掩模在掩模圖案123和被暴露的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部形成的間隔材料層221a，在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔222d的側(cè)壁上形成間隔221。間隔材料層211a的去除流程可以通過諸如干法蝕刻等的各向異性蝕刻流程來進(jìn)行。整體效果為位線間隔與間隔221同時(shí)形成。
圖20中，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)導(dǎo)電材料層222a是在具有存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔222d的半導(dǎo)體基板102的一個(gè)表面上形成的。導(dǎo)電材料層222a可以最好由多晶硅形成，或者由其他導(dǎo)電材料形成。
圖21中，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)222是通過諸如CMP流程或者回蝕流程的平整流程在具有導(dǎo)電材料層222a的半導(dǎo)體基板102上形成的。平整流程是通過將位線覆蓋層作為平整截止層來進(jìn)行的，并且在此平整流程中同時(shí)去除掩模圖案123。
通過上述流程，與正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電連接的T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)222是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例形成的。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)222形成為與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊112的上部接觸，并且其上部區(qū)域在單元晶體管的長度方向上延伸以形成大于其下部區(qū)域尺寸的結(jié)構(gòu)。
在隨后的流程中，與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部電連接的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(圖15的122，圖21的222)可以通過本發(fā)明的該示例性實(shí)施例來形成。
圖16是顯示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例在通過后續(xù)流程形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)上形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的剖視圖。圖16中，雖然存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)由本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖15的122)上部形成，但是存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)也可以由本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖21的222)上部形成。
參照?qǐng)D16，在后續(xù)流程中，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132是按以下方式在具有存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122的半導(dǎo)體基板102上形成的，這種方式為通過緩沖層124形成的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132的下部、蝕刻截止層128和模制氧化層130與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122的上部部分接觸。
因此，與傳統(tǒng)方法相比，緩沖層124用于充分減少以下現(xiàn)象在緩沖層124下形成的位線堆棧120和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122等受蝕刻模制氧化層130的一部分的流程和去除蝕刻截止層128的一部分的流程的影響。從而可以形成緩沖層124或者不形成緩沖層124。
正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132是通過以下順序流程而形成的在具有存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖15的122，圖21的222)的半導(dǎo)體基板102上形成蝕刻截止層128和模制氧化層130，蝕刻模制氧化層130的一部分以與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122部分重疊并且暴露蝕刻截止層128，從而去除被暴露的蝕刻截止層128并暴露存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)122的一部分，然后形成在其上將要形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132的一部分。隨后，正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132是通過用導(dǎo)電層來填充存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)形成部分并隨后對(duì)其進(jìn)行平整來形成的。方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)132a至132e表示圖7中所示的方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的截面。
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)可以廣泛地應(yīng)用于在DRAM單元中使用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)布局。與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)相連的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)也可以形成箱型、圓筒型、如立方堆棧結(jié)構(gòu)的半球(HSM)型或其他若干種形式。
如上所述，為與正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連而形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)提供了至少下列不同于傳統(tǒng)技術(shù)中觸點(diǎn)形成方法和結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。
例如，在傳統(tǒng)技術(shù)中，在形成直線結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)后，需要為與正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連而通過在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)上使用緩沖層來形成一個(gè)觸點(diǎn)的流程。從而，傳統(tǒng)技術(shù)需要精密的光刻流程。同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成在柵極長度方向上延伸的T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)并直接與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相連，從而就不須通過利用緩沖層來形成墊式觸點(diǎn)。也就是說，不需要精密的光刻流程，而該流程在傳統(tǒng)技術(shù)中利用緩沖層形成觸點(diǎn)中是必不可少的。此外，在平整流程中去除掩模圖案以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)，從而省去了掩模圖案去除流程。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例就減少了所需流程的數(shù)量。
同樣，正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下表面與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部相接觸，這就增加了存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最低關(guān)鍵尺寸。因此，就充分減少了傾斜現(xiàn)象。
此外，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部具有與T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部充分的接觸范圍。因此，提高了流程的穩(wěn)定性，降低了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造成本并且增加了電連接接觸區(qū)域。
實(shí)踐本發(fā)明的方式有很多種。下列是對(duì)本發(fā)明的一些實(shí)施例的示例性、非限制性說明。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的方法包括準(zhǔn)備包括至少一個(gè)通過絕緣層與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)接觸的接觸墊的半導(dǎo)體基板。為了用后面流程中形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)與接觸墊進(jìn)行電連接，該方法還包括形成T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)由與接觸墊的上部接觸的下部區(qū)域和沿存儲(chǔ)單元晶體管的柵極長度方向延伸并且形成尺寸大于下部區(qū)域的上部區(qū)域組成。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的方法包括在半導(dǎo)體基板上形成上部高度與位線覆蓋層上部高度相同并且其上部被平整過的層間絕緣層，然后垂直于位線在覆蓋層和層間絕緣層的上部形成直線型掩模圖案，其中半導(dǎo)體基板至少包含一個(gè)通過絕緣層與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)接觸的接觸墊并且具有帶覆蓋層的位線布局。這種方法包括通過利用掩模圖案選擇性地且各向同性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的層間絕緣層的一部分，來在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極方向上形成被延伸至確定部分的開口部分。這種方法包括在除與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的部分之外、掩模的側(cè)壁上且在開口部分內(nèi)形成間隔，然后通過利用間隔和掩模圖案來部分蝕刻沒有形成間隔的開口部分下部，從而形成從開口部分的上部連到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的上部的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔。這種方法也包括用導(dǎo)電材料填充存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成T型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的方法包括在半導(dǎo)體基板上形成上部高度與位線覆蓋層上部高度相同并且其上部被平整過的層間絕緣層，然后垂直于位線在覆蓋層和層間絕緣層的上部形成直線型掩模圖案。這種方法包括，通過利用掩模圖案按確定深度選擇性地且各向同性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的層間絕緣層的一部分，以在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極方向上形成被延伸至確定部分的開口部分。這種方法包括通過用掩模圖案作蝕刻圖案各向異性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的開口部分的下部，以暴露存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊，并從而形成從開口部分上部連到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)上部的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔。這種方法也包括在除存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的暴露部分之外、掩模圖案的側(cè)壁上且在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔內(nèi)形成間隔，并用導(dǎo)電材料填充具有間隔布局的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔，以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，位線間隔可以在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)之前形成。這些實(shí)施例還可以包括在各向同性地蝕刻層間絕緣層的一部分前，按確定的深度各向異性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)重疊的層間絕緣層的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)中，其中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)在具有至少一個(gè)通過絕緣層與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)接觸的接觸墊的半導(dǎo)體基板上，與構(gòu)成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部接觸并且與接觸墊的上部接觸，以電連接存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)與接觸墊該結(jié)構(gòu)包括與接觸墊的上部接觸并且基于確定厚度的導(dǎo)電下部區(qū)域；以及導(dǎo)電上部區(qū)域，該區(qū)域在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極長度方向上延伸以具有大于導(dǎo)電下部區(qū)域的尺寸并且具有通過從接觸形成距離中減去導(dǎo)電下部區(qū)域厚度而得到的厚度，從而形成整體T形結(jié)構(gòu)，其中接觸形成距離是從存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部到接觸墊的上部的距離。
由上述實(shí)施例形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)可以用作連接在半導(dǎo)體基板上形成的正方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和活性區(qū)的觸點(diǎn)。
通過利用本發(fā)明的實(shí)施例，省去了通過緩沖層形成板式觸點(diǎn)的傳統(tǒng)流程，改善了工藝流程裕度，并減少了整個(gè)制造流程的數(shù)量。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯在不偏離本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)對(duì)上述實(shí)施例可以進(jìn)行改進(jìn)和變形。例如，可以改變存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的形狀或者層材料的組成。同樣，可以省去或者增加等同的制造流程。從而，本發(fā)明的實(shí)施例涵蓋本發(fā)明的任意此類改進(jìn)和變形，只要它們落入所附權(quán)利要求及其同等結(jié)構(gòu)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的方法，包括準(zhǔn)備一半導(dǎo)體基板，其包括至少一個(gè)通過絕緣層與存儲(chǔ)單元晶體管的有源區(qū)接觸的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊；以及形成一T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)，所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)包括與該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的上部接觸的下部區(qū)域，和在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極長度方向上延伸并且大于該下部區(qū)域的上部區(qū)域，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)配置為將該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊與一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括形成一位線覆蓋層，并且一位線位于半導(dǎo)體基板的上部。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)包括在半導(dǎo)體基板上形成具有與該位線覆蓋層的上部高度基本相同的上部高度并且具有平整過的上部的一層間絕緣層，然后垂直于該位線在該位線覆蓋層和該層間絕緣層的上部形成一線型掩模圖案；利用該線型掩模圖案，選擇性地并且各向同性地蝕刻與該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的該層間絕緣層的部分以形成在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極方向上延伸的一開口部分；在除與該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的部分之外，在該線型掩模圖案的側(cè)壁且該開口部分內(nèi)形成一間隔，然后利用該間隔和該線型掩模圖案來蝕刻沒有間隔結(jié)構(gòu)的開口部分的下部，從而形成從該開口部分上部連到該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊上部的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔；以及用導(dǎo)電材料填充該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔以形成該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)包括形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部以與一方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電接觸。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成線型掩模圖案包括除與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的部分在字線方向上兩兩相連之處的部分之外，在半導(dǎo)體基板的整個(gè)表面上形成線型掩模圖案。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)包括在半導(dǎo)體基板上形成具有與位線覆蓋層的上部高度基本相同的上部高度并且具有平整過的上部的層間絕緣層，然后垂直于位線在位線覆蓋層和層間絕緣層的上部形成線型掩模圖案；用線型掩模圖案作為蝕刻掩模，按確定的深度，選擇性地并且各向同性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的層間絕緣層的部分以形成在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極方向上延伸的開口部分；利用線型掩模圖案作為蝕刻掩模，各向異性地蝕刻與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊的開口部分的下部以暴露存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊，并從而形成從開口部分的上部連到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部的一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔；在除存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的暴露部分之外，在掩模圖案的側(cè)壁且存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔內(nèi)形成一間隔；以及用導(dǎo)電材料填充存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)還包括形成與一方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電接觸的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)的上部。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中線型掩模圖案的形成包括除與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊重疊線型掩模圖案的部分在字線方向上兩兩相連之處的半導(dǎo)體基板的部分之外，在半導(dǎo)體基板的表面上形成線型掩模圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在形成層間絕緣層之前在位線堆棧的側(cè)壁上形成位線間隔。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成位線間隔包括用與位線覆蓋層相同的材料形成位線間隔。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成層間絕緣層包括用與掩模圖案和位線覆蓋層相比具有更高蝕刻選擇比的層材料形成層間絕緣層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成層間絕緣層還包括用氧化硅材料形成層間絕緣層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成線型掩模圖案包括用從包含多晶硅和氮化硅的一組材料中選擇出的材料來形成線型掩模圖案。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成線型掩模圖案還包括形成厚度約為100至5000的線型掩模圖案。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括，在各向同性地蝕刻層間絕緣層的部分前，利用線型掩模圖案，將與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)重疊的層間絕緣層的部分各向異性地蝕刻到確定深度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中各向異性地將層間絕緣層的部分蝕刻到確定深度包括蝕刻到約為100至8000的深度。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中各向同性地將層間絕緣層的部分蝕刻到確定深度包括在約10至1000的范圍內(nèi)蝕刻。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中各向同性蝕刻包括用從濕法蝕刻、干法蝕刻和等離子蝕刻的一組中選擇出的一種流程來進(jìn)行蝕刻。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成間隔還包括在包含掩模圖案的半導(dǎo)體基板的整個(gè)一個(gè)表面上形成間隔材料層，然后用掩模圖案作為掩模來各向異性蝕刻間隔材料層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中形成間隔材料層包括形成與層間絕緣層相比具有更低蝕刻選擇比的層材料。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中材料層的形成包括形成從包含氮化硅層、氮氧化硅層和多晶硅層的一組中選擇出來的一層。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中形成間隔還包括形成厚度在10至800范圍內(nèi)的間隔。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)還包括形成多晶硅材料的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)還包括在半導(dǎo)體基板的表面上形成導(dǎo)電材料層以填充存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔；以及執(zhí)行平整流程以暴露位線覆蓋層。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中平整流程的執(zhí)行包括執(zhí)行從包含化學(xué)機(jī)械拋光和回蝕流程的一組中選擇出來的一個(gè)流程。
26.如權(quán)利要求24所述的方法，其中平整流程的執(zhí)行還包括同步去除掩模圖案。
27.一種存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括與一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊接觸并且具有第一厚度的一導(dǎo)電下部區(qū)域；以及與一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部接觸的一導(dǎo)電上部區(qū)域，該導(dǎo)電上部區(qū)域在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極長度方向上與該導(dǎo)電下部區(qū)域相比有更大程度的延伸，并且具有第二厚度，第二厚度和第一厚度基本等于該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部和該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的上部之間的距離。
28.如權(quán)利要求27所述的結(jié)構(gòu)，其中具有存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的半導(dǎo)體基板具有直線結(jié)構(gòu)。
29.如權(quán)利要求27所述的結(jié)構(gòu)，其中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
30.一種存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括具有第一厚度和第一寬度的一導(dǎo)電下部區(qū)域；具有第二厚度和第二寬度的一導(dǎo)電上部區(qū)域，第二寬度大于第一寬度。
31.如權(quán)利要求30所述的結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下部區(qū)域與一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的上部接觸，其中該導(dǎo)電上部區(qū)域與一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的下部接觸。
32.如權(quán)利要求31所述的結(jié)構(gòu)，其中該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸墊的上部和該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)下部之間的距離基本等于第一厚度加上第二厚度，其中第一寬度和第二寬度在存儲(chǔ)單元晶體管的柵極長度方向上延伸。
33.如權(quán)利要求32所述的結(jié)構(gòu)，其中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括方型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法和用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的結(jié)構(gòu)。該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)形成方法和結(jié)構(gòu)減少了傳統(tǒng)技術(shù)所需的流程的數(shù)量并且提高了存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵尺寸以防止傾斜現(xiàn)象并降低半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制造成本。該方法包括一塊包含至少一個(gè)通過絕緣層與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)接觸的接觸墊的半導(dǎo)體基板。為了電連接接觸墊和將要在后面流程中形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，該方法還包括形成T形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)是由與接觸墊上部接觸的下部區(qū)域和在存儲(chǔ)單元晶體管柵極長度方向延伸并且形成大于下部區(qū)域的尺寸的上部區(qū)域組成的。
文檔編號(hào)H01L27/108GK1577805SQ200410062849
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月27日
發(fā)明者樸濟(jì)民, 黃有商, 尹喆柱 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社