專利名稱：表面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及表面處理方法。
背景技術(shù)：
近年來，通常，通過利用光刻技術(shù)等執(zhí)行的工藝制造半導(dǎo)體裝置、石英振蕩器等，換言之，普遍采用所謂的顯微機(jī)械加工技術(shù)。通過采用顯微機(jī)械加工技術(shù)，可能直接處理基片。例如，在基片的一個(gè)表面經(jīng)受處理后，該基片的厚度減小，或通過使與處理過的表面相對(duì)的該基片的另一表面經(jīng)受蝕刻等。
在基片的一個(gè)表面被處理的情形下(即在基片的一個(gè)表面經(jīng)受蝕刻的情形下)，有必要保護(hù)處理過的另一表面(以下稱之為“處理過的表面”)免受蝕刻劑影響。根據(jù)這種觀點(diǎn)，已經(jīng)研制了能僅使與處理過的表面相對(duì)的表面(以下稱之為“待蝕刻的表面”)經(jīng)受蝕刻同時(shí)保護(hù)處理過的表面的蝕刻設(shè)備(例如，參看日本專利公開No.Hei.7-111257)。在日本專利公開No.Hei.7-111257中披露的蝕刻設(shè)備包括支撐夾具和與支撐夾具可分開地連接的按壓夾具。當(dāng)使用放置在支撐夾具上的基片使按壓夾具與支撐夾具相連時(shí)，按壓夾具按壓基片的周緣部分。以此方式，基片被緊固到蝕刻設(shè)備上。
而且，蝕刻設(shè)備具有設(shè)置在預(yù)定位置處的O形環(huán)。當(dāng)基片緊固到蝕刻設(shè)備時(shí)，O形環(huán)與基片待蝕刻的表面緊密接觸。這使得可能防止蝕刻劑接觸基片的處理過的表面。因此，即使當(dāng)基片緊固到其上的蝕刻設(shè)備浸在蝕刻劑中時(shí)，也僅有待蝕刻的表面經(jīng)受蝕刻。
然而，在使用這樣的蝕刻設(shè)備的情形下，用按壓夾具按壓的待蝕刻的表面的外周緣部分未暴露于蝕刻劑中，從而外周緣部分未被處理。
結(jié)果，在已與按壓夾具接觸的部分(即未處理部分)和未與按壓夾具接觸的部分(即處理過的部分)之間的邊界處在蝕刻過的表面上出現(xiàn)了等級(jí)差別。這種等級(jí)差別導(dǎo)致的問題是，在蝕刻之后的后繼步驟中很難對(duì)于基片的每個(gè)區(qū)域均勻地進(jìn)行各種處理。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種能使基片均勻地經(jīng)受表面處理的表面處理方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明旨在提供一種表面處理方法。所述方法用于采用表面處理裝置來進(jìn)行表面處理。所述基片的一個(gè)表面將進(jìn)行表面處理，當(dāng)對(duì)所述基片的所述一個(gè)表面進(jìn)行表面處理時(shí)另一表面與此表面相對(duì)，所述表面處理裝置包括至少一個(gè)封閉空間，每個(gè)封閉空間分別由表面處理裝置的部分和基片的另一表面限定；以及接觸部分，圍繞所述至少一個(gè)封閉空間，適于與基片另一表面密封地接觸，與封閉空間和基片的另一表面協(xié)作，以產(chǎn)生負(fù)壓，從而基片通過負(fù)壓吸附至所述表面處理裝置，以至少在表面處理過程中保持這種狀態(tài)。所述方法包括第一步驟，其中表面處理裝置和放置其上的基片在處于基片的另一個(gè)表面與表面處理裝置面對(duì)的狀態(tài)被輸送至減壓室的內(nèi)部，以把封閉空間減壓，進(jìn)而在封閉空間產(chǎn)生負(fù)壓；第二步驟，其中通過使用在封閉空間內(nèi)部的負(fù)壓和大氣壓的壓力差，基片處于被吸至表面處理裝置上的狀態(tài)，把表面處理裝置和基片從減壓室的內(nèi)部取出放入大氣壓下的環(huán)境；第三步驟，其中在基片被表面處理裝置吸住的條件下，對(duì)基片的所述一個(gè)表面進(jìn)行表面處理。
這使得基片可能均勻地經(jīng)受表面處理。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選地，在第一步驟中減壓室內(nèi)的壓力是70000Pa或更小。
這使得基片被表面處理裝置通過可靠的抽吸被吸住并固定，同時(shí)可以更可靠地防止基片被損壞。
在本發(fā)明的表面處理的方法中，優(yōu)選地，在大氣壓或更高的壓力下進(jìn)行在第三步驟中的表面處理。
這使得可以容易地在第一步驟中設(shè)定減壓室內(nèi)部壓力，因?yàn)椴恍枰诘谌街性O(shè)定精確的壓力。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在第三步驟之后的第四步驟，帶著基片的表面處理裝置再一次被輸送至減壓室的內(nèi)部，基片通過把減壓室內(nèi)部減壓從表面處理裝置中釋放出來，從而再減壓室內(nèi)的壓力大體上成為等于或低于在第一步驟中減壓室內(nèi)的壓力。
這使得易于將基片從表面處理裝置釋放。
在本發(fā)明的表面處理的方法中，優(yōu)選地，當(dāng)在第一步驟中的減壓室內(nèi)的壓力確定為A(Pa)并且第四步中的減壓室內(nèi)的壓力確定為B(Pa)時(shí)，B/A為1或更小的關(guān)系得到滿足。
這使得易于將基片從表面處理裝置釋放。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選地，在第四步驟中減壓室內(nèi)的壓力是70000Pa或更小。
這使得易于將基片從表面處理裝置釋放。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的表面處理裝置還包括幫助基片與減壓室中的接觸部分分離的分離輔助裝置。
這使得可能可靠地將基片從表面處理裝置釋放。
在本發(fā)明的表面處理方法中，分離輔助裝置優(yōu)選包括接觸件，具有一個(gè)端部，當(dāng)基片與表面處理裝置的接觸部分分開時(shí)，所述端部適于與基片的另一表面接觸；移位裝置，用于使接觸件向接觸件與接觸部分分離的方向移動(dòng)。
根據(jù)所述分離輔助裝置，即使其具有簡單的結(jié)構(gòu)，也可能可靠地將基片從表面處理裝置釋放。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是接觸件具有與其一端部相對(duì)的另一端部，且所述接觸件可繞用作樞軸中心的另一端部作樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
這使得可能簡化移位裝置的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是所述移位裝置由彈簧、具有中空空間(通過使減壓室的內(nèi)部減壓而增加其體積)的彈性件、杠桿和砝碼、和電動(dòng)機(jī)的任一構(gòu)成。
由于所述移位裝置具有非常簡單的結(jié)構(gòu)，所以這使得能夠防止表面處理裝置的部件的數(shù)量增加和表面處理裝置的制造成本的增加。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是所述表面處理裝置還包括在所述基片與所述接觸部分接觸的同時(shí)使得封閉空間與其外部連通的流路，其中在所述第一、第二和第三步驟中流路被密封；并且所述方法還包括第三步驟之后的第四步驟，其中通過打開所述流路將基片從表面處理裝置釋放。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是基片具有一個(gè)或多個(gè)分別向其另一表面張開的凹入部分；并且所述表面處理方法還包括步驟在第一步驟之前，在所述基片的另一表面上提供片狀材料，從而基片的凹入部分能夠被覆蓋。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是基片具有一個(gè)或多個(gè)分別向其另一表面張開的凹入部分；且接觸部分被構(gòu)造成使得能夠在基片接觸所述接觸部分的同時(shí)覆蓋基片的凹入部分。
這使得可能可靠地將具有凹入部分的基片保持(固定)到表面處理裝置上。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是表面處理裝置具有帶有兩個(gè)主表面的平面形狀的結(jié)構(gòu)，并在這兩個(gè)主表面的每個(gè)的側(cè)面上具有凹入部分。
這使得可能減少表面處理所需要的成本，并縮短表面處理所需要的時(shí)間。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是使用處理液進(jìn)行表面處理。
使用本發(fā)明的表面處理方法進(jìn)行表面處理的方法可應(yīng)用于各種類型的表面處理，尤其是，所述方法適合用于使用處理液的表面處理。
在本發(fā)明的表面處理方法中，優(yōu)選的是處理液包括蝕刻劑。
特別地，本發(fā)明的表面處理方法更適用于濕蝕刻。


參看附圖，根據(jù)以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它目標(biāo)、特點(diǎn)、和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯然。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例中的表面處理裝置的橫截面圖；圖2是圖1所示表面處理裝置的平面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例中的表面處理裝置的橫截面圖。
圖4是圖3所示表面處理裝置的平面圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例中的表面處理裝置的橫截面圖。
圖6是圖5所示表面處理裝置的平面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例中的表面處理裝置的橫截面圖。
圖8A和圖8B是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例中的表面處理裝置的部分橫截面圖；圖9A至圖9C是用于說明圖8所示表面處理裝置的使用的部分橫截面圖；圖10A和圖10B是根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例中的表面處理裝置的部分橫截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例中的表面處理裝置的部分(為分離輔助裝置)的透視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例中的表面處理裝置的部分(為分離輔助裝置)的透視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參看附圖中所示的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置。
在本發(fā)明中，待經(jīng)受表面處理的基片包括單獨(dú)的基片和晶圓。在這種基片的一個(gè)表面(以下稱之為“正面”)上，所述表面與待經(jīng)受表面處理的另一表面(以下稱之為“背面”)相對(duì)。可設(shè)置由透明導(dǎo)電薄膜或類似物等制成的半導(dǎo)體元件(有源元件)或布線。根據(jù)本發(fā)明的表面處理方法應(yīng)用于具有這種處理過的正面的基片的背面待經(jīng)受表面處理的情形。以下將以基片背面經(jīng)受濕蝕刻的情形為例進(jìn)行描述。
(第一實(shí)施例)首先，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第一實(shí)施例。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例中的表面處理裝置的橫截面圖。圖2是圖1所示表面處理裝置的平面圖。在以下的描述中，需要指出的是圖1的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
第一實(shí)施例的表面處理裝置1可以基片10通過吸力粘附到其上的方式保持基片10，使得基片10的整個(gè)背面101(為基片10的一個(gè)表面)暴露于外部，包括基片的正面102(為基片10的另一表面)不暴露于外部。
圖1和2所示的表面處理裝置1包括與基片10的正面102接觸的O形環(huán)(為接觸部分)2和支撐O形環(huán)2的主體3。
主體3形成為圓盤形(平盤狀)，并具有基片接觸表面31。當(dāng)從表面處理裝置1的頂部觀看時(shí)基片接觸表面31的尺寸稍大于待被保持(或待被緊固)的基片10的尺寸。而且，主體3具有多個(gè)設(shè)置在周緣部分311的內(nèi)側(cè)上的區(qū)域中的凹入部分32。每個(gè)凹入部分32與基片10的正面102一起形成封閉空間(即，封閉空間由凹入部分32和基片10的正面102限定)。如后來所描述的，封閉空間被減壓，然后表面處理裝置1經(jīng)受大氣壓力，從而凹入部分32內(nèi)的壓力和大氣壓力的差允許基片10通過吸力粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持。
在主體3的周緣部分311中，設(shè)置有環(huán)形槽33。槽33容納O形環(huán)2。O形環(huán)2是在基片10通過吸力粘附到表面處理裝置1上時(shí)具有保持凹入部分的密封的功能的組件。在本實(shí)施例中，通過使得O形環(huán)2和基片10的正面102牢固地粘在一起，凹入部分32被密封。
O形環(huán)2主要由彈性材料制成。這種彈性材料的實(shí)例包括各種橡膠材料，例如天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、聚丁橡膠、丁苯橡膠、硅橡膠等；以及各種熱塑性彈性體，例如聚亞安酯基熱塑性彈性體、聚酯基熱塑性彈性體、聚酰胺基熱塑性彈性體、烯基熱塑性彈性體、和苯乙烯基熱塑性彈性體等。這些彈性材料可單獨(dú)使用或其中兩個(gè)或多個(gè)結(jié)合起來使用。
而且，主體3具有沿其邊緣部分設(shè)置的梯狀部分312。梯狀部分312被形成為高于基片接觸面31，且在基片10放置在基片接觸面31上的預(yù)定位置處時(shí)起定位導(dǎo)向的作用。主體3主要由硬質(zhì)材料制成。如稍后將描述的，由于基片10通過由于凹入部分32內(nèi)的壓力和大氣壓力之差(以下簡稱為“壓力差”)而產(chǎn)生的吸力粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持，所以將硬質(zhì)材料用于主體3使得能適當(dāng)?shù)胤乐贡砻嫣幚硌b置1變形，同時(shí)基片10通過吸力被表面處理裝置1粘附和保持。
這種硬質(zhì)材料的實(shí)例包括各種陶瓷材料，例如各種玻璃、氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、磷酸鈣、氮化硅、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼、石墨和碳化鎢等；以及各種金屬材料，例如鐵、鎳、銅、鈦、以及包含其中的兩個(gè)或多個(gè)的合金等。這些硬質(zhì)材料可單獨(dú)使用或其中兩個(gè)或多個(gè)結(jié)合起來使用。
在它們中，優(yōu)選將各種陶瓷材料用作主體3的組成材料。將各種陶瓷材料用作主體3的組成材料使得能將蝕刻劑(為用于處理的液體)的高機(jī)械強(qiáng)度和高阻抗給予主體3。從提高蝕刻劑的阻抗的觀點(diǎn)來看，舉例來說主體3的表面可涂覆有例如氟基等具有高化學(xué)阻抗的材料。
從表面處理裝置1的頂部看，凹入部分32的總開口面積與基片1的面積之比優(yōu)選在約1/20到3/4的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約1/4到1/2的范圍內(nèi)。通過將比值設(shè)定為上述范圍內(nèi)的值，由于壓力差，基片10有可能通過吸力更可靠地粘到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持。如果凹入部分32的總開口面積太大，則存在主體3的機(jī)械強(qiáng)度極度降低的擔(dān)心，這取決于凹入部分32的深度或主體3的組成材料。
在凹入部分32覆蓋有基片10時(shí)使凹入部分32減壓，然后表面處理裝置1經(jīng)受大氣壓力。結(jié)果，由于壓力差而產(chǎn)生向基片接觸面31按壓基片10的力，從而基片10被壓在基片接觸面31上。以此方式，基片10通過吸力粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持。此時(shí)，O形環(huán)2變形，從而在上下方向上產(chǎn)生斥力。結(jié)果，基片10和O形環(huán)2之間的間隙被密封(即，間隙關(guān)閉)，這使得可能將凹入部分32的內(nèi)部保持在減少的壓力(減壓的)狀態(tài)。
特別地，通過將多個(gè)凹入部分32分散設(shè)置，可能將基片10均勻地緊固到表面處理裝置1。與允許通過將基片保持在夾具之間而將基片緊固的傳統(tǒng)設(shè)備不同，由于表面處理裝置1通過在凹入部分32中產(chǎn)生負(fù)壓而緊固基片10，基片10的整個(gè)背面(為經(jīng)受表面處理的表面)可暴露于外部。
因此，可能使基片10的背面101的每個(gè)區(qū)域均勻地經(jīng)受濕蝕刻。此外，由于基片10的正面102和主體3之間的間隙被O形環(huán)2密封，所以在基片10進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，能夠可靠地保護(hù)基片10的正面102不受蝕刻劑(為處理液)影響。為了利用如上所述的O形環(huán)2密封基片10的正面102和主體3之間的間隙，O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs優(yōu)選設(shè)置為滿足以下條件。首先，O形環(huán)2的斥力F可根據(jù)以下公式(I)確定F/L＝4.58×10-7ε1.8Hs4.0(kg/cm)(I)其中F為斥力(kg)，L是絲徑(即直徑)(cm)，ε為壓縮比，Hs是肖氏硬度。
此處，壓縮比ε是指在O形環(huán)2被壓縮時(shí)O形環(huán)2的壓縮量與O形環(huán)2的絲徑L之比。例如，在絲徑L為1mm的O形環(huán)2被壓縮以使壓縮量稱為0.2mm時(shí)，此時(shí)的壓縮比ε用0.2/1表示。
因此，優(yōu)選的是，O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs被設(shè)置為使得根據(jù)公式(I)確定的斥力F變得比由于壓力差而產(chǎn)生的按壓基片的力要小(以下稱之為“條件A”)。通過設(shè)置O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs以便滿足條件A，O形環(huán)、基片的正面102以及主體3可更牢固地粘在一起，從而由于吸力使基片10能更可靠地粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持。
而且，由O形環(huán)的斥力產(chǎn)生的平均壓力P可根據(jù)以下公式(II)確定P＝F/S(kg/cm2)(II)其中P為平均壓力(kg/cm2)，F(xiàn)為斥力(kg)，且S為從表面處理裝置1的頂部觀看時(shí)槽33的面積(cm2)。
因此，優(yōu)選的是，O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs被設(shè)定為使得根據(jù)公式(II)確定的平均壓力P變得比待在濕蝕刻中使用的蝕刻劑的水壓要大(尤其是，使得平均壓力P變成待在濕蝕刻中使用的蝕刻劑的水壓的約1.5到3.5倍)(以下稱之為“條件B”)。通過將O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs設(shè)定為使得滿足條件B，有可能更可靠地防止O形環(huán)2由于蝕刻劑的水壓而變形，從而防止蝕刻劑侵入凹入部分32。
就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，更優(yōu)選的是，O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs被設(shè)定為使得條件A和條件B均被滿足。通過將O形環(huán)2的絲徑L和肖氏硬度Hs設(shè)定為使得條件A和條件B均被滿足，基片10可能由于吸力更可靠地粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持，以及可能更可靠地防止蝕刻劑侵入凹入部分32。
接下來，將描述使用第一實(shí)施例的表面處理裝置1使基片經(jīng)受表面處理的方法(即第一表面處理方法)。
<1A>減壓步驟(第一步驟)首先，使基片10與圖1和圖2所示的表面處理裝置1接觸，以使基片10的正面102可與O形環(huán)2接觸，且使得基片10可放置在梯狀部分312的內(nèi)側(cè)上。
在基片10的正面102已經(jīng)被處理的情況下，即在布線、半導(dǎo)體元件(有源元件)或類似物等已經(jīng)設(shè)置在基片10的正面102的情況下，在步驟<1A>之前保護(hù)層可在基片10的正面102上形成。通過在基片10的正面102上形成保護(hù)層，可能防止設(shè)置在基片10的正面102上的這種布線或半導(dǎo)體元件在與基片接觸面31接觸(鄰接)時(shí)被損壞。保護(hù)層可通過涂覆抗蝕劑、貼聚合片或類似物等形成(或設(shè)置)。保護(hù)層的平均厚度優(yōu)選在約0.1μm到5μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約0.1μm到2μm的范圍內(nèi)。
接下來，與基片10接觸的表面處理裝置1傳送到真空室(減壓室)的內(nèi)部，然后將真空室減壓。凹入部分32內(nèi)的空氣通過基片10和O形環(huán)2之間的間隙而逐漸泄漏(漏出)，從而凹入部分32內(nèi)的壓力變得與真空室內(nèi)的壓力大致相等。此時(shí)，真空室內(nèi)的壓力優(yōu)選在約30,000到10,000Pa的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約20,000到10,000Pa的范圍內(nèi)。通過將真空室內(nèi)的壓力設(shè)定為上述范圍內(nèi)的值，基片10可能通過吸力粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持，同時(shí)更可靠地防止基片10在下一步驟<2A>中被損壞。
<2A>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置1上并被表面處理裝置1保持(第二步驟)接下來，真空室的減壓終止，且真空室內(nèi)的壓力回到大氣壓力。結(jié)果，在凹入部分32內(nèi)的壓力和外部壓力(即大氣壓力)之間產(chǎn)生壓力差，且在基片10上向基片接觸面31施加壓力，以便將基片10壓在基片接觸面31上(即基片10通過吸力粘附到表面處理裝置1上)，并被表面處理裝置1保持。
此時(shí)，O形環(huán)2向上下的方向壓縮，以便在上下方向上產(chǎn)生斥力。結(jié)果，基片10和O形環(huán)2之間的間隙被密封，這使得可能可靠地使凹入部分32的內(nèi)部保持在減少的壓力(減壓)狀態(tài)。
就此而言，上述步驟可以通過控制在真空室內(nèi)的壓力而進(jìn)行。然而，由于在表面處理裝置1的凹入部分32內(nèi)的減小的壓力依賴于O-形環(huán)2和基片10的前表面102之間的間隙尺寸和O-形環(huán)2和主體3之間的間隙的尺寸，當(dāng)表面處理裝置1被輸送至真空室時(shí)能夠調(diào)節(jié)間隙尺寸的機(jī)構(gòu)可以設(shè)在真空室內(nèi)。
<3A>蝕刻步驟(第三步驟)接下來，將通過吸力保持基片10的表面處理裝置1浸在儲(chǔ)存在槽中的理想蝕刻劑中，以使基片10的背面101經(jīng)受表面處理。待使用的蝕刻劑不限于任何特定的一種蝕刻劑，并根據(jù)目的適當(dāng)選擇。這種蝕刻劑的實(shí)例包括氫氧化鉀水溶液、過氧化氫水溶液、氟化氫銨水溶液、氫氧化鉀水溶液、和TMH(氫氧化四甲基銨)，且它們可單獨(dú)使用或兩個(gè)或多個(gè)結(jié)合起來使用。
在濕蝕刻中，優(yōu)選的是，在使表面處理裝置1轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)使基片10經(jīng)受表面處理。這樣，可能使背面101的每個(gè)區(qū)域均勻地經(jīng)受表面處理。如上所述，本實(shí)施例的表面處理裝置1使得基片1由于壓力差而被保持(緊固)在此處，但是表面處理裝置1不具有使得凹入部分32與外部連通同時(shí)基片10與O形環(huán)2接觸(或同時(shí)基片10牢固地粘附道O形環(huán)2上)的流路。即，在本實(shí)施例中，不必使用于使凹入部分32減壓的吸管與表面處理裝置1相連，從而當(dāng)表面處理裝置1在濕蝕刻進(jìn)行中轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)吸管不可能彼此纏繞在一起。即，表面處理裝置1易于操控。
根據(jù)這種觀點(diǎn)，這種表面處理裝置適于用在使基片經(jīng)受濕蝕刻中。在本實(shí)施例中，應(yīng)當(dāng)指出，由于使用浸在蝕刻劑中的表面處理裝置1使基片10經(jīng)受表面處理以便進(jìn)一步應(yīng)用水壓力，所以進(jìn)行表面處理時(shí)的壓力高于大氣壓力(大氣壓或更高)。執(zhí)行步驟<3A>時(shí)的壓力隨表面處理的類型而變化，但是這種壓力優(yōu)選為大氣壓力或更高。因此，在本實(shí)施例中，由于不必精確設(shè)定執(zhí)行步驟<3A>時(shí)的壓力，所以易于設(shè)定步驟<1A>中的真空室內(nèi)的壓力。
釋放基片的<4A>步驟(第四步驟)接下來，將表面處理裝置1從槽中取出，然后將其再次傳送到真空室(減壓室)。真空室被壓縮，以便真空室內(nèi)的壓力變得大致等于或低于步驟<1A>中的真空室內(nèi)的壓力。這樣，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于外部壓力(即，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于真空室內(nèi)的壓力)。結(jié)果，由于壓力差，在基片10上向基片10與基片接觸面31分開的方向上(即，向圖1的向上的方向)施加壓力，從而基片與基片接觸面31分開。即，基片10從表面處理裝置1釋放(去除)。
此處，當(dāng)步驟<1A>中的真空室內(nèi)的壓力定義為A(Pa)，并將步驟<4A>中的真空室內(nèi)的壓力定義為B(Pa)時(shí)，優(yōu)選的是，滿足B/A等于1或更小的關(guān)系，更優(yōu)選為0.8或更小。如果B/A超出上述范圍，則存在施加在基片10上的壓力很小以至于難以將基片10從表面處理裝置1釋放的擔(dān)心。具體而言，步驟<4A>中的真空室內(nèi)的壓力(即B)優(yōu)選在70,000或更小，更優(yōu)選在約30,000到2,000Pa的范圍內(nèi)。通過將步驟<4A>中的真空室內(nèi)的壓力(即B)設(shè)定為上述范圍內(nèi)的值，可能更可靠地將基片10從表面處理裝置1釋放。
在步驟<4A>中，應(yīng)當(dāng)指出，可將外力施加于基片10，以幫助將基片10從表面處理裝置1分離。施加這種外力的方法的實(shí)例包括使用銷釘(其將稍后在第五到第八實(shí)施例中描述)向基片10與基片接觸面31分離的方向(即向圖1中向上的方向)按壓基片10的外周緣部分(邊緣部分)的方法、其中磁場(chǎng)被實(shí)現(xiàn)施加給與主體3相連的磁鐵以便充當(dāng)斥力的方法、以及類似方法。
根據(jù)這樣的表面處理方法，由于基片10的背面101均勻地經(jīng)受蝕刻(表面處理)，可能精確地執(zhí)行例如涂覆抗蝕劑、使用接觸對(duì)準(zhǔn)器曝光等操作以及跟在步驟<4A>后面的在后步驟中的類似操作。
(第二實(shí)施例)接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第二實(shí)施例。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第二實(shí)施例的截面圖，且圖4是圖3所示表面處理裝置的平面圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖3中的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下文中，通過聚焦于第一和第二實(shí)施例之間的區(qū)別描述表面處理裝置的第二實(shí)施例，且將省略對(duì)于重疊部分的描述。
第二實(shí)施例的表面處理裝置4由具有兩個(gè)主表面的平面形狀的組件構(gòu)成，且在其兩個(gè)表面的每個(gè)上都具有接觸部分，其中基片通過吸力粘附到所述兩個(gè)表面上。即，圖3和4所示的表面處理裝置4可保持基片20和30，同時(shí)基片20和30粘附到此處，從而基片20和30的整個(gè)背面201和301暴露于外部，并且保護(hù)基片20和30的正面202和302不暴露于外部。
表面處理裝置4形成為具有盤狀(平盤狀)，并具有基片接觸面41a和41b。當(dāng)從表面處理裝置4的頂部看時(shí)基片接觸面41a和41b的尺寸分別大致等于待保持(或待緊固)的基片20和30的尺寸。在本實(shí)施例中，幾乎整個(gè)表面處理裝置4主要由彈性材料制成?？蓪⑴c上面參看第一實(shí)施例描述的材料相同的彈性材料用作這樣的彈性材料。
而且，表面處理裝置4具有多個(gè)通孔42和多個(gè)凹入部分43。通孔42在表面處理裝置4的厚度方向穿過表面處理裝置4，且凹入部分43設(shè)置在表面處理裝置4的下側(cè)上的基片處理表面41a中和表面處理裝置4的上側(cè)上的基片處理表面41b中。每個(gè)通孔42與基片20的正面202和基片30的正面302一起形成(限定)一封閉空間。每個(gè)凹入部分43與基片20的正面202和基片30的正面302一起形成(限定)一封閉空間。如稍后將描述的，封閉空間被減壓，然后表面處理裝置4經(jīng)受大氣壓力，從而通孔42和凹入部分43內(nèi)的壓力和大氣壓力之差(以下簡稱為“壓力差”)允許基片20和30通過吸力粘附到表面處理裝置4并被表面處理裝置4保持。
在本實(shí)施例中，一些待減壓的封閉空間由凹入部分43形成，這使得與所有封閉空間都由通孔42形成的情形相比，可能防止表面處理裝置4的機(jī)械強(qiáng)度降低。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可能增加待經(jīng)受表面處理的基片數(shù)目，同時(shí)減少表面處理裝置4的部件數(shù)目。結(jié)果，可減少在蝕刻(表面處理)上花費(fèi)的費(fèi)用和時(shí)間。
在通孔42和凹入部分43用基片20和30覆蓋時(shí)通孔42和凹入部分43用基片20和30被減壓，然后表面處理裝置4承受大氣壓力。結(jié)果，由于壓力差產(chǎn)生向基片接觸面41a按壓基片20的力和向基片接觸面41b按壓基片30的力，從而基片20和30分別壓在基片接觸面41a和41b上。以此方式，基片20和30可通過吸力粘附到表面處理裝置4上并被表面處理裝置4保持。
此時(shí)，向上下方向壓縮表面處理裝置4，從而在上下方向上產(chǎn)生斥力。結(jié)果，基片20和基片接觸面41a之間的間隙和基片30以及基片接觸面41b之間的間隙被密封(即，間隙被關(guān)閉)，這使得可能使通孔42和凹入部分43內(nèi)部保持減少的壓力狀態(tài)。如圖3所示，基片20和30具有分別在正面202和302中具有開口的凹入部分203和303。表面處理裝置4形成為具有當(dāng)基片20和30與表面處理裝置4接觸時(shí)能覆蓋凹入部分203和303的開口的結(jié)構(gòu)，這使得可能使通孔42和凹入部分43的內(nèi)部可靠地保持減少的壓力狀態(tài)。因此，表面處理裝置4能穩(wěn)定地保持基片20和30，即使在基片20和30的正面具有包含凹入部分203和303的復(fù)雜結(jié)構(gòu)時(shí)。
對(duì)于具有這種凹入部分的結(jié)構(gòu)，例如，可提到將通孔作為凹入部分的多層半導(dǎo)體基片、將墨水盒作為凹入部分的噴墨頭基片、以及將通孔作為凹入部分的玻璃基片。第二實(shí)施例的表面處理裝置4可以提供與第一實(shí)施例的表面處理裝置1相同的效果。
接下來，將描述使用第二實(shí)施例的表面處理裝置4使基片經(jīng)受表面處理的方法(即第二表面處理方法)。應(yīng)當(dāng)指出，將通過聚焦于第一和第二方法的區(qū)別描述第二表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1B>減壓步驟(第一步驟)首先，基片20和30與圖3和圖4的表面處理裝置4接觸。
具體而言，基片20與表面處理裝置4接觸，從而基片20的正面202可與基片接觸面41a接觸，從而正面202可疊置在基片接觸面41a上。類似地，基片30也與表面處理裝置4接觸，從而基片30的正面302可與基片接觸面41b接觸，從而正面302可疊置在基片接觸面41b上。而且，此時(shí)，基片20和30與表面處理裝置4接觸，從而凹入部分203和303的開口可分別覆蓋有基片接觸面41a和41b。
就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，在步驟<1B>之前，片狀材料可附加到(或設(shè)置在)基片20的正面202和基片30的正面302的每個(gè)上，以覆蓋凹入部分203和303。這使得可能防止洗滌液侵入凹入部分203和303，即使當(dāng)基片20和30從表面處理裝置4釋放之后為了去除蝕刻劑(為用于處理的液體)而洗滌基片20和30時(shí)。
接下來，與基片20和30接觸的表面處理裝置4傳送到真空室(減壓室)。然后，真空室被減壓。結(jié)果，通孔42和凹入部分43內(nèi)的空氣通過基片20和基片接觸面41a之間的間隙以及基片30和基片接觸面41b之間的間隙逐漸泄漏，從而通孔42和凹入部分43內(nèi)的壓力變得大致等于真空室內(nèi)的壓力。就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，優(yōu)選的真空室內(nèi)的壓力范圍與上面參看第一表面處理方法描述的相同。
<2B>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被表面處理裝置保持(第二步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<2A>相同的步驟。
<3B>蝕刻步驟(第三步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<3A>相同的步驟。
釋放基片的<4B>步驟(第四步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<4A>相同的步驟。
(第三實(shí)施例)接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第三實(shí)施例。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第三實(shí)施例的截面圖。圖6是圖5所示表面處理裝置的平面圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖5的上側(cè)和下側(cè)將分別稱之為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下面，將集中于第一和第三實(shí)施例的表面處理裝置之間的區(qū)別描述第三實(shí)施例的表面處理裝置，且將省略對(duì)重復(fù)部分的描述。
第一和第三實(shí)施例之間的主要區(qū)別存在于接觸部分的結(jié)構(gòu)中，且第三實(shí)施例的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的其它結(jié)構(gòu)相同。具體而言，圖5和圖6所示的表面處理裝置5具有彈性板6，該彈性板6具有作為接觸部分的盤狀。彈性板6設(shè)置在主體7上。
彈性板6具有基片接觸面61。當(dāng)從表面處理裝置5頂部觀看時(shí)基片接觸面61的尺寸大致等于待保持(或待緊固)的基片10的尺寸。彈性板6可主要由彈性材料制成。這種彈性材料的實(shí)施例包括與上面參看第一實(shí)施例所述材料相同的彈性材料。
而且，彈性板6具有多個(gè)在厚度方向穿過彈性板6的通孔(空間)62。每個(gè)通孔62與基片10的正面102形成封閉空間。如稍后描述的，封閉空間被減壓，然后表面處理裝置5承受大氣壓力，從而通孔62內(nèi)的壓力和大氣壓力之差(此后，簡稱為“壓力差”)允許基片10通過吸力粘附到表面處理裝置5上并被其保持。
這種彈性板6由主體7支撐。主體7具有允許通孔62彼此連通的流路72。流路72形成為具有圖6所示的圖案。
在通孔62用基片10覆蓋的同時(shí)使通孔62減壓，然后使表面處理裝置5承受大氣壓力。結(jié)果，向基片接觸面61按壓基片10的力由于壓力差而產(chǎn)生，從而基片10壓在基片接觸面61上。以此方式，基片10通過吸力粘附到表面處理裝置5上并被其保持。特別地，在本實(shí)施例中，由于設(shè)置了使得通孔62彼此連通的流路72，空氣可在通孔62之間移動(dòng)，從而每個(gè)通孔62內(nèi)的壓力變得大致均勻。這使得表面處理裝置5可能更穩(wěn)定地緊固(或保持)基片10。
而且，此時(shí)，彈性板6在圖5所示的上下方向上被壓縮，從而斥力在上下方向上產(chǎn)生。結(jié)果，基片10和基片接觸面61之間的間隙被密封(即，間隙被封閉)，這使得可能使通孔62的內(nèi)部保持在減少的壓力狀態(tài)。第三實(shí)施例的表面處理裝置5將提供與上面參看第一實(shí)施例的表面處理裝置1描述的相同的效果。
接下來，將描述使用第三實(shí)施例的表面處理裝置使基片經(jīng)受表面處理的方法(第三表面處理方法)。就這點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，將集中于第一和第三方法之間的差別描述第三表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1C>減壓步驟(第一步驟)首先，基片10與圖5和6所示的表面處理裝置5接觸，從而基片10的正面102可與基片接觸面61接觸，從而正面102可疊置在基片接觸面61上。
其次，將與基片10接觸的表面處理裝置5傳送到真空室(減壓室)，然后真空室被減壓。結(jié)果，通孔62和流路72內(nèi)的空氣通過基片10和基片接觸面61之間的間隙逐漸泄漏，從而通孔62內(nèi)的壓力變得與真空室內(nèi)的壓力大致相等。而且，此時(shí)，由于每個(gè)通孔62內(nèi)的空氣通過流路72均勻地泄漏，所以每個(gè)通孔62內(nèi)的友空氣變得大致均勻。就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，真空室內(nèi)的壓力的優(yōu)選范圍與上面參看第一表面處理方法描述的優(yōu)選范圍相同。
<2C>步驟，其中基片通過吸力粘附道表面處理裝置上并被表面處理裝置保持(第二步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<2A>相同的步驟。
<3C>蝕刻步驟(第三步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<3A>相同的步驟。
<4C>釋放基片的步驟(第四步驟)接下來，將執(zhí)行與上述步驟<4A>相同的步驟。
(第四實(shí)施例)接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第四實(shí)施例。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第四實(shí)施例的橫截面圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖7的上側(cè)和下側(cè)將分別稱之為“上側(cè)”和“下側(cè)”。下面，將集中于第一和第三實(shí)施例和第四實(shí)施例之間的區(qū)別描述表面處理裝置的第四實(shí)施例，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
除了第四實(shí)施例的表面處理裝置具有允許待減壓的空間與外部連通同時(shí)基片與接觸部分接觸(或同時(shí)基片牢固地粘附到接觸部分上)的流路之外，第四實(shí)施例的表面處理裝置與第三實(shí)施例的表面處理裝置相同。特別地，圖7所示的表面處理裝置5具有大致設(shè)置在主體7的中心處的流路73。流路73與流路72和外部連通。即，每個(gè)通孔62通過流路72和73與表面處理裝置5的外部連通，同時(shí)基片10與基片接觸表面61接觸(即，同時(shí)基片10與彈性板6接觸)。
在流路73的內(nèi)圓周表面中，設(shè)置了螺紋槽，以便螺栓81(為密封件)可螺紋嚙合在流路73中。而且，具有彈性的O形環(huán)82設(shè)置為使得當(dāng)螺栓81與主體7相連時(shí)設(shè)置在螺栓81和主體7之間。通過設(shè)置O形環(huán)82，可能在螺栓81與流路73相連時(shí)密封流路73。
如稍后描述的，通孔62在其用基片10覆蓋且螺栓81與流路73時(shí)被減壓，然后使表面處理裝置5經(jīng)受大氣壓力。結(jié)果，向基片接觸面61按壓基片10的力由于壓力差而產(chǎn)生，從而基片10再次壓在基片接觸表面61上。以此方式，基片10通過吸力粘附到表面處理裝置5上并被其保持。然后，當(dāng)將螺栓81從流路73取下時(shí)，空氣流入流路72并通過流路73流到通孔62，從而通孔62和流路72內(nèi)的壓力變得大致等于表面處理裝置5外部的壓力。因此，消除了施加在基片10上的壓力，然后將基片10從基片接觸面61拆下。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置5，通過在基片10經(jīng)受蝕刻后將螺栓81從流路73取下，可能容易地將基片10從表面處理裝置5釋放。第四實(shí)施例的表面處理裝置5將提供與上面參看第一和第三實(shí)施例的表面處理裝置1和5描述的相同的效果。
接下來，將描述使用第四實(shí)施例的表面處理裝置使基片經(jīng)受表面處理的方法(即，第四表面處理方法)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，通過集中于第三和第四方法之間的區(qū)別描述第四表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1D>減壓步驟(第一步驟)首先，將螺栓81與圖7所示的表面處理裝置5的流路73相連，以密封流路73。隨后，執(zhí)行與上述的步驟<1C>相同的步驟。
<2D>步驟，基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被其保持(第二步驟)其次，執(zhí)行與上述步驟<2C>相同的步驟。
<3D>蝕刻步驟(第三步驟)接下來，執(zhí)行與上述步驟<3C>相同的步驟。
<4D>釋放基片的步驟(第四步驟)接下來，在例如大氣壓力下將螺栓81從流路73除去，向外部打開流路73。結(jié)果，空氣流入流路72，并通過流路73流入通孔62，從而通孔62和流路72內(nèi)的壓力返回到大氣壓力(即，從而通孔62和流路72內(nèi)的壓力變得大致等于表面處理裝置5外部的壓力)。因此，消除已經(jīng)施加在基片10上的壓力(即，已經(jīng)施加在基片10上的負(fù)載)，然后將基片10從基片接觸表面61分開。
(第五實(shí)施例)將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第五實(shí)施例。圖8A和8B示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第五實(shí)施例的橫截面圖。圖9A至9C是用于說明圖8A和8B所示的表面處理裝置的使用的部分橫截面圖。在以下的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，圖8A和8B以及圖9A至9C中的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下面，將集中于第一和第五實(shí)施例之間的區(qū)別描述第五實(shí)施例的表面處理裝置，且將省略對(duì)重疊部分的描述。第五實(shí)施例的表面處理裝置通過將分離輔助裝置添加到第一實(shí)施例的表面處理裝置中而獲得。分離輔助裝置用于幫助在釋放基片的步驟中(即，第四步驟中)將基片從O形環(huán)(為接觸部分)分開。優(yōu)選的是，可將分離輔助裝置從表面處理裝置分開，以便僅用于釋放基片的步驟中(即僅用于第四步驟中)。
圖8A和8B所示的表面處理裝置100包括用于支撐主體3的底座110和用于將主體3固定到底座110的固定部分120。主體3放置在底座110上，然后通過使得固定部分120與主體3的邊緣部分接觸，將主體3固定到底座110上。以此方式，主體3可固定到底座110上。
就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，優(yōu)選設(shè)置固定部分120的兩個(gè)或多個(gè)，以便主體3的外周緣可固定在兩個(gè)或多個(gè)位置處。在此情形下，例如，三個(gè)固定部分120可被設(shè)置為使得當(dāng)銷釘131位于第一位置(即，圖8A所示的位置)時(shí)主體3在圖8A和8B所示的位置和銷釘131的兩側(cè)上的位置(稍后將進(jìn)行描述)處固定到底座110上。
而且，如圖8A和9A所示，本發(fā)明的表面處理裝置100形成為在主體3的周緣部分311和基片10之間具有間隙34，所述基片10通過吸力粘附到表面處理裝置100上并被其保持。銷釘131(稍后描述)插入此間隙34中。
在底座110的與放置主體3的區(qū)域不同的區(qū)域中，設(shè)置了分離輔助裝置130。該分離輔助裝置130包括銷釘131(為柱狀或棱形接觸件的部分)，待插入基片10和主體3之間的間隙34中；以及螺旋彈簧(為移位裝置)132，待向銷釘131從主體3分離的方向(即向銷釘131從O形環(huán)2分離的方向)移動(dòng)銷釘131。
與設(shè)置在O形環(huán)2一側(cè)上的另一端部相對(duì)(即，與設(shè)置在主體3一側(cè)上的另一端部相對(duì))的銷釘131的一個(gè)端部，即位于圖8A和8B中的右側(cè)上的銷釘131的端部固定到支撐部分133(為接觸件的部分)的一個(gè)端部。在支撐部分133的另一端部中(即在圖8A和8B中的右側(cè)上的支撐部件133的端部中)，設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134(樞軸中心)。轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134(即，支撐部分133)由設(shè)置在底座110上的軸承135可轉(zhuǎn)動(dòng)地支撐。因此，銷釘131可繞設(shè)置在O形環(huán)2的相對(duì)側(cè)上的中心(即轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134)轉(zhuǎn)動(dòng)，以便在位于O形環(huán)2一側(cè)上的銷釘131的端部靠近主體3(或靠近底座110)的第一位置(即圖8A所示位置)和位于O形環(huán)2一側(cè)上的銷釘?shù)亩瞬繌闹黧w3分開(或從底座110分開)的第二位置(即圖8B所示位置)之間移動(dòng)。換句話說，由銷釘131和支撐件133構(gòu)成的接觸件可繞用作樞軸中心的轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134作樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
螺旋彈簧132設(shè)置在支撐部分133和底座110之間，且位于靠近銷釘131的一側(cè)上。螺旋彈簧132的下端部固定到底座110上。至少當(dāng)銷釘131位于第一位置時(shí)，螺旋彈簧132被壓縮，從而其上端部與支撐部分133接觸。因此，螺旋彈簧132向上推(偏壓)位于第一位置中的銷釘131(即螺旋彈簧132向第二方向推(偏壓)位于第一位置中的銷釘131)。
通過設(shè)置這樣的分離輔助裝置130，在釋放基片的步驟中(即第四步驟中)可能將基片10可靠地從表面處理裝置100分開(釋放)，即使在由于例如在蝕刻步驟中(即第三步驟中)從O形環(huán)2洗提增塑劑而將基片10相對(duì)牢固地粘附到O形環(huán)2上時(shí)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，分離輔助裝置130可形成為使得整個(gè)銷釘131能靠近底座110或從底座110分開(即使得整個(gè)銷釘131可被移位)。然而，如上所述，通過形成分離輔助裝置131以便銷釘131可繞設(shè)置在銷釘131一端一側(cè)上的中心(即繞轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134)轉(zhuǎn)動(dòng)，可能簡化移位裝置的結(jié)構(gòu)。
而且，表面處理裝置100具有用來將銷釘131鎖定(保持)在第二位置中的螺栓(為鎖定裝置)。支撐部分133具有通孔133a，用于在支撐部分133的厚度方向上穿過支撐部分133。底座110具有螺紋嚙合部分110a，其中螺栓136的尖端部分待被螺紋嚙合。通過利用螺旋彈簧132的推力(偏置力)移動(dòng)銷釘131，可將銷釘131設(shè)置在第一位置中，然后將螺栓136插入支撐部分133的通孔133a中。然后，螺栓136的尖端部分螺紋嚙合在螺紋嚙合部分110a中，直到螺栓136的頭部的下部與支撐部分133接觸之前不久，且擰松螺栓136，以便螺栓136的頭部遠(yuǎn)離支撐部分133(參看圖9A和9B)。這使得在基片10與表面處理裝置100分開時(shí)可能將銷釘131鎖定在第二位置。
就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，通過調(diào)整的螺栓136待插入螺紋嚙合部分110a中的量(深度)，可能隨意設(shè)定銷釘131的第二位置。即，可隨意設(shè)定銷釘131在第一位置和第二位置之間移動(dòng)的距離(即，銷釘131的旋轉(zhuǎn)角)。
第五實(shí)施例的表面處理裝置100將提供與上面參看第一實(shí)施例的表面處理裝置1描述的相同的效果。具體而言，根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置100，利用O形環(huán)2和分離輔助裝置130的動(dòng)作，可能更可靠地將基片10從表面處理裝置100釋放(分開)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，板簧也可用于代替螺旋彈簧132。
接下來，將描述使用第五實(shí)施例的表面處理裝置100使基片經(jīng)受表面處理的方法(即，第五表面處理方法)。就此點(diǎn)而言，將通過集中于第一和第五方法之間的區(qū)別描述第五表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1E>減壓步驟(第一步驟)首先，如上所述，主體3與底座110分開。隨后，使基片10的正面102與O形環(huán)2接觸，然后執(zhí)行與上述步驟<1A>相同的步驟。
<2E>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被其保持(第二步驟)其次，執(zhí)行與上述步驟<2A>相同的步驟。結(jié)果，基片10通過吸力粘附到表面處理裝置100上并被其保持。
<3E>蝕刻步驟(第三步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<3A>相同的步驟。
<4E>釋放基片的步驟(第四步驟)首先，將主體3從槽中取出，然后放置在基片110上。隨后，如上所述，通過使得固定部分120與主體2的邊緣部分接觸，將主體3固定到底座110上。以此方式，主體3固定到底座110上，如圖9A所示。而且，使螺栓136轉(zhuǎn)動(dòng)(以使螺栓136的尖端部分螺紋嚙合在螺紋嚙合部分110a中，然后稍稍松開螺栓136)，以適當(dāng)調(diào)整銷釘131的第二位置。
此時(shí)，由于銷釘131的一個(gè)端部插入間隙34中，由于螺旋彈簧132的作用(即，由于螺旋彈簧132的推力)銷釘131稍微向第二位置轉(zhuǎn)動(dòng)，但銷釘131保持在其一個(gè)端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸的狀態(tài)中(即，銷釘131保持在第一位置中)，如圖9B所示。
接著，保持基片10的表面處理裝置100再次傳送到真空室(減壓室)，然后真空室被減壓。結(jié)果，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于外部壓力(即，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于真空室內(nèi)的壓力)，從而由于壓力差，壓力向基片10與基片接觸面31分開的方向(即向圖9中向上的方向)施加在基片10上。
而且，如上所述，由于銷釘131的一個(gè)端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸，所以向銷釘131從第一位置移動(dòng)到第二位置的方向(即，向圖9中向上的方向)按壓基片10的邊緣部分。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置100，如圖9C所示，由于壓力差和分離輔助裝置130造成的壓力，可能更可靠地使基片10從表面處理裝置100釋放(分開)。
就此而言，應(yīng)當(dāng)指出，由于銷釘131利用螺栓136保持在第二位置中，所以在分離基片10時(shí)不可能將太大的力施加在基片10上，從而基片10舉起。而且，第一位置和第二位置之間的舉例，即O形環(huán)2一側(cè)上的銷釘131的一個(gè)端部(為與基片10接觸的端部)在第一位置和第二位置之間移動(dòng)的距離不限于任何特定值，但是其優(yōu)選在約1mm到5mm的范圍內(nèi)。
(第六實(shí)施例)接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第六實(shí)施例。圖10A和10B示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第六實(shí)施例的部分截面圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖10A和10B中的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下面，將通過集中于第一和第五實(shí)施例和第六實(shí)施例之間的區(qū)別描述第六實(shí)施例的表面處理裝置，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
除了移位裝置的結(jié)構(gòu)外，第六實(shí)施例的表面處理裝置與第五實(shí)施例的表面處理裝置相同。圖10A和10B所示的表面處理裝置100具有彈性件137，其具有與移位裝置相同的球形。彈性件137包括中空空間137a，當(dāng)通過使減壓室減壓而使彈性件137經(jīng)受減少的壓力時(shí)中空空間137a體積增大。在約為大氣壓力下(即標(biāo)準(zhǔn)壓力下)彈性件137形成為具有大致等于支撐部分133和底座110之間的距離的外徑。當(dāng)彈性件137通過使減壓室減壓而經(jīng)受減少的壓力時(shí)，中空空間137a的體積增大，從而彈性件137的外徑也增大。結(jié)果，支撐部分133繞轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134轉(zhuǎn)動(dòng)，從而銷釘131從第一位置(即圖10A所示的位置)向第二位置(即圖10B所示的位置)轉(zhuǎn)動(dòng)(移動(dòng))。
可將與上面參看O形環(huán)2描述的材料相同的材料用作彈性件137的組成材料。第六實(shí)施例的表面處理裝置100將提供與第五實(shí)施例的表面處理裝置100相同的效果。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，彈性件137的外形(整個(gè)形狀)不限于球形。彈性件137可具有例如立方體、矩形平行管、或類似物等任意形狀。
接著，將描述使用第六實(shí)施例的表面處理裝置使基片經(jīng)受表面處理的方法(即，第六表面處理方法)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，將集中于第五和第六方法之間的區(qū)別描述第六表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1F>減壓步驟(第一步驟)首先，執(zhí)行與上述步驟<1E>相同的步驟。
<2F>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被其保持(第二步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<2E>相同的步驟。
<3F>蝕刻步驟(第三步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<3E>相同的步驟。
<4F>釋放基片的步驟(第四步驟)首先，將主體3從槽中取出，然后放置在底座10上。隨后，如上所述，通過使得固定部分120與主體3的邊緣部分接觸，而將主體3固定到底座110上。以此方式，將主體3固定到底座110上。而且，使螺栓136轉(zhuǎn)動(dòng)(以使螺栓136的尖端部分螺紋嚙合在螺紋嚙合部分110a中，然后稍微放松螺栓136)，以適當(dāng)調(diào)整銷釘131的第二位置。
接著，保持基片10的表面處理裝置100再次傳送到真空室(減壓室)，然后真空室被減壓。結(jié)果，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于外部壓力(即，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于真空室內(nèi)的壓力)，從而由于壓力差，壓力向基片10與基片接觸面31分開的方向(即向圖10中向上的方向)施加在基片10上。而且，此時(shí)，隨著真空室被減壓，中空空間137a的體積增大，從而彈性件137的外徑增大。結(jié)果，彈性件137向上壓支撐部分133，然后銷釘131開始向第二部分轉(zhuǎn)動(dòng)(移動(dòng))，從而銷釘131的一個(gè)端部與基片10的正面102的端部接觸，以向上壓基片10的邊緣部分。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置100，由于壓力差和分離輔助裝置130而造成的壓力，可能更可靠地將基片10從表面處理裝置100釋放(分開)。
(第七實(shí)施例)接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第七實(shí)施例。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第七實(shí)施例的部分(為分離輔助裝置)的透視圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖11中的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下面，將通過集中于第一和第五實(shí)施例和第七實(shí)施例之間的區(qū)別描述第七實(shí)施例的表面處理裝置，且將省略對(duì)重疊部分的描述。除了移位裝置的結(jié)構(gòu)外，第七實(shí)施例的表面處理裝置與第五實(shí)施例的表面處理裝置相同。圖11中所示的表面處理裝置100的移位裝置包括杠桿138a和砝碼138b。
杠桿138a的一個(gè)端部插在底座110和支撐部分133之間的空間中。砝碼138b與杠桿138a的另一端部相連。由于砝碼138b與杠桿138a的另一端部相連，力向圖11中向上的方向施加在杠桿138a的另一端部上。因此，向向上的方向壓支撐部分131，以便銷釘131向第二位置轉(zhuǎn)動(dòng)(移動(dòng))。第七實(shí)施例的表面處理裝置5將提供與上面參看第五實(shí)施例的表面處理裝置100描述的相同的效果。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，在本實(shí)施例中，杠桿138a和砝碼138b是分開的組件，但是它們也可合并成單個(gè)組件。而且，銷釘131可直接用作杠桿。
接著，將描述使用第七實(shí)施例的表面處理裝置使基片經(jīng)受表面處理的方法(即，第七表面處理方法)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，將通過集中于第五和第七方法之間的區(qū)別描述第七表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1G>減壓步驟(第一步驟)首先，執(zhí)行與上述步驟<1E>相同的步驟。
<2G>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被其保持的(第二步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<2E>相同的步驟。
<3G>蝕刻步驟(第三步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<3E>相同的步驟。
<4G>釋放基片的步驟(第四步驟)首先，將主體3從槽中取出，然后放置在底座10上。隨后，如上所述，通過使得固定部分120與主體3的邊緣部分接觸，而將主體3固定到底座110上。以此方式，將主體3固定到底座110上。而且，使螺栓136轉(zhuǎn)動(dòng)(以使螺栓136的尖端部分螺紋嚙合在螺紋嚙合部分110a中，然后稍微放松螺栓136)，以適當(dāng)調(diào)整銷釘131的第二位置。
此時(shí)，由于銷釘131的一個(gè)端部插在間隙34中，所以由于由杠桿138a和砝碼138b構(gòu)成的移位裝置的作用銷釘131向第二位置稍微轉(zhuǎn)動(dòng)，但是銷釘131保持在其一端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸的狀態(tài)中(即銷釘131保持在第一位置中)。
接著，保持基片10的表面處理裝置100再次傳送到真空室(減壓室)，然后真空室被減壓。結(jié)果，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于外部壓力(即，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于真空室內(nèi)的壓力)，從而由于壓力差，壓力向基片10與基片接觸面31分開的方向(即向圖10中向上的方向)施加在基片10上。而且，如上所述，由于銷釘131的一個(gè)端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸，所以向銷釘131從第一位置移動(dòng)到第二位置的方向(即向上的方向)壓基片10的邊緣部分。根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置100，由于壓力差和分離輔助裝置130而造成的壓力，可能更可靠地將基片10從表面處理裝置100釋放(分開)。
(第八實(shí)施例)接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第八實(shí)施例。圖12示出根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置的第八實(shí)施例的部分(為分離輔助裝置)的透視圖。在以下描述中，應(yīng)當(dāng)指出，圖12中的上側(cè)和下側(cè)將分別稱為“上側(cè)”和“下側(cè)”。
下面，將通過集中于第一和第五實(shí)施例以及第八實(shí)施例之間的區(qū)別描述第八實(shí)施例的表面處理裝置，且將省略對(duì)重疊部分的描述。除了移位裝置的結(jié)構(gòu)外，第八實(shí)施例的表面處理裝置與第五實(shí)施例的表面處理裝置相同。圖12中所示的表面處理裝置100將電動(dòng)機(jī)139用作移位裝置。
電動(dòng)機(jī)139包括轉(zhuǎn)軸139a和主體139b。在實(shí)施例中，轉(zhuǎn)軸139a也充當(dāng)支撐部分133的轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134。可選地，轉(zhuǎn)軸139a可經(jīng)由齒輪或類似物等與支撐部分133的轉(zhuǎn)動(dòng)中心軸134嚙合。主體139b固定到底座110上。第八實(shí)施例的表面處理裝置100將提供與上面參看第五實(shí)施例的表面處理裝置100描述的相同的效果。
接著，將描述使用第八實(shí)施例的表面處理裝置使基片經(jīng)受表面處理的方法(即，第八表面處理方法)。就此點(diǎn)而言，應(yīng)當(dāng)指出，將通過集中于第五方法和第八方法之間的區(qū)別描述第八表面處理方法，且將省略對(duì)重疊部分的描述。
<1H>減壓步驟(第一步驟)首先，執(zhí)行與上述步驟<1E>相同的步驟。
<2H>步驟，其中基片通過吸力粘附到表面處理裝置上并被其保持(第二步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<2E>相同的步驟。
<3H>蝕刻步驟(第三步驟)接著，執(zhí)行與上述步驟<3E>相同的步驟。
<4H>釋放基片的步驟(第四步驟)首先，將主體3從槽中取出，然后放置在底座10上。隨后，如上所述，通過使得固定部分120與主體3的邊緣部分接觸，而將主體3固定到底座110上。以此方式，將主體3固定到底座110上。
而且，使螺栓136轉(zhuǎn)動(dòng)(以使螺栓136的尖端部分螺紋嚙合在螺紋嚙合部分110a中，然后稍微放松螺栓136)，以適當(dāng)調(diào)整銷釘131的第二位置。然后，電動(dòng)機(jī)139被發(fā)動(dòng)。此時(shí)，由于銷釘131的一個(gè)端部插在間隙34中，所以由于由電動(dòng)機(jī)139的驅(qū)動(dòng)力，銷釘131向第二位置稍微轉(zhuǎn)動(dòng)，但是銷釘131保持在其一端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸的狀態(tài)中(即銷釘131保持在第一位置中)。
接著，保持基片10的表面處理裝置100再次傳送到真空室(減壓室)，然后真空室被減壓。結(jié)果，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于外部壓力(即，凹入部分32內(nèi)的壓力變得大致等于或高于真空室內(nèi)的壓力)，從而由于壓力差，壓力向基片10與基片接觸面31分開的方向(即向圖12中向上的方向)施加在基片10上。而且，如上所述，由于銷釘131的一個(gè)端部與基片10的正面102的邊緣部分接觸，所以向銷釘131從第一位置移動(dòng)到第二位置的方向(即向上的方向)壓基片10的邊緣部分。
根據(jù)本實(shí)施例的表面處理裝置100，由于壓力差和分離輔助裝置130而造成的壓力，可能更可靠地將基片10從表面處理裝置100釋放(分開)。
如上所述，上述由接觸件(即銷釘131)和移位裝置構(gòu)成的分離輔助裝置130的每個(gè)都具有簡單結(jié)構(gòu)，且這樣的分離輔助裝置130的使用使得將基片10可靠地從表面處理裝置100釋放。而且，由于上面參看第五至第八實(shí)施例描述的移位裝置的每個(gè)的結(jié)構(gòu)都是非常簡單的，所以可能防止表面處理裝置100的組件數(shù)目增加和表面處理裝置100的制造成本增加。
由于上述本發(fā)明的表面處理裝置的每個(gè)都可密封地緊固(保持)基片，所以可能可靠地防止在基片緊固到表面處理裝置的同時(shí)各種液體侵入基片內(nèi)部。因此，具體而言，本發(fā)明的表面處理裝置適于使用在利用處理液使基片經(jīng)受表面處理中。對(duì)于使用用于表面處理的液體進(jìn)行表面處理，除了上述濕蝕刻外，例如，可適于在制造鋼化玻璃中采用的電鍍或離子交換。
已經(jīng)參看在附圖中示出的實(shí)施例描述了本發(fā)明的表面處理方法，但是本發(fā)明不限于這些。例如，在本發(fā)明中，第一到第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的任何兩個(gè)或多個(gè)可合并成單個(gè)表面處理裝置。而且，為了獲得相同或相似的功能，可能對(duì)根據(jù)本發(fā)明的表面處理裝置作出各種修改和進(jìn)行添加。
而且，根據(jù)需要，表面處理方法可包括不同于上述步驟的步驟，這取決于具體目標(biāo)。此外，在上述的每個(gè)實(shí)施例中，已經(jīng)參看在封閉空間用基片覆蓋的同時(shí)(即在基片與表面處理裝置接觸的同時(shí))將表面處理裝置傳送到減壓室，然后使減壓室減壓的情形作出了描述。然而，在上述的表面處理方法中，在基片與表面處理裝置分開的同時(shí)(即，封閉空間未用基片覆蓋的同時(shí))使減壓室減壓后封閉空間用基片覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種采用表面處理裝置用于基片的表面處理方法，所述基片的一個(gè)表面將進(jìn)行表面處理，另一表面與此表面相對(duì)，所述表面處理裝置包括至少一個(gè)封閉空間以及接觸部分，所述接觸部分圍繞所述至少一個(gè)封閉空間，適于與基片另一表面密封地接觸，與封閉空間和基片的另一表面協(xié)作，以產(chǎn)生負(fù)壓，從而基片通過負(fù)壓吸附至所述表面處理裝置，以至少在表面處理過程中保持這種狀態(tài)，所述方法包括第一步驟，其中表面處理裝置和放置其上的基片在處于基片的另一個(gè)表面與表面處理裝置面對(duì)的狀態(tài)下被輸送至減壓室的內(nèi)部，以把封閉空間減壓，進(jìn)而在封閉空間產(chǎn)生負(fù)壓；第二步驟，其中通過使用在封閉空間內(nèi)部的負(fù)壓和大氣壓的壓力差，基片處于被吸至表面處理裝置上的狀態(tài)，把表面處理裝置和基片從減壓室的內(nèi)部取出放入大氣壓下的環(huán)境；第三步驟，其中在基片被表面處理裝置吸住的條件下，對(duì)基片的所述一個(gè)表面進(jìn)行表面處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中在第一步驟中減壓室內(nèi)的壓力是70,000Pa或更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中在大氣壓或更高的壓力下進(jìn)行第三步驟中的表面處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，還包括在第三步驟之后的第四步驟，帶著基片的表面處理裝置再一次被輸送至減壓室的內(nèi)部，基片通過把減壓室內(nèi)部減壓從表面處理裝置中釋放出來，從而再減壓室內(nèi)的壓力大體上成為等于或低于在第一步驟中減壓室內(nèi)的壓力
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理方法，其中當(dāng)在第一步驟中的減壓室內(nèi)的壓力確定為A(Pa)并且第四步中的減壓室內(nèi)的壓力確定為B(Pa)時(shí)，B/A為1或更小的關(guān)系得到滿足。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理方法，其中在第四步驟中減壓室內(nèi)的壓力是70,000Pa或更小。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理方法，所述表面處理裝置還包括幫助基片與減壓室中的表面處理裝置的接觸部分分離的分離輔助裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面處理方法，其中所述分離輔助裝置包括接觸件，具有一個(gè)端部，當(dāng)基片與表面處理裝置的接觸部分分開時(shí)，所述端部適于與基片的另一表面接觸；和移位裝置，用于使接觸件向接觸件與接觸部分分離的方向移動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理方法，其中所述接觸件具有與其一端部相對(duì)的另一端部，且所述接觸件可繞用作樞軸中心的另一端部作樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理方法，其中所述移位裝置由彈簧構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理方法，其中所述移位裝置由具有中空空間的彈性件構(gòu)成，在所述中空空間中通過使減壓室的內(nèi)部減壓而增加其體積。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理方法，其中所述移位裝置由杠桿和砝碼構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面處理方法，其中所述移位裝置由電動(dòng)機(jī)構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中所述表面處理裝置還包括在所述基片與所述接觸部分接觸的同時(shí)使得封閉空間與其外部連通的流路，其中在所述第一、第二和第三步驟中流路被密封；并且所述方法還包括第三步驟之后的第四步驟，其中通過打開所述流路將基片從表面處理裝置釋放。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中所述基片具有一個(gè)或多個(gè)分別向其另一表面張開的凹入部分；并且所述表面處理方法還包括步驟在第一步驟之前，在所述基片的另一表面上提供片狀材料，從而基片的凹入部分能夠被覆蓋。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中所述基片具有一個(gè)或多個(gè)分別向其另一表面張開的凹入部分；并且其中接觸部分被構(gòu)造成使得能夠在基片接觸所述接觸部分的同時(shí)覆蓋基片的凹入部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中所述表面處理裝置具有帶有兩個(gè)主表面的平面形狀的結(jié)構(gòu)，并在這兩個(gè)主表面的每個(gè)的側(cè)面上具有凹入部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其中使用處理液進(jìn)行所述表面處理。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的表面處理方法，其中所述處理液包括蝕刻劑。
全文摘要
一種表面處理方法，包括第一步驟，其中表面處理裝置1和放置其上的基片10在處于基片10的正表面102與表面處理裝置1面對(duì)的狀態(tài)被輸送至減壓室的內(nèi)部，以使多個(gè)凹入部分32(封閉空間)減壓；第二步驟，其中通過使用在凹入部分32內(nèi)部的負(fù)壓和大氣壓的壓力差，基片10處于被吸至表面處理裝置1上的狀態(tài)，把表面處理裝置1和基片10從減壓室的內(nèi)部取出放入大氣壓下的環(huán)境；第三步驟，其中在基片10被表面處理裝置1吸住的條件下，對(duì)基片10的所述背面101進(jìn)行表面處理。
文檔編號(hào)H01L21/683GK1604285SQ200410085728
公開日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月30日
發(fā)明者小枝周史, 荒川克治, 大谷和史 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社