專利名稱：用于曝光機(jī)器的檢測裝置及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體制造的檢測裝置及檢測方法，特別是涉及一種用于曝光機(jī)器的檢測裝置及檢測方法。
背景技術(shù)：
集成電路一般是由許多形成在一半導(dǎo)體基板上的有源或無源元件以及多層堆棧在基板上方的介電層與金屬內(nèi)連線(metal interconnection)所構(gòu)成。不同層的金屬內(nèi)連線由金屬插塞(plug)所電連接，以形成特定的電路功能。在集成電路工藝中，光學(xué)微影技術(shù)或所謂的光刻工藝是一種用來將光掩模上的電路圖案轉(zhuǎn)移至光致抗蝕劑層，以于半導(dǎo)體晶片上定義出圖案的精密圖案轉(zhuǎn)移技術(shù)。這些光致抗蝕劑圖案一般是用來作為后續(xù)工藝中的蝕刻屏蔽(etching mask)或者是注入屏蔽(ion implant mask)。
此外，掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器(step-and-scan exposure apparatus)為目前光刻工藝常用的曝光機(jī)器之一，而掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器包括一光源，用來產(chǎn)生曝光光線，一光掩模平臺(mask stage)，用來放置以及移動一具有一特定圖案的光掩模，一基板平臺(wafer stage)，用來放置以及移動一半導(dǎo)體晶片，以及一表面輪廓偵測系統(tǒng)(surface topography detection system)，用來偵測半導(dǎo)體晶片表面的高低起伏，其中表面輪廓偵測系統(tǒng)又可稱作晶片高度/傾斜偵測系統(tǒng)。
并且，在進(jìn)行一曝光步驟于基板平臺上的半導(dǎo)體晶片之前，表面輪廓偵測系統(tǒng)會先偵測半導(dǎo)體晶片表面的高低起伏，隨后基板平臺便依據(jù)表面輪廓偵測系統(tǒng)所測得的半導(dǎo)體晶片的表面數(shù)據(jù)，以調(diào)整半導(dǎo)體晶片的高度或傾斜角度，也就是說，基板平臺會根據(jù)表面輪廓偵測系統(tǒng)所測得的表面數(shù)據(jù)，來調(diào)整半導(dǎo)體晶片的表面位置，以使半導(dǎo)體晶片的表面位于掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的焦點(diǎn)平面(focal plane)上。接著，掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器內(nèi)的光源會產(chǎn)生曝光光線，例如i-line、KrF激光或ArF激光，并且當(dāng)曝光光線依序通過光掩模以及投射鏡組(projection lens)而投射于半導(dǎo)體晶片上的光致抗蝕劑層時，光掩模上的圖案即被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體晶片的預(yù)定部份面積上(此又稱為一個shot)。接著基板平臺與光掩模平臺分別朝不同方向移動，快速到達(dá)下一定位以進(jìn)行上述相同的曝光步驟，漸進(jìn)地將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移至全部的半導(dǎo)體晶片上。
由上可知，為了使光掩模上的圖案可以精準(zhǔn)地移轉(zhuǎn)到基板上，基板的表面必須準(zhǔn)確地位于焦點(diǎn)平面上，因此表面輪廓偵測系統(tǒng)的偵測精準(zhǔn)度以及基板平臺的驅(qū)動精準(zhǔn)度便顯得很重要。然而，目前市面上的掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的型號眾多，工藝工程師或設(shè)備工程師在挑選曝光機(jī)器的過程中，如何有效率地驗證各種曝光機(jī)器的表面輪廓偵測系統(tǒng)的偵測精準(zhǔn)度以及基板平臺的驅(qū)動精準(zhǔn)度，以迅速找到符合工藝需要的曝光機(jī)器，便是一項重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一是提供一種用于一曝光機(jī)器的檢測裝置，用來測試曝光機(jī)器的性能。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種用于一曝光機(jī)器的檢測方法，用以利用上述的檢測裝置來測試曝光機(jī)器的性能。
依據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供一種用于一曝光機(jī)器的檢測裝置，其中，檢測裝置包括一基板與多個圖案層，其中，各圖案層的大小配合生產(chǎn)工藝中的曝光區(qū)域大小相配合而設(shè)置于基板表面，且各圖案層具有至少兩種不同的高度。
依據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的另一實施例提供一種用于一曝光機(jī)器的檢測方法，首先提供一檢測裝置及其對應(yīng)的一第一表面數(shù)據(jù)，并且檢測裝置至少包括一具有多個曝光區(qū)域的基板，以及多個設(shè)置于各曝光區(qū)域表面的圖案層，并且各圖案層具有至少兩種不同的高度，隨后利用曝光機(jī)器來進(jìn)行一曝光程序于檢測裝置上，并于曝光程序中獲得一第二表面數(shù)據(jù)，利用第一表面數(shù)據(jù)與第二表面數(shù)據(jù)的比對，可進(jìn)行機(jī)器驅(qū)動與計算的分析。
依據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的另一實施例提供一種用于一曝光機(jī)器的檢測方法，首先提供一檢測裝置，其包括一具有多個曝光區(qū)域的基板，以及多個設(shè)置于各曝光區(qū)域表面的圖案層，并且各圖案層具有至少兩種不同的高度，隨后形成一光致抗蝕劑層于檢測裝置的表面，接著利用曝光機(jī)器進(jìn)行一曝光程序于光致抗蝕劑層上，之后進(jìn)行一顯影工藝于曝光后的光致抗蝕劑層上，以形成至少一光致抗蝕劑圖案于各圖案層的表面，最后并搭配原有檢測裝置的尺寸數(shù)據(jù)來檢查分析各光致抗蝕劑圖案。
由于本發(fā)明的檢測裝置的表面數(shù)據(jù)為已知的數(shù)據(jù)，因此本發(fā)明可利用檢測裝置來檢驗一曝光機(jī)器，以讓工藝工程師或設(shè)備工程師迅速而有效地確認(rèn)曝光機(jī)器的操作過程及性能。


圖1為本發(fā)明優(yōu)選實施例所使用的檢測裝置的上視圖。
圖2為圖1所示的檢測裝置延切線2-2’的剖面示意圖。
圖3為本發(fā)明第一實施例的檢測方法的流程圖。
圖4為本發(fā)明第二實施例的檢測方法的示意圖。
圖5為本發(fā)明的實施例中，具有一光致抗蝕劑層的檢測裝置的剖面示意圖。
圖6為本發(fā)明的實施例中，具有多個光致抗蝕劑圖案的檢測裝置的剖面示意圖。
簡單符號說明

具體實施方式
請參考圖1與圖2，圖1為本發(fā)明優(yōu)選實施例的檢測裝置的上視圖，圖2為圖1所示的檢測裝置延切線2-2’的剖面示意圖。如圖1所示，一檢測裝置10包括一基板12，并且基板12的表面具有多個圖案層14a～14p，而每一個圖案層的上表面積與曝光區(qū)域(shot region)12a尺寸大小相配合。此曝光區(qū)域12a乃是指生產(chǎn)工藝中，一曝光機(jī)器的光源每一次投射在基板12的區(qū)域范圍。此外，如圖1所示，檢測裝置10還可包括數(shù)個設(shè)置于基板12表面的對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)15a。其中，各圖案層14a～14p具有至少兩種不同的高度，例如如圖2所示，圖案層14a、14b、14c與14d便分別具有不同的高度。由于本發(fā)明的檢測裝置10用于檢測曝光機(jī)器的驅(qū)動及計算能力，因此必須注意的是，圖2僅是本發(fā)明的各圖案層的高度分布的一實施例，唯本發(fā)明的各圖案層的高度分布并不局限于圖2，可視各機(jī)器不同而加以改變?；蛘哌€例如在本發(fā)明另一實施例中，同一行的圖案層皆具有同樣的高度，而不同行的圖案層則變化其高度，亦即圖1所示的圖案層14a～14d可均具有一第一高度，圖案層14e～14h均具有一第二高度，圖案層14i～14l均具有一第三高度，而圖案層14m～14p則均具有一第四高度，并且第一高度、第二高度、第三高度以及第四高度均不相同。
此外，本發(fā)明先利用一測量儀器，例如橢圓儀，測量檢測裝置10的各個圖案層14a～14p的相對高度，例如圖2所示的h1、h2、與h3等，而各個圖案層14a～14p的相對高度組成一第一表面數(shù)據(jù)，隨后并將第一表面數(shù)據(jù)儲存于一數(shù)據(jù)庫內(nèi)。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，基板12為一半導(dǎo)體基板，例如硅晶片，此外，基板12亦可以是一絕緣基板，例如玻璃基板或石英基板。另一方面，各圖案層14a～14p可由二氧化硅、氮化硅或金屬等材料所構(gòu)成，并且各圖案層14a～14p經(jīng)由薄膜沉積、光刻與蝕刻等工藝而制作完成，而各個圖案層14a～14p的優(yōu)選相對高度大約介于0.05微米(μm)與0.5微米之間。
以下將介紹兩種利用本發(fā)明的檢測裝置10來檢測一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的優(yōu)選實施例。圖3為本發(fā)明第一實施例的檢測方法的流程圖。請參考圖1、圖2及圖3，本發(fā)明的檢測方法包括下列步驟步驟20開始；步驟22提供一檢測裝置10及其相對應(yīng)的一第一表面數(shù)據(jù)。例如，此第一表面數(shù)據(jù)可以是各個圖案層14a～14p的實際相對高度；步驟24將檢測裝置10加載一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器之內(nèi)。其中，可進(jìn)行一晶片對準(zhǔn)步驟(wafer alignment step)，以使掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器利用對準(zhǔn)標(biāo)記15a來對準(zhǔn)檢測裝置10；步驟26進(jìn)行一曝光程序。曝光程序一般包括下列步驟步驟260利用掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的表面輪廓偵測系統(tǒng)，來掃描檢測裝置10的表面以測得檢測裝置10的一第二表面數(shù)據(jù)。例如，此第二表面數(shù)據(jù)可以是表面輪廓偵測系統(tǒng)所測得的各個圖案層14的相對高度；步驟262利用掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的基板平臺，將檢測裝置10移動至第二表面數(shù)據(jù)所對應(yīng)的基板位置；步驟264進(jìn)行一曝光步驟，利用掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的光源來照射檢測裝置10；步驟28比對第一表面數(shù)據(jù)與第二表面數(shù)據(jù)；以及步驟30結(jié)束。
其中，若將檢測裝置送入機(jī)器并可順利做完曝光程序，在步驟28比對第一表面數(shù)據(jù)與第二表面數(shù)據(jù)時，若第二表面數(shù)據(jù)所紀(jì)錄的數(shù)據(jù)不同于第一表面數(shù)據(jù)時，即表示表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算有誤，反之，如果第二表面數(shù)據(jù)所紀(jì)錄的數(shù)據(jù)與第一表面數(shù)據(jù)相同，即表示表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算正確無誤。另一方面，如果在步驟26的曝光程序的進(jìn)行過程中，掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器產(chǎn)生一異常信息(例如，當(dāng)機(jī)(crash))時，此時即可進(jìn)行步驟28，比對第一表面數(shù)據(jù)與第二表面數(shù)據(jù)。并且當(dāng)?shù)诙砻鏀?shù)據(jù)所紀(jì)錄的數(shù)據(jù)不同于第一表面數(shù)據(jù)時，即表示表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算有誤，反之如果第二表面數(shù)據(jù)所紀(jì)錄的數(shù)據(jù)與第一表面數(shù)據(jù)相同卻出現(xiàn)異常信息，即表示基板平臺的驅(qū)動可能有誤。
值得注意的是，由于本發(fā)明已利用其它測量儀器測得各圖案層14的實際相對高度，因此將掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的表面輪廓偵測系統(tǒng)測得的數(shù)值與各圖案層14的實際相對高度作比較，便可得知掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的表面輪廓偵測系統(tǒng)測得的數(shù)據(jù)是否準(zhǔn)確，如此一來，工藝工程師或設(shè)備工程師便可迅速而有效地比較各種曝光機(jī)器的運(yùn)算能力。此外，由于檢測裝置10具有不同高度的圖案層14，而且掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的基板平臺必須依據(jù)檢測裝置10表面的高低起伏，來驅(qū)動并調(diào)整檢測裝置10的位置，所以檢測裝置10可用來檢查基板平臺所能驅(qū)動的最大角度與高度，進(jìn)一步地讓工藝工程師或設(shè)備工程師迅速而有效地比較各種曝光機(jī)器的驅(qū)動能力。
圖4為本發(fā)明第二實施例的檢測方法的示意圖，圖5為具有一光致抗蝕劑層的檢測裝置的剖面示意圖，而圖6為具有多個光致抗蝕劑圖案的檢測裝置的剖面示意圖。請同時參考圖4、圖5及圖6，本發(fā)明的檢測方法包括下列步驟
步驟40開始；步驟42提供一檢測裝置10，并形成一光致抗蝕劑層16于檢測裝置10的表面。具有光致抗蝕劑層16的檢測裝置10的剖面結(jié)構(gòu)則如圖5所示；步驟44將檢測裝置10加載一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器之內(nèi)，并進(jìn)行一曝光程序。其中，加載掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器時，可利用圖1所示的對準(zhǔn)標(biāo)記15a進(jìn)行一晶片對準(zhǔn)步驟，另外，曝光程序一般也如前述圖3的實施例所示，包括步驟260、步驟262與步驟264；步驟46如圖6所示，進(jìn)行一顯影工藝，以形成多個光致抗蝕劑圖案18于檢測裝置10表面；步驟48利用一檢測儀器分析光致抗蝕劑圖案18；以及步驟50結(jié)束。
此外，圖4的步驟48所示的檢測儀器包括一表面分析儀，例如掃描式電子顯微鏡(SEM)，并且藉由檢測儀器來檢查檢測裝置10表面的各光致抗蝕劑圖案18，以觀察各光致抗蝕劑圖案18是否品質(zhì)良好或是產(chǎn)生圖案失真，配合原檢測裝置的第一表面數(shù)據(jù)(檢測裝置的實際高度或相對高度)，進(jìn)而確認(rèn)曝光機(jī)器的聚焦能力。舉例而言，如果以同線寬的光掩模圖案曝于上述的光致抗蝕劑層16上，然而在原來具有不同高度的各圖案層上卻得到實際不同線寬的光致抗蝕劑圖案18，這樣便表示曝光機(jī)器聚焦能力產(chǎn)生問題，亦即驅(qū)動或計算能力不佳。
在本發(fā)明第二實施例的檢測方法中，由于檢測裝置10包括多個具有不同高度的圖案層14a～14p，因此可藉由觀察各圖案層14a～4p表面的各光致抗蝕劑圖案18是否產(chǎn)生失焦(defocus)或圖案失真的情形，以檢驗一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器是否可依據(jù)檢測裝置10的表面高低起伏而準(zhǔn)確地進(jìn)行曝光工藝，進(jìn)而判斷一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的焦點(diǎn)或水平控制能力的優(yōu)劣，如此一來便可讓工藝工程師或設(shè)備工程師迅速而有效地比較各家廠商的曝光機(jī)器的優(yōu)劣。
必須注意的是，上述的檢測方法與檢測裝置10應(yīng)用于比較與評估各家廠商的曝光機(jī)器，不過本發(fā)明并不限于此，例如，當(dāng)操作人員懷疑掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的焦點(diǎn)或水平控制有問題時，操作人員亦可利用本發(fā)明的檢測方法與檢測裝置10，來驗證掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器焦點(diǎn)或水平控制是否已經(jīng)產(chǎn)生偏差。
此外，以上各實施例以掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器來說明本發(fā)明的檢測裝置10與檢測方法，然而本發(fā)明并不限于此，上述的檢測方法與檢測裝置10亦可使用于其它種類的曝光機(jī)器，例如步進(jìn)式曝光機(jī)器(stepper)。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供檢測裝置10以及利用檢測裝置10來檢驗一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器，由于檢測裝置10所對應(yīng)的第一表面數(shù)據(jù)為已知的數(shù)據(jù)，因此將表面輪廓偵測系統(tǒng)所測得的第二表面數(shù)據(jù)與第一表面數(shù)據(jù)作比較，便可得知表面輪廓偵測系統(tǒng)所測得的數(shù)據(jù)是否準(zhǔn)確，進(jìn)而可迅速而有效地驗證各掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算精準(zhǔn)度。此外，本發(fā)明還可利用檢測裝置10的圖案高度差設(shè)計，來檢查基板平臺所能驅(qū)動的最大角度與高度，以驗證基板平臺的驅(qū)動能力，進(jìn)而可迅速而有效地驗證各掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器的基板平臺的驅(qū)動精準(zhǔn)度。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于曝光機(jī)器的檢測裝置，該檢測裝置包括一基板；以及多個圖案層設(shè)置于該基板的表面，其中各該圖案層的面積與該曝光機(jī)器的曝光區(qū)域(shot region)的尺寸相配合，并且該些圖案層具有至少兩種不同的高度。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其中該曝光機(jī)器為一掃描式步進(jìn)曝光機(jī)器或一步進(jìn)式曝光機(jī)器。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測裝置，其中該檢測裝置還包括多個對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)，設(shè)置于該基板的表面，用來使該曝光機(jī)器得以進(jìn)行一晶片對準(zhǔn)步驟(wafer alignment step)。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其中該基板的材料選自于由硅、玻璃及石英所組成的一族群。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其中該些圖案層的優(yōu)選相對高度介于0.05微米(μm)與0.5微米之間。
6.一種用于曝光機(jī)器的檢測方法，該檢測方法包括提供一檢測裝置，且該檢測裝置至少包括一基板；以及多個圖案層設(shè)置于該基板上，其中各該圖案層的面積與該曝光機(jī)器的曝光區(qū)域的尺寸相配合，并且該些圖案層具有至少兩種不同的高度；提供該檢測裝置所對應(yīng)的一第一表面數(shù)據(jù)，其中該第一表面數(shù)據(jù)至少包括該些圖案層的實際相對尺寸；將該檢測裝置送入該曝光機(jī)器中，以進(jìn)行一曝光程序，其中于該曝光程序可得一第二表面數(shù)據(jù)，且該第二表面數(shù)據(jù)至少包括該曝光機(jī)器所測得的該些圖案層的相對尺寸；以及比對該第一表面數(shù)據(jù)與該第二表面數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測方法，其中該曝光機(jī)器包括一表面輪廓偵測系統(tǒng)(surface topography detection system)以及一基板平臺(wafer stage)。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測方法，其中該曝光程序包括下列步驟利用該表面輪廓偵測系統(tǒng)掃描該檢測裝置的表面，以測得該第二表面數(shù)據(jù)；利用該基板平臺，以將該檢測裝置移動至該第二表面數(shù)據(jù)所對應(yīng)的基板位置；以及進(jìn)行一曝光步驟，以投射曝光光線于該檢測裝置的表面。
9.如權(quán)利要求6所述的檢測方法，其中該檢測裝置還包括多個對準(zhǔn)標(biāo)記，設(shè)置于該基板的表面。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測方法，其中該方法還包括進(jìn)行一晶片對準(zhǔn)步驟，以使該曝光機(jī)器利用該些對準(zhǔn)標(biāo)記來對準(zhǔn)該檢測裝置。
11.如權(quán)利要求8所述的檢測方法，其中當(dāng)該曝光程序進(jìn)行完畢，且當(dāng)該第二表面數(shù)據(jù)相同于該第一表面數(shù)據(jù)，即表示該表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算正確無誤。
12.如權(quán)利要求8所述的檢測方法，其中當(dāng)該曝光程序進(jìn)行完畢，且當(dāng)該第二表面數(shù)據(jù)不同于該第一表面數(shù)據(jù)，即表示該表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算有誤。
13.如權(quán)利要求8所述的檢測方法，其中于該曝光程序進(jìn)行過程中，當(dāng)該曝光機(jī)器出現(xiàn)一異常信息，且當(dāng)該第二表面數(shù)據(jù)不同于該第一表面數(shù)據(jù)時，即表示該表面輪廓偵測系統(tǒng)的計算有誤。
14.如權(quán)利要求8所述的檢測方法，其中于該曝光程序進(jìn)行過程中，當(dāng)該曝光機(jī)器出現(xiàn)一異常信息時，且當(dāng)該第二表面數(shù)據(jù)與該第一表面數(shù)據(jù)相同，即表示該基板平臺的驅(qū)動有誤。
15.一種用于曝光機(jī)器的檢測方法，該檢測方法包括提供一檢測裝置，其包括一基板；以及多個圖案層設(shè)置于該基板上，其中各該圖案層的面積與該曝光機(jī)器的曝光區(qū)域的尺寸相配合，并且該些圖案層具有至少兩種不同的高度；形成一光致抗蝕劑層于該檢測裝置的表面；利用該曝光機(jī)器，進(jìn)行一曝光程序于該光致抗蝕劑層上；進(jìn)行一顯影工藝于曝光后的該光致抗蝕劑層上，以形成至少一光致抗蝕劑圖案于各該圖案層的表面；以及配合該檢測裝置的表面數(shù)據(jù)來分析各該光致抗蝕劑圖案。
16.如權(quán)利要求15所述的檢測方法，其中該曝光機(jī)器包括一表面輪廓偵測系統(tǒng)以及一基板平臺。
17.如權(quán)利要求15所述的檢測方法，其中該檢測裝置還包括多個對準(zhǔn)標(biāo)記，設(shè)置于該基板的表面。
18.如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中該方法還包括進(jìn)行一晶片對準(zhǔn)步驟，以使該曝光機(jī)器利用該些對準(zhǔn)標(biāo)記來對準(zhǔn)該檢測裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于曝光機(jī)器的檢測裝置及檢測方法，本發(fā)明的檢測裝置包括一基板、與多個設(shè)置于基板表面的圖案層，其中每一個圖案層的面積與曝光機(jī)器的曝光區(qū)域的尺寸相配合，并且前述的圖案層包括至少兩種不同的高度，此外，本發(fā)明的檢測方法利用前述的曝光機(jī)器，來進(jìn)行一曝光程序于檢測裝置上或是具有一光致抗蝕劑層的檢測裝置上，隨后并藉由比對曝光機(jī)器所計算的檢測裝置的表面數(shù)據(jù)與檢測裝置的實際表面數(shù)據(jù)，或是藉由觀察曝光后的光致抗蝕劑圖案，以測試曝光機(jī)器的性能。
文檔編號H01L21/30GK1770419SQ200410089718
公開日2006年5月10日 申請日期2004年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月2日
發(fā)明者王宏祺, 林煒烽 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司