專利名稱：驗證光掩模的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驗證半導(dǎo)體工藝設(shè)備的方法，特別是涉及一種驗證光掩模(photomask)的方法。
背景技術(shù)：
光掩模是半導(dǎo)體工藝中非常重要的設(shè)備，原因是一片光掩模將用來生產(chǎn)大量相同的IC產(chǎn)品，如果光掩模上的圖案有錯誤，則以其制作的所有IC產(chǎn)品的圖案都會有錯誤，而可能必須全部報廢。
隨著半導(dǎo)體工藝的進步，工藝線寬也愈來愈細，此時半導(dǎo)體廠對光掩模的品質(zhì)把關(guān)即更加重要，而這對提供光掩模檢查工具(mask inspection tool)的業(yè)者而言亦為一項挑戰(zhàn)。目前，業(yè)界通常使用光掩模檢查工具及模擬法(simulation)來檢查光掩模上的異常圖形。
然而，由于光掩模檢查工具為使用電子束或遠紫外光(EUV)進行檢查的裝置，故其售價非常高，而無法使用在半導(dǎo)體廠中。因此，半導(dǎo)體業(yè)者只能相信光掩模業(yè)者的檢驗結(jié)果，而不得不對光掩模圖案的正確性產(chǎn)生疑慮。另一方面，模擬法的缺點則是正確率不夠，而可能造成量產(chǎn)時的潛在風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是在提供一種驗證光掩模的方法，其可使用半導(dǎo)體廠現(xiàn)有的設(shè)備來進行，以降低光掩模驗證的成本，而令半導(dǎo)體業(yè)者可以自行驗證光掩模的品質(zhì)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種驗證光掩模的方法，以增進光掩模驗證的準(zhǔn)確性，進而降低量產(chǎn)失敗的風(fēng)險。
本發(fā)明所提出的一種驗證光掩模的方法，先找出光掩模上的異常圖形，再驗證晶片上是否有對應(yīng)的異常圖形。首先，將此光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到晶片上，再找出光掩模上的異常圖形，并取得其坐標(biāo)。接著定義涵蓋此異常圖形在內(nèi)的光掩模區(qū)域，并取得此光掩模區(qū)域的坐標(biāo)，再于晶片上任選一曝光區(qū)(shot)，然后取得此曝光區(qū)中與光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的晶片區(qū)域的坐標(biāo)。接著，依據(jù)光掩模上異常圖形的坐標(biāo)、光掩模區(qū)域的坐標(biāo)及晶片區(qū)域的坐標(biāo)，計算此曝光區(qū)中可能有對應(yīng)于光掩模上異常圖形的異常圖形的位置。之后，確認此曝光區(qū)中的上述位置是否有對應(yīng)于光掩模上異常圖形的異常圖形。
本發(fā)明所提出的另一種驗證光掩模的方法，則是先找出晶片上的異常圖形，再驗證光掩模上是否有對應(yīng)的異常圖形。首先，將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到晶片上，再找出此晶片上多個曝光區(qū)的相同位置皆有的異常圖形。接著求得此異常圖形的坐標(biāo)，再定義涵蓋異常圖形在內(nèi)的晶片區(qū)域，并取得此晶片區(qū)域的坐標(biāo)。接著取得光掩模上對應(yīng)上述晶片區(qū)域的光掩模區(qū)域的坐標(biāo)，再依據(jù)晶片上異常圖形的坐標(biāo)、晶片區(qū)域的坐標(biāo)以及光掩模區(qū)域的坐標(biāo)，計算光掩模上可能有對應(yīng)于晶片上異常圖形的異常圖形的位置。之后，確認光掩模的上述位置是否有對應(yīng)于晶片上的異常圖形的異常圖形。
由于本發(fā)明以光掩模圖形轉(zhuǎn)移所得的晶片圖形來輔助光掩模的驗證，所以使用一般半導(dǎo)體廠常用的近紫外光光掩模檢測機來找出光掩模上的異常圖形即可。因此，本發(fā)明可以大幅降低光掩模驗證的成本，而可普遍適用于半導(dǎo)體廠中。同時，本發(fā)明又能確認光掩模上所檢測出的異常圖形是否確實影響到晶片圖案，或是確認晶片上的異常圖形是否確實由光掩模所造成者，所以也可增進光掩模驗證的準(zhǔn)確性。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細說明。


圖1為本發(fā)明第一實施例的光掩模驗證方法的流程圖。
圖2A、2B繪示本發(fā)明第一實施例的光掩模驗證方法的一個實例。
圖3為本發(fā)明第二實施例的光掩模驗證方法的流程圖。
圖4A、4B繪示本發(fā)明第二實施例的光掩模驗證方法的一個實例。簡單符號說明20、40晶片21、41曝光區(qū)22、44晶片區(qū)域24、46晶片區(qū)域的左下角端點
26、48晶片區(qū)域的右上角端點30晶片上可能有異常圖形的位置42晶片上的異常圖形200、400光掩模202光掩模上的異常圖形202’202的X軸映射鏡像204/402光掩模區(qū)域204’/402’204/402的X軸映像鏡像區(qū)域206/404光掩模區(qū)域204/402的左下角端點206’/404’204’/402’的左下角端點208/406光掩模區(qū)域204/402的右上角端點208’/406’204’/402’的右上角端點210、408光掩模區(qū)域的中心點410光掩模上可能有異常圖形的位置410’410的X軸映像鏡像位置S100～S150、S300～S360步驟標(biāo)號具體實施方式
第一實施例圖1為本發(fā)明第一實施例的光掩模驗證方法的流程圖，其先找出光掩模上的異常圖形，再驗證晶片上是否有對應(yīng)的異常圖形。如圖1所示，首先將光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到晶片上(步驟S100)，其可使用一般的曝光顯影裝置來進行。詳言之，此步驟可先將光致抗蝕劑層形成在晶片上，再利用曝光裝置將光掩模圖案投影在晶片上的光致抗蝕劑層上，然后以顯影裝置除去光致抗蝕劑層中不要的部分。
接著，找出光掩模上的一個異常圖形，并求得其坐標(biāo)(步驟S110)，再定義涵蓋異常圖形在內(nèi)的矩形光掩模區(qū)域，并取得此光掩模區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)(步驟S120)。上述步驟S110與S120可使用一般的光掩模檢測機來進行，如常用的KLA-SLF27型光掩模檢測機，其檢測所用的光波長為364nm，且檢測出的圖案可顯示在顯示器上，以使操作者能求得光掩模上異常圖形的坐標(biāo)，并定出矩形光掩模區(qū)域且取得其坐標(biāo)。另外，由于本實施例中所定義的光掩模區(qū)域呈矩形，所以其范圍可以二對角端點的坐標(biāo)來表示。
請續(xù)參照圖1，接著在晶片上任選一曝光區(qū)，并取得其中與光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的矩形晶片區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)(步驟S130)，此處假設(shè)光掩模-晶片圖案轉(zhuǎn)移時未產(chǎn)生扭曲，故與矩形光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的晶片區(qū)域的形狀亦為矩形。然后，由光掩模上的異常圖形的坐標(biāo)、光掩模區(qū)域的坐標(biāo)及晶片區(qū)域的坐標(biāo)，計算此曝光區(qū)中可能有對應(yīng)于光掩模上的異常圖形的異常圖形的位置(步驟S140)，再確認此曝光區(qū)中的上述位置是否有對應(yīng)于光掩模上的異常圖形的異常圖形(步驟S150)。其中，步驟S130及S150可使用關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行，其掃描出的圖案可顯示在顯示器上，以使操作者能定出與光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的矩形光掩模區(qū)域，并取得其坐標(biāo)以供換算，然后再行確認。
圖2A、2B繪示本發(fā)明第一實施例的光掩模驗證方法的一個實例。此實例所使用的曝光裝置會使晶片圖案為光掩模圖案的X軸映像鏡像(即上下顛倒)，且所取得的矩形光掩模/晶片區(qū)域的坐標(biāo)為其左下角端點及右上角端點的坐標(biāo)。
如圖2A所示，光掩模200上的異常圖形202的坐標(biāo)為(X4，Y4)，且所取得的涵蓋異常圖形202在內(nèi)的光掩模區(qū)域204的左下角端點206坐標(biāo)為(X1，Y1)，右上角端點208坐標(biāo)為(X2，Y2)。另如圖2B所示，從晶片20上所選取的曝光區(qū)21中，對應(yīng)的晶片區(qū)域22的左下角端點24坐標(biāo)為(A1，B1)，右上角端點26坐標(biāo)為(A2，B2)。利用此5坐標(biāo)(X4，Y4)、(X1，Y1)、(X2，Y2)、(A1，B1)及(A2，B2)，即可計算得到晶片區(qū)域22中可能有對應(yīng)于光掩模200上的異常圖形202的異常圖形30的位置(A4，B4)，其方法例如為下述者，請同時參照圖2A及2B。
首先，計算光掩模區(qū)域204的中心點210的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2，再求出光掩模區(qū)域204的X軸映像鏡像區(qū)域204’的左下角端點206’的坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點208’的坐標(biāo)(X6，Y6)。進行此步驟是因為本例中光掩模圖案與晶片圖案上下顛倒，且假設(shè)光掩模-晶片圖案轉(zhuǎn)移時未產(chǎn)生扭曲。由于矩形的上下顛倒的鏡像仍與原矩形重合，所以X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2。接著，計算異常圖形202的X軸映像鏡像202’的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X4，且Y7＝Y(jié)4-2(Y4-Y3)。此處之所以求出光掩模區(qū)域204的X軸映像鏡像區(qū)域204’的角端點坐標(biāo)及異常圖形202的X軸映像鏡像202’的坐標(biāo)，乃是因為晶片圖案與光掩模圖案有上下顛倒的關(guān)系。
接著，計算光掩模區(qū)域204與晶片區(qū)域22的X方向縮放比例Mx＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)，然后即可計算得到A4及B4，其中A4＝A1+Mx(X7-X5)，且B4＝B1+MY(Y7-Y5)。另外，圖中210、206’、208’、202’及30的上標(biāo)1～4表示其求出的先后順序。
雖然上述光掩模-晶片曝光區(qū)的坐標(biāo)換算以光掩模區(qū)域204的左下角端點206及晶片區(qū)域22的左下角端點24為準(zhǔn)，但亦可以光掩模區(qū)域204/晶片區(qū)域22的右上角端點為準(zhǔn)，其僅為計算上的問題而已。
第二實施例圖3為本發(fā)明第二實施例的光掩模驗證方法的流程圖，其先找出晶片上的異常圖形，再驗證光掩模上是否有對應(yīng)的異常圖形。首先，將光掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶片上(S300)，其步驟可如第一實施例所述者。接著，找出晶片上各曝光區(qū)的相同位置皆有的異常圖形(S310)，此步驟可使用一般的晶片檢測機來進行。然后，求出此異常圖形的坐標(biāo)(S320)，再定義涵蓋異常圖形在內(nèi)的矩形晶片區(qū)域，并取得其二對角端點的坐標(biāo)(S330)。其中，步驟S320與S330可使用關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行。
請續(xù)參照圖3，接著取得光掩模上對應(yīng)此晶片區(qū)域的矩形光掩模區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)(S340)，此處假設(shè)光掩模-晶片圖案轉(zhuǎn)移時未產(chǎn)生扭曲，故與矩形晶片區(qū)域?qū)?yīng)的光掩模區(qū)域的形狀亦為矩形。然后，再由晶片上的異常圖形的坐標(biāo)、晶片區(qū)域的坐標(biāo)以及光掩模區(qū)域的坐標(biāo)，計算光掩模上可能有對應(yīng)于晶片上異常圖形的異常圖形的位置(S350)。然后，確認光掩模的上述位置是否有對應(yīng)于晶片上異常圖形的異常圖形(S360)。其中，步驟S340與S360可使用一般的光掩模檢測機來進行，如前述的KLA-SLF27型光掩模檢測機。
圖4A、4B繪示本發(fā)明第二實施例的光掩模驗證方法的一個實例。此實例所使用的曝光裝置亦使晶片圖案與光掩模圖案上下顛倒，且所取得的矩形晶片/光掩模區(qū)域的坐標(biāo)亦為其左下端點及右上端點的坐標(biāo)。
如圖4A所示，晶片40上的異常圖形42的坐標(biāo)為(A4，B4)，且在任一曝光區(qū)41中，所取得的涵蓋異常圖形42在內(nèi)的晶片區(qū)域44的左下角端點46坐標(biāo)為(A1，B1)，右上角端點48坐標(biāo)為(A2，B2)。另如圖4B所示，光掩模400上對應(yīng)于晶片區(qū)域44的光掩模區(qū)域402的左下角端點404坐標(biāo)為(X1，Y1)，右上角端點406坐標(biāo)為(X2，Y2)。利用此5坐標(biāo)(A4，B4)、(A1，B1)、(A2，B2)、(X1，Y1)及(X2，Y2)，即可計算得到光掩模區(qū)域402中可能有對應(yīng)于晶片40上的異常圖形42的異常圖形410的位置(X4，Y4)，其方法例如為下述者，請同時參照圖4A及4B。
首先，計算光掩模區(qū)域402的中心點408的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2，再求出光掩模區(qū)域402的X軸映像鏡像區(qū)域402’的左下角端點404’的坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點406’的坐標(biāo)(X6，Y6)。進行此步驟是因為本例中光掩模圖案與晶片圖案上下顛倒，且假設(shè)光掩模-晶片圖案轉(zhuǎn)移時未產(chǎn)生扭曲。由于矩形的上下顛倒的鏡像仍與原矩形重合，所以X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2。接著計算光掩模區(qū)域402與晶片區(qū)域44的X方向縮放比例Mx＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)，再計算可能存在于光掩模區(qū)域402中的「對應(yīng)于晶片區(qū)域44中異常圖形42的」異常圖形410的X軸映像鏡像410’的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X5+(A4-A1)/Mx，且Y7＝Y(jié)5+(B4-B1)/MY。然后即可計算得到X4及Y4，其中X4＝X7，且Y4＝2Y3-Y7。此處之所以要先計算異常圖形410的X軸映像鏡像410’的坐標(biāo)，乃是因為晶片圖案與光掩模圖案有上下顛倒的關(guān)系，而圖中408、404’、406’、410’及410的上標(biāo)1～4表示其求出的先后順序。
雖然上述光掩模-晶片曝光區(qū)的坐標(biāo)換算以晶片區(qū)域44的左下角端點46及光掩模區(qū)域402的左下角端點404為準(zhǔn)，但亦可以晶片區(qū)域44/光掩模區(qū)域402的右上角端點為準(zhǔn)，其僅為計算上的問題而已。
再者，雖然上述各實施例中所定義的光掩模區(qū)域/晶片區(qū)域為矩形區(qū)域，但本發(fā)明亦可定義其它呈簡單幾合形狀的區(qū)域，如圓形、橢圓形等，只要其范圍能簡單地以少數(shù)幾個參數(shù)定義即可。
綜上所述，由于本發(fā)明以光掩模圖形轉(zhuǎn)移所得的晶片圖形來輔助光掩模的驗證操作，故使用一般半導(dǎo)體廠常用的近紫外光光掩模檢測機(如KLA-SLF27型光掩模檢測機)來找出光掩模上的異常圖形即可。因此，本發(fā)明可以大幅降低光掩模驗證的成本，而可適用于半導(dǎo)體廠中。同時，本發(fā)明又能確認光掩模上所檢測出的異常圖形是否確實影響到晶片圖案，或是確認晶片上的異常圖形是否確實由光掩模所造成，所以也可增進光掩模驗證的準(zhǔn)確性。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種驗證光掩模的方法，包括a.將該光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到一晶片上；b.找出該光掩模上的一異常圖形，并求得其坐標(biāo)；c.定義涵蓋該異常圖形在內(nèi)的一光掩模區(qū)域，并取得該光掩模區(qū)域的坐標(biāo)；d.在該晶片上任選一曝光區(qū)(shot)，并取得該曝光區(qū)中與該光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的一晶片區(qū)域的坐標(biāo)；e.依據(jù)該光掩模上的該異常圖形的坐標(biāo)、該光掩模區(qū)域的坐標(biāo)以及該晶片區(qū)域的坐標(biāo)，計算該曝光區(qū)中可能有對應(yīng)于該光掩模上的該異常圖形的一異常圖形的位置；以及f.確認該曝光區(qū)中的該位置是否有對應(yīng)于該光掩模上的該異常圖形的一異常圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的驗證光掩模的方法，其中步驟b及c使用一光掩模檢測機來進行。
3.如權(quán)利要求1所述的驗證光掩模的方法，其中步驟d及f使用一關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行。
4.如權(quán)利要求1所述的驗證光掩模的方法，其中該光掩模區(qū)域及對應(yīng)的該晶片區(qū)域皆為一矩形區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的驗證光掩模的方法，其中步驟c所取得的該光掩模區(qū)域的坐標(biāo)為其二對角端點的坐標(biāo)，且步驟d所取得的該晶片區(qū)域的坐標(biāo)亦為其二對角端點的坐標(biāo)。
6.如權(quán)利要求5所述的驗證光掩模的方法，其中該光掩模上的該異常圖形的坐標(biāo)為(X4，Y4)，步驟c取得該光掩模區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X1，Y1)及右上角端點坐標(biāo)(X2，Y2)，且步驟d取得該晶片區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(A1，B1)及右上角端點坐標(biāo)(A2，B2)，而該晶片區(qū)域中可能有對應(yīng)的異常圖形的位置由該5坐標(biāo)(X4，Y4)、(X1，Y1)、(X2，Y2)、(A1，B1)及(A2，B2)計算而得。
7.如權(quán)利要求6所述的驗證光掩模的方法，其中計算該晶片區(qū)域中可能有對應(yīng)的異常圖形的位置(A4，B4)的方法包括計算該光掩模區(qū)域的中心點的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2；求出該光掩模區(qū)域的一X軸映像鏡像區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點坐標(biāo)(X6，Y6)，其中X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2；計算該光掩模區(qū)域中的該異常圖形的X軸映像鏡像的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X4，且Y7＝Y(jié)4-2(Y4-Y3)；計算該光掩模區(qū)域與該晶片區(qū)域的X方向縮放比例MX＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)；以及計算A4及B4，其中A4＝A1+MX(X7-X5)，且B4＝B1+MY(Y7-Y5)。
8.一種驗證光掩模的方法，包括a.將該光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到一晶片上；b.找出該光掩模上的一異常圖形，并求得其坐標(biāo)(X4，Y4)；c.定義涵蓋該異常圖形在內(nèi)的一矩形光掩模區(qū)域，并取得該矩形光掩模區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)，包括左下角端點坐標(biāo)(X1，Y1)及右上角端點坐標(biāo)(X2，Y2)；d.在該晶片上任選一曝光區(qū)(shot)，并取得該曝光區(qū)中與該矩形光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的一矩形晶片區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)，包括左下角端點坐標(biāo)(A1，B1)及右上角端點坐標(biāo)(A2，B2)；e.依據(jù)該5坐標(biāo)(X4，Y4)、(X1，Y1)、(X2，Y2)、(A1，B1)及(A2，B2)，計算該曝光區(qū)中可能有對應(yīng)于該光掩模上的該異常圖形的一異常圖形的位置(A4，B4)；以及f.確認該曝光區(qū)中的該位置是否有對應(yīng)于該光掩模上的該異常圖形的一異常圖形，其中，步驟e包括計算該矩形光掩模區(qū)域的中心點的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2；求出該矩形光掩模區(qū)域的一X軸映像鏡像區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點坐標(biāo)(X6，Y6)，其中X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2；計算該矩形光掩模區(qū)域中的該異常圖形的X軸映像鏡像的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X4，且Y7＝Y(jié)4-2(Y4-Y3)；計算該矩形光掩模區(qū)域與該矩形晶片區(qū)域的X方向縮放比例MX＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)；以及計算A4及B4，其中A4＝A1+MX(X7-X5)，且B4＝B1+MY(Y7-Y5)。
9.如權(quán)利要求8所述的驗證光掩模的方法，其中步驟b及c使用一光掩模檢測機來進行。
10.如權(quán)利要求8所述的驗證光掩模的方法，其中步驟d及f使用一關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行。
11.一種驗證光掩模的方法，包括a.將該光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到一晶片上；b.找出該晶片上多個曝光區(qū)的相同位置皆有的一異常圖形；c.求得該異常圖形的坐標(biāo)；d.定義涵蓋該異常圖形在內(nèi)的一晶片區(qū)域，并取得該晶片區(qū)域的坐標(biāo)；e.取得該光掩模上對應(yīng)該晶片區(qū)域的一光掩模區(qū)域的坐標(biāo)；f.依據(jù)該晶片上的該異常圖形的坐標(biāo)、該晶片區(qū)域的坐標(biāo)以及該光掩模區(qū)域的坐標(biāo)，計算該光掩模上可能有對應(yīng)于該晶片上的該異常圖形的一異常圖形的位置；以及g.確認該光掩模的該位置是否有對應(yīng)于該晶片的該異常圖形的一異常圖形。
12.如權(quán)利要求11所述的驗證光掩模的方法，其中步驟b使用一晶片檢測機來進行。
13.如權(quán)利要求11所述的驗證光掩模的方法，其中步驟c及d使用一關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行。
14.如權(quán)利要求11所述的驗證光掩模的方法，其中步驟e及g使用一光掩模檢測機來進行。
15.如權(quán)利要求11所述的驗證光掩模的方法，其中該晶片區(qū)域及對應(yīng)的該光掩模區(qū)域皆為一矩形區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述的驗證光掩模的方法，其中步驟d所取得的該晶片區(qū)域的坐標(biāo)為其二對角端點的坐標(biāo)，且步驟e所取得的該光掩模區(qū)域的坐標(biāo)亦為其二對角端點的坐標(biāo)。
17.如權(quán)利要求16所述的驗證光掩模的方法，其中該晶片上的該異常圖形的坐標(biāo)為(A4，B4)，步驟d取得該晶片區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(A1，B1)及右上角端點坐標(biāo)(A2，B2)，且步驟e取得該光掩模區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X1，Y1)及右上角端點坐標(biāo)(X2，Y2)，而該光掩模區(qū)域中可能有對應(yīng)的異常圖形的位置由該5坐標(biāo)(A4，B4)、(A1，B1)、(A2，B2)、(X1，Y1)及(X2，Y2)計算而得。
18.如權(quán)利要求17所述的驗證光掩模的方法，其中計算該光掩模區(qū)域中可能有對應(yīng)的異常圖形的位置(X4，Y4)的方法包括計算該光掩模區(qū)域的中心點的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2；求出該光掩模區(qū)域的一X軸映像鏡像區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點坐標(biāo)(X6，Y6)，其中X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2；計算該光掩模區(qū)域與該晶片區(qū)域的X方向縮放比例MX＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)；計算可能存在于該光掩模區(qū)域中的“對應(yīng)于該晶片上的該異常圖形的”異常圖形的X軸映像鏡像的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X5+(A4-A1)/MX，且Y7＝Y(jié)5+(B4-B1)/MY；以及計算X4及Y4，其中X4＝X7，且Y4＝2Y3-Y7。
19.一種驗證光掩模的方法，包括a.將該光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到一晶片上；b.找出該晶片上多個曝光區(qū)的相同位置皆有的一異常圖形；c.求得該異常圖形的坐標(biāo)(A4，B4)；d.定義涵蓋該異常圖形在內(nèi)的一矩形晶片區(qū)域，并取得該矩形晶片區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)，包括左下角端點坐標(biāo)(A1，B1)及右上角端點坐標(biāo)(A2，B2)；e.取得該光掩模上對應(yīng)該矩形晶片區(qū)域的一矩形光掩模區(qū)域的二對角端點的坐標(biāo)，包括左下角端點坐標(biāo)(X1，Y1)及右上角端點坐標(biāo)(X2，Y2)；f.依據(jù)該5坐標(biāo)(A4，B4)、(A1，B1)、(A2，B2)、(X1，Y1)及(X2，Y2)，計算該光掩模上可能有對應(yīng)于該晶片上的該異常圖形的一異常圖形的位置(X4，Y4)；以及g.確認該光掩模的該位置是否有對應(yīng)于該晶片的該異常圖形的一異常圖形，其中，步驟f包括計算該矩形光掩模區(qū)域的中心點的坐標(biāo)(X3，Y3)，其中X3＝(X1+X2)/2，Y3＝(Y1+Y2)/2；求出該矩形光掩模區(qū)域的一X軸映像鏡像區(qū)域的左下角端點坐標(biāo)(X5，Y5)及右上角端點坐標(biāo)(X6，Y6)，其中X5＝X1、Y5＝Y(jié)1、X6＝X2且Y6＝Y(jié)2；計算該矩形光掩模區(qū)域與該矩形晶片區(qū)域的X方向縮放比例MX＝(A2-A1)/(X2-X1)及Y方向縮放比例MY＝(B2-B1)/(Y2-Y1)；計算可能存在于該矩形光掩模區(qū)域中的“對應(yīng)于該晶片上的該異常圖形的”異常圖形的X軸映像鏡像的坐標(biāo)(X7，Y7)，其中X7＝X5+(A4-A1)/MX，且Y7＝Y(jié)5+(B4-B1)/MY；以及計算X4及Y4，其中X4＝X7，且Y4＝2Y3-Y7。
20.如權(quán)利要求19所述的驗證光掩模的方法，其中步驟b使用一晶片檢測機來進行。
21.如權(quán)利要求19所述的驗證光掩模的方法，其中步驟c及d使用一關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行。
22.如權(quán)利要求19所述的驗證光掩模的方法，其中步驟e及g使用一光掩模檢測機來進行。
全文摘要
一種驗證光掩模的方法，其先將光掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶片上，再找出光掩模上的異常圖形，并取得其坐標(biāo)。然后定義涵蓋異常圖形在內(nèi)的光掩模區(qū)域，并取得此區(qū)域的坐標(biāo)。接著在晶片上任選一曝光區(qū)，并取得其中與光掩模區(qū)域?qū)?yīng)的晶片區(qū)域的坐標(biāo)，再由以上各坐標(biāo)計算此曝光區(qū)中可能有對應(yīng)于光掩模上異常圖形的異常圖形的位置。然后，確認此曝光區(qū)的上述位置是否有對應(yīng)于光掩模上異常圖形的異常圖形。
文檔編號H01L21/66GK1770394SQ20041008972
公開日2006年5月10日 申請日期2004年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月2日
發(fā)明者林合信 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司