專利名稱：平板顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
概括而言，本發(fā)明涉及一種平板顯示裝置，具體而言，涉及一種通過使公共電源線(Vdd線)恒定地保持彎曲、既減小公共電源線布線寬度又減少顯示板尺寸的平板顯示裝置。
本申請(qǐng)請(qǐng)求享有2003年11月27日遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)2003-85233號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容在本申請(qǐng)中引作參考。
背景技術(shù)：
圖1A為有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)的示意性平面圖；圖1B為沿圖1A中線I-I剖切的剖面圖，用于顯示有機(jī)EL裝置的公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)。
如圖1A所示，有機(jī)EL裝置包括發(fā)光區(qū)100和非發(fā)光區(qū)200，并且非發(fā)光區(qū)位于顯示板的外圍。公共電源線54設(shè)置于顯示板周圍的非發(fā)光區(qū)域中，以便將公共電壓輸送給發(fā)光區(qū)。
如圖1B所示，在基底10上形成緩沖層15，在緩沖層15上形成柵極絕緣層30，再依序?qū)盈B層間絕緣層40，從而在顯示板外圍的非發(fā)光區(qū)域200中在層間絕緣層40上面用與源極/漏極相同的材料形成公共電源線54。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了防止電短路，在公共電源線下面不形成如柵極線之類的信號(hào)線。于是，將公共電源線制造成使其寬度約為1.5mm，以便保持恒定的布線電阻。因此，顯示板的總尺寸增大。
此外，在傳統(tǒng)的有機(jī)EL裝置中，由于設(shè)置于發(fā)光區(qū)中的公共電源線的布線寬度和設(shè)置于顯示板外圍中的公共電源線的布線寬度導(dǎo)致顯示板的尺寸增大。
圖2A所示的平面圖表示圖1A中有機(jī)EL裝置的發(fā)光區(qū)的平面結(jié)構(gòu)；圖2B為沿圖2A中線II-II剖切的剖面圖。
如圖2B所示，設(shè)有在透明絕緣基底10上形成有象素電極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的A區(qū)域、布設(shè)公共電源線的B區(qū)域、以及形成電容的C區(qū)域。
在絕緣基底10上形成緩沖層15，并且在A區(qū)域的緩沖層15上面的區(qū)域中形成包括具有源極/漏極區(qū)21和22的半導(dǎo)體層20的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、柵電極31、以及通過接觸孔41和42與源極/漏極區(qū)21和22連接的源極/漏極51和52，而在C區(qū)形成由第一電極32和第二電極53構(gòu)成的電容。
在半導(dǎo)體層20與柵電極31和第一電極32之間形成柵極絕緣層30。在柵電極31和第一電極32及源極/漏極51、52和第二電極53之間形成層間絕緣層40。然后形成鈍化層60。
在鈍化層60上形成象素電極70作為陽(yáng)極電極，其通過通孔61與源極/漏極51和52之一、例如與漏極52連接，并且可以在包含象素電極70的鈍化層60上面形成平坦化層80，該平坦化層80具有將象素電極70的某些部分露出的開口81。
可以在開口81上面形成有機(jī)發(fā)光層90，并且在有機(jī)發(fā)光層90上面形成陰極電極95。
如圖2A所示，有機(jī)EL裝置包括多條信號(hào)線，即用于施加掃描信號(hào)的柵極線35、用于施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線55、和用于向所有象素施加公共電壓Vdd以便提供驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管所需的參考電壓的公共電源線Vdd 54。
可將象素設(shè)定于由這些信號(hào)線35、54和55所限定的每個(gè)象素區(qū)域中，其中每個(gè)象素可包括多個(gè)與這些信號(hào)線連接的薄膜晶體管、一個(gè)電容以及有機(jī)EL裝置。
在傳統(tǒng)的有機(jī)EL裝置中，在形成柵電極31時(shí)可以形成柵極線35和電容的第一電極32，并且可在形成源極/漏極51和52時(shí)形成數(shù)據(jù)線55、電源線54和電容的第二電極53。在這種情形中，電容的第二電極53和源極/漏極之一具有從公共電源線54延伸出的結(jié)構(gòu)。換言之，可在形成源極/漏極的同時(shí)形成公共電源線。
發(fā)光區(qū)100中的公共電源線54也可以通過與顯示板外圍非發(fā)光區(qū)200相同的方式層疊，由于線的布線寬度導(dǎo)致顯示板尺寸增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種平板顯示器，其具有能保持傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的布線電阻同時(shí)減小電源線寬度的電源線布線結(jié)構(gòu)。值得注意的是，此處所使用的術(shù)語(yǔ)“彎曲”并不要求平滑過渡，而是與對(duì)于較長(zhǎng)距離來說看起大體呈直線的形狀不同的形狀。例如，層54在圖1B中呈直線形，而在圖4B中呈彎曲狀，不過其具體曲率僅是一個(gè)例子。
在本發(fā)明一示例性實(shí)施方式中，提供一種平板顯示裝置，其包括具有第一電極、第二電極和處于第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光層部分；至少兩個(gè)用于控制發(fā)光層部分的薄膜晶體管；用于將掃描信號(hào)輸送給薄膜晶體管的掃描信號(hào)線；用于將數(shù)據(jù)信號(hào)輸送給薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)線；具有向發(fā)光層部分輸送電流的公共電源線的發(fā)光區(qū)；以及與公共電源線連接并且在發(fā)光區(qū)以外的非發(fā)光區(qū)上具有至少一個(gè)彎曲部分的外圍公共電源線。
在本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式中，提供一種平板顯示裝置，其包括絕緣基底；形成于絕緣基底整個(gè)表面上的緩沖層；形成于緩沖層上面的柵極絕緣層；形成于柵極絕緣層上面并被構(gòu)圖成彎曲形狀的層間絕緣層；以及形成于層間絕緣層上面的公共電源線。


下文將結(jié)合附圖參照某些示例性實(shí)施方式描述本發(fā)明的上述和其他特征。
圖1A為傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光(EL)裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)的示意性平面圖；圖1B為沿圖1A中線I-I剖切的剖面圖，它示出了傳統(tǒng)有機(jī)EL裝置的公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)；圖2A所示的平面圖表示圖1A中有機(jī)EL裝置的發(fā)光區(qū)的平面結(jié)構(gòu)；圖2B為沿圖2A中線II-II剖切的剖面圖；圖3為本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)的示意性平面圖；圖4A為沿圖3中線I’-I’剖切的剖面圖，表示本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)；圖4B為沿圖3中線I’-I’剖切的剖面圖，表示本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)；圖5A為沿圖2A中線II-II剖切的剖面圖，表示本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的疊層結(jié)構(gòu)；圖5B為沿線II-II剖切的剖面圖，表示本發(fā)明第四示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的疊層結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面將參照表示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。當(dāng)然，本發(fā)明可以通過不同方式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)視為限于此處給出的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式是為了使其公開充分且完整，并且使本領(lǐng)域技術(shù)人員完全了解本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，放大了層和區(qū)域的厚度。在本說明書中相同附圖標(biāo)記表示相同元件。
圖3為本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)的平面示意圖。
圖4A為沿圖3中線I’-I’剖切的剖面圖，其示出了本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的平板顯示器公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)。
如圖4A所示，本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置包括形成于基底10的整個(gè)表面上的緩沖層15，其通常用作為發(fā)光區(qū)100和非發(fā)光區(qū)200。然后使用多晶硅在發(fā)光區(qū)100中形成半導(dǎo)體層，并在基底的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層30。
然后，可在柵極絕緣層上的發(fā)光區(qū)100的半導(dǎo)體層上面形成柵電極，并且在包含柵電極的基底整個(gè)表面上形成層間絕緣層40?？蓪?duì)發(fā)光區(qū)100的層間絕緣層40進(jìn)行蝕刻，以形成用于分別露出源極/漏極區(qū)的第一和第二接觸孔，并且通過沿縱向(即，圖3的y軸)蝕刻，可以同時(shí)對(duì)在非發(fā)光區(qū)200中形成公共電源線54的層間絕緣層40構(gòu)圖，使之呈彎曲狀，如圖4A所示。
在此情形中，非發(fā)光區(qū)200的層間絕緣層40起減小布線寬度的作用，同時(shí)能使公共電源線保持典型的布線電阻，優(yōu)選應(yīng)當(dāng)具有至少一個(gè)這種彎曲部分。彎曲部分優(yōu)選是不均勻的，并且彎曲部分之間的距離b優(yōu)選至少為公共電源線疊層厚度a的兩倍。
對(duì)層間絕緣層40構(gòu)圖之后，可以在基底的整個(gè)表面上沉積金屬電極材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而在發(fā)光區(qū)100的薄膜晶體管中形成分別通過第一和第二接觸孔與源極/漏極區(qū)接觸的源極/漏極，而公共電源線54從非發(fā)光區(qū)中的源極/漏極之一延伸出。
在本實(shí)施方式中，蝕刻待形成公共電源線54的非發(fā)光區(qū)200的層間絕緣層40的過程可以與用于形成接觸孔的蝕刻過程同時(shí)進(jìn)行，無(wú)需掩模過程，并且可以形成具有恒定彎曲部分的公共電源線，而且在電流流經(jīng)的部件面積增大的情況下保持相同的布線電阻時(shí)，與傳統(tǒng)布線結(jié)構(gòu)相比，可減小布線寬度，從而減小總顯示板尺寸。
圖4B為沿圖3中線I’-I’部切的剖面圖，用于表示本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的平板顯示器公共電源線的疊層結(jié)構(gòu)。
如圖4B所示，從開始到柵極絕緣層形成過程與第一示例性實(shí)施方式的方法相同。
形成發(fā)光區(qū)100的柵電極時(shí)，也可以在非發(fā)光區(qū)200的公共電源線54的形成區(qū)域上沉積柵極金屬材料。在發(fā)光區(qū)100中對(duì)柵電極材料構(gòu)圖，以形成柵電極，并可保留非發(fā)光區(qū)200中的柵電極材料。
然后，可在柵極絕緣層30上基底的整個(gè)表面上面形成層間絕緣層40?？梢酝ㄟ^蝕刻發(fā)光區(qū)100的層間絕緣層54形成用于分別露出源極/漏極區(qū)的第一和第二接觸孔，同時(shí)可通過沿縱向(即，圖3的y軸方向)蝕刻，對(duì)非發(fā)光區(qū)200中待形成公共電源線的位置處的層間絕緣層構(gòu)圖，使之呈彎曲形狀，如圖4B所示。
在此情形中，非發(fā)光區(qū)200的層間絕緣層54起減小布線寬度的作用，同時(shí)可使公共電源線保持典型布線電阻，并且優(yōu)選應(yīng)當(dāng)存在至少一個(gè)這種彎曲部分。該彎曲部分優(yōu)選是非均勻的，彎曲部分之間的距離b優(yōu)選至少為公共電源線疊層厚度a的兩倍。
對(duì)層間絕緣層54構(gòu)圖之后，可在基底的整個(gè)表面上沉積金屬電極材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而在A區(qū)域的薄膜晶體管中形成分別通過第一和第二接觸孔與源極/漏極區(qū)接觸的源極/漏極，同時(shí)使公共電源線54從非發(fā)光區(qū)200中的源極/漏極之一延伸出。在這種情形中，非發(fā)光區(qū)200中公共電源線54的下彎曲部分可以與柵極金屬材料、即輔助公共電源線33接觸。
結(jié)果，根據(jù)第二示例性實(shí)施方式中非發(fā)光區(qū)域的公共電源線54，金屬布線具有雙層布線結(jié)構(gòu)，從而增大電流流經(jīng)的寬度，因而與傳統(tǒng)的公共電源線相比，當(dāng)保持相同布線電阻時(shí)，金屬布線的寬度減小。
圖5A為沿圖2A中線II-II剖切的剖面圖，用于表示本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的疊層結(jié)構(gòu)。
如圖5A所示，形成絕緣基底10，該基底包括形成象素電極和薄膜晶體管的A區(qū)域、設(shè)置公共電源線的B區(qū)域、以及形成電容的C區(qū)域?？梢栽诮^緣基底10上形成緩沖層15。
然后在A區(qū)域中待形成薄膜晶體管的部分上形成半導(dǎo)體層20，并在包括半導(dǎo)體層20的基底的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層30。然后在A區(qū)域的半導(dǎo)體層上方的柵極絕緣層30上形成柵電極31，并且在待形成C區(qū)域電容的柵極絕緣層上形成電容的第一電極32?？梢詫型和p型雜質(zhì)中的一種、如p型雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層20中，以形成源極/漏極區(qū)21和22，而半導(dǎo)體層20上方的柵電極31的下部起溝道層的作用。
在已形成有柵電極31和電容的第一電極32的柵極絕緣層30上的基底整個(gè)表面上形成層間絕緣層40。可以對(duì)A區(qū)域的層間絕緣層40進(jìn)行蝕刻，以形成用于分別露出源極/漏極區(qū)21和22的第一和第二接觸孔36和37，并且可通過沿縱向(即，圖2A的y軸)蝕刻，對(duì)待形成公共電源線的B區(qū)域的層間絕緣層同時(shí)構(gòu)圖，使之呈彎曲狀，如圖5A所示。
在此情形中，B區(qū)域的層間絕緣層起減小布線寬度的作用，同時(shí)可使公共電源線保持典型布線電阻，并且優(yōu)選存在至少一個(gè)這種彎曲部分。該彎曲部分優(yōu)選是非均勻的，彎曲部分之間的距離b優(yōu)選至少為公共電源線疊層厚度a的兩倍。
對(duì)層間絕緣層構(gòu)圖之后，可以在基底的整個(gè)表面上沉積金屬電極材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而在A區(qū)域的薄膜晶體管中形成分別通過第一和第二接觸孔36和37與源極/漏極區(qū)21和22接觸的源極/漏極41和42，同時(shí)使公共電源線從B區(qū)域之上的源極/漏極41和42之一延伸出。此時(shí)，可使源極/漏極41和42之一延伸，以形成C區(qū)域中電容的第二電極43。
當(dāng)源極/漏極之一和電容的第二電極與公共電源線相連時(shí)，可向本發(fā)明平板顯示裝置的象素區(qū)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管施加電能。
在本實(shí)施方式中，待形成公共電源線的B區(qū)域的層間絕緣層的蝕刻過程可以與用于形成接觸孔的蝕刻過程同時(shí)進(jìn)行，無(wú)需掩模過程，并且電源線可以形成為具有恒定的彎曲部分，當(dāng)電流流經(jīng)的部件面積增大的情況下保持相同布線電阻時(shí)，與傳統(tǒng)的布線結(jié)構(gòu)相比，可減小布線寬度，從而可減小總顯示板尺寸。
圖5B為沿線II-II剖切的剖面圖，用于表示本發(fā)明第四示例性實(shí)施方式的平板顯示裝置的疊層結(jié)構(gòu)。
如圖5B所示，從開始到在第四示例性實(shí)施方式中形成柵極絕緣層的過程與第三示例性實(shí)施方式方法相同。
在形成柵電極31時(shí)，還可以在待形成B區(qū)域的公共電源線的區(qū)域上沉積柵極金屬材料。可對(duì)柵電極材料構(gòu)圖，以形成柵電極31和電容的第一電極，并且保留B區(qū)域上的柵電極材料。
然后，將n型和p型雜質(zhì)中的一種、如p型雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層20中，以形成源極/漏極區(qū)21和22，并且半導(dǎo)體層20上方的柵電極31的下部起溝道層的作用。
在已形成有柵電極31和電容的第一電極32的柵極絕緣層30上的基底的整個(gè)表面上形成層間絕緣層40?？梢詫?duì)A區(qū)域的層間絕緣層40進(jìn)行蝕刻，以形成用于分別露出源極/漏極區(qū)21和22的第一和第二接觸孔36和37，并且可通過沿縱向(即，圖2A的y軸)進(jìn)行蝕刻，對(duì)B區(qū)域中待形成公共電源線的部位的層間絕緣層同時(shí)構(gòu)圖，使之呈彎曲狀，如圖3B所示。
在此情形中，B區(qū)域的層間絕緣層起減小布線寬度的作用，同時(shí)使公共電源線保持典型的布線電阻，并且優(yōu)選存在至少一個(gè)這種彎曲部分。彎曲部分優(yōu)選是非均勻的，彎曲部分之間的距離b優(yōu)選至少為公共電源線疊層厚度a的兩倍。
在對(duì)層間絕緣層構(gòu)圖后，可以在基底的整個(gè)表面上沉積金屬電極材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而在A區(qū)域的薄膜晶體管中形成分別通過第一和第二接觸孔36和37與源極/漏極區(qū)21和22接觸的源極/漏極41和42，同時(shí)使公共電源線從B區(qū)域上方的源極/漏極41和42之一延伸出。此時(shí)，源極/漏極41和42之一可以延伸出，以形成C區(qū)域中電容的第二電極43。在這種情形中，B區(qū)域中公共電源線的下彎曲部分可以與柵極金屬材料、即輔助公共電源線33接觸。
結(jié)果，根據(jù)第四示例性實(shí)施方式中的B區(qū)域的公共電源線，金屬布線具有雙層布線結(jié)構(gòu)，從而增大電流流經(jīng)的寬度，因此，當(dāng)保持相同布線電阻時(shí)，與傳統(tǒng)的公共電源線相比，金屬布線的寬度減小。
同時(shí)，在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中已經(jīng)描述了將發(fā)光區(qū)100的公共電源線54和非發(fā)光區(qū)200的公共電源線54分別制成彎曲形狀，當(dāng)然，發(fā)光區(qū)100的公共電源線54與非發(fā)光區(qū)200的公共電源線54也可以同時(shí)形成為彎曲形狀。
本發(fā)明中采用的平板顯示裝置可以包括但不限于有機(jī)發(fā)光二極管或液晶顯示裝置。
如上所述，可以將公共電源線形成為具有彎曲的布線結(jié)構(gòu)，或者使公共電源線具有雙層布線結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)在保持相同布線電阻的情況下，可減小布線寬度，并且由于布線電阻最小，還使IR下降。此外，可以減小布線寬度，從而減小平板顯示裝置的總顯示板尺寸。
應(yīng)當(dāng)理解，實(shí)施方式只是為了通過例子對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明而并非限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不超出本發(fā)明范圍和構(gòu)思的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行改進(jìn)和替換。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示裝置，包括具有第一電極、第二電極和處于所述第一與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光部分；至少兩個(gè)用于控制所述發(fā)光層部分的薄膜晶體管；用于將掃描信號(hào)輸送給所述至少兩個(gè)薄膜晶體管中每一個(gè)的掃描信號(hào)線；用于將數(shù)據(jù)信號(hào)輸送給所述至少兩個(gè)薄膜晶體管中每一個(gè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線；具有用于將電流輸送給所述發(fā)光部分的公共電源線的發(fā)光區(qū)；以及與所述公共電源線連接并且在除所述發(fā)光區(qū)以外的非發(fā)光區(qū)上具有至少一個(gè)非平坦部分的外圍公共電源線。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，所述非平坦部分是不均勻的。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，所述外圍公共電源線下面具有輔助公共電源線，使所述公共電源線與所述輔助公共電源線彼此直接接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線由與所述至少兩個(gè)薄膜晶體管的至少之一的柵電極相同的材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求3所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線與所述至少兩個(gè)薄膜晶體管的至少之一的柵電極在同一工藝過程中形成。
6.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，非平坦部分之間的寬度至少為所述公共電源線疊層厚度的兩倍。
7.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，沿所述公共電源線的縱向形成所述非平坦部分。
8.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，該平板顯示裝置是從液晶顯示裝置(LCD)、有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)、LCD與OLED的混合顯示器組成的組中選擇出的裝置。
9.如權(quán)利要求1所述的平板顯示裝置，其中，所述發(fā)光區(qū)的公共電源線具有至少一個(gè)非平坦部分。
10.如權(quán)利要求9所述的平板顯示裝置，其中，所述非平坦部分是不均勻的。
11.如權(quán)利要求9所述的平板顯示裝置，其中，還包括處于具有輔助公共電源線的所述外圍公共電源線下面的輔助公共電源線；所述輔助公共電源線本身與所述公共電源線之間直接接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線形成于所述發(fā)光區(qū)的公共電源線下面；這種設(shè)置使所述公共電源線與所述輔助公共電源線之間直接接觸。
13.如權(quán)利要求11所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線由與所述至少兩個(gè)薄膜晶體管的至少之一的柵電極相同的材料構(gòu)成。
14.一種平板顯示裝置，包括基底；形成于所述基底整個(gè)表面上的緩沖層；形成于所述緩沖層上面的柵極絕緣層；形成于所述柵極絕緣層上面并被構(gòu)圖成非平坦形狀的層間絕緣層；以及形成在所述非平坦的層間絕緣層上面并與薄膜晶體管相連的公共電源線。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，所述非平坦部分是不均勻的。
16.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，還包括處于所述層間絕緣層下面和所述柵極絕緣層上面的輔助公共電源線，其中所述輔助公共電源線和所述公共電源線的下部非平坦部分彼此接觸。
17.如權(quán)利要求16所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線由與所述薄膜晶體管的柵電極相同的材料構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求16所述的平板顯示裝置，其中，所述輔助公共電源線與所述薄膜晶體管的柵電極在同一工藝過程中形成。
19.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，所述非平坦部分之間的寬度至少為所述公共電源線疊層厚度的兩倍。
20.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，沿所述公共電源線的縱向形成所述非平坦部分。
21.如權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中，該平板顯示裝置是從液晶顯示裝置(LCD)、有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)、LCD與OLED的混合裝置組成的組中選出的裝置。
22.權(quán)利要求1的設(shè)備，其中，所述非平坦部分包括彎曲部分。
23.權(quán)利要求14的設(shè)備，其中，所述非平坦部分包括彎曲部分。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種平板顯示裝置，包括發(fā)光層部分，該發(fā)光層部分包括第一電極、第二電極和處于第一與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層；至少兩個(gè)用于控制發(fā)光層部分的薄膜晶體管；用于將掃描信號(hào)輸送給薄膜晶體管的掃描信號(hào)線；用于將數(shù)據(jù)信號(hào)輸送給薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)線；具有用于將電流輸送給發(fā)光層部分的公共電源線的發(fā)光區(qū)；以及具有至少一個(gè)彎曲部分且與除發(fā)光區(qū)以外的非發(fā)光區(qū)的板上的公共電源線連接的外圍公共電源線，其中所述公共電源線在保持恒定布線電阻的同時(shí)具有減小的布線寬度，從而可減小顯示板的總尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/77GK1622703SQ20041008974
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月27日
發(fā)明者姜泰旭, 任忠烈 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社