專利名稱：有機發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器，更確切地，涉及一種可以減小有機薄膜層和下電極之間的臺階高度并解除襯底表面的錐角以防止發(fā)生器件故障的全色有源矩陣有機發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
通常，有源矩陣有機發(fā)光顯示器(AMOLED)有這樣一種結(jié)構(gòu)，在襯底上以矩陣形式排列薄膜晶體管，形成連接到TFT的陽極，并在其上形成有機薄膜層和陰極。
圖1是常規(guī)的底部發(fā)射有機發(fā)光顯示器的截面圖。參見圖1，在絕緣襯底100上形成緩沖層105，并在緩沖層105上形成包括源/漏區(qū)111、115的半導(dǎo)體層110。在柵極絕緣層120上形成柵電極125，并在層間絕緣層130中形成分別經(jīng)第一孔131、135連接到源/漏區(qū)111、115的源/漏電極141、145。
在鈍化層150和第二孔155處的漏電極部分上形成陽極170、即經(jīng)第二孔155連接到源/漏電極141、145的漏電極145的下電極，并在其上形成有機薄膜層185和陰極190、即上電極。
在具有上述結(jié)構(gòu)的常規(guī)有機發(fā)光二極管中，當(dāng)?shù)谝豢谆虻诙椎腻F角較大時，會在第二孔或第一孔的周圍與陽極170之間的臺階區(qū)域處發(fā)生針孔缺陷以及陽極和陰極的短路缺陷。另外，因為有機發(fā)射層不均勻地淀積在第一孔和第二孔周圍以及陽極的臺階區(qū)域處，所以存在這樣的問題，即當(dāng)在陽極和陰極之間施加電壓時，通過電流密度的集中現(xiàn)象產(chǎn)生暗斑，并且由于暗斑的產(chǎn)生而減小了發(fā)射區(qū)，從而降低了圖像質(zhì)量。
針對上述問題，美國專利No.6246179公開了一種采用由具有平面化特征的有機絕緣層制成的象素定義層的有機發(fā)光顯示器。
圖2是具有象素定義層的常規(guī)有機發(fā)光二極管的截面圖。參見圖2，在絕緣襯底200上形成緩沖層205，在緩沖層205形成包含源/漏極區(qū)211、215的半導(dǎo)體層205。在柵極絕緣層220上形成柵電極225，在層間絕緣層230中形成經(jīng)第一孔231、235連接到源/漏區(qū)211、215的源/漏電極241、245。
在鈍化層250和第二孔255處的漏電極部分上形成陽極270，即經(jīng)第二孔255連接到源/漏電極241、245其中之一、例如漏電極245的下電極。形成包含暴露一部分陽極270的開口275的象素定義層265，并在陽極270的暴露部分和象素定義層265上形成有機薄膜層(即，有機發(fā)射層)285和陰極290，即上電極。有機薄膜層285含有至少一個有機發(fā)射層，如空穴注入層，空穴輸運層，R、G或B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子輸運層和電子注入層。
上述常規(guī)頂部發(fā)射有機發(fā)光顯示器通過利用象素定義層265解決了由襯底表面的臺階區(qū)域造成的器件缺陷問題。但是，當(dāng)通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時，器件可靠性依賴于象素定義層265與陽極270之間的錐角和臺階而變化。
圖3A至3C是用于表示利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層的方法的截面圖。
參見圖3A，在絕緣襯底200上形成包含半導(dǎo)體層210、柵電極225以及源/漏電極241和245的TFT，并且形成經(jīng)排列在鈍化層250中的第二孔255連接到源/漏電極241、245中漏電極245的陽極270，如圖2所示。形成具有開口275以暴露一部分陽極270的象素定義層265。具有有機發(fā)射層21的施主膜(donor film)20對齊并緊密地粘附到其上形成有TFT的襯底(TFT襯底)上。
接下來，如圖3B所示，當(dāng)施主膜20粘附到TFT襯底時，用激光輻射預(yù)定區(qū)域上的圖案。當(dāng)激光輻射到施主膜20上時，被激光輻射的膜部分?jǐn)U展，并且施主膜20的有機發(fā)射層21在絕緣襯底200上被構(gòu)圖。當(dāng)在完成轉(zhuǎn)印工藝之后從TFT襯底去除施主膜20時，在陽極270和象素定義層265的側(cè)壁上形成有機發(fā)射層圖案285a，如圖3C所示。
當(dāng)通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層圖案285a時，從有機發(fā)射層21的表面到陽極270的上表面之間的距離h31與激光誘導(dǎo)熱成像處理所需的能量有密切的關(guān)系。即，當(dāng)象素定義層265淀積得很厚、使得象素定義層265和陽極270之間具有很高的臺階時，施主膜20應(yīng)達到開口275的距離h31將相對地增大。另外，為此目的，施主膜20也應(yīng)擴展得相對較大，使得激光的輻射能量增大。
當(dāng)輻射能量變大時，施主膜20的表面溫度也增大到超過所需的程度，使得轉(zhuǎn)移到陽極270和象素定義層265的有機發(fā)射層圖案285a的特性發(fā)生變化。當(dāng)發(fā)射層的特性改變時，存在特性劣化的問題，例如所得有機發(fā)光顯示器的效率下降，彩色坐標(biāo)發(fā)生變化并且壽命變短。
另外，當(dāng)通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時，施主膜和TFT襯底應(yīng)該彼此緊密粘附。但當(dāng)象素定義層265的錐角較大時，施主膜在邊緣不能緊密地與絕緣襯底粘附，使得發(fā)生開口缺陷285c，或是開口275內(nèi)的有機發(fā)射層圖案285a敞開。特別是，施主膜在開口275的邊緣不能與TFT襯底緊密地粘附，使得在開口275的邊緣產(chǎn)生開口缺陷285c。即，當(dāng)有機發(fā)射層沒有正確地轉(zhuǎn)印或者即使其規(guī)則地被轉(zhuǎn)印時，也會發(fā)生例如轉(zhuǎn)移邊界不清這類的缺陷。
圖6是包含具有大錐角和高臺階的象素定義層的常規(guī)有機發(fā)光顯示器的邊緣開口缺陷的照片。參見圖6，該圖表示當(dāng)以超過40°的錐角和10000埃的臺階高度形成象素定義層時，在開口處產(chǎn)生邊緣開口缺陷，其中該開口是陽極和象素定義層之間的邊界。在激光轉(zhuǎn)印工藝過程中，由于象素定義層的高臺階所需的高能量，有機發(fā)射層的特性被改變，使得有機發(fā)射層的效率降低到小于30％。在此情況下，對于藍色有機發(fā)射層，彩色坐標(biāo)從0.15、0.18改變到0.17、0.25，還伴隨著效率降低，而對于紅色有機發(fā)射層，由于在邊緣開口缺陷產(chǎn)生的部分的電子輸運層的發(fā)射，發(fā)生了顏色混合現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種改進的有機發(fā)光顯示器。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有這樣的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示器，即該結(jié)構(gòu)具有象素定義層減小的臺階高度和減小的錐角，從而防止在有機發(fā)射層中出現(xiàn)器件故障。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可以應(yīng)用激光誘導(dǎo)熱成像處理的有機發(fā)光顯示器。
為了實現(xiàn)上述及其他目的，有機發(fā)光顯示器可以如下構(gòu)成TFT襯底，該襯底包括絕緣襯底和形成在絕緣襯底上并具有至少一源電極和一漏電極的薄膜晶體管(TFT)；下電極，其形成在TFT襯底上并連接到源電極和漏電極其中之一；絕緣層，其具有暴露一部分下電極的開口；有機薄膜層，其形成在下電極的暴露部分和絕緣層上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中絕緣層在開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在開口處的下電極的上表面與形成在絕緣層上的有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
絕緣層是象素定義層。有機薄膜層包括選自空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子輸運層和電子注入層的至少一個有機層，并且有機薄膜層通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。
下電極是陽極和陰極中的一個，上電極是另一個。當(dāng)下電極是透明電極時，上電極是反射電極，從有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向上發(fā)射。當(dāng)下電極是反射電極而上電極是透明電極時，從有機薄膜層發(fā)出的光在與TFT襯底相反的方向上發(fā)射。當(dāng)下電極是透明電極且上電極是透明電極時，從有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向以及與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
另外，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，包括TFT襯底，該TFT襯底包括絕緣襯底和形成在絕緣襯底上的TFT，該TFT具有至少一源電極和一漏電極；第一絕緣層和第二絕緣層，其形成在絕緣襯底上并具有暴露源電極和漏電極之一的孔；一下電極，其形成在第二絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到源電極和漏電極之一；第三絕緣層，其具有暴露一部分下電極的開口；有機薄膜層，其形成在下電極的暴露部分和第三絕緣層上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中第三絕緣層在開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在開口處的下電極的上表面與形成在第三絕緣層上的有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
另外，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，包括TFT襯底，該TFT襯底包括絕緣襯底和形成在絕緣襯底上并具有至少一源電極和一漏電極的TFT；第一絕緣層，其形成在TFT襯底上并具有暴露源電極和漏電極之一的孔；下電極，其形成在第一絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到源電極和漏電極之一；第二絕緣層，其具有暴露一部分下電極的開口；有機薄膜層，其形成在下電極的暴露部分和第二絕緣層上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中第二絕緣層在開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在開口處的下電極的上表面與形成在第二絕緣層上的有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
另外，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，包括TFT襯底，該TFT襯底包括絕緣襯底和形成在絕緣襯底上的TFT，該TFT具有至少一源電極和一漏電極；絕緣層，其形成在TFT襯底上并具有暴露源電極和漏電極之一的孔；下電極，其形成在絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到一個電極；有機薄膜層，其至少形成在下電極上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中下電極在其邊緣處具有小于40°的錐角，并且有機薄膜層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的有機發(fā)射層。
另外，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，包括TFT襯底，該TFT襯底包括絕緣襯底，具有源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層，具有暴露一部分源/漏區(qū)的孔的第一絕緣層以及具有經(jīng)所述孔連接到源/漏區(qū)的源/漏電極的TFT；下電極，其形成在第一絕緣層上并連接到源/漏電極之一；第二絕緣層，其具有暴露下電極的第一部分的第一開口；第三絕緣層，其具有暴露下電極的第二部分的第二開口，所述下電極的第二部分位于下電極的第一部分之內(nèi)；有機薄膜層，其形成在第三絕緣層和下電極的第二部分上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中第三絕緣層在第二開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且下電極的上表面與形成在第三絕緣層上的有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。


通過參考下列結(jié)合附圖的詳細描述，對本發(fā)明將有更全面的理解，并且本發(fā)明的上述和其他特征及優(yōu)點也將變得更加顯而易見，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分，其中圖1是常規(guī)有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖2是具有象素定義層的常規(guī)有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖3A至3C是對于具有象素定義層的常規(guī)有機發(fā)光顯示器，利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層的方法的截面圖；
圖4是表示對于有機發(fā)光顯示器，由不完全粘附到開口的施主膜產(chǎn)生的曲率半徑與開口邊緣缺陷之間關(guān)系的曲線；圖5是表示有機發(fā)光顯示器的開口邊緣缺陷和象素定義層的錐角之間關(guān)系的曲線；圖6是表示常規(guī)有機發(fā)光顯示器在象素定義層具有高臺階和大錐角時所產(chǎn)生的開口邊緣缺陷的照片；圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖；以及圖11表示根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器，在象素定義層具有小錐角和低臺階時不產(chǎn)生開口邊緣缺陷的照片。
具體實施例方式
下面將參考附圖更全面的描述本發(fā)明，附圖中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但本發(fā)明可以以不同的形式實施而不應(yīng)解釋為僅限于在此闡述的實施例。而且，這些實施例的提供使得本公開更加全面和透徹，將對本領(lǐng)域的技術(shù)人員更全面地傳達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見夸大了層的厚度和面積。在全文中用相同的標(biāo)號表示相同的元件。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的頂部發(fā)射有機發(fā)光顯示器的截面圖。參見圖7，在絕緣襯底300上形成緩沖層305，并在緩沖層305上形成具有源/漏區(qū)311、315的半導(dǎo)體層310。在柵極絕緣層320上形成柵電極325，并在層間絕緣層330中形成經(jīng)第一孔331、335連接到源/漏區(qū)311、315的源/漏電極341、345。
在鈍化層350上形成平面化層360，并在平面化層360中形成陽極370，陽極370是經(jīng)第二孔355連接到源/漏電極341、345之一、如漏電極345的下電極。在平面化層上形成包含暴露一部分陽極370的開口375的象素定義層365，并且在TFT襯底上順序形成有機薄膜層385和陰極390。有機薄膜層385包括選自空穴注入層，空穴輸運層，R、G和B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子輸運層和電子注入層的至少一個發(fā)射層。有機薄膜層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的有機發(fā)射層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，為了防止在象素定義層開口邊緣處的邊緣開口缺陷并防止在利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時高能量所致的發(fā)射層特性劣化，希望象素定義層365的錐角θ31小于40°，且從陽極370、即下電極上表面到象素定義層365上表面的臺階高度d31小于或等于約3000埃，如圖7所示。
圖4是表示如本發(fā)明的所述實施例中那樣，在通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)光顯示器的有機發(fā)射層時施主膜的曲率半徑與開口邊緣缺陷之間的關(guān)系曲線，圖5是表示開口邊緣缺陷和象素定義層的錐角之間關(guān)系的曲線。在圖5中，每條線表示對應(yīng)于曲率半徑與臺階之比的邊緣開口缺陷。
參見圖4和5，半徑R是當(dāng)施主膜粘附到象素定義層41的開口以用于激光轉(zhuǎn)印時，由不完全粘附到開口的施主膜形成的彎曲部分43的半徑。臺階高度d4是從陽極40、即下電極的上表面到象素定義層41的上表面之間的距離。另外，邊緣開口缺陷意味著象素定義層41的開口的邊緣部分，其中在該部分未形成有機發(fā)射層或有機發(fā)射層不完全粘附到該部分。
假設(shè)施主膜在象素定義層41的開口處緊密地粘附到TFT襯底，即，假設(shè)施主膜緊密地粘附到陽極40和象素定義層41，則施主膜的曲率半徑R變?yōu)椤?”。同時，在象素定義層41的開口處對TFT襯底的粘附緊密度越低，施主膜的曲率半徑R就變得越大，而對TFT襯底的粘附緊密度越高，施主膜的曲率半徑R就變得越小。另外，施主膜對TFT襯底的粘附緊密度隨著象素定義層41錐角的減小以及臺階的降低而增大。因此，施主膜的曲率半徑R變小。
因此會注意到，隨著施主膜的曲率半徑變小，有機發(fā)射層的邊緣開口缺陷減小。在產(chǎn)生邊緣開口缺陷的區(qū)域中不形成有機發(fā)射層，從而會發(fā)生特性的劣化，如由于顏色混合所致的彩色坐標(biāo)的變化。
因此，要防止這種品質(zhì)劣化，應(yīng)減少邊緣開口缺陷。邊緣開口缺陷需要至少在1.0μm以下，以防由于無論是肉眼還是測量儀器檢測到的邊緣開口缺陷所致的顏色混合。對于低于1.0μm的邊緣開口缺陷，希望象素定義層的錐角小于40°。另外，從圖5中可以知道，當(dāng)施主膜的曲率半徑及臺階較小時，邊緣開口缺陷減小。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)截面圖的照片，其中有機發(fā)射層是通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。參見圖11，圖中表明，當(dāng)形成象素定義層使得其錐角小于40°并制造有機發(fā)光顯示器使得陽極和象素定義層之間的臺階高度小于或等于約3000埃時，在利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時，在開口的邊緣處不產(chǎn)生邊緣開口缺陷。
表1表示基于激光轉(zhuǎn)印條件以及象素電極和象素定義層之間的臺階，通過激光誘導(dǎo)熱成像處理制得的器件的特性數(shù)據(jù)。
表1中采用的有機發(fā)光顯示器是紅色發(fā)光顯示器，這些顯示器利用不同的臺階和錐角制成，以便測量器件的特性，即具有例如10000埃、5000埃和3000埃的臺階高度以及例如40°和20°的錐角。對于每個紅色發(fā)光顯示器，象素定義層形成在具有40°和20°的錐角以及10000埃、5000埃和3000埃的臺階高度的陽極上。形成象素定義層之后，通過旋涂工藝形成厚度為500的聚(3，4-乙二氧基噻吩)(poly(3，4-ethylene dioxythiophene))(PEDOT)，即聚合物電荷輸運層，并在200℃利用熱板(hot plate)進行退火工藝5分鐘。
接下來，通過真空沉積法形成厚度300埃的4，4’-雙-[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯(lián)苯(4，4’-bis-[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB)，即單體空穴輸運層。隨后通過激光誘導(dǎo)熱成像處理對厚度為300埃的單體R發(fā)射層(其中12％重量比例的TER004被摻雜到TMM004主體的發(fā)射層)進行構(gòu)圖。然后，相繼淀積50埃厚的雙(2-甲基-8-喹啉合)(4-苯基苯基合)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum)(BAlq)和200埃厚的三(8-喹啉合)-鋁(tris(8-quinolinolato)-aluminum)(Alq3)以作為空穴阻擋層和單體電子輸運層。接下來，通過電阻加熱工藝(resistance heatingprocess)淀積LiF/Al以形成陰極。然后，通過使用密封劑，其被密封襯底密封以制造紅色發(fā)光顯示器。
從表1中可以理解，當(dāng)通過激光誘導(dǎo)熱成像處理對發(fā)射層進行構(gòu)圖時，在陽極與象素定義層之間的臺階高度較大時，激光能量由于較大的臺階高度而增大。為此，表中顯示出由于激光能量有機發(fā)射層具有退化的特性以及降低的效率，并且由于空穴阻擋層或電子輸運層在產(chǎn)生發(fā)射區(qū)邊緣開口缺陷的部分的發(fā)射，彩色坐標(biāo)變差。
另外，從表1中可以知道，沒有邊緣開口缺陷和劣化的特性的紅色發(fā)光顯示器具有0.67、0.33的彩色坐標(biāo)和高于5.0Cd/A的效率。滿足這種器件特性的條件是3000埃的臺階高度和小于40°的錐角。
表1

圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的頂部發(fā)射有機發(fā)光顯示器的截面圖。參見圖8，在絕緣襯底400上形成緩沖層405，并在緩沖層405上形成包括源/漏區(qū)411、415的半導(dǎo)體層410。在柵極絕緣層420上形成柵電極425，并經(jīng)第一孔431、435在層間絕緣層430中形成連接到源/漏區(qū)411、415的源/漏電極。
在鈍化層450上形成平面化層460，在平面化層460中形成陽極470，陽極470是經(jīng)第二孔455連接到源/漏電極441、445其中之一、如漏電極445的下電極。在TFT襯底上形成有機薄膜層485和陰極490。有機薄膜層485包括選自空穴注入層，空穴輸運層，R、G或B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子輸運層和電子注入層的至少一個發(fā)射層。有機薄膜層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的有機發(fā)射層。
根據(jù)本發(fā)明，在通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時，為了防止由陽極、即下電極的臺階區(qū)造成的有機發(fā)射層的開口缺陷，希望陽極470的錐角θ41小于40°。
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的底部發(fā)射有機發(fā)光顯示器的截面圖。參見圖9，在絕緣襯底500上形成緩沖層505，在緩沖層505上形成包括源/漏區(qū)511、515的半導(dǎo)體層510。在柵極絕緣層520上形成柵電極525，在層間絕緣層530中經(jīng)第一孔531、535形成源/漏電極541、545。
在鈍化層550中形成陽極570，陽極570是經(jīng)第二孔555連接到源/漏電極541、545其中之一、如漏電極545的下電極。形成包括暴露一部分陽極570的開口575的象素定義層565，并在象素定義層565和開口575的陽極570上形成有機薄膜層和陰極590，即上電極。有機薄膜層585包括選自空穴注入層，空穴輸運層，R、G或B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子輸運層和電子注入層的至少一個有機層。發(fā)射層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的有機薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明，為了防止在象素定義層開口邊緣處的邊緣開口缺陷并防止在利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時高能量所致的發(fā)射層特性劣化，希望象素定義層565的錐角θ51小于40°，且從陽極570、即下電極的上表面到象素定義層565的上表面的臺階高度d51小于或等于約3000埃。
圖10是表示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖。參見圖10，在絕緣襯底600上形成緩沖層605，在緩沖層605上形成包含源/漏區(qū)611、615的半導(dǎo)體層610。在柵極絕緣層620上形成柵電極625，并在層間絕緣層630中形成經(jīng)第一孔631、635連接到源/漏區(qū)611、615的源/漏電極641、645。在層間絕緣層630中形成連接到源/漏電極641、645之一、如漏電極645的陽極670。
在TFT襯底上形成包含暴露陽極670第一部分的第一開口的鈍化層650，并在鈍化層650上形成包含暴露陽極670第二部分的第二開口675的象素定義層665。
在象素定義層665和第二開口675中的陽極670上形成有機薄膜層685和作為上電極的陰極690。有機薄膜層685包括選自空穴注入層，空穴輸運層，R、G或B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子輸運層和電子注入層的至少一個有機層。有機薄膜層通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。
根據(jù)本發(fā)明，為了防止在象素定義層第二開口邊緣處的邊緣開口缺陷并防止在利用激光誘導(dǎo)熱成像處理形成有機發(fā)射層時高能量所致的發(fā)射層特性劣化，希望象素定義層665的第二錐角θ61小于40°，且從陽極670、即下電極的上表面到象素定義層665上表面的臺階高度d61小于或等于約3000埃。
根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，象素定義層665的第二開口675具有第二錐角θ61，并且鈍化層650的第一開口具有第一錐角θ62。因為在激光誘導(dǎo)熱成像處理期間，邊緣開口缺陷依賴于象素定義層665的第二錐角θ61，所以希望象素定義層具有小于40°的第二錐角θ61。陽極670的第一暴露部分在陽極670的第二暴露部分之內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器可以應(yīng)用于具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示器件，其中陽極、或下電極由透明電極形成，陰極、或上電極由反射電極形成以在TFT襯底的方向上發(fā)光；所述有機發(fā)光顯示器也可以應(yīng)用于具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示器件，其中陽極、或下電極由反射電極形成，陰極由透明電極形成以在與TFT襯底相反的方向上發(fā)光；所述有機發(fā)光顯示器還應(yīng)用于具有雙邊發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示器，其中陽極或下電極以及陰極或上電極由透明電極形成，以在TFT襯底的方向以及與TFT襯底相反的方向上發(fā)光。
另外，盡管已關(guān)于常規(guī)的有機發(fā)光顯示器描述了本發(fā)明的實施例，在常規(guī)的有機發(fā)光顯示器中，陽極、有機薄膜層和陰極順序疊置，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于反向的有機發(fā)光顯示器，其中陰極、有機發(fā)射層和陽極順序疊置。
根據(jù)上述的本發(fā)明，在陽極上形成用于減小錐角的有機薄膜，由此防止了第一孔和第二孔周圍的缺陷以及有機發(fā)射層的缺陷，從而可以提高可靠性和產(chǎn)量。
雖然以上描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會理解，在不脫離由下列權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍的前提下可以做出各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器，包括一TFT襯底，該TFT襯底包括一絕緣襯底和形成在所述絕緣襯底上的一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有至少一個源電極和一個漏電極；一下電極，其形成在所述TFT襯底上并連接到所述源電極和所述漏電極其中之一；一絕緣層，其具有暴露一部分所述下電極的開口；一有機薄膜層，其形成在所述絕緣層和所述下電極的所述部分上；以及一上電極，其形成在所述有機薄膜層上，其中所述絕緣層在所述開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在所述開口處的所述下電極的上表面與形成在所述絕緣層上的所述有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述絕緣層是一象素定義層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機薄膜層包括從空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子輸運層和電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個有機層。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機薄膜層通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是陽極和陰極中的一個，所述上電極是另一個。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一透明電極，所述上電極是一反射電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向上發(fā)射。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一反射電極，所述上電極是一透明電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在與TFT襯底相反的方向上發(fā)射。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一透明電極，所述上電極是一透明電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向以及與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
9.一種有機發(fā)光顯示器，包括一TFT襯底，該TFT襯底包括一絕緣襯底和形成在所述絕緣襯底上的一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有至少一個源電極和一個漏電極；一第一絕緣層和一第二絕緣層，該第一絕緣層和第二絕緣層形成在所述TFT襯底上并具有暴露所述源電極和所述漏電極之一的孔；一下電極，其形成在所述第二絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到所述源電極和所述漏電極之一；一第三絕緣層，其具有暴露一部分所述下電極的開口；一有機薄膜層，其形成在所述下電極的所述部分和所述第三絕緣層上；以及一上電極，其形成在所述有機薄膜層上，其中所述第三絕緣層在所述開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在所述開口處的所述下電極的上表面與形成在所述第三絕緣層上的所述有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
10.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一絕緣層是一鈍化層，所述第二絕緣層是一平面化層，并且所述第三絕緣層是一象素定義層。
11.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機薄膜層包括從空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子輸運層和電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個有機層，并且所述有機層通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。
12.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是陽極和陰極中的一個，所述上電極是另一個。
13.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一反射電極或一透明電極，所述上電極用作一透明電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在與TFT襯底相反的方向上發(fā)射，或者在TFT襯底的方向和與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
14.一種有機發(fā)光顯示器，包括一TFT襯底，該TFT襯底包括一絕緣襯底和形成在所述絕緣襯底上的一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有至少一個源電極和一個漏電極；一第一絕緣層，其形成在所述TFT襯底上并具有暴露所述源電極和所述漏電極之一的孔；一下電極，其形成在所述第一絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到所述源電極和所述漏電極之一；一第二絕緣層，其具有暴露一部分所述下電極的開口；一有機薄膜層，其形成在所述下電極的所述部分和所述第二絕緣層上；以及一上電極，其形成在所述有機薄膜層上，其中所述第二絕緣層在所述開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在所述開口處的所述下電極的上表面與形成在所述第二絕緣層上的所述有機薄膜層之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一絕緣層是一鈍化層，并且所述第二絕緣層是一象素定義層。
16.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機薄膜層包括從空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子輸運層和電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個有機層，并且所述有機層通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成。
17.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是陽極和陰極中的一個，所述上電極是另一個。
18.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一透明電極，所述上電極用作一反射電極或一透明電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向上發(fā)射，或者在襯底的方向和與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
19.一種有機發(fā)光顯示器，包括一TFT襯底，該TFT襯底包括一絕緣襯底和形成在所述絕緣襯底上的一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有至少一個源電極和一個漏電極；一絕緣層，其形成在所述TFT襯底上并具有暴露所述源電極和所述漏電極之一的孔；一下電極，其形成在所述絕緣層上并經(jīng)所述孔連接到一個電極；一有機薄膜層，其至少形成在所述下電極上；以及一上電極，其形成在所述有機薄膜層上，其中所述下電極在所述下電極的邊緣具有小于40°的錐角，并且所述有機薄膜層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的一有機發(fā)射層。
20.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述絕緣層包括從鈍化層和平面化層構(gòu)成的組中選取的至少一個絕緣層。
21.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是陽極和陰極中的一個，所述上電極是另一個。
22.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一反射電極或一透明電極，所述上電極用作一透明電極，從所述有機發(fā)射層發(fā)出的光在與TFT襯底相反的方向上發(fā)射，或者在TFT襯底的方向和與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
23.一種有機發(fā)光顯示器，包括一TFT襯底，該TFT襯底包括一絕緣襯底，具有一源區(qū)和一漏區(qū)的一半導(dǎo)體層，具有暴露一部分所述源區(qū)和所述漏區(qū)的孔的一第一絕緣層以及具有經(jīng)所述孔連接到所述源區(qū)的一源電極和連接到所述漏區(qū)的一漏電極的一薄膜晶體管；一下電極，其形成在所述第一絕緣層上并連接到所述源電極和所述漏電極之一；一第二絕緣層，其具有暴露所述下電極的第一部分的第一開口；一第三絕緣層，其具有暴露所述下電極的第二部分的第二開口，所述下電極的所述第二部分位于所述下電極的所述第一部分之內(nèi)；一有機薄膜層，其形成在所述第三絕緣層和所述下電極的所述第二部分上；以及一上電極，其形成在所述有機薄膜層上，其中所述第三絕緣層在所述第二開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在所述第二開口處的所述下電極的上表面與形成在所述第三絕緣層上的所述有機薄膜層的下表面之間的臺階高度小于或等于約3000埃。
24.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二絕緣層是一鈍化層，所述第三絕緣層是一象素定義層。
25.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是陽極和陰極中的一個，所述上電極是另一個。
26.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下電極是一透明電極，所述上電極用作一反射電極或一透明電極，從所述有機薄膜層發(fā)出的光在TFT襯底的方向上發(fā)射，或者在TFT襯底的方向和與TFT襯底相反的方向上都發(fā)射。
27.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機薄膜層包括從空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子輸運層和電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個有機層，并且所述有機薄膜層包括通過激光誘導(dǎo)熱成像處理形成的一有機層。
全文摘要
提供了一種有機發(fā)光顯示器，該有機發(fā)光顯示器可以如下構(gòu)成TFT襯底，該TFT襯底包括絕緣襯底和具有至少一個源電極和一個漏電極的TFT；下電極，其形成在TFT襯底上并連接到源/漏電極其中之一；絕緣層，其具有暴露一部分下電極的開口；有機薄膜層，其形成在下電極的暴露部分和絕緣層上；以及上電極，其形成在有機薄膜層上，其中絕緣層在開口的邊緣具有小于40°的錐角，并且在下電極與有機薄膜層之間形成小于或等于3000埃的臺階。所述有機發(fā)光顯示器可以避免器件故障。
文檔編號H01L27/32GK1622708SQ200410089749
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月29日
發(fā)明者金茂顯, 宋明原, 姜泰旻, 李城宅, 曹洧誠 申請人:三星Sdi株式會社