專利名稱：一種在硅襯底上淀積硅化物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種在硅襯底上淀積硅化物的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，多晶硅線寬及其之間線寬間距的正變得越來越窄，同時(shí)，也對(duì)Salicide block(自對(duì)準(zhǔn)硅化合物阻擋層)的針孔現(xiàn)象而造成的漏電流的要求也是越來越高。這就要求Salicide block這層膜不僅要求薄，而且要盡量避免針孔現(xiàn)象對(duì)器件的影響。
請(qǐng)參閱圖1所示，在現(xiàn)有的技術(shù)情況下，一般Salicide block通常采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，電漿增強(qiáng)式化學(xué)氣相沈積)的方法首先在硅襯底11上生長(zhǎng)二氧化硅12，由于PECVD方法生長(zhǎng)的二氧化硅12，通常都有數(shù)量較多的針孔121，為了避免這個(gè)現(xiàn)象，只有將二氧化硅12長(zhǎng)得盡量的厚，但是這與現(xiàn)在技術(shù)的發(fā)展方向要求Salicide block盡量薄以滿足設(shè)計(jì)的需要的要求相背道而馳。
因此要設(shè)計(jì)一種在硅襯底上淀積硅化物的方法，其厚度不至于過大，同時(shí)也能夠防止針孔現(xiàn)象的發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在硅襯底上淀積硅化物的方法，其能夠有效防止針孔現(xiàn)象的發(fā)生。
為完成以上技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案，一種在硅襯底上淀積硅化物的方法，其首先在硅襯底上淀積一層二氧化硅，然后在二氧化硅上再淀積一層氮化硅。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是由于二氧化硅與氮化硅分成兩層淀積，所以其各自產(chǎn)生的針孔錯(cuò)開，極少會(huì)形成貫穿的針孔。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中在硅襯底上淀積二氧化硅形成針孔的示意圖。
圖2是本發(fā)明一種在硅襯底上淀積硅化物的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
圖3是本發(fā)明一種在硅襯底上淀積硅化物的方法形成的硅化物的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是使用本發(fā)明及現(xiàn)有技術(shù)中在硅襯底上淀積硅化物的方法形成的同樣厚度的硅化物上生長(zhǎng)的Salicide block在P型單晶硅上的方塊電阻測(cè)試結(jié)果比對(duì)圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，在制造中，首先也是在硅襯底21上先用PECVD的方法生長(zhǎng)二氧化硅22，只是生長(zhǎng)的厚度要薄許多，約為現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅層厚度的1/4左右，約為100~300。由于，PECVD方法固有的缺陷，此時(shí)生長(zhǎng)的二氧化硅22也具有較多的針孔221。
其次，本發(fā)明的工藝流程在PECVD方法生長(zhǎng)二氧化硅22上再用PECVD的方法生長(zhǎng)氮化硅23，其厚度約為現(xiàn)有技術(shù)工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅厚度的1/4左右，同樣約為100~300。雖然用PECVD的方法生長(zhǎng)氮化硅23同樣也會(huì)有一定數(shù)量的針孔231，但是此時(shí)，由于許多針孔231與PECVD方法生長(zhǎng)二氧化硅22的針孔221相互錯(cuò)開，使得針孔的現(xiàn)象得到一定的改善。
最后，本發(fā)明的工藝流程還在PECVD方法的生長(zhǎng)氮化硅23上，又用LPCVD(Low-pressure Chemical Vapor Deposition，低壓化學(xué)氣相沉積法)的方法又生長(zhǎng)了一層氮化硅24，厚度約為現(xiàn)有技術(shù)工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅厚度的1/5左右，約為50~200。由于LPCVD的方法生長(zhǎng)氮化硅24的針孔241現(xiàn)象要少一些，而且此時(shí)的針孔241又與之前的PECVD方法生長(zhǎng)的二氧化硅22上的針孔221和氮化硅23上的針孔231彼此錯(cuò)開，所以使得針孔的現(xiàn)象出現(xiàn)的幾率降到了最低。
在完成上述淀積后，再進(jìn)行一些涂膠，SAB掩膜版光罩，HF刻蝕及Salicide工藝等步驟。
請(qǐng)參閱圖4所示，其顯示同樣厚度的利用PECVD生長(zhǎng)二氧化硅和先用PECVD生長(zhǎng)二氧化硅和氮化硅，再利用LPCVD在上面再生長(zhǎng)氮化硅的方法來生長(zhǎng)Salicide block在P型單晶硅上的方塊電阻測(cè)試結(jié)果?？梢?，用新工藝方法生長(zhǎng)的Salicide block，有效克服了針孔現(xiàn)象，方塊電阻的均一性得到了很大的提高。
綜上所述，本發(fā)明完成了發(fā)明人的發(fā)明目的，由于通過LPCVD淀積的氮化硅層上的針孔很少，而且在二氧化硅層上的針孔與兩層氮化硅的針孔都會(huì)相互錯(cuò)開，所以貫穿的針孔基本上沒有，能夠有效克服針孔的現(xiàn)象對(duì)器件的影響，降低漏電流。另外，每一層的厚度都較小，所以也符合當(dāng)前的趨勢(shì)。
權(quán)利要求
1.一種在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于首先在硅襯底上淀積一層二氧化硅，然后在二氧化硅上再淀積一層氮化硅。
2.如權(quán)利要求1在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于所述在硅襯底上淀積二氧化硅使用PECVD方式淀積。
3.如權(quán)利要求1或2所述的在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于所述在二氧化硅上淀積氮化硅的方法為PECVD方式淀積。
4.如權(quán)利要求3所述的在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于在所述淀積一層氮化硅后再追加一步使用LPCVD方式淀積氮化硅的步驟。
5.如權(quán)利要求1或2所述的在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于所述在二氧化硅上淀積氮化硅的方法為L(zhǎng)PCVD方式淀積。
6.如權(quán)利要求5所述的在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特征在于在所述淀積一層氮化硅后再追加一步使用PECVD方式淀積氮化硅的步驟。
7.如權(quán)利要求1或2或4或6所述的在硅襯底上淀積硅化物的方法，其特片在于在淀積氮化硅后還具有涂膠，SAB掩膜版光罩，HF刻蝕及硅化物工藝步驟。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)一種在硅襯底上淀積硅化物的方法，用以克服現(xiàn)有技術(shù)中由于針孔現(xiàn)象對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，其首先在硅襯底上利用PECVD方式淀積一層二氧化硅，接著在二氧化硅上再淀積一層氮化硅，最后在使用LPCVD方式淀積一層氮化硅層。由于二氧化硅及氮化硅層分別淀積，所以其各自的針孔會(huì)相互錯(cuò)開，所以有效克服了針孔現(xiàn)象的影響，降低漏電流。
文檔編號(hào)H01L21/3105GK1790630SQ200410093009
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者周貫宇, 虞軍毅 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司