專利名稱：半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，特別是涉及具有一在其中信號線可以不迂回而從修理熔絲盒抽出的結(jié)構(gòu)的修理熔絲盒。
背景技術(shù)：
近年來在微型化技術(shù)的發(fā)展下已研發(fā)出高速及高集成的半導(dǎo)體裝置。特別是需要高集成及高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體存儲器裝置，且為了適應(yīng)該需求，需要一種冗余技術(shù)，其藉由提供冗余電路及使用冗余電路以修理瑕疵單元而改善生產(chǎn)率。
在存儲器裝置(如SRAM，DRAM，EPROM等)中，于半導(dǎo)體裝置中提供冗余電路以防止因制造工藝瑕疵而導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率下降。即使因部分瑕疵，藉由使用提供的冗余電路而修理瑕疵單元使得半導(dǎo)體裝置的功能不致?lián)p壞。亦即，提供一種備用存儲器陣列作為冗余電路，及當(dāng)主存儲器陣列有瑕疵時，將主存儲器陣列切換成備用存儲器陣列，即可調(diào)節(jié)生產(chǎn)合格率的減少。
冗余電路包括一修理地址產(chǎn)生電路，已知的修理地址產(chǎn)生電路具有的結(jié)構(gòu)如圖1所示，而其操作如下簡述。
一熔絲組A包括多個熔絲R0到R15。
當(dāng)致能信號Enable在高狀態(tài)時，PMOS晶體管P1截止，其輸出Out因而保持在低狀態(tài)。
當(dāng)致能信號Enable在低狀態(tài)時，輸出Out即根據(jù)熔絲控制信號Fuse<0>到Fuse<15>及熔絲R0到R15的中斷狀態(tài)而改變。
例如，當(dāng)熔絲控制信號Fuse<0>在高狀態(tài)及第一熔絲R0未中斷時，NMOS晶體管Q0即導(dǎo)通。接著鎖存器10輸出在高狀態(tài)，因而反相器I1的輸出變成低狀態(tài)，輸出Out因而變成低狀態(tài)。但是，當(dāng)中斷熔絲R0時，即使熔絲控制信號Fuse<0>變成高狀態(tài)，輸出Out仍會變成低狀態(tài)。
當(dāng)以熔絲盒形狀形成熔絲以形成修理地址產(chǎn)生電路時，金屬信號線不能通過熔絲盒。因此金屬信號線將迂回該熔絲盒以傳送信號，這使得芯片尺寸變大。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒。
根據(jù)本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，包括多個熔絲盒，以一縱向配置，各熔絲盒包括多個熔絲，以一橫向配置；多個信號連接熔絲，配置在所述熔絲的最外熔絲的各側(cè)部分，其由該多個熔絲盒的一個或多個熔絲盒中配置的熔絲選取以建構(gòu)一單位熔絲組，而其一側(cè)端互相連接，所述信號連接熔絲連接所述最外熔絲；及多個金屬線，用以連接所述信號連接熔絲至所述選取熔絲以建構(gòu)一在上或下熔絲盒中的單位熔絲盒。


結(jié)合附圖對本發(fā)明的詳述可更明了本發(fā)明的上述特點及其它特征，其中圖1是已知修理地址產(chǎn)生電路的電路圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的修理地址產(chǎn)生電路的電路圖；及圖3是根據(jù)本發(fā)明的修理熔絲盒電路的布圖。
附圖符號說明A，B熔絲組R0-R15熔絲R16，R17信號連接熔絲20，30，40熔絲盒具體實施方式
現(xiàn)在將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的修理地址產(chǎn)生電路的電路圖。
根據(jù)本發(fā)明的修理地址產(chǎn)生電路的電路圖還包括信號連接熔絲R16及R17。信號連接熔絲R16及R17可由任一種導(dǎo)電材料制造。該電路的操作與已知電路的操作并無不同，以下將說明該操作。
熔絲組B包括多個熔絲R0到R15及信號連接熔絲R16及R17。
當(dāng)致能信號Enable在高狀態(tài)時，PMOS晶體管P1截止，其電路的輸出Out因而一直保持在低狀態(tài)。
當(dāng)致能信號Enable在低狀態(tài)時，電路的輸出Out即根據(jù)熔絲控制信號Fuse<0>到Fuse<15>及熔絲R0到R15的中斷狀態(tài)而改變。
例如，當(dāng)熔絲控制信號Fuse<0>在高狀態(tài)及第一熔絲R0未中斷時，NMOS晶體管Q0即導(dǎo)通。接著鎖存器10輸出在高狀態(tài)，因而反相器I1的輸出變成低狀態(tài)，電路的輸出Out因而變成低狀態(tài)。但是，當(dāng)中斷熔絲R0時，即使熔絲控制信號Fuse<0>在高狀態(tài)，電路的輸出Out仍變成低狀態(tài)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的修理熔絲盒電路的布圖以解釋在一襯底中實施的圖2熔絲組B的熔絲。
圖3示出了熔絲盒20，30及40。以下將解釋建構(gòu)圖2電路的熔絲組B的配置。
熔絲R0到R4配置在熔絲盒20中，而信號連接熔絲R16配置在熔絲R4的左側(cè)。熔絲R0到R4及信號連接熔絲R16的上端部分是用金屬等接在一起。
以相同方式，熔絲R5到R9配置在熔絲盒30中，而信號連接熔絲R17配置在熔絲R9的左側(cè)。熔絲R5到R9及信號連接熔絲R17的下端部分是用金屬等接在一起。
通過使用接觸制造過程等以經(jīng)由金屬線M而將信號連接熔絲R16及R17接在一起。
熔絲R10到R15配置在熔絲盒40中。而熔絲R10到R15的上端部分并未經(jīng)由金屬等接在一起，而是接到熔絲盒30。
結(jié)果，圖2中熔絲R0到R15的一側(cè)節(jié)點都經(jīng)由信號連接熔絲R16，R17而互相接在一起。
請注意，熔絲的開啟端接到晶體管。
由于信號連接熔絲R16，R17是用于信號連接，所以它們不是中斷目標(biāo)。
根據(jù)上述的本發(fā)明，通過使用熔絲盒能不迂回金屬線而將熔絲接在一起。
結(jié)果，由于使用熔絲可實施信號傳送，所以可大幅度減少芯片大小。
雖然已參考較佳實施例而作出上述說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解在不背離本發(fā)明及其權(quán)利要求的范圍及精神的前提下，本發(fā)明可以作各種變化及改良。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，包括多個熔絲盒，以一縱向配置，各熔絲盒包括多個熔絲，以一橫向配置；多個信號連接熔絲，配置在所述熔絲的最外熔絲的各側(cè)部分，其由該多個熔絲盒的一個或多個熔絲盒中配置的熔絲選取以建構(gòu)一單位熔絲組，而其一側(cè)端是互相連接，所述信號連接熔絲連接所述最外熔絲；和多個金屬線，用以連接所述信號連接熔絲至所述選取熔絲以建構(gòu)一上或下熔絲盒中的單位熔絲盒。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，其中該信號連接熔絲未在修理時中斷。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，其中所述信號連接熔絲及所述最外熔絲的連接點連接至一修理地址產(chǎn)生電路中一致能晶體管的輸出端。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，其中在該上或下熔絲盒中的所述信號連接熔絲及熔絲通過一接觸制造過程而互相連接。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體裝置的修理熔絲盒，包括多個熔絲盒，以一縱向配置，各熔絲盒包括多個熔絲，以一橫向配置；多個信號連接熔絲，配置在所述熔絲的最外熔絲的各側(cè)部分，其由該多個熔絲盒的一個或多個熔絲盒中配置的熔絲選取以建構(gòu)一單位熔絲組，而其一側(cè)端互相連接，所述信號連接熔絲連接所述最外熔絲；及多個金屬線，用以連接所述信號連接熔絲至所述選取熔絲以建構(gòu)一上或下熔絲盒中的單位熔絲盒。根據(jù)本發(fā)明，能不迂回所述金屬線而將所述熔絲連接在一起以大幅度減少芯片大小。
文檔編號H01L23/62GK1617335SQ20041009468
公開日2005年5月18日 申請日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月13日
發(fā)明者尹錫徹 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司