專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器和制造該顯示器的方法，尤其涉及一種包括沒有斷裂點(diǎn)(breakpoint)的具有彎曲頂表面的無機(jī)像素限定層的有機(jī)發(fā)光顯示器，和制造該顯示器的方法。
背景技術(shù)：
由于平板顯示器中的有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)是發(fā)射式顯示器，其中有機(jī)化合物受到電激發(fā)而發(fā)光，不同于液晶顯示器(LCD)，其不需要背光單元，由此，能夠制造輕薄的OLED并且簡(jiǎn)化工藝。此外，由于OLED可以在低溫下制造，具有1毫秒或更少的快速響應(yīng)速度，低功耗，因發(fā)射式顯示而帶來的寬視角，和高對(duì)比度，因此，作為下一代平板顯示器，OLED正在引起公眾的注意。
通常，OLED在陽(yáng)極和陰極之間包括一有機(jī)發(fā)光層，使得來自陽(yáng)極的空穴和來自于陰極的電子在有機(jī)發(fā)光層中復(fù)合形成作為空穴-電子對(duì)的激子，激子返回到基態(tài)產(chǎn)生能量，由此發(fā)光。
圖1是一個(gè)常規(guī)的OLED的截面視圖。
參照?qǐng)D1，在具有預(yù)定元件的基板110上形成經(jīng)構(gòu)圖的陽(yáng)極120。
在陽(yáng)極120上形成用于限定像素區(qū)域的有機(jī)像素限定層130，有機(jī)像素限定層130由絕緣材料制成以在有機(jī)發(fā)射層之間絕緣。典型地，有機(jī)像素限定層130由選自由聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)和酚醛樹脂組成的組的一種有機(jī)材料制成。
可以用旋涂法將有機(jī)像素限定層130淀積在基板上。用旋涂法形成的有機(jī)像素限定層130的厚度為1μm-2μm。構(gòu)圖有機(jī)像素限定層130以形成開口，且除在暴露的陽(yáng)極上之外，還在有機(jī)像素限定層130上形成一包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層圖案140。
陰極150形成在有機(jī)層圖案140的整個(gè)表面上。
如上所述，在常規(guī)OLED中，有機(jī)像素限定層130由有機(jī)材料形成。在該情況下，由于有機(jī)像素限定層130形成1μm-2μm的大厚度，可能發(fā)生的問題是，由于陽(yáng)極和有機(jī)像素限定層130的大臺(tái)階，由隨后的激光誘導(dǎo)熱成像工藝形成的有機(jī)層圖案140被截?cái)?。虛線標(biāo)明了有機(jī)層圖案可能被截?cái)嗟牟糠帧４送?，由于有機(jī)像素限定層130比較厚，很難使陽(yáng)極和有機(jī)層在供體基板上彼此緊密粘合，由此在激光誘導(dǎo)熱成像工藝過程中需要有高能量的激光束。因此，有降低轉(zhuǎn)印效率，降低OLED的發(fā)光效率以及縮短OLED壽命的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決上述問題，本發(fā)明通過提供一種OLED及其制造方法解決了上述與常規(guī)裝置有關(guān)的問題，這種OLED及其制造方法通利用無機(jī)材料形成小厚度的像素限定層和制造具有彎曲頂表面、沒有斷裂點(diǎn)的無機(jī)像素限定層，能提高轉(zhuǎn)印效率，提高OLED的發(fā)光效率，增加OLED的壽命，和防止有機(jī)層圖案被截?cái)唷?br> 在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器包括基板；在基板上形成的第一電極；在第一電極上形成且具有暴露第一電極的至少一部分的開口的無機(jī)像素限定層；位于在第一電極上和無機(jī)像素限定層兩端上的有機(jī)層圖案，其中該無機(jī)像素限定層具有開口和至少一發(fā)光層；和在有機(jī)層圖案上形成的第二電極，其中有開口的無機(jī)像素限定層的頂表面具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。有開口的無機(jī)像素限定層的頂表面可以在與第一電極接觸的部分具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)典型實(shí)施例里，一種制造OLED的方法包括提供基板；在基板上形成第一電極；在具有第一電極的基板上形成無機(jī)像素限定層；構(gòu)圖無機(jī)像素限定層以形成開口，用于暴露第一電極的至少一部分；構(gòu)圖帶有開口的無機(jī)像素限定層使無機(jī)像素限定層的頂表面具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面；在第一電極和具有開口的無機(jī)像素限定層的兩端形成帶有至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)層圖案；以及在有機(jī)層圖案上形成第二電極。在構(gòu)圖具有開口的無機(jī)像素限定層過程中，可以這樣構(gòu)圖具有開口的無機(jī)像素限定層，使無機(jī)像素限定層的頂表面在與第一電極接觸的部分具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
無機(jī)像素限定層的開口可以通過干法或濕法蝕刻方法形成。優(yōu)選地，利用干法蝕刻方法形成帶有開口的無機(jī)像素限定層。
無機(jī)像素限定層可以通過化學(xué)氣相淀積(CVD)法或物理氣相淀積(PVD)法形成。此外，PVD法可以利用濺射法。
無機(jī)像素限定層可以通過旋涂法形成。
無機(jī)像素限定層可以形成厚度為100-3000，優(yōu)選為100-1000。此外，無機(jī)像素限定層可以由選自由非晶硅層、氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層組成的組的一種材料形成。在利用旋涂法的情況下，優(yōu)選地，可以使用例如SOG(旋涂式玻璃)的材料。
第一電極可以是陽(yáng)極，而第二電極可以是陰極，反過來，第一電極可以是陰極，而第二電極可以是陽(yáng)極。


以下將參考典型實(shí)施例及附圖描述本發(fā)明的上述和其它特征，附圖中圖1是常規(guī)OLED的橫截面視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的OLED的橫截面視圖；和圖3A到3E是解釋根據(jù)本發(fā)明制備OLED的方法的工藝橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以不同的形式實(shí)施且不應(yīng)被解釋為受所闡述的實(shí)施例限制。整個(gè)說明書中同樣的附圖標(biāo)記指示相同的元件。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的OLED的橫截面視圖。
參照?qǐng)D2，在基板110上形成預(yù)定元件，第一電極220構(gòu)圖并形成在基板110上。基板110可以使用一個(gè)透明絕緣的基板，如玻璃，塑料和石英。
當(dāng)?shù)谝浑姌O220是陽(yáng)極時(shí)，第一電極可以是由具有有高逸出功的ITO或IZO制成的透明電極，或具有作為其下層的反射層的反射電極，該反射層由具有高反射特性的金屬，如鋁、鋁合金等等制成。當(dāng)?shù)谝浑姌O是陰極時(shí)，第一電極可以是由選自由Mg、Ca、Al、Ag及其合金的一種材料制成的薄透明電極或厚反射電極，這些材料是具有低逸出功的導(dǎo)電金屬。
無機(jī)像素限定層230形成在包括第一電極220的基板的整個(gè)表面上且包括用于暴露第一電極220的至少一部分的開口。
無機(jī)像素限定層230可以通過淀積或旋涂法形成。淀積法可以利用不同方法，例如，化學(xué)氣相淀積(CVD)方法、物理氣相淀積(PVD)方法等等。特別地，PVD方法優(yōu)選利用濺射法。利用淀積法無機(jī)像素限定層230可以形成100-3000的小厚度。為了在隨后的有機(jī)層圖案形成期間在激光誘導(dǎo)熱成像過程中有效地進(jìn)行轉(zhuǎn)印，優(yōu)選地，無機(jī)像素限定層230厚度為3000?；蚋?。當(dāng)無機(jī)像素限定層230厚度大于3000時(shí)，可能發(fā)生的問題是，在后面的工藝中形成的有機(jī)圖案層被截?cái)嗷蜣D(zhuǎn)印的效率被降低。更優(yōu)選地，無機(jī)像素限定層230可以形成100-1000的薄厚度。
可以利用干法或濕法蝕刻方法構(gòu)圖無機(jī)像素限定層230形成開口。
可以利用光刻膠基于光刻膠的形狀構(gòu)圖無機(jī)像素限定層230。因此，構(gòu)圖后的無機(jī)像素限定層230有具有一角度的頂表面，使得在隨后的激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝中，具有有機(jī)層的供體基板和基板彼此分開，從而降低了轉(zhuǎn)印效率，由此需要具有高能量的激光束。此外，轉(zhuǎn)印到角度化部分的有機(jī)層圖案容易裂開導(dǎo)致在有機(jī)層圖案上形成的第二電極里形成裂紋。結(jié)果，濕氣或者氧氣可以通過裂紋滲透到有機(jī)圖案層中導(dǎo)致有機(jī)圖案層劣化。
因此，無機(jī)像素限定層被構(gòu)圖使得帶有開口的無機(jī)像素限定層的頂表面有一個(gè)沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。虛線標(biāo)明了構(gòu)圖后具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲形狀的部分。帶有開口的無機(jī)像素限定層可以通過干法蝕刻工藝構(gòu)圖。
另外，，可以構(gòu)圖帶有開口的無機(jī)像素限定層的頂表面使之在與第一電極接觸的部分具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。形成沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面的方法可以使用這樣的方法利用干法或濕法蝕刻法構(gòu)圖無機(jī)像素限定層，然后干法蝕刻整個(gè)表面以構(gòu)圖帶角度的部分使之成為沒有斷裂點(diǎn)的彎曲部分。
無機(jī)像素限定層230可以由一種選自由非晶硅層、氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層組成的組的無機(jī)材料制成。
包括至少一發(fā)光層的有機(jī)層圖案240被形成在第一電極220上和具有開口的無機(jī)像素限定層的兩端。當(dāng)通過照射激光束將有機(jī)層圖案240轉(zhuǎn)印到第一電極220和無機(jī)像素限定層230上時(shí)，由于無機(jī)像素限定層有100-1000的小厚度和沒有斷裂點(diǎn)的彎曲頂表面，在激光誘導(dǎo)熱成像工藝中第一電極和帶有有機(jī)層的供體基板被更緊密的粘結(jié)，由此，防止了有機(jī)層圖案被截?cái)唷４送?，由于可以利用低能量的激光束來完成轉(zhuǎn)印，轉(zhuǎn)印效率也被提高。詳細(xì)的描述根據(jù)圖3A-3E來解釋。
有機(jī)層圖案240除了發(fā)光層之外可以包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層的至少一層。
在有機(jī)層圖案240上形成第二電極250。
當(dāng)?shù)谝浑姌O220是陽(yáng)極，即透明電極或具有包括透明層和透明層上的反射層的至少兩層的反射電極時(shí)，第二電極250可以由反射電極形成，即由選自由Mg、Ca、Al、Ag及其合金的一種制成的陰極，這些材料是具有低逸出功的導(dǎo)電材料，而當(dāng)?shù)谝浑姌O220是陰極時(shí)，第二電極250可以由透明電極，即由ITO或IZO制成的陽(yáng)極形成。
圖3A-3E是解釋根據(jù)本發(fā)明制備OLED方法的工藝橫截面視圖。
參照?qǐng)D3A，提供一個(gè)基板110?；?10可以使用如玻璃、塑料、和石英的透明絕緣基板。
接著，第一電極320形成在基板110上。當(dāng)?shù)谝浑姌O320是陽(yáng)極時(shí)，第一電極320可以是包括一由高反射率的金屬制成的反射層的反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O320是陰極時(shí)，第一電極可以由薄透明電極或厚反射電極形成，其中該厚反射電極由選自由Mg、Ca、Al、Ag及其合金的一種材料制成，這些材料是具有低逸出功的導(dǎo)電材料。
第一電極320可以由濺射或離子電鍍法淀積。更優(yōu)選的是，第一電極320可以由濺射方法淀積，然后可以通過濕法蝕刻利用光刻膠(PR)作為掩膜選擇性構(gòu)圖形成，其中PR在光刻工藝中構(gòu)圖。
接著，無機(jī)像素限定層330形成在包括第一電極320的基板的整個(gè)表面上。無機(jī)像素限定層330起到限定單元像素區(qū)域的作用。
盡管常規(guī)技術(shù)中使用有機(jī)材料作為像素限定層，而本發(fā)明則使用無機(jī)材料來形成無機(jī)像素限定層330。用于形成無機(jī)像素限定層330的無機(jī)材料可以使用選自非晶硅層、氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層中的一種。
無機(jī)像素限定層330通過淀積或旋涂的方法形成。用于形成薄層的淀積方法一般使用CVD或PVD方法。
CVD法是一種通過化學(xué)反應(yīng)將所需要材料形成薄層的方法，其可以被用來形成無機(jī)像素限定層。在典型的CVD工藝中，室溫反應(yīng)氣體被引入反應(yīng)室里。直到反應(yīng)氣體到達(dá)淀積表面之前一直對(duì)其加熱，通過對(duì)流或加熱淀積表面持續(xù)對(duì)反應(yīng)氣體供熱。根據(jù)各種工藝條件，反應(yīng)氣體在到達(dá)淀積表面以前可以在氣相里導(dǎo)致常規(guī)反應(yīng)(regular reaction)。由于氣流被加熱，因?yàn)檎承允顾俣茸兟?，并且靠近淀積表面的氣體成分發(fā)生改變，形成了熱、動(dòng)量和化學(xué)成分的界面層。被引入的氣體或中間產(chǎn)物(由于氣相熱分解產(chǎn)生)在淀積表面導(dǎo)致一個(gè)非常規(guī)反應(yīng)(irregular reaction)，由此形成薄層。接著，氣相副產(chǎn)品被從反應(yīng)室里排出。無機(jī)像素限定層330可以由CVD法形成。CVD法可以根據(jù)反應(yīng)室里的壓力分為多種方法，即，大氣壓CVD(APCVD)和低壓CVD(LPCVD)，APCVD可以根據(jù)反應(yīng)溫度分類為低溫CVD(LTCVD)和高溫CVD(HTCVD)。另外，也可以使用等離子體CVD(PECVD)、光CVD(PHCVD)等等。
PVD方法是這樣一種方法向由薄材料構(gòu)成的基板或塊料(gob)施加能量以利用物理方式將具有動(dòng)能的相應(yīng)材料分離并將分離開的材料淀積到另一基板上形成薄層，其可以分為濺射法和真空淀積法。
濺射方法是這樣一種方法將高能量粒子碰撞到由與所需薄層相同材料制成的基板上以分離出原子和分子，由此形成薄層。另一方面，真空淀積方法是這樣一種方法在真空容器里加熱將要淀積的材料以通過增加氣壓在基板上淀積材料。無機(jī)像素限定層330可以由PVD方法形成。
旋涂方法是這樣一種方法旋轉(zhuǎn)被涂布的元件，向旋轉(zhuǎn)元件的中心部分滴涂布材料，使得涂布材料在整個(gè)表面分散成小厚度，由此完成涂布操作。當(dāng)涂布材料用濺射法時(shí)，無機(jī)像素限定層330可以由有機(jī)材料形成。
如上所述，本發(fā)明的特征在于，無機(jī)像素限定層330通過淀積法或?yàn)R射法形成。由淀積法形成的無機(jī)像素限定層330可以形成厚度為100-3000。此外，優(yōu)選地，無機(jī)像素限定層330被形成為100-1000的小厚度，也可以形成100的厚度。
參照?qǐng)D3B和3C，無機(jī)像素限定層330經(jīng)構(gòu)圖形成一個(gè)用于暴露第一電極320的至少一部分的開口。無機(jī)像素限定層330可以通過干法或濕法蝕刻法構(gòu)圖。
干法蝕刻法是這樣一種蝕刻方法其同時(shí)利用物理作用和化學(xué)作用，即，通過離子碰撞的物理作用和在等離子體里產(chǎn)生的反應(yīng)材料的化學(xué)作用或離子、電子和光子的化學(xué)作用。
利用在光刻工藝中形成的光刻膠圖案340，通過蝕刻工藝將無機(jī)像素限定層330選擇性地去除，以被轉(zhuǎn)印并形成如在中間掩模(reticle)中所設(shè)計(jì)的圖案。優(yōu)選地，干法蝕刻法利用如下的等離子體蝕刻方法在恒定的室壓下釋放等離子體以將反應(yīng)氣體分解為為離子、原子團(tuán)和電子，并使這時(shí)產(chǎn)生的原子團(tuán)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和最后的蝕刻作用。
濕法蝕刻法是一種利用化學(xué)溶液去除對(duì)應(yīng)于光刻膠圖案340的無機(jī)像素限定層330的方法，其可以利用浸漬法、噴射法和復(fù)合的方法。
作為蝕刻和構(gòu)圖無機(jī)像素限定層330的結(jié)果，值得重視的是無機(jī)像素限定層330的頂表面有一個(gè)成角度的橫截面。虛線標(biāo)明了無機(jī)像素限定層330的頂表面成角度的橫截面。
如圖2所示，當(dāng)無機(jī)像素限定層330有一個(gè)成角度的頂表面時(shí)，在利用LITI法的轉(zhuǎn)印過程中的轉(zhuǎn)印效率被降低。此外，有機(jī)層圖案容易裂開導(dǎo)致形成在有機(jī)層圖案上的第二電極里形成裂紋，因此，濕氣或氧氣通過裂紋滲透到有機(jī)層圖案中導(dǎo)致有機(jī)層圖案被破壞。
參照?qǐng)D3D，具有開口的無機(jī)像素限定層330被構(gòu)圖而具有彎曲頂表面。此時(shí)，無機(jī)像素限定層330優(yōu)選通過干法蝕刻法構(gòu)圖。此外，無機(jī)像素限定層330的頂表面可以經(jīng)構(gòu)圖而在第一電極接觸的部分具有有無斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
參照?qǐng)D3E，在第一電極320和具有開口的無機(jī)像素限定層330的兩端上形成包括至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)層圖案340。有機(jī)層圖案340可以由多種方法形成，如噴墨印刷、旋涂、淀積等等，優(yōu)選為L(zhǎng)ITI(激光誘導(dǎo)熱成像)法。當(dāng)有機(jī)層圖案340通過LITI法形成時(shí)，帶有有機(jī)層的供體基板(未示出)層壓在基板的整個(gè)表面上，然后在供體基板的預(yù)定區(qū)域上照射激光束以在第一電極320和帶有開口的無機(jī)像素限定層330的兩端上形成有機(jī)層圖案340。
此時(shí)，如上所述，由于無機(jī)像素限定層330形成100-3000且優(yōu)選100-1000的小厚度，在第一電極320和無機(jī)像素限定層330之間的臺(tái)階形成得高度較小，且無機(jī)像素限定層330的頂表面有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面，由此在形成有機(jī)層圖案340的過程中提高了轉(zhuǎn)印效率。也就是說，由于可以利用低能量的激光束進(jìn)行轉(zhuǎn)印，因此可以提高OLED的發(fā)光效率和壽命。此外，有可能防止有機(jī)層圖案被截?cái)唷?br> 有機(jī)圖案化層340包括至少一個(gè)發(fā)光層，且除了發(fā)光層之外可以進(jìn)一步包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一層。
接著，在有機(jī)層圖案340的整個(gè)表面上形成第二電極350。第二電極350可以通過真空淀積法形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O320是作為陽(yáng)極的透明電極或具有包括透明層和在透明層上的反射層的至少兩層的反射電極時(shí)，第二電極是反射電極，即，由選自由Mg、Ca、Al、Ag及其合金組成的組中的一種材料制成的陰極，這些材料是具有低逸出功的導(dǎo)電材料，而當(dāng)?shù)谝浑姌O320是陰極時(shí)，第二電極350可以由透明電極，即由ITO或IZO制成的陽(yáng)極。
如從前述所看到的，根據(jù)本發(fā)明的OLED及其制造方法能夠利用淀積法形成較小厚度的作為像素限定層的無機(jī)材料，然后構(gòu)圖無機(jī)像素限定層的頂表面使之具有無斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。結(jié)果，在激光誘導(dǎo)熱成像過程中，通過使第一電極和供體基板上的有機(jī)層緊密粘結(jié)，并由此能利用低能量的激光進(jìn)行轉(zhuǎn)印，有可能提高轉(zhuǎn)印效率、提高OLED的發(fā)光效率并增加OLED的壽命。此外，有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，防止因第一電極和無機(jī)像素限定層之間的臺(tái)階使由LITI工藝形成的有機(jī)層圖案被截?cái)唷?br> 盡管已經(jīng)參考其特定典型實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在不背離權(quán)利要求及其等價(jià)物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做出多種改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其包括基板；形成在所述基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的無機(jī)像素限定層，該無機(jī)像素限定層具有用于暴露所述第一電極的至少一部分的開口；位于所述第一電極和具有所述開口的所述無機(jī)像素限定層的兩端上的有機(jī)層圖案，該有機(jī)層圖案具有至少一個(gè)發(fā)光層；以及形成在所述有機(jī)層圖案上的第二電極，其中所述無機(jī)像素限定層的頂表面具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層的頂表面在與所述第一電極接觸的部分具有沒有斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層是通過化學(xué)氣相淀積(CVD)法和物理氣相淀積(PVD)法中的任一種形成的。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層通過濺射法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層通過旋涂法形成。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層形成100-3000的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層形成100-1000的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述無機(jī)像素限定層由選自由非晶硅層、氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層組成的組的一種材料制成。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第一電極是陽(yáng)極，且所述第二電極是陰極。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第一電極是陰極，且所述第二電極是陽(yáng)極。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，其包括提供基板；在所述基板上形成第一電極；在具有所述第一電極的所述基板上形成無機(jī)像素限定層；構(gòu)圖所述無機(jī)像素限定層以形成暴露所述第一電極的至少一部分的開口；構(gòu)圖具有所述開口的所述無機(jī)像素限定層，使所述無機(jī)像素限定層的頂表面具有無斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面；在所述第一電極和具有所述開口的所述無機(jī)像素限定層的兩端上形成具有至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)層圖案；以及在所述有機(jī)層圖案上形成第二電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在構(gòu)圖具有所述開口的所述無機(jī)像素限定層的過程中，所述無機(jī)像素限定層經(jīng)構(gòu)圖而使所述無機(jī)像素限定層的所述頂表面在與所述第一電極接觸的部分具有無斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中具有所述開口的所述無機(jī)像素限定層通過干法蝕刻法被構(gòu)圖。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中通過化學(xué)氣相淀積(CVD)法和物理氣相淀積(PVD)法中的任一種形成所述無機(jī)像素限定層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層通過濺射法形成。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層通過旋涂法形成。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層形成100-3000的厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層形成100-1000的厚度。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層由選自由非晶硅層、氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層組成的組的一種材料制成。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一電極是陽(yáng)極，且所述第二電極是陰極。
21.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一電極是陰極，且所述第二電極是陽(yáng)極。
22.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層的所述開口通過干法蝕刻法形成。
23.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述無機(jī)像素限定層的所述開口通過濕法蝕刻法形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器和制造該顯示器的方法。這種OLED及其制造方法能夠形成一個(gè)具有開口的無機(jī)像素限定層并使無機(jī)像素限定層具有無斷裂點(diǎn)的彎曲頂表面，其中開口用于暴露第一電極的至少一部分。由于無機(jī)像素限定層的頂表面有無斷裂點(diǎn)的彎曲橫截面，在激光誘導(dǎo)熱成像工藝中第一電極和有機(jī)層圖案緊密粘結(jié)從而能利用低能量激光束進(jìn)行轉(zhuǎn)印，由此提高了轉(zhuǎn)印效率，提高了OLED的發(fā)光效率，并延長(zhǎng)了OLED的壽命。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1753591SQ200410103799
公開日2006年3月29日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月21日
發(fā)明者姜泰旭, 金茂顯, 宋明原 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社