專利名稱：半導(dǎo)體封裝及其引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及用于使用貼裝在電路板上的引線框架來安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝以及引線框架。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體封裝使用引線框架來連接半導(dǎo)體芯片。用于傳統(tǒng)熟知半導(dǎo)體封裝的引線框架的典型示例在圖13中示出，其中引線框架51包括用于安裝半導(dǎo)體芯片53的平臺55、布置在平臺55周邊的多條引線57、以及用于互連引線57的橫條59。此引線框架51通過在金屬薄板上進(jìn)行沖壓操作或蝕刻工藝而制得。
上述引線框架51可以用于制造例如QFN型(即，無引線四方扁平封裝Quad Flat Nonleaded Package)的傳統(tǒng)熟知半導(dǎo)體封裝。在此情況下，半導(dǎo)體芯片53結(jié)合在平臺55的表面上，其中其焊墊經(jīng)結(jié)合連線61與引線57電連接。然后，如圖14所示，形成模制樹脂件63，從而將半導(dǎo)體芯片53、平臺55、結(jié)合連線61和引線57的結(jié)合部分一體地固定在一起。此處，引線57的背側(cè)57a與模制樹脂件63的背側(cè)63a一起形成相同的平面。
引線57的制定表面57b暴露于模制樹脂件63之外，并與引線57的背側(cè)57a一起經(jīng)過鍍覆，由此在其上形成鍍膜65，從而改善焊料對于引線57的浸潤性。
其后，在切割線A處，連同橫條59一起，切去引線57從模制樹脂件63向外突出的突出部分57c，使得引線57彼此電氣上獨立，由此完成半導(dǎo)體封裝的制造。
QFP型(即，四邊扁平封裝Quad FlatPack package)的傳統(tǒng)熟知封裝設(shè)計為，鍍膜形成在引線突出部分的表面和背側(cè)，以及引線的鄰近側(cè)面區(qū)域上，以改善浸潤性，其中，焊料不僅附著在引線的背側(cè)，還附著在引線的側(cè)面區(qū)域和表面上。
在QFP封裝中，引線的突出部分經(jīng)過半蝕刻(half etching)，從而形成減薄的部分，由此增加引線的總體焊料附著面積，其示例在日本專利No.3008470中公開。
在圖14所示的QFN封裝中，引線57在切割線A處切割，因此引線57沿著厚度方向的切割表面57d未附著有鍍膜65，如圖15所示，而引線57除切割表面57d以外的其它表面由模制樹脂件63覆蓋，使得其不與焊料67接合。即，在經(jīng)焊料67將半導(dǎo)體封裝80貼裝于電路板71上時，如圖15所示，電路板71僅焊盤部分73與引線57的背側(cè)57a電連接。這導(dǎo)致了難以通過可視檢驗檢查建立于焊料67與引線57之間的接合狀態(tài)。因此，存在確保建立于半導(dǎo)體封裝80與電路板71之間的電連接的可靠性可能降低的問題。
上述日本專利公開了一種用于增加焊料對于引線的總體附著面積的方法。然而，在引線57沒有充分突出模制樹脂件63外側(cè)使得引線57與切割表面57d相接的其它表面由模制樹脂件63覆蓋的QFN封裝中，此方法未起到提高建立于引線的切割表面57d與焊料67之間的接合強(qiáng)度的作用，即，無法解決上述問題。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝，其可以改善與電路板之間電連接的可靠性。
本實用新型的另一目的在于提供一種用于該半導(dǎo)體封裝的引線框架。
為此，本實用新型一方面提供一種引線框架，包括平臺，用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片；多組引線，布置在該平臺的周邊；多個引線互連部件，分別用于互連在每組引線中的多條引線；以及凹部，形成為在每條引線的厚度方向凹入，由此允許多條切割線通過其中，其中，該多個引線互連部件和該多條引線在該切割線處經(jīng)過切割，使得該多條引線彼此在電氣上獨立。
優(yōu)選地，該凹部以通孔取代。
本實用新型另一方面提供一種引線框架，包括平臺，用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片；多組引線，布置在該平臺的周邊；多個引線互連部件，分別用于互連在每組引線中的多條引線；以及凹部，其形成為在橫跨該多條引線的每個引線互連部件的厚度方向凹入，由此允許多條切割線通過其中，其中，該多個引線互連部件和該多條引線在切割線處經(jīng)過切割，使得該多條引線彼此在電氣上獨立。
優(yōu)選地，每條引線具有向內(nèi)突入凹部內(nèi)的突出部分。
優(yōu)選地，該凹部以通孔取代。
本實用新型再一方面還提供一種半導(dǎo)體封裝，其具有暴露于模制樹脂件之外的多條引線，其中引線的側(cè)面與鍍覆表面和切割表面相連，該切割表面連接該鍍覆表面，并且使相鄰的引線彼此在電氣上獨立。
優(yōu)選地，經(jīng)過鍍覆的引線背側(cè)與模制樹脂件的下表面形成在相同的平面。
在本實用新型中，一種引線框架，其通過處理金屬薄板形成，包括用于安裝半導(dǎo)體芯片的平臺、布置在平臺周邊的多條引線、以及用于互連該些引線的引線互連部件(例如，橫條)，其中通孔沿著引線框架的厚度方向相對于每條引線或每個引線互連部件形成。此處，引線及其相關(guān)部分沿著切割線經(jīng)過切割，切割線設(shè)置為通過通孔，由此使引線彼此電氣上獨立。
在上述內(nèi)容中，在引線和/或引線互連部件的適當(dāng)部分進(jìn)行鍍覆后，切割引線和/或引線互連部件，由此，鍍膜可靠地保留在形成沿引線厚度方向的引線側(cè)面的通孔內(nèi)壁上。即，可以增加焊料對于引線的總體附著面積，因此可以改善對于焊料的結(jié)合強(qiáng)度。
與其中為每條引線形成相對較小的通孔的引線框架相比，在橫跨多條引線的每個引線互連部件中形成相對較大的通孔的引線框架更具優(yōu)越性，因為切割引線互連部件后相對于引線的側(cè)面可以增大總體的鍍覆面積，因此可以輕易地增加焊料對于引線的總體附著面積。


本實用新型的這些和其它目的、方面、以及實施例將參照以下附圖詳細(xì)介紹，附圖中圖1為顯示根據(jù)本實用新型的優(yōu)選實施例，用于半導(dǎo)體封裝的引線框架的平面圖；圖2為顯示該半導(dǎo)體封裝的主要部分的放大截面圖，其中引線的突出部分沿著切割線A切割；圖3A為顯示貼裝在電路板上的半導(dǎo)體封裝的主要部分的放大截面圖；圖3B為顯示圖3A所示半導(dǎo)體封裝的預(yù)定部分的放大平面圖；
圖4為顯示圖3A和3B所示半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大截面圖；圖5為顯示切割工藝前半導(dǎo)體封裝改進(jìn)示例的放大截面圖；圖6為顯示半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大平面圖，其中在橫跨多條引線的橫條中形成通孔；圖7為顯示切割后使得引線彼此電氣上獨立的半導(dǎo)體封裝的放大平面圖；圖8為顯示半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大平面圖，其中每條引線的頂端突出至形成于橫條中的伸長通孔內(nèi)，并帶有更突出部分；圖9為顯示半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大截面圖；圖10為顯示切割工藝前半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大截面圖；圖11為顯示切割工藝前半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)示例的放大截面圖；圖12為顯示貼裝于電路板上的圖11所示半導(dǎo)體封裝的放大截面圖；圖13為顯示用于半導(dǎo)體封裝的引線框架的傳統(tǒng)熟知示例的平面圖；圖14為顯示封閉圖13所示引線框架的半導(dǎo)體封裝的主要部分的放大截面圖，其中引線的突出部分被沿著切割線A切割；以及圖15為顯示貼裝于電路板上的半導(dǎo)體封裝的放大截面圖。
具體實施方式
下面，將以示例的形式參照附圖更詳細(xì)地介紹本實用新型。
根據(jù)本實用新型優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的要點將參照圖1、2、3A和3B介紹。
首先，對由銅等制成的金屬薄板進(jìn)行沖壓操作和蝕刻工藝中之一或兩者，由此產(chǎn)生引線框架1(見圖1)，其包括用于安裝半導(dǎo)體芯片3的平臺5、排列在平臺5周邊的多條引線7、以及用于互連引線7的橫條(即，引線互連部件)。
在上述內(nèi)容中，通過沖壓操作和/或蝕刻工藝，同時為引線7分別形成了穿透引線框架1的多個通孔17，其中通孔17沿著引線7的排列對準(zhǔn)。
接著，在平臺5的表面5a上結(jié)合半導(dǎo)體芯片3；然后，經(jīng)金屬結(jié)合連線11將半導(dǎo)體芯片3的焊墊與引線7分別電連接。此處，引線7與結(jié)合連線11相結(jié)合的結(jié)合位置位于引線7的預(yù)定表面7a上，其從通孔17朝向平臺5向內(nèi)產(chǎn)生臺階。
上述引線框架1布置在金屬模具(未示出)中，其中注入了融化的樹脂，從而形成模制樹脂件13(見圖2)，其將半導(dǎo)體芯片3、平臺5、結(jié)合連線11和引線7預(yù)定位置的結(jié)合部分固定在一起。
在上述內(nèi)容中，模制樹脂件13的背側(cè)13a與引線7的背側(cè)7b一起形成相同的平面，其中模制樹脂件13沿其厚度方向的預(yù)定側(cè)面沿著引線的切割線A，這將在下面介紹。即，模制樹脂件13的預(yù)定側(cè)面位于沿引線7的縱向方向(即，C-D方向)形成的通孔17的總體長度減至一半的預(yù)定位置。形成模制樹脂件13，防止樹脂進(jìn)入通孔17中。
形成模制樹脂件13后，對引線7暴露于模制樹脂件13之外的表面7a和背側(cè)7b、以及通孔17的內(nèi)壁進(jìn)行鍍覆，由此形成鍍膜15。
其后，引線7沿方向D突出模制樹脂件13預(yù)定側(cè)面之外的突出部分7c連同橫條9一起沿著切割線A切去，使得引線7彼此電氣上獨立，由此完成了半導(dǎo)體封裝的制造。
結(jié)果，可以制得圖3A所示的QFN型半導(dǎo)體封裝30，其中引線7未突出模制樹脂件13的預(yù)定側(cè)面13b之外。在半導(dǎo)體封裝30中，引線7沿其厚度方向向外暴露的側(cè)面7d(見圖3B)通過在切割線A處切割引線7而形成。具體而言，引線7的側(cè)面7d包括形成與模制樹脂件13的側(cè)面13b相同平面的切割表面7e、以及形成通孔17的內(nèi)壁17a的一部分的凹部(或平面)7f，其中在凹部7f上形成了鍍膜15。
在電路板21上貼裝半導(dǎo)體芯片20時，模制樹脂件13的下表面13a與電路板21相對設(shè)置，其中每條引線7經(jīng)焊料25與電路板21的焊盤部分23電連接。在此情況下，焊料25與引線7的背側(cè)7b和凹部7f連接。
根據(jù)上述制造半導(dǎo)體封裝30的方法，引線框架1按以下方式形成，對于引線7形成通孔17；然后進(jìn)行鍍覆。由此，通過在切割線A處切割每條引線7，可以容易地制得其中鍍膜15形成在引線7側(cè)面7d的凹部7f上的半導(dǎo)體封裝30。
由于在形成引線7的頂端的側(cè)面7d的凹部7f、以及引線7的背側(cè)7b上形成了鍍膜15，可以明顯改善浸潤性，并且可以增加焊料25對于引線7的總體附著面積；由此，可以明顯改善建立在引線7與焊料25之間的接合強(qiáng)度。在半導(dǎo)體芯片30貼裝于電路板21上的情況下，形成在凹部7f上的鍍膜15向外和向上暴露，使得檢察員易于對引線7與焊料25之間的連接狀態(tài)進(jìn)行可視檢查。因此，在電路板21上貼裝半導(dǎo)體封裝30時，可以改善在引線7與電路板21的焊盤部分23之間建立電連接的可靠性。
上述半導(dǎo)體封裝30的優(yōu)點在于，在電路板21上貼裝半導(dǎo)體封裝30時，可以降低從電路板21的表面測量的高度尺寸，因為引線7的背側(cè)7b與模制樹脂件13的下表面13a一起形成相同的平面。簡言之，可以明顯減小半導(dǎo)體封裝30的總體厚度。
本實施例設(shè)計為，引線7的切割表面7e位于與模制樹脂件13的側(cè)面13b相同的平面內(nèi)。當(dāng)然，本實用新型不必限于本實施例，其可以如圖4所示地改進(jìn)，引線7的頂端部分地突出模制樹脂件13側(cè)面13b之外。在此情況下，鍍膜15可以保留在引線7暴露于模制樹脂件13外的表面7a上。即，在電路板21上貼裝半導(dǎo)體封裝30時，可以使焊料25與引線7的背側(cè)7b、凹部7f、以及表面7a相接；因此，可以進(jìn)一步改善在引線7與電路板21的焊盤部分23之間建立電連接的可靠性。
在圖4的情況中，通孔17應(yīng)從模制樹脂件13的側(cè)面13b向外形成，如圖5所示?；蛘撸?7應(yīng)沿著其從模制樹脂件13的側(cè)面13b分開的方向放大尺寸。
本實施例設(shè)計為，引線7在制定的切割位置經(jīng)過切割，在該位置處，沿引線7縱向方向的通孔17長度減半。當(dāng)然，本實用新型不必限于本實施例，其可以改進(jìn)為使得切割部分可以設(shè)置在通孔17的任意位置。
不必對于每條引線7形成通孔17。即，通孔17可以形成在互連引線7的橫條9的預(yù)定位置處。
即，如圖6所示，在引線框架的形成之中，延長的通孔18橫跨多條引線6、沿著引線6的對齊方向形成，其中包括通孔18內(nèi)壁的引線6和橫條9經(jīng)過鍍覆；然后，在切割線B處對橫條9進(jìn)行切割。由此，可以產(chǎn)生圖7所示的半導(dǎo)體封裝31，其中引線6彼此電氣上獨立。
在上述半導(dǎo)體封裝31中，引線6沿其厚度方向的每個側(cè)面6a由鍍覆表面6f和切割表面6d構(gòu)成，鍍覆表面6f形成引線6其上形成有鍍膜15的頂端，切割表面6d與鍍覆表面6f相接并位于與其它相鄰的引線6相對的位置處，其中與引線6的側(cè)面6a相接的預(yù)定表面6b也經(jīng)過鍍覆。
上述半導(dǎo)體封裝31的特征在于形成相對較大的通孔18，其比前述對于每條引線7形成的通孔17更大；因此，可以容易地增大引線6的鍍覆表面6f的總面積。由此，通過進(jìn)一步增大焊料對于引線6的附著面積，可以可靠地改善焊料與引線6之間的接合強(qiáng)度。
當(dāng)通孔18形成在橫條9中時，可以預(yù)先形成半導(dǎo)體封裝31的引線6的頂端。即，可以改進(jìn)每條引線6，如圖8所示，使得每條引線6具有突出部分6b，其沿其縱向方向(即，方向E)突入通孔18的內(nèi)部，其中從引線6的突出部分6b形成了更突出部分6c。
另外，鍍覆表面6f的總面積不必通過形成更加突入通孔18內(nèi)部的更突出部分6c而增大。相反，其可以在形成引線6的頂端的突出部分6b處形成凹部(或凹陷)。
在本實施例的改進(jìn)示例中，通孔18沿著引線6的排列方向橫跨多條引線6形成，這在本實用新型中不受限制。即，本實用新型需要通孔形成在允許切割線從其中通過的預(yù)定位置，從而使相鄰的引線6彼此電氣上獨立。例如，可以在通過相鄰引線6之間的切割線B上形成通孔。
在本實施例及其改進(jìn)中，通孔在形成引線框架時同時形成，這在本實用新型中不受限制。即，本實用新型需要通孔形成在引線框架的形成與執(zhí)行鍍覆的時點之間的時期中。具體而言，通孔可以與模制樹脂件13的形成同時地形成。由于設(shè)置了通孔，可以增加用于鍍覆的總面積，并且可以降低用于使引線彼此電氣上獨立的總體切斷面積。因此，可以提供半導(dǎo)體封裝可以容易制造的效果。
在本實施例及其改進(jìn)中，鍍覆表面6f及經(jīng)過鍍覆的凹部7f和8f沿引線6至8的厚度方向形成，這在本實用新型中不受限制。例如，本實施例可以如圖9所示地改進(jìn)，使得引線10側(cè)面10d接近背側(cè)10b的一部分經(jīng)過鍍覆，由此形成鍍覆表面10f。在電路板21上貼裝圖10所示的半導(dǎo)體封裝32時，除引線10的背側(cè)10b以外，焊料25還可以與鍍覆表面10f結(jié)合；因此可以改善在引線10與電路板21的焊盤23之間建立電連接的可靠性。
在上述內(nèi)容中，半導(dǎo)體封裝32可以如圖10所示地改進(jìn)，結(jié)合切割線A，在引線10的背側(cè)10b上通過蝕刻或機(jī)械加工形成凹部12來替代穿透引線框架形成上述通孔17和18，設(shè)置凹部12使得相鄰的引線10彼此電氣上獨立。此處，凹部12的內(nèi)壁12a經(jīng)過鍍覆，由此形成上述鍍覆表面10f。
上述半導(dǎo)體封裝30至32中的每一個都構(gòu)造為QFN型，在不必減小半導(dǎo)體封裝的厚度時，這在本實用新型中并無限制。即，每個半導(dǎo)體封裝可以構(gòu)造為設(shè)置有突出模制樹脂件13外側(cè)的上述引線8的QFP型。例如，可以如圖11所示部分地改進(jìn)上述半導(dǎo)體封裝，使得通孔17形成在引線8與焊料25結(jié)合的結(jié)合部分8a，其中通孔17的內(nèi)壁17a經(jīng)過鍍覆；然后，在切割線A處切割引線8。因此，可以產(chǎn)生圖12所示的半導(dǎo)體封裝，其中形成了引線8接合部分8a的側(cè)面8d的凹部8f與焊料25接合，因此，可以進(jìn)一步改善在引線8與電路板21的焊盤23之間建立電連接的可靠性。
在本實用新型中，一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括引線框架形成步驟，其用于通過處理金屬薄板從而設(shè)置平臺、布置在平臺周邊的多條引線、以及用于互連該些引線的多個引線互連部件(例如，橫條)來形成引線框架；芯片安裝步驟，用于在引線框架的平臺上安裝半導(dǎo)體芯片，以及用于將半導(dǎo)體芯片與該些引線接線；塑膜步驟，用于形成模制樹脂件，用于在其中一體地固定平臺、半導(dǎo)體芯片和引線；鍍覆步驟，用于鍍覆引線暴露于模制樹脂件外的預(yù)定表面；以及切割步驟，用于沿切割線(或多條切割線)切割該些引線，使得該些引線彼此電氣上獨立。還提供了通孔形成步驟，其在形成引線框架與鍍覆步驟之間的時期內(nèi)的適當(dāng)時點執(zhí)行，用于相對于每條引線形成在其厚度方向穿透引線框架、并允許切割線通過其中的通孔。此處，通孔可以延長，并且形成在每個橫跨該些引線的引線互連部件中，從而允許切割線通過其中。
在上述內(nèi)容中，在切割線處切割引線和/或引線互連部件后，鍍膜可靠地保留在形成沿引線厚度方向的引線側(cè)面的通孔內(nèi)壁上。因此，可以輕易增加焊料對于引線的總體附著面積，因此可以改善對于焊料的結(jié)合強(qiáng)度。
在半導(dǎo)體封裝中，引線部分地暴露在模制樹脂件外，其中引線的暴露部分的側(cè)面沿其厚度方向設(shè)置有鍍覆表面和鄰近鍍覆表面的切割表面，使得相鄰引線彼此電氣上獨立。由于從模制樹脂件暴露的引線的側(cè)面上形成了鍍覆表面，可以增加焊料對于引線的附著面積，由此改善了對于焊料的結(jié)合強(qiáng)度。
另外，引線與引線側(cè)面上的鍍覆表面相鄰的“鍍覆”背側(cè)與模制樹脂件的下表面一同形成相同的平面，由此在按照使下表面設(shè)置為與電路板的表面相對的方式在電路板上安裝半導(dǎo)體封裝時，可以降低從電路板的表面測量的半導(dǎo)體封裝的高度尺寸；簡言之，可以降低半導(dǎo)體封裝的厚度尺寸。
如上所述，本實用新型具有多個效果和技術(shù)特征，具體如下
(1)根據(jù)本實用新型，引線框架設(shè)計為使得對于引線或引線互連部件(例如，橫條)形成通孔，由此可以改善引線與焊料之間的結(jié)合強(qiáng)度。此處，安裝半導(dǎo)體芯片的引線框架封閉在模制樹脂件中，從而產(chǎn)生貼裝在電路板上的半導(dǎo)體封裝，其中可以改善在引線與電路板的焊盤部分之間建立電連接的可靠性。
(2)在引線框架設(shè)計為使得通孔被延長且形成在引線互連部件中時，同其中為每條引線形成相對較小的通孔的引線框架相比，可以改善引線與焊料之間的結(jié)合強(qiáng)度。
(3)在形成通孔后，在主要封閉在模制樹脂件中的引線合適的區(qū)域進(jìn)行鍍覆工藝以形成鍍膜。此處，鍍覆在引線暴露于模制樹脂件之外的側(cè)部進(jìn)行。另外，引線的表面與模制樹脂件的下表面一起形成在相同的平面中，由此可以明顯降低半導(dǎo)體封裝的總體厚度。
本實用新型可以以多種形式實施而不脫離其精神或主要特征，由于本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而非之前所述的實施例限定，因此本實施例及其改進(jìn)示例是用于說明而非限制。
本實用新型要求日本專利申請No.2003-99126和日本專利申請(尚未獲得序號，其在日本要求日本專利申請No.2003-99126的優(yōu)先權(quán))的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容在此作為參考引入。
權(quán)利要求1.一種引線框架，其特征在于，包括平臺(5)，用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片(3)；多組引線(7)，布置在該平臺的周邊；多個引線互連部件(9)，分別用于互連在每組引線中的多條引線；以及凹部(12，17)，形成為在每條引線的厚度方向凹入，由此允許多條切割線(A)通過其中，其中，該多個引線互連部件和該多條引線在該切割線處經(jīng)過切割，使得該多條引線彼此在電氣上獨立。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，該凹部以通孔(17)取代。
3.一種引線框架，其特征在于，包括平臺(5)，用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片(3)；多組引線(7)，布置在該平臺的周邊；多個引線互連部件(9)，分別用于互連在每組引線中的多條引線；以及凹部(18)，其形成為在橫跨該多條引線的每個引線互連部件的厚度方向凹入，由此允許多條切割線(B)通過其中，其中，該多個引線互連部件和該多條引線在切割線處經(jīng)過切割，使得該多條引線彼此在電氣上獨立。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于，每條引線具有向內(nèi)突入凹部內(nèi)的突出部分(6b)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于，該凹部以通孔(18)取代。
6.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，具有暴露于模制樹脂件(13)之外的多條引線(6、7)，其中引線的側(cè)面(6a、7d)與鍍覆表面(6f、7f)和切割表面(6d、7e)相關(guān)聯(lián)，該切割表面連接該鍍覆表面，并且使相鄰的引線彼此在電氣上獨立。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，經(jīng)過鍍覆的引線背側(cè)與模制樹脂件的下表面(13a)形成在相同的平面。
專利摘要本實用新型公開了一種半導(dǎo)體封裝及其引線框架，該引線框架(1)包括用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片(3)的平臺(5)、布置在平臺周邊的多條引線(6、7)、以及用于互連該些引線的多個引線互連部件(例如，橫條)(9)，其中多個通孔(17、18)，形成為相對于引線或引線互連部件在厚度方向穿透引線框架，從而允許多條切割線(A、B)通過其中，由此對該些引線進(jìn)行切割，并使其彼此電氣上獨立。通過將該引線框架封閉在模制樹脂件(13)內(nèi)，產(chǎn)生了QFN型半導(dǎo)體封裝，其中引線部分地從模制樹脂件(13)暴露出來并經(jīng)過鍍覆且隨后在切割線處經(jīng)過切割。
文檔編號H01L23/495GK2718782SQ20042000646
公開日2005年8月17日 申請日期2004年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月2日
發(fā)明者白坂健一 申請人:雅馬哈株式會社