專利名稱：一種大功率發(fā)光二極管器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
發(fā)明領(lǐng)域本實用新型涉及發(fā)光器件，特別涉及一種具有新型結(jié)構(gòu)的大功率發(fā)光二極管(LED)器件。
背景技術(shù)：
近來，隨著照明應(yīng)用范圍的進一步拓展，越來越多的燈光工程采用色彩豐富的LED作為點綴光源。LED由于其工作壽命長，省電節(jié)能，工作電壓低，所以是一種非常好的光源。但是傳統(tǒng)的LED存在功率小、亮度低的缺點，難以勝任某些應(yīng)用場合。為此，選用大功率LED器件就成為必然的選擇，但是這種大功率LED器件與一般的功率器件一樣，需要解決散熱的問題。此外，LED器件往往應(yīng)用于室外環(huán)境，對器件的密閉性、集成性和機械強度等都有較高的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種大功率發(fā)光二極管(LED)器件，其具有高度集成化的結(jié)構(gòu)，散熱性能出色，使用壽命延長并且機械強度高。
本實用新型的發(fā)明目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)一種大功率發(fā)光二極管器件，包含引線框架，其表面包含向兩端延伸的電極引腳；設(shè)置在所述引線框架其中一個表面的發(fā)光芯片，所述芯片的引線與所述引腳連為一體；透鏡，其設(shè)置于所述引線框架表面并且位于所述發(fā)光芯片上方；透明硅膠，其填充在所述發(fā)光芯片與透鏡之間；塑料包封體，其封閉住所述鋁基板和透鏡周圍的引線框架表面。
為了進一步改進芯片散熱性能，提高器件的功率容量，比較好的是，在上述大功率發(fā)光二極管器件中，進一步包含表面經(jīng)氧化處理的鋁基板，其固定于所述引線框架的另外一個表面。
比較好的是，在上述大功率發(fā)光二極管器件中，所述電極引腳在靠近引線框架端部處的寬度較大。
在上述大功率發(fā)光二極管器件中，采用透鏡覆蓋在發(fā)光芯片上，與傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂封裝相比，提高了耐高溫性能，延長了器件的質(zhì)量和壽命，發(fā)光質(zhì)量也得到了提高。此外，發(fā)光芯片的引線與引線框架的引腳連為一體，因此節(jié)省了焊接引腳的工時，提高了器件的可靠性。最后，經(jīng)氧化處理的鋁基板結(jié)構(gòu)也有利于熱量從器件背面散發(fā)出去，因此散熱效果較好。


圖1為按照本實用新型的大功率發(fā)光二極管器件的剖面示意圖。
圖2為圖1所示大功率發(fā)光二極管的平面示意圖。
具體實施方式
以下借助附圖描述本實用性的較佳實施例。
如圖1所示，本實用新型的大功率發(fā)光二極管(LED)器件包含引線框架1、發(fā)光芯片2、透鏡3、透明硅膠(未畫出)、鋁基板4和塑料包封體5。
參見圖1和圖2，引線框架1的表面設(shè)置向兩端延伸的電極引腳1a，而發(fā)光芯片2設(shè)置在引線框架1的其中一個表面，芯片2的引線2a與引腳1a連為一體。如此可以節(jié)省焊接引腳的工時，改善器件結(jié)構(gòu)，提高了器件的可靠性。電極引腳1a在靠近引線框架1端部處的寬度較其它位置處的寬度大，因此有利于器件的外部連接。引線框架1可采用0.3mm～0.5mm的無氧銅片作為基體，這將大大提高發(fā)光芯片2的散熱效率，使散熱比較均勻，有利于芯片穩(wěn)定發(fā)光，延長了芯片的使用壽命。
透鏡3設(shè)置于引線框架1表面并且位于發(fā)光芯片2的上方，為了將它們結(jié)合在一起，在發(fā)光芯片2與透鏡3之間填充具有合適透射系數(shù)和折射系數(shù)的透明硅膠以確保出光效率。在本實用新型中，由于采用透鏡來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的環(huán)氧樹脂封裝，因此克服了環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱效果差、發(fā)光角度控制差和耐高溫性能不好的缺點，提高了器件的發(fā)光質(zhì)量、使用壽命和發(fā)光效率。
如圖1所示，在引線框架1的另外一個表面上固定放置經(jīng)氧化處理的鋁基板4，因此進一步提高了器件的散熱能力。同時，鋁基板與引腳彼此絕緣，在電路設(shè)計表面散熱板與電極之間是完全獨立的，所以可以很方便地在同一塊散熱板上進行串并聯(lián)。
再次參見圖1和2，引線框架1由塑料包封體5進行包封，從而將鋁基板4和透鏡3周圍的引線框架表面封閉住。
權(quán)利要求1.一種大功率發(fā)光二極管器件，其特征在于，包含引線框架，其表面包含向兩端延伸的電極引腳；設(shè)置在所述引線框架其中一個表面的發(fā)光芯片，所述芯片的引線與所述引腳連為一體；透鏡，其設(shè)置于所述引線框架表面并且位于所述發(fā)光芯片上方；透明硅膠，其填充在所述發(fā)光芯片與透鏡之間；塑料包封體，其封閉住所述鋁基板和透鏡周圍的引線框架表面。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管器件，其特征在于，進一步包含表面經(jīng)氧化處理的鋁基板，其固定于所述引線框架的另外一個表面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的大功率發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述電極引腳在靠近引線框架端部處的寬度較大。
專利摘要本實用新型提供一種大功率發(fā)光二極管器件，其具有低熱阻和高度集成化的結(jié)構(gòu)，散熱性能出色，使用壽命延長并且機械強度高，可用于1～5瓦功率器件的封裝。它包含引線框架，其表面包含向兩端延伸的電極引腳；設(shè)置在所述引線框架其中一個表面的發(fā)光芯片，所述芯片的引線與所述引腳連為一體；透鏡，其設(shè)置于所述引線框架表面并且位于所述發(fā)光芯片上方；透明硅膠，其填充在所述發(fā)光芯片與透鏡之間；塑料包封體，其封閉住所述鋁基板和透鏡周圍的引線框架表面。
文檔編號H01L33/00GK2679856SQ200420020240
公開日2005年2月16日 申請日期2004年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月18日
發(fā)明者唐國慶, 顧海軍, 謝雪茹, 俞振中, 王國定, 涂江, 劉宏銘, 馬偉, 沈壽珍 申請人:上海金橋大晨光電科技有限公司