專利名稱：基層式突波吸收器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基層式突波吸收器及其陣列結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前專供個(gè)人使用的電子產(chǎn)品正在朝著輕、薄、短、小的方向發(fā)展，使產(chǎn)品更趨迷你化，各業(yè)者無不積極研發(fā)產(chǎn)品的被動(dòng)元件，因此具有晶片形式及陣列。傳統(tǒng)的積層式電子元件使采用多個(gè)元件相互組成陣列，因此可以說是一種元件的集合體，且每一元件皆必須有兩個(gè)外接點(diǎn)，若是含有四個(gè)元件的陣列型突波吸收器，就必須要具備有八個(gè)外接點(diǎn)，應(yīng)用時(shí)也只能單獨(dú)使用，對于產(chǎn)品的小型化幫助有限。
而為解決此缺陷，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)人中請了一件其申請?zhí)枮?1200107的中國臺灣專利申請，其內(nèi)容主要是在單一本體的中具有相互串接的突波吸收器結(jié)構(gòu)，藉由于一薄片狀本體設(shè)置有至少兩個(gè)以上或更多個(gè)以上的的本體所構(gòu)成，并利用中間電極朝鄰近的突波陣列器延伸，作為共同接地端。
然而，雖然可達(dá)到使各元件串聯(lián)的目的，但是構(gòu)成的結(jié)構(gòu)分別是由上下電極層加上埋設(shè)中間的電極層，一共三層所構(gòu)成，因此使得突波吸收器體積相對增厚。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種基層式突波吸收器及其陣列結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的基層式突波吸收器結(jié)構(gòu)，在一本體兩端設(shè)有外接端，在所述外接端處設(shè)置有交錯(cuò)電極層；其特征在于本體內(nèi)部的兩層第一電極層及第二電極層分設(shè)于兩端，兩電極層之間為水平方向間隔設(shè)置，于兩電極層內(nèi)側(cè)上覆蓋一層中間電極層，此中間電極層串聯(lián)兩平行設(shè)置的電極層。
本實(shí)用新型的基層式突波吸收器陣列結(jié)構(gòu)，包括一長型薄片狀共同本體，及至少兩個(gè)以該本體作為共同陣列本體排成一列突波吸收器元件，該突波吸收器元件的外接端分別設(shè)于共同本體兩外側(cè)，其內(nèi)部所設(shè)的電極層為間隔而設(shè)；其特征在于共同本體內(nèi)部的兩第一電極層及第二電極層之間呈水平延伸，兩電極層上覆蓋一層中間電極層，其中各突波吸收器元件的中間電極層是向相鄰的突波吸收器元件延伸并合而為一，使各元件相互串聯(lián)。
本實(shí)用新型的技術(shù)效果是，藉由將對至少兩個(gè)以上的兩電極采以相互平行設(shè)置，于兩電極上覆蓋一層電極，利用所覆蓋的電極串聯(lián)兩平行設(shè)置的電極層，由此組成多個(gè)元件串聯(lián)，同時(shí)也可以獲得倍增的元件數(shù)量，并利用整體結(jié)構(gòu)采用兩層的結(jié)構(gòu)設(shè)置，以縮小元件體積，相對使電子產(chǎn)品體積減小，并降低制造成本。
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是本實(shí)用新型的突波吸收器元件實(shí)施剖視圖；圖2是本實(shí)用新型構(gòu)成的突波吸收器元件剖視圖；圖3是本實(shí)用新型突波吸收器元件陣列組成的實(shí)施例構(gòu)成示意圖一；圖4是圖3所示的電路圖；圖5是本實(shí)用新型突波吸收器元件陣列組成的實(shí)施例構(gòu)成示意圖二；圖6是本實(shí)用新型的圖5所示的電路圖；圖7是本實(shí)用新型突波吸收器元件陣列組成的實(shí)施例構(gòu)成示意圖三；圖8是本實(shí)用新型的圖7所示的電路圖。
附圖標(biāo)記說明1本體；2外接端；3a第一電極層；3b第二電極層；4中間電極層；5導(dǎo)通區(qū)域；6接地端；10突波吸收器元件；20、30、40本體。
具體實(shí)施方式
請參閱圖1及圖2所示的本實(shí)用新型的基層式突波吸收器及其陣列結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的基層式突波吸收器元件10包括由具有變阻特性的金屬氧化物陶瓷材料所制成的本體1，于本體1兩端設(shè)有外接端2，于本體1內(nèi)部至外接端2之間設(shè)有保持一定間隔與呈上下交錯(cuò)及水平狀設(shè)置的第一電極層3a、第二電極層3b及中間電極層4，其中第一電極層3a及第二電極層3b分設(shè)兩端，并呈平行狀設(shè)置，于第一電極層3a及第二電極層3b之間覆蓋一層中間電極層4，如此，于第一電極層3a及第二電極層3b與中間電極層4重疊部分形成獨(dú)立的導(dǎo)通區(qū)域5，藉此由導(dǎo)通區(qū)域5作為共同電極，并形成將領(lǐng)平行的第一電極層3a及第二電極層3b串聯(lián)，以構(gòu)成在本體1內(nèi)部具有兩個(gè)相互串聯(lián)的突波吸收器元件10構(gòu)造。
藉由，兩層電極第一電極層3a及第二電極層3b為水平設(shè)置，在與中間電極層4覆蓋重疊時(shí)，不會(huì)增加太多厚度，且本實(shí)用新型的突波吸收器元件10能抵用兩個(gè)傳統(tǒng)突波吸收器元件，并與先前所申請的上下三層式的電極層間隔重疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)相比，減少體積的厚度。
關(guān)于突波吸收器元件的陣列結(jié)構(gòu)請參閱圖3至圖8，本實(shí)用新型的基層式突波吸收器陣列包含有一加長型薄片狀陣列共同本體20、30、40，具有至少兩個(gè)以上的突波吸收器元件10為順著共同本體20、30、40排成一列，突波吸收器元件10兩端的外接端2分別設(shè)于共同本體20、30、40兩側(cè)并呈相對狀排成一列，各元件的平行第一電極層3a、第二電極層3b之間的中間電極層4則自第一個(gè)突波吸收器元件10延伸至最后一個(gè)突波吸收器元件10而連成一片，并成為一共同中間電極層4，而相鄰兩突波吸收器元件10之間的中間電極層4可導(dǎo)通并相互串聯(lián)各元件。
由于第一電極層3a、第二電極層3b及中間電極層4之間的重疊部分為個(gè)別的介電層，且以長片共同中間電極層4為其接點(diǎn)，同時(shí)所組成的模組式突波吸收器陣列只需一個(gè)外接點(diǎn)，以提供使用者極大的安裝、接線方便性。
在圖5至圖8所示的突波吸收器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，其基本結(jié)構(gòu)為與圖3陣列相同，只是將共同的中間電極層4兩端延伸至共同本體30、40的兩端端面，并形成共同接地端6。
綜上所陳，本實(shí)用新型的基層式突波吸收器及其陣列結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的陣列結(jié)構(gòu)具有多個(gè)端接點(diǎn)，并可以提供突波吸收器元件達(dá)到充分的應(yīng)用與使用的便利性，且經(jīng)過改良的基層式突波吸收器體積厚度減小，在搭配應(yīng)用于電了產(chǎn)品時(shí)，具有小型化的應(yīng)用優(yōu)勢。
權(quán)利要求1.一種基層式突波吸收器結(jié)構(gòu)，于一本體兩端設(shè)有外接端，在所述外接端處設(shè)置有交錯(cuò)電極層；其特征在于本體內(nèi)部的兩層第一電極層及第二電極層分設(shè)于兩端，兩電極層之間為水平方向間隔設(shè)置，于兩電極層內(nèi)側(cè)上覆蓋一層中間電極層，此中間電極層串聯(lián)兩平行設(shè)置的電極層。
2.一種基層式突波吸收器陣列結(jié)構(gòu)，包括一長型薄片狀共同本體，及至少兩個(gè)以該本體作為共同陣列本體排成一列突波吸收器元件，該突波吸收器元件的外接端分別設(shè)于共同本體兩外側(cè)，其內(nèi)部所設(shè)的電極層為間隔而設(shè)；其特征在于共同本體內(nèi)部的兩第一電極層及第二電極層之間呈水平延伸，兩電極層上覆蓋一層中間電極層，其中各突波吸收器元件的中間電極層是向相鄰的突波吸收器元件延伸并合而為一，使各元件相互串聯(lián)。
專利摘要本實(shí)用新型是一種基層式突波吸收器結(jié)構(gòu)，在一本體兩端設(shè)有外接端，在所述外接端處設(shè)置有交錯(cuò)電極層；其特征在于本體內(nèi)部的兩層第一電極層及第二電極層分設(shè)于兩端，兩電極層之間為水平方向間隔設(shè)置，于兩電極層內(nèi)側(cè)上覆蓋一層中間電極層，此中間電極層串聯(lián)兩平行設(shè)置的電極層。本實(shí)用新型利用將至少兩個(gè)以上的兩電極相互平行設(shè)置，于兩電極上覆蓋一層電極，利用所覆蓋的電極串聯(lián)兩平行設(shè)置的電極層，組成多個(gè)元件串聯(lián)，同時(shí)也可以獲得倍增的元件數(shù)量，并利用整體結(jié)構(gòu)采兩層的結(jié)構(gòu)設(shè)置，縮小元件體積，使電子產(chǎn)品體積減小，并降低制造成本。
文檔編號H01C7/12GK2779571SQ20042012224
公開日2006年5月10日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者李坤龍 申請人:立昌先進(jìn)科技股份有限公司