專利名稱：第Ⅲ族氮化物晶體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種第III族氮化物晶體，及一種用于所述第III族氮化物晶體的制備方法，具體而言，本發(fā)明涉及一種具有低位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物，及一種用于所述第III族氮化物晶體的制備方法。
背景技術(shù)：
作為用于發(fā)光二極管(以下，稱為“LED”)或激光二極管(以下，稱為“LD”)的材料，第III族氮化物晶體如AlxGayIn1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y≤1)成為了人們所關(guān)注的中心，并被期望用作電子器件的部件。
然而，難以以大批晶體生長的方式生長第III族氮化物晶體，因此，尚未得到第III族氮化物晶體的自支撐襯底。目前，實(shí)際所使用的第III族氮化物晶體的襯底是藍(lán)寶石襯底，而通常所采用的方法是其中通過例如有機(jī)金屬氣相取向附生(以下，稱為“MOVPE”)，在單晶藍(lán)寶石襯底上取向附生地生長第III族氮化物晶體。
同時(shí)，因?yàn)樗{(lán)寶石襯底與AlxGayIn1-x-yN晶體的晶格常數(shù)不同，所以即使AlxGayIn1-x-yN晶體直接生長到藍(lán)寶石襯底上時(shí)，也不能得到單晶。
因此，提出了一種方法，其中首先在低溫下將AlxGayIn1-x-yN晶體的緩沖層生長到藍(lán)寶石襯底上，然后，將AlxGayIn1-x-yN層再生長到所述的緩沖層上(參見，例如，JP-A 63-188983)。通過提供這樣的緩沖層，使襯底晶格與AlxGayIn1-x-yN晶體晶格之間的應(yīng)變能得到釋放，由此實(shí)現(xiàn)AlxGayIn1-x-yN單晶的取向附生生長。然而，即使在這樣的方法中，由于襯底與AlxGayIn1-x-yN晶體晶格之間的應(yīng)變，產(chǎn)生了109至1010cm-2的位錯(cuò)，由此在制備LD等中帶來問題。
為了降低位錯(cuò)密度，已提出了一種方法，其中將GaN層生長在藍(lán)寶石襯底上，其后在由此生長的GaN層上沉積金屬層，隨后，熱處理所得到的制品，以在GaN層中形成孔隙部分，然后通過進(jìn)行GaN晶體生長來填充孔隙部分，其后將GaN晶體生長到所述的金屬層上(參見，例如JP-A2002-343728)。

發(fā)明內(nèi)容
目前，除GaN晶體以外的第III族氮化物晶體的生長還不能由上面所述的方法來進(jìn)行。
在此情況下，本發(fā)明的一個(gè)目的是不僅提供GaN晶體，而且還提供具有小位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體，及用于這些晶體的制備方法。
為了達(dá)到上面所述目的，根據(jù)本發(fā)明的用于第III族氮化物晶體的制備方法特征在于，其包含如下步驟將第III族氮化物晶體薄膜生長到襯底上；將金屬薄膜沉積到所述第III族氮化物晶體薄膜上；通過熱處理在其上面生長了所述第III族氮化物晶體薄膜和沉積了所述金屬薄膜的襯底，不僅在所述金屬薄膜中產(chǎn)生細(xì)孔，而且在所述第III族氮化物晶體薄膜中形成孔隙部分；在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體生長到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶體薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶體薄膜中的孔隙部分；和在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將第III族氮化物晶體生長到所述金屬薄膜上。
此外，根據(jù)本發(fā)明的用于第III族氮化物晶體的制備方法特征在于，包含如下步驟將第III族氮化物晶體薄膜生長到襯底上；將金屬薄膜沉積到所述第III族氮化物晶體薄膜上；通過熱處理在其上面生長了所述第III族氮化物晶體薄膜和沉積了所述金屬薄膜的襯底，不僅將所述金屬薄膜改變?yōu)榻饘俚锉∧?，還在所述金屬薄膜中產(chǎn)生細(xì)孔，而且在所述第III族氮化物晶體薄膜中形成孔隙部分；
在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體生長到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶體薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶體薄膜中的孔隙部分；和在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將第III族氮化物晶體生長到所述金屬薄膜上。
還有，根據(jù)本發(fā)明的第III族氮化物晶體是通過上面所述用于得到所述第III族氮化物晶體的方法而得到的。


圖1所示為解釋用于本發(fā)明的第III族氮化物晶體制備方法的示圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的用于第III族氮化物晶體的制備方法包含如圖1A中所示的，將第III族氮化物晶體薄膜2生長到襯底1上的步驟；如圖1B中所示的，將金屬薄膜3沉積到第III族氮化物晶體薄膜2上的步驟；如圖1C中所示的，得到第III族氮化物晶體部分2a的步驟，其中通過熱處理在其上面生長了第III族氮化物晶體薄膜和沉積了金屬薄膜的襯底，不僅在所述金屬薄膜中產(chǎn)生細(xì)孔4h，而且在所述第III族氮化物晶體薄膜2中形成了孔隙部分2b；如圖1D中所示的，通過在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體5(為了填充第III族氮化物晶體薄膜中的孔隙部分而生長的第III族氮化物晶體)生長到其中形成了孔隙部分2b的第III族氮化物晶體部分2a之上，以填充第III族氮化物晶體薄膜2中的孔隙部分的步驟；和如圖1E中所示的，將第III族氮化物晶體6生長到所述金屬薄膜上的步驟。
通過將用于填充的第III族氮化物晶體薄膜5生長到在第III族氮化物晶體薄膜2和金屬薄膜3形成后進(jìn)行熱處理所產(chǎn)生的第III族氮化物晶體薄膜2中的孔隙部分2b中，以填充孔隙部分2b，再通過將第III族氮化物晶體6生長到其中通過熱處理產(chǎn)生了細(xì)孔4h的金屬薄膜上，可以消除由襯底1與第III族氮化物晶體6之間晶格常數(shù)的差異所造成的應(yīng)變。因此，熱處理是令人滿意的，前提條件是它是用于在第III族氮化物薄膜中形成孔隙部分所需要的溫度下進(jìn)行的。在此情形下，優(yōu)選熱處理的溫度為700℃或更高。
另外，通過將用于填充的第III族氮化物晶體5生長到孔隙部分2b中，和在其中產(chǎn)生了細(xì)孔4h的金屬薄膜上生長第III族氮化物晶體6時(shí)的氣氛限定為氧濃度是為0.1摩爾％或更低，可以有利地生長不僅包括有GaN晶體，而且還包括AlxGayIn1-x-yN晶體的大量第III族氮化物晶體。當(dāng)氧濃度超過0.1摩爾％時(shí)，位錯(cuò)密度變大，且可以生成氧化物，或可以產(chǎn)生由于氧離子的混合而導(dǎo)致的點(diǎn)缺陷，由此抑制第III族氮化物晶體的有利生長。從使位錯(cuò)密度小的觀點(diǎn)看，更優(yōu)選氧濃度為0.01摩爾％或更低。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的另一種用于第III族氮化物晶體的制備方法包含如圖1A中所示的，將第III族氮化物晶體薄膜2生長到襯底1上的步驟；如圖1B中所示的，將金屬薄膜3沉積到第III族氮化物晶體薄膜2上的步驟；如圖1C中所示的，通過熱處理在其上面生長了第III族氮化物晶體薄膜2和沉積了金屬薄膜的所述襯底，不僅將金屬薄膜3改變?yōu)榻饘俚锉∧?和在金屬氮化物薄膜4中產(chǎn)生細(xì)孔4h，而且還在第III族氮化物晶體薄膜2中形成孔隙部分2b的步驟；如圖1D中所示的，通過在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體5生長到其中形成了孔隙部分2b的第III族氮化物晶體部分2之上，以填充第III族氮化物晶體薄膜2中的孔隙部分的步驟；和如圖1E中所示的，在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將第III族氮化物晶體6生長到金屬薄膜4上的步驟。
通過在第III族氮化物晶體薄膜2和金屬薄膜3形成后進(jìn)行熱處理，所述金屬薄膜3的至少一個(gè)表面通常被氮化，形成金屬氮化物薄膜4，而為了促進(jìn)金屬薄膜的氮化，優(yōu)選的是在熱處理時(shí)加入氮?dú)饣蚝拥臍怏w(例如NH3氣體)作為氮源。在這樣一種生成金屬氮化物的方法下，促進(jìn)了細(xì)孔4h的形成，有助于用于填充的第III族氮化物晶體5在所述孔隙部分2b中的生長。
另一方面，通過進(jìn)行熱處理，即使在金屬薄膜3的表面沒有被氮化時(shí)，只要至少在金屬薄膜3中形成了細(xì)孔4h，以及在第III族氮化物晶體薄膜2中形成了孔隙部分2b，那么在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中形成第III族氮化物晶體時(shí)，所述第III族氮化物晶體優(yōu)選地在孔隙部分2b中通過金屬薄膜中產(chǎn)生的細(xì)孔生長，以作為用于填充的第III族氮化物晶體5，由此填充孔隙部分2b；因此，可以消除由襯底1與第III族氮化物晶體6之間晶格常數(shù)的差異所造成的應(yīng)變。在此情況下，根據(jù)本發(fā)明，形成了氧濃度為0.1摩爾％或更低的還原性氣氛，以作為生長用于填充的第III族氮化物晶體和第III族氮化物晶體時(shí)的氣氛。對于形成氧濃度為0.1摩爾％或更低的還原性氣氛的方法沒有特別限制，只要其不與本發(fā)明的目的背道而馳即可。作為有利的方法提及的有例如，一種其中除了將N2氣體和NH3氣體用作氮源外，還將H2氣體用作氧還原劑的方法，一種使用碳的方法等。同樣有利的是同時(shí)地使用這些方法。在這種情況下，當(dāng)作為氧還原氣的H2氣體和作為氮原料氣的NH3氣體同時(shí)存在時(shí)，認(rèn)為是通過由以下描述的式(1)所表示的反應(yīng)而將氧除去的。在上面所述這樣的情況下，H2氣體與NH3氣體的摩爾比優(yōu)選為10％或以上。當(dāng)所述摩爾比小于10％時(shí)，認(rèn)為降低了氧還原效果。
(1)對于碳(C)，有利地使用活性炭，由碳所制造的碳板等。當(dāng)使用碳時(shí)，優(yōu)選使用表面積(以下，也稱為“單位表面積”)以1m3的全部原料氣計(jì)為100cm2/m3或以上的碳。
在根據(jù)本發(fā)明用于第III族氮化物晶體的制備方法中，對第III族氮化物晶體而言，優(yōu)選AlxGayIn1-x-yN。第III族氮化物晶體中，AlxGayIn1-x-yN晶體是極為有用的LED或LD用材料。
在根據(jù)本發(fā)明用于第III族氮化物晶體的制備方法中，對于金屬薄膜而言，有利地提及鈦，釩，或包含鈦和釩的至少一種的合金?？梢允褂贸@些金屬或合金之外的金屬或合金，前提條件是它們具有促進(jìn)第III族氮化物晶體薄膜分解的催化作用。例如，可以提及Fe，Ni，Zr，Hf，W，Pt，或包含這些金屬至少一種金屬元素的合金。
此外，金屬薄膜的厚度優(yōu)選為10nm至1000nm。在其中厚度小于10nm的情況下，進(jìn)行氮化時(shí)，即使它超過1000nm，所述的金屬薄膜也容易剝離，難以產(chǎn)生所述的細(xì)孔。再有，就產(chǎn)生穩(wěn)定的細(xì)孔而言，更優(yōu)選金屬薄膜的厚度為20nm至500nm。
還有，在根據(jù)本發(fā)明用于第III族氮化物晶體的制備方法中，通過除去襯底，可以只得到在所述襯底上的金屬薄膜上的第III族氮化物晶體。對于除去所述襯底的方法沒有特別限制，可以有利地使用在保持襯底時(shí)，通過研磨或激光照射來除去所述襯底的方法，和通過熱沖擊將具有與第III族氮化物晶體薄膜不同熱膨脹系數(shù)的襯底分開的方法等。
還有，根據(jù)本發(fā)明用于第III族氮化物晶體的再一種制備方法包含在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，在通過上面所述用于第III族氮化物晶體的制備方法所得到的第III族氮化物晶體之上進(jìn)一步生長第III族氮化物晶體的步驟。根據(jù)本發(fā)明的第III族氮化物晶體的制備方法可以應(yīng)用于第III族氮化物晶體的多步驟生長，并可以使具有小位錯(cuò)密度的第III族氮化物晶體層的厚度更大，或可以使形成兩種或多種各自具有小位錯(cuò)密度的第III族氮化物晶體的層。
本發(fā)明的第III族氮化物晶體可以通過上面所述的制備方法得到。由所述的生長方法，不僅可以消除由襯底與第III族氮化物晶體之間晶格常數(shù)中的差異所造成的應(yīng)變，并且可以將生長第III族氮化物晶體時(shí)的氧濃度保持在如0.1摩爾％或更低的低濃度下，由此而可以得到具有低位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例以下，將通過參考實(shí)施方案而更具體地描述本發(fā)明。
實(shí)施例1參考圖1，如圖1A所示，通過使用MOCVD，將200nm作為第III族氮化物晶體薄膜2的AlN晶體薄膜生長到作為襯底1的藍(lán)寶石襯底上。在此情形下，分別將三甲基鋁和NH3用作第III族原料和氮原料。下一步，如圖1B中所示，通過蒸發(fā)的方法，將100nm作為金屬薄膜3的Ti薄膜沉積到作為第III族氮化物晶體薄膜2的AlN晶體薄膜上。隨后，如圖1C中所示，在1000℃，在NH3氣體的氣氛中，于爐子(實(shí)施例1中，HVPE爐)中熱處理所得到的制品30分鐘，以生長第III族氮化物晶體的晶體。通過上面所述的這種熱處理，在金屬薄膜3中形成了細(xì)孔4h，同時(shí)在作為第III族氮化物晶體薄膜2的AlN晶體薄膜中形成了孔隙部分2b。當(dāng)用X-射線衍射(以下，也稱為“XRD”)分析所述金屬薄膜的表面時(shí)，發(fā)現(xiàn)形成了TiN薄膜。
其后，如圖1D和1E中所示，分別將Al和NH3用作第III族原料和氮原料，通過使用氫化物氣相取向附生(以下，也稱為“HVPE”)方法，生長各自為用于填充的第III族氮化物晶體5和第III族氮化物晶體6的AlN晶體。在此情形下，將HCl氣體用作Al的載氣；將以作為氮原料氣的NH3氣體計(jì)為40％的H2氣體用作氧還原劑；并使用單位表面積為200cm2/m3的碳制板。通過HVPE方法的AlN晶體的生長首先優(yōu)先地出現(xiàn)在經(jīng)過所述金屬薄膜中細(xì)孔4h的AlN晶體薄膜的孔隙部分2b中，因而填充所述的孔隙部分2b。其后，將400μm作為第III族氮化物晶體6的AlN晶體生長到形成了作為金屬氮化物薄膜4的TiN薄膜表面的Ti薄膜上。所得到的AlN晶體經(jīng)XRD顯示半高寬(Full Width Half Maximum)(以下，也稱為“FWHM”)值為90arsec，通過TEM觀察位錯(cuò)密度為6×107cm-2。結(jié)果全部示于表I中。
實(shí)施例2至6在表I或II中所示的條件下，按照實(shí)施例1中的相同方法制備第III族氮化物晶體，然后，進(jìn)行XRD的FWHM值和位錯(cuò)密度的測量。結(jié)果全部示于表I或II中。
表I

表II

對比例1首先，在500℃的環(huán)境溫度下生長10nm的AlN緩沖層，隨后，通過使用HVPE，在1000℃的環(huán)境溫度下將100μm的AlN晶體層生長到藍(lán)寶石襯底上。在此情形下，分別將鋁和NH3用作第III族原料和氮原料。下一步，將以作為氮原料氣的NH3氣體計(jì)為50％的H2氣體用作氧還原劑，并使用單位表面積為1000cm2/m3的碳制板。所得到的AlN晶體經(jīng)XRD顯示FWHM值為220arsec，且通過TEM觀察位錯(cuò)密度為8×109cm-2。
對比例2按照實(shí)施例1中的相同方法在藍(lán)寶石襯底上形成了Al晶體薄膜和Ti薄膜后，熱處理所得到的制品。其后，通過使用HVPE方法將AlN晶體生長到其上面。分別將鋁，NH3氣體和HCl氣體用作第III族原料，氮原料和Al的載氣。但是，沒有使用氧還原劑如H2氣體或碳且氧濃度為0.5％。在這種情況下，未得到AlN晶體。
實(shí)施例7在氧濃度為0.02摩爾％的氣氛中，由HVPE方法，通過使用40摩爾％的Al和60摩爾％Ga作為第III族原料且NH3氣體作為氮原料，將500μm的Al0.4Ga0.6N晶體進(jìn)一步生長到實(shí)施例4中所得到的Al0.4Ga0.6N晶體上。在此情況下，將HCl氣體用作Al和Ga各自的載氣，并使用以作為氮原料氣的NH3氣體計(jì)為30％的H2氣體。本實(shí)施例中得到的Al0.4Ga0.6N晶體經(jīng)XRD顯示FWHM值為82arsec，且通過TEM觀察位錯(cuò)密度為8×106cm-2。
如表I和II中的實(shí)施例1至6所示，在襯底上形成第III族氮化物晶體薄膜和金屬薄膜，然后，在用于填充的第III族氮化物晶體和第III族氮化物晶體生長時(shí)，通過形成氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛來熱處理所得到的制品之后，得到了具有小于1×109cm-2的位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體。再有，通過形成氧濃度為0.01摩爾％或更低的氣氛，得到了具有小于1×108cm-2的位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體。
相反，因?yàn)閷Ρ壤?形成了第III族氮化物晶體薄膜和金屬薄膜但不包括熱處理的步驟，所以位錯(cuò)密度高達(dá)如8×109cm-2，而在對比例2中，因?yàn)檠鯘舛仍谟糜谔畛涞牡贗II族氮化物晶體和第III族氮化物晶體形成時(shí)變?yōu)槌^0.1摩爾％，所以未得到作為第III族氮化物晶體的AlN晶體。
此外，如實(shí)施例7中所示，通過根據(jù)本發(fā)明的生長方法將第III族氮化物晶體生長到第III族氮化物晶體上，得到了具有小于1×108cm-2的位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體。
應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所公開的實(shí)施方案和實(shí)施例在所有方面都是示例性的和非限制性的。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)通過參考后附權(quán)利要求而不是以上的描述來確定，且意欲包括等同于該權(quán)利要求的含義和落入該權(quán)利要求范圍內(nèi)所有的這種改進(jìn)和變化。
工業(yè)應(yīng)用如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過在襯底上形成第III族氮化物晶體薄膜和金屬薄膜，然后，在用于填充的第III族氮化物晶體和第III族氮化物晶體生長時(shí)，通過形成氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛來熱處理所得到的制品，不僅可以提供GaN晶體，還可以提供具有小的位錯(cuò)密度和良好質(zhì)量的第III族氮化物晶體及其制備方法。
權(quán)利要求
1.一種用于第III族氮化物晶體的制備方法，其特征在于，包含如下步驟將第III族氮化物晶體薄膜生長到襯底上；將金屬薄膜沉積到所述第III族氮化物晶體薄膜上；通過熱處理在其上面生長了所述第III族氮化物晶體薄膜和沉積了所述金屬薄膜的襯底，不僅在所述金屬薄膜中產(chǎn)生細(xì)孔，而且在所述第III族氮化物晶體薄膜中形成孔隙部分；在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體生長到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶體薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶體薄膜中的孔隙部分；和在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將第III族氮化物晶體生長到所述金屬薄膜上。
2.一種用于第III族氮化物晶體的制備方法，其特征在于，包含如下步驟將第III族氮化物晶體薄膜生長到襯底上；將金屬薄膜沉積到所述第III族氮化物晶體薄膜上；通過熱處理在其上面生長了所述第III族氮化物晶體薄膜和沉積了所述金屬薄膜的襯底，不僅將所述金屬薄膜改變?yōu)榻饘俚锉∧ぃ约霸谒鼋饘俦∧ぶ挟a(chǎn)生細(xì)孔，而且在所述第III族氮化物晶體薄膜中形成孔隙部分；在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將用于填充的第III族氮化物晶體生長到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶體薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶體薄膜中的孔隙部分；和在氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛中，將第III族氮化物晶體生長到所述金屬薄膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于第III族氮化物晶體的制備方法，其特征在于，在生長所述用于填充的第III族氮化物晶體和/或所述第III族氮化物晶體時(shí)，通過使用H2氣體的方法與使用碳的方法的至少一種，形成氧濃度為0.1摩爾％或更低的氣氛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任何一項(xiàng)所述的用于第III族氮化物晶體的制備方法，其中所述的第III族氮化物晶體是AlxGayIn1-x-yN晶體(0≤x，0≤y，x+y≤1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任何一項(xiàng)所述的用于第III族氮化物晶體的制備方法，其中所述的金屬薄膜包含鈦，釩，或包含鈦和釩中的至少一種的合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任何一項(xiàng)所述的用于第III族氮化物晶體的制備方法，其中所述金屬薄膜的厚度為10nm至1000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任何一項(xiàng)所述的用于第III族氮化物晶體的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步除去所述襯底，僅得到在所述襯底的金屬薄膜上生長的第III族氮化物晶體。
8.一種用于第III族氮化物晶體的制備方法，其特征在于，還包含在0.1摩爾％或更低的氧氣氛中，將第III族氮化物晶體生長到通過權(quán)利要求1至7任何一項(xiàng)所述的方法而得到的第III族氮化物晶體上的步驟。
9.一種第III族氮化物晶體，其是通過權(quán)利要求1至8任何一項(xiàng)所述的用于獲得第III族氮化物晶體的方法而得到的。
全文摘要
公開了一種具有低位錯(cuò)密度的高質(zhì)量第III族氮化物晶體及制備這種第III族氮化物晶體的制備方法。將第III族氮化物晶體薄膜(2)生長到襯底(1)上，且將金屬薄膜(3)沉積其上。通過進(jìn)行熱處理，將金屬薄膜(3)改變?yōu)榻饘俚锉∧?4)，并且在其中產(chǎn)生細(xì)孔(4h)，和在第III族氮化物晶體薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通過進(jìn)一步生長第III族氮化物晶體，將用于填充的第III族氮化物晶體(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且將第III族氮化物晶體(6)生長到金屬氮化物薄膜(4)上。
文檔編號H01L21/205GK1701415SQ200480000799
公開日2005年11月23日 申請日期2004年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月10日
發(fā)明者中畑成二 申請人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社