国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      半導體制造裝置的制作方法

      文檔序號:6843214閱讀:159來源:國知局
      專利名稱:半導體制造裝置的制作方法
      技術(shù)領域
      本發(fā)明涉及制作布線、接觸孔和顯示裝置的半導體制造裝置,尤其涉及利用通過液滴噴射法(噴墨法和液滴噴出法)的抗蝕劑圖形的制作方法、通過液滴噴射法(噴墨法和液滴噴出法)的金屬布線圖形的制作方法、在大氣壓或在大氣壓附近進行局部的CVD(化學氣相淀積)法和刻蝕處理方法中的任一方法制作布線、接觸孔和顯示裝置的半導體制造裝置。另外,涉及成膜或者刻蝕薄膜的半導體制造裝置。
      背景技術(shù)
      近年來,對角線超過20英寸的大屏幕電視機引人注目。然而,一般認為以往的CRT(陰極射線管)限制電視機的大型化,近年來實用化的方式中有PDP(Plasma Display Panel,等離子體顯示板)和LCD(液晶顯示裝置)。另外,還提出一種EL(電致發(fā)光)顯示裝置、它是以后有競爭力的顯示裝置中。特別是LCD方式的電視機,在輕型、節(jié)省空間、節(jié)省耗電等方面現(xiàn)在非常引人注目。
      以LCD(液晶顯示裝置)或EL(電致發(fā)光)顯示裝置為代表的電光學裝置多采用在絕緣表面上利用薄膜形成的薄膜晶體管(TFT)。TFT被廣泛應用在集成電路等方面,在很多情況下被用作為開關元件。隨著對圖像的高清晰度、高開口率、高可靠性、和大型化的要求提高,TFT成為在顯示裝置中必需的技術(shù)。
      在TFT的電路圖形的制作中,采用將處理裝置的內(nèi)部在低壓或真空狀態(tài)下進行的真空工藝、以及通過曝光裝置制作由抗蝕劑(光刻膠)構(gòu)成的掩模并把不需要部分刻蝕去除的光刻工藝工藝。
      真空工藝中,需要把對被處理物進行成膜和刻蝕等處理的處理腔室變?yōu)檎婵栈虻蛪河玫呐艢庋b置。排氣裝置由設置在處理裝置外部的以渦輪分子泵或旋轉(zhuǎn)泵為代表的泵、對它們進行管理和控制的裝置、以及連接泵和處理室從而構(gòu)成排氣系統(tǒng)的管道和閥等構(gòu)成。為了裝備這些設備,在處理裝置外需要為排氣裝置用的空間,另外需要為此的成本。再有,由于處理室本身也需要安裝排氣系統(tǒng)設備,所以處理裝置的大小與不安裝排氣系統(tǒng)相比要增大。
      以前使用至今的形成TFT等的電路圖形用的光刻工藝,例如形成金屬布線用的光刻工藝是按照下面那樣進行。首先,在以玻璃為代表的基板上形成金屬薄膜。接著在該金屬薄膜上旋涂感光性抗蝕劑(光刻膠),在金屬薄膜整個面上形成所述抗蝕劑,進行預燒結(jié)。接著隔著形成了目標圖形的光掩模進行光照射。這時,由于光掩模上的圖形起到作為遮光圖形的功能,因此沒有被該圖形遮光的抗蝕劑感光,可以利用顯影液刻蝕去除。接著進行顯影和正式燒結(jié),光掩模的圖形作為抗蝕劑圖形被轉(zhuǎn)印。另外,把形成圖形狀的所述抗蝕劑作為掩模,通過浸在溶解所述金屬薄膜的溶液中,刻蝕去除沒有被抗蝕劑圖形遮光的金屬薄膜。最后,通過剝離該抗蝕劑圖形,形成與光掩模所形成的圖形相同的金屬布線。

      發(fā)明內(nèi)容
      然而,現(xiàn)有技術(shù)中不得已刻蝕去除在基板的整個面上形成的絕大部分覆膜(抗蝕劑膜、金屬膜和半導體膜等),布線等殘留在基板上的比例是百分之幾~幾十左右。在利用旋涂形成抗蝕劑膜時,大約95%的抗蝕劑浪費掉。即,材料的絕大部分被舍棄,不僅影響生產(chǎn)成本,還增大了環(huán)境的負擔。
      隨著顯示裝置的大屏幕化,這種傾向越顯著。這是由于隨著大屏幕化的進展,流入生產(chǎn)線的玻璃即所謂的基板玻璃大小也必然增大。
      基板玻璃大小隨著制造商不同而略微不同,例如第四代為730×920mm,第五代為1100×1250mm,作為第六代正在討論采用1800×2000mm的大小。
      另外,如果基板尺寸大型化,則制造裝置也必然成為大型設備,需要非常大的建筑面積。特別是,由于成膜工藝是在真空中進行,所以不僅成膜室大型化,而且附屬的真空泵等的規(guī)模也增大,裝置的占據(jù)面積非常大。
      為了解決上述問題,本發(fā)明中應用在基板上直接繪制布線圖形或抗蝕劑圖形的裝置和在大氣壓或在大氣壓附近局部地進行薄膜形成和刻蝕等氣相工藝的裝置。
      本發(fā)明是半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨(ashing)處理的至少一個等離子發(fā)生裝置;以及把所述等離子發(fā)生裝置沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,特征是,通過組合所述被處理物的傳送和所述等離子發(fā)生裝置的移動,對所述被處理物進行所述成膜處理、所述刻蝕處理或者所述灰化研磨處理。
      一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;和進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的多個等離子發(fā)生裝置,特征是,所述多個等離子發(fā)生裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和所述多個等離子發(fā)生裝置中的至少一個發(fā)生等離子,對所述被處理物進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理。
      一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;在所述被處理物表面上噴射液滴用的至少一個液滴噴射裝置;以及把所述液滴噴射裝置沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,特征是,通過所述被處理物的傳送和所述液滴噴射裝置的移動,使所述被處理物上附著液滴。
      一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;和在所述被處理物表面上噴射液滴用的多個液滴噴射裝置,特征是,所述多個液滴噴射裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和從所述多個液滴噴射裝置中的至少一個裝置噴射液滴,使所述被處理物上附著液滴。
      一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的至少一個等離子發(fā)生裝置;以及在所述被處理物上附著液滴的至少一個液滴噴射裝置,特征是,所述等離子發(fā)生裝置和液滴噴射裝置包括沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,通過所述被處理物的傳送、所述等離子發(fā)生裝置和所述液滴噴射裝置的移動,對所述被處理物進行所述成膜處理、刻蝕處理、灰化研磨處理或者附著液滴。
      一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;在所述被處理物上進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的多個等離子發(fā)生裝置;以及在所述被處理物上附著液滴的多個液滴噴射裝置,特征是,所述多個等離子發(fā)生裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,所述多個液滴噴射裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和使所述多個等離子發(fā)生裝置中的至少一個裝置發(fā)生等離子,在所述被處理物上進行所述成膜處理、所述刻蝕處理或者所述灰化研磨處理,通過所述被處理物的移動和從液滴噴射裝置噴射液滴,使所述被處理物上附著所述液滴。
      在本發(fā)明中應用的等離子發(fā)生裝置的特征是,在大氣壓或在大氣壓附近發(fā)生等離子,通過選擇供給的氣體的種類,可以進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理中的任一個處理。另外,作為該等離子發(fā)生裝置的一個例子,具有包圍第一電極的周圍的第二電極,并采用在其前端具有噴嘴狀的氣體針孔的圓筒狀。于是,其特征是,向兩個電極之間的空間供給工藝氣體,在兩個電極之間產(chǎn)生等離子,具有把包含由等離子生成的離子和原子團等化學活性激發(fā)源的反應氣流向被處理物照射的結(jié)構(gòu)。
      在本發(fā)明中應用的液滴噴射裝置相當于應用了利用壓電元件的所謂壓電方式的裝置,或相當于根據(jù)液滴的材料通過使發(fā)熱體發(fā)熱而生成氣泡來擠出液滴的所謂熱噴墨方式的裝置。
      利用上述的裝置,可以在被處理物上噴射液滴。液滴噴射方式中有連續(xù)噴射液滴而形成連續(xù)的線狀圖形的所謂的連續(xù)方式、和點狀噴射液滴的所謂按需方式。在形成連續(xù)的線狀圖形的情況下,最好利用分配方式。
      具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明可以提供一種形成布線圖形及接觸孔、各種成膜及顯示裝置的制作方法、該方法力圖實現(xiàn)生產(chǎn)線占據(jù)更少的空間和更有效地運行,在顯示板的制造中有利于大幅度提高質(zhì)量、提高生產(chǎn)率和削減生產(chǎn)成本,并適應地球環(huán)境。另外,由于大氣壓方式是可以與生產(chǎn)連接的在線處理的方式,所以可以高速、連續(xù)處理。另外,由于只在所希望的部位使用必需數(shù)量的材料便可,所以浪費的材料很少,因此提高了材料的利用效率,進一步實現(xiàn)生產(chǎn)成本的削減。


      圖1A和圖1B是表示半導體制造裝置的圖。(實施形式1)圖2A~圖2E是表示等離子發(fā)生裝置的圖。(實施形式1)圖3A和圖3B是表示半導體制造裝置的圖。(實施形式2)圖4是表示液滴噴射頭的圖。(實施形式3)圖5A~圖5C是表示液滴噴射頭的圖。(實施形式3)圖6是表示液滴噴射頭的圖。(實施形式4)圖7A~圖7C是表示液滴噴射頭的圖。(實施形式4)圖8是表示半導體制造裝置的圖。(實施形式5)圖9A和圖9B是表示平整裝置的圖。(實施形式6)圖10是表示半導體制造裝置的圖。(實施例1)圖11A~圖11D是表示布線的制作工序的圖。(實施例1)圖12A~圖12C是表示薄膜晶體管的制作工序的圖。(實施例2)圖13A~圖13C是表示薄膜晶體管的制作工序的圖。(實施例2)圖14是表示薄膜晶體管的制作工序的圖。(實施例2)
      圖15A~圖15C是表示電子設備的圖。(實施例3)具體實施方式
      下面說明本發(fā)明的實施形式。
      (實施形式1)首先,作為本發(fā)明的特征,可以舉出利用等離子發(fā)生裝置在大氣壓或大氣壓附近(5~800托(Torr),6.6×102~1.1×105Pa)實施成膜處理或刻蝕處理的例子。利用圖1A~圖2E說明作為在本發(fā)明中應用的等離子處理裝置的一個例子,該裝置包含第一電極包圍第二電極、并在其前端具有噴嘴狀的針孔的圓筒狀電極。
      圖1A是在本發(fā)明中應用的等離子處理裝置的一個例子的側(cè)視圖,圖1B是俯視圖。在該圖中,裝入室101中放置了裝在箱體102內(nèi)的所希望大小的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板、或者以硅為代表的半導體晶片等被處理物103。作為被處理物103的傳送方式可以舉出水平傳送,但是在使用第5代以后的基板的情況下,為了減少占有面積,也可以把基板縱向放置,進行立式傳送。
      裝入室101中配置了傳送裝置104a。傳送裝置104a把配置在裝入室101中的被處理物103傳送到處理室105。在處理室105中設置了具有圓筒狀電極的等離子發(fā)生裝置106、使等離子發(fā)生裝置106移動的軌道107、移動被處理物103的移動裝置104b、和加熱基板用的加熱裝置108等。作為加熱裝置108,只要根據(jù)需要利用加熱器和燈等眾所周知的加熱裝置即可。
      利用傳送裝置104c把在處理室105中進行等離子處理的被處理物傳送到卸料室109,然后把所述被處理物放進卸料室內(nèi)的箱體110中。
      等離子處理通過適當選擇流向等離子發(fā)生裝置106的兩個電極之間的空間的氣體的種類,可以選擇在被處理物表面上進行成膜處理或者刻蝕處理?;一コ袡C物的灰化研磨處理也是刻蝕處理的一種。作為氣體的種類只要使用硅烷、乙硅烷、氫、氧、氨、氟、氯、三氟化氮、四氟化碳等眾所周知的氣體即可,也可以根據(jù)目的適當組合使用。作為稀釋和等離子的穩(wěn)定化的目的,也可以添加惰性氣體。
      軌道107是支承等離子發(fā)生裝置106和把等離子發(fā)生裝置106移動到沿著與被處理物的傳送(移動)方向交叉(正交)的X方向的任意部位的機構(gòu)。如果被處理物開始送入處理室內(nèi)部,則等離子發(fā)生裝置106通過軌道107沿X方向移動,來設定進行等離子處理的初始位置。然后,被處理物103一到達等離子發(fā)生裝置106設定的規(guī)定的位置,則開始等離子處理。被處理物103可以連續(xù)地移動,也可以是小節(jié)距移動的所謂步進式傳送。
      控制裝置111對等離子發(fā)生裝置106和被處理物103的相對位置、和等離子處理的參數(shù)等進行統(tǒng)一控制。
      如果向控制裝置111輸入在被處理物103上形成的圖形的數(shù)據(jù),并進行控制,使得在任何位置上對被處理物103進行等離子處理,則形狀精度雖然比利用光刻工藝的情況要低,但不使用感光性抗蝕劑、光掩模和顯影液等材料,可以直接形成任意的圖形,也無需刻蝕工序。
      另外,如果利用局域網(wǎng)(LAN)纜線、無線LAN、光纖等把控制裝置111與生產(chǎn)管理系統(tǒng)連接,則可以從外部統(tǒng)一管理工序,可以提高生產(chǎn)率。
      圖中只表示了一個等離子發(fā)生裝置106,但是通過安裝多個等離子發(fā)生裝置,可以進一步縮短處理時間。
      由于多數(shù)等離子裝置是在低壓下進行其處理,所以需要抽真空工序和大氣開放工序。由此,不得不需要獨立保持裝入室、處理室、卸料室的各空間,被處理物依次在各空間移動。安裝室和處理室等必然成為比被處理物大的空間。
      與上述不同的是,本裝置由于在連續(xù)地移動被處理物的同時進行處理,因此可以把處理室做成比被處理物小。不僅可以大幅度縮短處理時間,而且由于不需要進行抽真空或大氣開放的機構(gòu),也不需要獨立保持各空間的機構(gòu),所以也大幅度提高維護性能。
      接著,利用圖2A~圖2E詳細說明等離子發(fā)生裝置106。圖2A表示具有圓筒狀電極的等離子發(fā)生裝置106的立體圖,圖2B~圖2D表示該圓筒狀電極的剖視圖。
      圖2B中,虛線表示氣體的路徑,201和202由鋁、銅等具有導電性的金屬構(gòu)成的電極,第1電極201與電源(高頻電源)203連接。另外,與第1電極201也可以連接使冷卻水循環(huán)用的冷卻系統(tǒng)(未圖示)。如果設置冷卻系統(tǒng),則通過冷卻水的循環(huán)來防止連續(xù)進行表面處理時的溫度上升,能夠利用連續(xù)處理來提高效率。第2電極202具有包圍第1電極201的周圍的形狀,并且電接地。然后,第1電極201和第2電極202具有在其前端形成噴嘴狀的氣體針孔的圓筒狀。另外,第1電極201和第2電極202中的至少一個電極的表面被固體介質(zhì)覆蓋。作為固體介質(zhì)可以舉出有二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦等金屬氧化物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯等塑料、玻璃、鈦酸鋇等復合氧化物等。固體介質(zhì)的形狀可以是片狀,也可以是薄膜狀,但最好厚度為0.05~4mm。
      另外,氣體供給裝置(氣罐)205通過閥204向該第1電極201和第2電極202的兩個電極之間的空間供給工藝氣體206。如果這樣進行,該空間的氣體介質(zhì)被置換,如果在該狀態(tài)下利用高頻電源203向第1電極201施加高頻電壓(10~500MHz),則在所述空間發(fā)生等離子。然后,如果把包含通過該等離子生成的離子和原子團等的化學活性激發(fā)源的反應氣流向被處理物103的表面照射,則可以在該被處理物103的表面進行規(guī)定的表面處理。
      另外,充入氣體供給裝置(氣罐)205的工藝氣體根據(jù)在處理室內(nèi)進行的表面處理的種類適當設定。廢氣207通過閥208被引導到排氣系統(tǒng)209。
      另外,并不是所有的工藝氣體206在等離子工序中被消耗,未反應的氣體也混在廢氣207中。一般來講,廢氣可以通過廢氣處理裝置進行無毒化處理后廢棄或者回收,但通過把廢氣中的未反應的氣體成分通過過濾器210后作為工藝氣體206來進行回流,可以提高工藝氣體的利用率,同時也可以控制廢氣的排除量。
      另外,圖2C和圖2D表示截面與圖2B不同的圓筒狀的等離子發(fā)生裝置106。圖2C中,第1電極201比第2電極202長,而且第1電極201具有銳角形狀,另外,圖2D中表示的等離子發(fā)生裝置106具有把包含第1電極201和第2電極202之間發(fā)生的化學活性激發(fā)源的反應氣流向外部噴射的形狀。
      本實施形式中把圓筒狀的等離子發(fā)生裝置作為例子來進行了說明,但是并不需要特別地做成圓筒狀,也可以利用任何形狀的等離子發(fā)生裝置。
      等離子發(fā)生裝置的前端和被處理物表面之間的距離需要保持在3mm以下,比較好的是在1mm以下,最好是在0.5mm以下。為此,也可以利用例如距離傳感器等,來保持一定的等離子發(fā)生裝置和被處理物表面之間的距離。
      本發(fā)明是利用在大氣壓下動作的等離子處理裝置,它無需低壓裝置所必需的抽真空或大氣開放的時間,也無需配置復雜的真空系統(tǒng)。由于在使用特大型基板的情況下,必然會造成腔室也大型化,也需要花費使腔室內(nèi)成為低壓狀態(tài)用的處理時間,所以在大氣壓下動作的本裝置就特別有效,可以減少生產(chǎn)成本。
      本發(fā)明可以應用于半導體集成電路的布線形成工序和制造液晶面板或EL面板的TFT基板的布線形成工序等各種領域。即,本發(fā)明并不局限于本實施形式中的舉例說明,也可以應用于形成氧化硅或丙烯樹脂等絕緣膜、多晶硅或非晶硅等的半導體的圖形的情況。
      (實施形式2)利用圖3A和圖3B說明在本實施形式中與實施形式1的不同點。圖3A是本實施形式中應用的等離子處理裝置的側(cè)視圖,圖3B是俯視圖。
      本實施形式的等離子發(fā)生裝置306是把實施形式1的等離子發(fā)生裝置106沿與被處理物303的傳送方向交叉的方向排列的等離子發(fā)生裝置(圖2E)。
      由于配置了多個等離子發(fā)生裝置,所以無需移動等離子發(fā)生裝置,可以進一步縮短處理時間。
      另外,通過配置多個等離子發(fā)生裝置306和供給不同原料氣體,可以在相同處理室內(nèi)形成不同材料的膜。即,可以用一個等離子發(fā)生裝置形成氮化硅膜,用其他的等離子發(fā)生裝置形成氧化硅膜。根據(jù)輸入到控制裝置311的數(shù)據(jù),可以在某部位上形成氮化硅膜,在另外部位上形成氧化硅膜,而在其他部位上形成兩者的層疊膜。即使在形成相同膜的情況下,也有助于提高實際上的成膜速度。如果具有多個等離子發(fā)生裝置,即使一個等離子發(fā)生裝置發(fā)生故障,由于可以把其他的等離子發(fā)生裝置作為備用來使用,所以可以具有冗余性。
      (實施形式3)本實施形式中,把實施形式1的等離子處理裝置應用于點狀液滴噴射裝置中。把等離子發(fā)生裝置置換成點狀液滴噴射裝置來使用。
      圖4中說明液滴噴射裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
      從外部供給到液滴噴射裝置401的內(nèi)部的液滴通過液室通道402存儲到儲液室403后,移動到噴射液滴用的噴嘴部分409。噴嘴部分由為了把適當?shù)囊旱窝b到噴嘴內(nèi)而設置的流體阻力部分404、加壓液滴使得向噴嘴外部噴射用的加壓室405、和液滴噴射孔407構(gòu)成。
      加壓室405的側(cè)壁中配置了通過施加電壓來變形的鈦酸鋯酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)等具有壓電效應的壓電元件406。所以,可以通過對配置在目標噴嘴上的壓電元件406施加電壓來擠出加壓室405內(nèi)的液滴,并向外部噴射液滴408。
      本發(fā)明中是利用壓電元件的所謂的壓電方式來進行液滴噴射的,但是根據(jù)對液滴的材料,也可以用通過使發(fā)熱體發(fā)熱而生成氣泡來擠出液滴的所謂的熱噴墨方式。這時,采用把壓電元件406置換成發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)。
      另外,噴射液滴用的噴嘴409中,液滴和液室通道402、儲液室403、流體阻力部分404、加壓室405以及液滴噴射孔407之間的潤濕性很重要。為此,也可以在各自的通道上形成調(diào)整與材料之間的潤濕性用的碳膜和樹脂膜等。
      通過上述的裝置,可以把液滴噴射在被處理物上。液滴噴射方式中有連續(xù)噴射液滴而形成連續(xù)的線狀圖形的所謂的連續(xù)方式、和點狀噴射液滴的所謂的按需方式,在本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu)中表示了按需方式,但是也可以利用連續(xù)方式的頭。特別在形成連續(xù)的線狀圖形的情況下,也可以利用分配方式。
      圖5A~圖5C是表示圖4的頭的底部的示意圖。圖5A是在頭501底面設置一個液滴噴射孔502的基本配置。與上述不同的是,圖5B是把頭503的底部的液滴噴射孔504增加為3點,是構(gòu)成三角形的所謂的簇狀配置。另外,圖5C是把505底部的液滴噴射孔上下排列的配置。該配置中,通過從上面的液滴噴射孔506噴射液滴后,隔著時間差從下面的液滴噴射孔507把相同的液滴噴射到相同的部位,可以在已經(jīng)噴射的基板上的液滴干燥或固化之前再涂液滴,使之變厚。另外,在上面的液滴噴射孔被液滴等堵塞時,也可以使下面的液滴噴射孔發(fā)揮作為備用的功能。
      作為上述的液滴噴射裝置的液滴,可以使用抗蝕劑、糊狀的金屬材料或者含有所述糊狀的金屬材料的有機溶劑、或超微粒狀的金屬材料和含有所述超微粒狀的金屬材料的有機溶劑等。
      尤其是為了很好地保證接觸孔的被覆性,有機溶劑中的金屬粒子的大小需要在10μm以下,比較好的是在1μm以下,最好是在100nm以下。
      可以在液滴滴落時使用加熱裝置來對這些液滴進行加熱干燥,也可以在必需區(qū)域中完成液滴的滴落后對這些液滴進行加熱干燥。所述抗蝕劑可以通過加熱處理來烘烤,在刻蝕時用作掩模。另外,含有所述超微粒狀的金屬材料的有機溶劑可以利用加熱處理來使有機溶劑揮發(fā),超微粒狀的金屬發(fā)生鍵合,通過這樣用作金屬布線。另外,本發(fā)明由于無需利用光掩模的曝光工序,所以如果能起到抗蝕劑的功能,則無需使用感光性抗蝕劑。
      (實施形式4)本實施形式說明作為與上述的點狀液滴噴射裝置不同的噴射裝置的線狀液滴噴射裝置。
      圖6中,說明線狀液滴噴射裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
      從外部供給到頭601的內(nèi)部的液滴通過公共液室通道602后,分配到噴射液滴用的各噴嘴部分609。各噴嘴部分609由為了把適當?shù)囊旱窝b填到噴嘴內(nèi)而設置的流體阻力部分603、加壓液滴使得向噴嘴外部噴射用的加壓室604、和液滴噴射孔606構(gòu)成。
      加壓室604的側(cè)壁中配置了通過施加電壓來變形的鈦酸鋯酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)等具有壓電效應的壓電元件605。所以,可以通過對配置在目標噴嘴上的壓電元件605施加電壓來擠出加壓室604內(nèi)的液滴,并向外部噴射液滴607。另外,由于各壓電元件被與它接觸的絕緣物608絕緣,所以各自之間不會電連接,可以控制每個噴嘴的噴射。
      本發(fā)明中是利用壓電元件的所謂的壓電方式來進行液滴噴射的,但是根據(jù)液滴的材料,也可以用通過使發(fā)熱體發(fā)熱而生成氣泡來擠出液滴的所謂的熱噴墨方式。這時,采用把壓電元件605置換成發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)。
      另外,噴射液滴用的噴嘴部分609中,液滴和公共液室通道602、流體阻力部分603、加壓室604以及液滴噴射孔606之間的潤濕性很重要。為此,也可以在各自的通道上形成調(diào)整與材料之間的潤濕性用的碳膜和樹脂膜等。
      通過上述的裝置,可以把液滴噴射在被處理物上。液滴噴射方式中有連續(xù)噴射液滴而形成連續(xù)的線狀圖形的所謂的連續(xù)方式、和點狀噴射液滴的所謂的按需方式,在本發(fā)明中的裝置結(jié)構(gòu)表示了按需方式,但是也可以利用通過連續(xù)方式的頭。特別在形成連續(xù)的線狀圖形的情況下,也可以利用分配方式。
      圖7A~圖7C是表示圖6的頭的底部的示意圖。圖7A是在頭701底面線狀設置液滴噴射孔702的基本配置。與上述不同的是,圖7B是把頭底部703的液滴噴射孔704排成兩排,并錯開一半間距配置各排。另外,圖7C中,配置的頭底部705的液滴噴射孔增加了一排,但不錯開間距。在圖7C的配置中,通過從第一排的液滴噴射孔706噴射液滴后,隔著時間差從液滴噴射孔707把相同的液滴噴射到相同的部位,可以在已經(jīng)噴射的基板上的液滴干燥或固化之前再涂液滴,使之變厚。另外,在第一排的液滴噴射孔被液滴等堵塞時,可以使第二排的液滴噴射孔發(fā)揮作為備用的功能。
      本發(fā)明可以應用于半導體集成電路的布線形成工序和制造液晶面板或EL面板的TFT基板的布線形成工序等各種領域。即,本發(fā)明并不局限于本實施形式中的舉例說明,也可以應用于形成氧化硅或丙烯樹脂等絕緣膜、多晶硅或非晶硅等的半導體的圖形的情況。
      (實施形式5)本實施形式是帶再加工功能的抗蝕劑形成裝置的例子。利用圖8說明本實施形式。
      圖8是在本實施形式中說明的裝置的側(cè)視圖。在該圖中,裝入室801中放置了裝在箱體802內(nèi)的所希望大小的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板、或者以硅為代表的半導體晶片等被處理物803。作為被處理物803的傳送方式可以舉出有水平傳送,但是在使用第5代以后的基板的情況下,為了減少傳送機的占有面積,也可以把基板縱向放置,進行立式傳送。
      裝入室801中配置了傳送裝置804a。傳送裝置804a把配置的被處理物803傳送到第一處理室805。在第一處理室805中通過液滴噴射裝置809,在被處理物803上形成抗蝕劑圖形。
      接著在第二處理室806中進行圖形檢查,檢查在第一處理室805中成膜的抗蝕劑圖形中是否有不合格部分的圖形。第二處理室806中具備檢查圖形用的攝像裝置810。用攝像裝置810對抗蝕劑圖形進行攝像,并在控制裝置820中與正確的圖形數(shù)據(jù)進行比較,判斷是否是不合格圖形。如果判斷為不合格時,存儲該部位的位置信息。
      接著在第三處理室807中,根據(jù)第二處理室806中獲得的不合格圖形的位置信息,刻蝕去除不合格圖形。如果把氧氣用作刻蝕氣體,則可以容易地去除抗蝕劑。另外,也可以適當混合氟系列的氣體來進一步提高去除效果。第三處理室具備的等離子發(fā)生裝置811可以如實施形式1說明的那樣利用移動機構(gòu)來移動到任意的地方,也可以如實施形式2說明的那樣配置多個。
      接著在第四處理室808中,通過利用液滴噴射裝置812在第三處理室807中去除的部分上重新形成抗蝕劑圖形,完成不合格抗蝕劑圖形的再加工。
      經(jīng)過上述工序的被處理物最終被存放到卸料室818的箱體819中。
      按照本實施形式,可以改善由抗蝕劑圖形的形狀不合格造成的成品率降低的情況。越是在后道工序,圖形缺陷等不良情況對成品率的影響越大。本實施形式也可以應用于不使用實施形式1所示那樣的抗蝕劑圖形而直接形成覆膜圖形的情況。
      (實施形式6)本實施形式說明平整裝置。
      利用圖9A和圖9B說明本實施形式。
      圖9A是本實施形式中說明的等離子處理裝置的側(cè)視圖,圖9B是說明處理室905的處理狀況的說明圖。本實施形式的被處理物假設的狀態(tài)是,在被處理物上形成例如布線圖形,在其上面再形成絕緣膜,絕緣膜表面成為反映布線圖形的形狀的凹凸狀。
      在該圖中,裝入室901中放置了裝在箱體902內(nèi)的所希望大小的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板、或者以硅為代表的半導體晶片等被處理物903。作為被處理物903的傳送方式可以舉出有水平傳送,但是在使用第5代以后的基板的情況下,為了減少傳送機的占有面積,也可以把基板縱向放置,進行立式傳送。
      裝入室901中配置了傳送裝置904a。傳送裝置904a把配置的被處理物903傳送到處理室905。
      在處理室905中具備表面凹凸檢測裝置906和等離子發(fā)生裝置907。也可以根據(jù)需要,把表面凹凸檢測裝置906和等離子發(fā)生裝置907分開設置在各自的處理室。
      在被處理物903送入到處理室905內(nèi)時,首先表面凹凸檢測裝置906檢測被處理物903表面的凹凸形狀。檢測結(jié)果傳輸?shù)娇刂蒲b置911。眾所周知的距離傳感器或者位移傳感器可以適用于表面凹凸檢測裝置906,傳感器可以是接觸式,也可以是非接觸式。接觸式可以在更高精度下進行檢測,但由于也可能在被處理物903表面形成傷痕或附著污染物,所以非接觸式更好。
      檢測被處理物903表面的凹凸形狀后,可以利用等離子發(fā)生裝置907刻蝕去除被處理物903的凹凸,把被處理物903的表面平整。這個可以通過這樣來實現(xiàn),控制裝置911根據(jù)表面凹凸檢測裝置906獲得的形狀數(shù)據(jù)來適當改變等離子發(fā)生裝置907的輸出和氣體流量。
      經(jīng)過上述工序的被處理物最終被存放到卸料室909的箱體910中。
      按照本實施形式,由于可以不利用CMP法來獲得平整的表面,所以無需CMP法所必需的研磨劑,有利于環(huán)境。另外,由于不對被處理物施加多余的應力,所以可以期望能提高成品率和特性。
      另外,本實施形式把重點放在平整來進行了說明,但也可以反過來制作任意的凹凸形狀。例如,在反射型的顯示裝置中,為了提高反射效率,可以對反射電極或者在下層的膜表面賦予凹凸形狀。
      (實施例)實施例1在本實施例中,利用圖10和圖11A~圖11D對連接多個處理室來在被處理物上形成覆膜圖形的方法進行說明。
      圖10是在本實施例中說明的裝置的側(cè)視圖。在該圖中,裝入室1001中放置了裝在箱體1002內(nèi)的希望大小的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板、或者以硅為代表的半導體晶片等被處理物1003。作為被處理物1003的傳送方式可以舉出有水平傳送,但是在使用第5代以后的基板的情況下,為了減少傳送機的占有面積,也可以把基板縱向放置,進行立式傳送。
      裝入室1001中配置了傳送裝置1004a。傳送裝置1004a把配置的被處理物1003傳送到第一處理室1005。在通過第一處理室1005的同時,被處理物1003上形成覆膜1021。例如在形成硅膜時,作為材料氣體只需利用硅烷或硅烷和氫的混合氣體。(圖11A)本實施例中為了形成高精度的圖形,在后道工序中形成抗蝕劑圖形,但無需在整個被處理物1003表面形成覆膜,只需選擇性地形成比抗蝕劑圖形稍微大一些的圖形。通過這樣,節(jié)約了原材料等,可以降低成膜成本。
      第一處理室具備的等離子發(fā)生裝置1009可以如實施形式1說明那樣,利用移動機構(gòu)來移動到任意部位,也可以如實施形式2說明的那樣配置多個。
      在接下來的第二處理室1006中,在第一處理室1005中成膜的覆膜1021上形成抗蝕劑圖形1022(圖11B)。第二處理室中具備在實施形式3或者實施形式4中說明的液滴噴射裝置1010,根據(jù)輸入到控制裝置1020的數(shù)據(jù),通過只在必要的部分滴下抗蝕劑,來形成抗蝕劑圖形1022。另外,在滴下形成抗蝕劑圖形進入第三處理室1007之前,通過加熱裝置1017來完成燒結(jié)。在第二處理室中具備的液滴噴射裝置可以是實施形式3中說明的點狀的裝置,也可以是實施形式4中說明的線狀的裝置。
      接著在第三處理室1007中刻蝕去除在第一處理室1005中形成的覆膜(圖11C)。
      這時,位于在第二處理室1006中形成的抗蝕劑圖形1022部分的下部的覆膜由于沒有暴露在刻蝕氣體中,所以不會被去除。例如對硅膜的刻蝕,刻蝕氣體只要適當采用氟系列氣體、氯氣、四氟化碳和氧的混合氣體等即可。第三處理室中具備的等離子發(fā)生裝置1011可以是實施形式1中說明的點狀的裝置,也可以是實施形式2中說明的線狀的裝置。
      接著在第四處理室1008中去除抗蝕劑圖形1022(圖11D)。
      由于抗蝕劑圖形是有機物,所以作為刻蝕氣體如果利用氧氣,則可以容易去除。第四處理室中具備的等離子發(fā)生裝置1012可以是實施形式1中說明的點狀的裝置,也可以是實施形式2中說明的線狀的裝置。
      經(jīng)過上述的工序的被處理物著重被存放到卸料室1018的箱體1019中。
      通過本實施例,由于在連續(xù)地移動的同時,在被處理物上進行覆膜形成、抗蝕劑圖形形成、刻蝕、抗蝕劑去除,所以能夠像對被處理物上的一部分進行成膜,而對其他部分進行抗蝕劑圖形的形成那樣,可以在一個工序結(jié)束之前開始接下來的工序,因此可以大幅度縮短處理時間。這時,為了使各處理室的通過時間為固定,需要優(yōu)化等離子發(fā)生裝置和液滴噴射裝置的處理速度。另外,雖然把各處理室中的處理溫度設為相同也很重要,但在處理室之間的處理溫度不同時,只要根據(jù)需要不僅設置加熱機構(gòu),也設置冷卻機構(gòu)即可。由于不僅可以節(jié)約原材料,還可以使處理室比被處理物小,所以可以減小裝置占有面積。
      實施例2本實施例對利用了具有呈線狀配置所述點狀液滴噴射孔的液滴噴射頭的液滴噴射裝置和具有在大氣壓下的等離子發(fā)生裝置的等離子處理裝置的電光學裝置的制作方法進行說明。利用圖12A~圖14說明本實施例。
      特大型屏幕電視用途的設計規(guī)則是設定縱橫像素間隔都為50~750μm左右、柵極金屬(電容布線)為5~50μm左右、源極布線為5~25μm左右、接觸孔為2.5~30μm左右。
      利用本發(fā)明的液滴噴射裝置,在由玻璃、石英、半導體、塑料、塑料膜、金屬、玻璃纖維環(huán)氧樹脂、陶瓷等材料構(gòu)成的被處理基板1201上的需要的部位噴射具有導電性的液滴,來形成柵極電極和布線1202、和電容電極和布線1203(圖12A)。
      這里,利用液滴噴射法從噴射口噴射的組成物是采用把導電材料溶解或分散到溶劑的物質(zhì)。導電材料相當于Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或者分散性納米粒子。另外,相當于作為透明導電膜使用的銦錫氧化物(ITO)、由銦錫氧化物和氧化硅組成的ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦等。但是,從噴射口噴射的組成物若考慮到電阻率值,則比較理想的是使用把Au、Ag、Cu中的任一種材料溶解或分散到溶劑的物質(zhì),更理想是使用低電阻的Au和Cu。然而,在利用Ag和Cu時,為了對付雜質(zhì),最好一起設置阻擋層。作為阻擋層,可以利用氮化硅膜或硼化鎳(NiB)。
      另外,也可以是在導電材料的外圍覆蓋其他的導電材料而構(gòu)成多層的粒子。例如,也可以利用在銅的外圍覆蓋硼化鎳(NiB),在該外圍覆蓋銀的三層結(jié)構(gòu)的粒子等。溶劑使用乙酸丁酯和乙酸乙酯等酯類、異丙醇和乙醇等醇類、甲基-乙基醚和丙酮等有機溶劑。組成物的粘度最好在20cP以下,這是為了防止產(chǎn)生干燥,或者為了可以從噴射口順暢地噴射。另外,組成物的表面張力最好在40mN/m以下。然而,最好根據(jù)使用的溶劑和用途,適當調(diào)整組成物的粘度等。作為一個例子,把ITO、有機銦、有機錫溶解或分散到溶劑的組成物的粘度最好設定為5~50mPa·s,把Ag溶解或分散在溶劑的組成物的粘度最好設定為5~20mPa·s,把Au溶解或分散在溶劑的組成物的粘度最好設定為10~20mPa·s。
      另外,在液滴噴射裝置中使用的噴嘴的直徑設定為0.1~50μm(最好是0.6~26μm),把從噴嘴噴射的組成物的噴射量設定為0.00001pl~50pl(最好是0.0001pl~40pl)。該噴射量隨著噴嘴的直徑的大小按比例增加。另外,為了在所希望的部位滴下,被處理物和噴嘴噴射口之間的距離最好盡可能地靠近,最好設定為0.1~2mm左右。另外,在不改變噴嘴直徑時,也可以通過改變施加到壓電元件的脈沖電壓來控制噴射量。最好設定這些噴射條件,使線寬在大約10μm以下。
      接著,通過對形成柵極電極和布線1202、和電容電極和布線1203的基板進行加熱處理等,來使液滴的溶劑揮發(fā),形成導電布線。
      在加工精度的要求沒那么高時雖沒有必要下述那樣,但是在要求有加工精度時,也可以通過利用液滴噴射裝置直接形成抗蝕劑圖形,通過這樣來形成導電布線。這時無需在整個被處理物表面上形成具有所述導電性的液滴,只需形成比抗蝕劑圖形稍微大一些的圖形。接著利用實施形式1到實施形式2所述的等離子處理裝置形成柵極絕緣膜1204(圖12B)。本實施例中,作為柵極絕緣膜1204是在大氣壓下通過CVD法形成氮化硅膜,但是也可以形成氧化硅膜或這些膜的層疊結(jié)構(gòu),也可以是其他的絕緣材料。
      接著,以25~80nm(最好是30~60nm)的厚度形成活性半導體層1205(圖12C)。該活性半導體層1205是以非晶硅膜為代表的非晶半導體膜。與形成柵極電極和布線1202、和電容電極和布線1203時相同,只在必要的部分形成活性半導體層1205,通過這樣可以降低形成成本,但是需要更高的加工精度時,也可以利用液滴噴射裝置直接形成抗蝕劑圖形,形成該活性半導體圖形。
      接著,在活性半導體層1205上形成添加了賦予N型導電型的雜質(zhì)元素的非晶半導體膜1206(圖13A)。
      接著,利用本發(fā)明的線狀液滴噴射裝置形成源極和漏極電極和布線1207和1208(圖13B)。另外,源極和漏極電極和布線1207和1208與圖12A所示的柵極電極和布線1202、和電容電極和布線1203相同,如果必要,可以通過使用抗蝕劑圖形來提高圖形形狀的精度。
      接著,利用液滴噴射裝置形成像素電極1209(圖13C)。像素電極1209可以利用液滴噴射裝置來直接描繪,也可以與圖12A所示的柵極電極和布線1202、和電容電極和布線1203相同,通過制作圖形來形成。
      再形成氮化硅膜作為保護膜1210(圖14)。本實施例中,作為保護膜是形成氮化硅膜,但也可以形成氧化硅膜或者這些膜的層疊結(jié)構(gòu),也可以是其他的絕緣材料。另外,也可以使用丙烯膜等有機系列的樹脂膜。
      實施例3利用本發(fā)明可以完成各種電子設備。利用圖15A~圖15C來說明其具體例子。
      圖15A是具有例如20~80英寸的大型顯示部分的顯示裝置,包含框架1501、支持臺1502、顯示部分1503、揚聲器部分1504、視頻輸入端子1505等。本發(fā)明適用于顯示部分1503的制作。在生產(chǎn)率和成本方面,這樣大型的顯示裝置最好利用所謂第五代(1000×1200毫米)、第六代(1400×1600毫米)、第七代(1500×1800毫米)那樣的大型基板來制作。
      圖15B是筆記本型個人電腦,包括主體1601、框架1602、顯示部分1603、鍵盤1604、外部連接口1605、定位鼠標1606等。本發(fā)明適用于顯示部分1603的制作。
      圖15C是具備記錄媒體的便攜式圖像重放裝置(具體來講是DVD重放裝置),包括主體1701、框架1702、顯示部分A1703、顯示部分B1704、記錄媒體(DVD等)讀入部分1705、操作鍵1706、揚聲器部分1707等。顯示部分A1703主要顯示圖像信息,顯示部分B1704主要顯示文字信息,本發(fā)明適用于這些顯示部分A和B1703和1704的制作。
      如上所述,本發(fā)明的應用范圍極其廣泛,可以把本發(fā)明應用到所有領域的電子設備的制作中。另外,上述的實施形式和實施例可以自由組合。
      實施例4本實施例中為了形成布線圖形,利用把金屬微粒子分散到有機溶劑中的組成物。金屬微粒子利用平均粒子直徑為1~50nm的、最好為3~7nm的微粒子。具有代表的是銀或者金的微粒子,其表面被胺、醇、硫醇等分散劑覆蓋。有機溶劑是酚醛樹脂或環(huán)氧系列樹脂等,應用熱硬化性或光硬化性樹脂。只要添加觸變劑或稀釋溶劑,即可調(diào)整該組成物的粘度。
      利用液滴噴出裝置適量噴出在被形成面上的組成物利用加熱處理或光照射處理來使有機溶劑硬化。伴隨有機溶劑的硬化而使體積收縮,金屬微粒子之間接觸,促進熔解、熱粘或凝聚。即,形成平均粒子直徑為1~50nm、最好為3~7nm的金屬微粒子熔解、熱粘或凝聚的布線。這樣,利用熔解、熱粘或凝聚形成金屬微粒子彼此面接觸的狀態(tài),通過這樣能夠?qū)崿F(xiàn)布線的低電阻。
      本發(fā)明通過利用這樣的組成物形成布線圖形,也容易形成線寬為1~10μm左右的布線圖形。另外,即使接觸孔的直徑同樣為1~10μm左右,也可以把組成物填充到其中。即,可以利用微細的布線圖形來形成多層布線結(jié)構(gòu)。
      另外,如果用絕緣物質(zhì)的微粒子來代替金屬微粒子,則同樣可以形成絕緣性的圖形。
      另外,本實施例可以自由組合上述的實施形式和實施例。
      工業(yè)上的實用性按照本發(fā)明,能夠力圖使生產(chǎn)線占據(jù)更少的空間和更有效地運行,在顯示面板的制造中可以實現(xiàn)在制造中大幅度提高質(zhì)量、提高生產(chǎn)率和削減生產(chǎn)成本。另外,由于大氣壓方式是可以與生產(chǎn)連接的在線處理方式,所以可以高速、連續(xù)進行處理。
      權(quán)利要求
      1.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的至少一個等離子發(fā)生裝置;以及把所述等離子發(fā)生裝置沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,其特征在于,通過所述被處理物的傳送和所述等離子發(fā)生裝置的移動,對所述被處理物進行所述成膜處理、所述刻蝕處理或者所述灰化研磨處理。
      2.如權(quán)利要求1所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述等離子發(fā)生裝置包括在大氣壓或在大氣壓附近進行的機構(gòu)。
      3.如權(quán)利要求1所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      4.如權(quán)利要求1所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括進行連續(xù)或小節(jié)距給進的機構(gòu)。
      5.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;和進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的多個等離子發(fā)生裝置,其特征在于,所述多個等離子發(fā)生裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和所述多個等離子發(fā)生裝置中的至少一個發(fā)生等離子,對所述被處理物進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理。
      6.如權(quán)利要求5所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述等離子發(fā)生裝置包括在大氣壓或在大氣壓附近進行的機構(gòu)。
      7.如權(quán)利要求5所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      8.如權(quán)利要求5所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括進行連續(xù)或小節(jié)距給進的機構(gòu)。
      9.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;在所述被處理物表面上噴射液滴用的至少一個液滴噴射裝置;以及把所述液滴噴射裝置沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,其特征在于,通過所述被處理物的傳送和所述液滴噴射裝置的移動,使所述被處理物上附著液滴。
      10.如權(quán)利要求9所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述液滴的附著是在大氣壓或在大氣壓附近進行。
      11.如權(quán)利要求9所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      12.如權(quán)利要求9所述的半導體制造裝置,其特征在于,被處理物的傳送是連續(xù)或小節(jié)距給進。
      13.如權(quán)利要求9所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述液滴是有機樹脂或含有金屬的有機系列溶劑。
      14.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;和在所述被處理物表面上噴射液滴用的多個液滴噴射裝置,其特征在于,所述多個液滴噴射裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和從所述多個液滴噴射裝置中的至少一個裝置噴射液滴,使所述被處理物上附著液滴。
      15.如權(quán)利要求14所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述液滴的附著是在大氣壓或在大氣壓附近進行。
      16.如權(quán)利要求14所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      17.如權(quán)利要求14所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送被處理物的裝置包括進行連續(xù)或小節(jié)距給進的機構(gòu)。
      18.如權(quán)利要求14所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述液滴是有機樹脂或含有金屬元素的有機系列溶劑。
      19.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的至少一個等離子發(fā)生裝置;以及在所述被處理物上附著液滴的至少一個液滴噴射裝置,其特征在于,所述等離子發(fā)生裝置和液滴噴射裝置包括沿與所述被處理物的傳送方向交叉的方向移動的裝置,通過所述被處理物的傳送、所述等離子發(fā)生裝置和所述液滴噴射裝置的移動,對所述被處理物進行所述成膜處理、刻蝕處理、灰化研磨處理或者附著液滴。
      20.如權(quán)利要求19所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述成膜處理、所述刻蝕處理、所述灰化研磨處理或者附著液滴是在大氣壓或在大氣壓附近進行。
      21.如權(quán)利要求19所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      22.如權(quán)利要求19所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送被處理物的裝置包括進行連續(xù)或小節(jié)距給進的機構(gòu)。
      23.如權(quán)利要求19所述的半導體制造裝置,其特征在于,同時進行從所述成膜處理、所述刻蝕處理、所述灰化研磨處理或者所述液滴的附著處理中選擇的多種處理。
      24.一種半導體制造裝置,包括傳送被處理物的裝置;在所述被處理物上進行成膜處理、刻蝕處理或者灰化研磨處理的多個等離子發(fā)生裝置;以及在所述被處理物上附著液滴的多個液滴噴射裝置,其特征在于,所述多個等離子發(fā)生裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,所述多個液滴噴射裝置被配置在與所述被處理物的傳送方向交叉的方向,通過所述被處理物的傳送和至少使所述多個等離子發(fā)生裝置中的至少一個裝置發(fā)生等離子,在所述被處理物上進行所述成膜處理、所述刻蝕處理或者所述灰化研磨處理,通過所述被處理物的移動和從液滴噴射裝置噴射液滴,使所述被處理物上附著所述液滴。
      25.如權(quán)利要求24所述的半導體制造裝置,其特征在于,所述成膜處理、或者刻蝕處理、或者附著液滴是在大氣壓或在大氣壓附近進行。
      26.如權(quán)利要求24所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括把所述被處理物沿一定方向傳送的機構(gòu)。
      27.如權(quán)利要求24所述的半導體制造裝置,其特征在于,傳送所述被處理物的裝置包括進行連續(xù)或小節(jié)距給進的機構(gòu)。
      28.如權(quán)利要求24所述的半導體制造裝置,其特征在于,同時進行從所述成膜處理、所述刻蝕處理、所述灰化研磨處理或者所述液滴的附著處理中選擇的多種處理。
      全文摘要
      通過使用在基板上直接繪制布線圖形或抗蝕劑圖形的裝置和在大氣壓或在大氣壓附近局部地進行薄膜形成和刻蝕等氣相工藝的裝置,實現(xiàn)生產(chǎn)線占據(jù)更少的空間、更有效地運行和提高原材料的利用率,進而削減生產(chǎn)成本。
      文檔編號H01L21/3065GK1748294SQ20048000350
      公開日2006年3月15日 申請日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月6日
      發(fā)明者山崎舜平 申請人:株式會社半導體能源研究所
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1