專利名稱：用于具有遵循表面輪廓的電絕緣材料層的功率半導(dǎo)體的布線工藝的制作方法
最為廣泛的用于功率半導(dǎo)體芯片彼此并且與導(dǎo)電軌跡接觸的工藝是粗絲焊接。其中借助于超聲能量在由鋁形成的、直徑典型為幾百微米的導(dǎo)線和在芯片上由鋁構(gòu)成并且在功率模塊上由銅構(gòu)成的接觸表面之間通過(guò)金屬間連接實(shí)現(xiàn)牢固連接。
作為焊接的一種替換存在另外的方法，比如Thinpak。在這種情況下芯片表面通過(guò)焊劑接觸，通過(guò)陶瓷片的孔注入焊劑。
在MPIPPS(Metal Posts Interconnected Parallel PlateStructures)中借助于焊接銅柱建立接觸。
在倒裝片工藝中通過(guò)焊接凸起實(shí)現(xiàn)另外的接觸方法。該方法此外能夠改善散熱，因?yàn)楣β拾雽?dǎo)體可以焊接在DCB襯底的上面和下面，(DCB代表Direct Copper Bonding)。
也存在通過(guò)沉積Cu導(dǎo)線的大面積接觸，其中借助于氣相分離(CVD方法)的電絕緣體實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電軌跡的電絕緣(Power Module OverlayStructure)。
最后借助于結(jié)構(gòu)化的薄膜通過(guò)粘接過(guò)程或者焊接過(guò)程的接觸是已知的。
在Ozmat B.、Korman C.S.和Filion R.的文章“An AdvancedApproach to Power Module Packaging”中、0-7803-6437-6/00、IEEE，2000、公開了一種方法，其中功率半導(dǎo)體被疊置在一個(gè)被夾在一個(gè)框架內(nèi)的薄膜上。
從Ostmann A.、Neumann A.的文章“Chip in Polymer-the NextStep in Miniaturization”中、在“Advancing Microelectronics”，2002年五月/六月，第三期第29冊(cè)中公開了一種方法，在該方法中處在一個(gè)襯底上的邏輯芯片被埋置在聚合物中。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一個(gè)用于接觸處在一個(gè)襯底上的器件的一或多個(gè)電接觸表面的方法，該方法適合于功率電子學(xué)，在該方法中在結(jié)構(gòu)化的較高功率器件中也可以實(shí)現(xiàn)與一個(gè)位于襯底上的導(dǎo)電軌跡的接觸。
通過(guò)在獨(dú)立權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案解決該任務(wù)。從從屬權(quán)利要求中得出有益的實(shí)施方案。
與此相應(yīng)在一個(gè)用于制造具有一個(gè)在襯底上布置的器件的裝置的方法中，襯底和器件形成一個(gè)表面輪廓并且其中器件具有一個(gè)電接觸表面、電絕緣材料層被涂敷在襯底和器件上，使得電絕緣材料層遵循由襯底和器件形成的表面輪廓，也就是說(shuō)電絕緣材料層根據(jù)由襯底和器件形成的表面輪廓在表面輪廓上延伸分布。與之相反，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)邏輯芯片被埋置在聚合物中，如此聚合物層的底面追隨表面輪廓，但是聚合物層本身并不追隨表面輪廓。
通過(guò)電絕緣材料層追隨由襯底和器件形成的表面輪廓，尤其是如果采用功率器件作為器件，那么得出相同的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。其一偏離開襯底的器件邊沿上的絕緣材料層有足夠的厚度。從而防止在較高電壓或者場(chǎng)強(qiáng)時(shí)被擊穿。其二除了在襯底上通常非常高的功率器件之外電絕緣材料層不厚使得在襯底導(dǎo)電軌跡上的接觸面難以露出并接觸到。
在涂敷電絕緣材料層時(shí)保持器件的電接觸面裸露，和/或在涂敷電絕緣材料層之后，特別是通過(guò)開鑿窗口露出器件的電接觸面。
此外在電絕緣材料層和器件的電接觸面上涂敷導(dǎo)電材料層。由此可見(jiàn)電絕緣材料層是導(dǎo)電材料層的襯底。
當(dāng)然在一個(gè)于其上面布置具有接觸面的多個(gè)器件的襯底上和/或在具有多個(gè)接觸面的器件上所采取的措施也屬于本發(fā)明的范疇。
電絕緣材料層尤其不是薄膜。
電絕緣材料層在襯底上的厚度在沿直線延伸的范圍內(nèi)與其在器件上沿直線延伸范圍內(nèi)的厚度相比相差不到50％，特別是不到20％。厚度最好大致相同，也就是說(shuō)相差不到5％或甚至不到1％。百分比的表示特別涉及該層在器件上沿直線延伸范圍內(nèi)的厚度。與此相應(yīng)地，該厚度表示為100％。適應(yīng)于直線延伸的范圍，是因?yàn)樵谝r底和器件內(nèi)邊緣上的層通常分布較厚，而在避開襯底的器件邊緣上通常分布較薄。
為了使器件與襯底接觸，襯底主要具有一個(gè)電接觸面，該接觸面在涂敷導(dǎo)電材料層時(shí)保持裸露或在涂敷電絕緣材料層之后露出，并且在該層上同樣涂敷導(dǎo)電材料層。如此器件的接觸面通過(guò)導(dǎo)電材料層與襯底的接觸面連接。
器件的接觸面和襯底的接觸面最好大致上尺寸相同，以便保證電流正常流過(guò)。
在涂敷電絕緣材料層時(shí)可以釋放器件的電接觸面和/或過(guò)后露出該接觸面。如果涂敷具有開孔的電絕緣材料層，則特別有益地在涂敷時(shí)就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)完全或部分釋放。當(dāng)然能夠在開始時(shí)就應(yīng)用具有一或多個(gè)相應(yīng)開孔或窗口的電絕緣材料層，例如事先通過(guò)低成本的沖孔或裁剪獲得開孔或窗口。
如果通過(guò)露出接觸面開鑿一個(gè)具有大于器件的側(cè)面和/或表面60％區(qū)域的窗口，在該側(cè)面和/或表面上開鑿窗口，特別大于80％，則該方法可以用于功率器件，其接觸面具有相應(yīng)的大小?？墒橇硪环矫鏋榱吮ＷC整齊的邊緣加工處理，窗口大小不應(yīng)大于器件的側(cè)面和/或表面的99.9％的范圍，在該側(cè)面和/或表面上開鑿窗口，尤其不大于99％并且進(jìn)一步優(yōu)選不大于95％。特別在器件的最大側(cè)面和/或在器件的避開襯底的側(cè)面上開鑿窗口，并且該窗口的絕對(duì)區(qū)域最好大于50mm2，特別大于70mm2。
可以考慮采用在有機(jī)或無(wú)機(jī)基板上的任意電路載體作為襯底。這種襯底特別是PCB(Printed Circuit Board)襯底、DCB襯底、IM(Insulated Metal)襯底、HTCC(High Temperature CofiredCeramics)襯底。
電絕緣材料層特別由塑料形成。根據(jù)繼續(xù)加工該層可以是感光的或非感光的。
主要以一或多個(gè)下列措施涂敷該層幕式澆淋、浸漬、特別是單面浸漬、噴射、特別是靜電噴射、印刷、特別是絲網(wǎng)印刷、再注塑、分散、旋涂。
為了涂敷導(dǎo)電材料層，也就是為了平面接觸，有益地實(shí)施導(dǎo)電材料的物理或化學(xué)沉積。如此的物理方法是濺射和氣相沉積(PhysicalVapor Deposition、PVD)?；瘜W(xué)沉積可以由氣相(Chemical VaporDeposition、VCD)和/或液相(Liquid Phase Chemical VaporDeposition)實(shí)現(xiàn)。也可以考慮，首先通過(guò)這些方法之一涂上一個(gè)例如由鈦/銅形成的薄的導(dǎo)電亞層，然后在該層上電鍍沉積一個(gè)例如由銅形成的厚導(dǎo)電亞層。
在根據(jù)本發(fā)明的方法中主要使用一個(gè)具有表面的襯底，該表面裝有一或多個(gè)半導(dǎo)體芯片、特別是功率半導(dǎo)體芯片，在所述每個(gè)芯片上存在一或多個(gè)有待接觸的接觸面，其中電絕緣材料層在真空的情況下涂敷在該表面上，如此電絕緣材料層緊貼著覆蓋包括每個(gè)半導(dǎo)體芯片和每個(gè)接觸面在內(nèi)的這個(gè)表面并且黏附在這個(gè)包含每個(gè)半導(dǎo)體芯片的表面上。
在這種情況下，如此構(gòu)成電絕緣材料層，即可以抵消直到1000μm的高度差。此外由于襯底的布局并由于在襯底上布置的半導(dǎo)體芯片可以引起該高度差。
電絕緣材料層的厚度為10μm至500μm。在根據(jù)本發(fā)明的方法中，涂敷厚度最好為25μm至150μm的電絕緣材料層。
在另一個(gè)實(shí)施方案中多次重復(fù)涂敷，直到電絕緣材料層達(dá)到確定的厚度。例如較低厚度的、由電絕緣材料形成的亞層被加工成為較高厚度的電絕緣材料層。由電絕緣材料形成的這個(gè)亞層有益地由塑料材料制成。對(duì)此也可以考慮，由電絕緣材料形成的這個(gè)亞層由多種不同塑料材料組成。產(chǎn)生一個(gè)由電絕緣材料形成的、由亞層構(gòu)成的層。
在一個(gè)特別的實(shí)施方案中，為了露出器件的電接觸面通過(guò)激光燒蝕在電絕緣材料層上開鑿一個(gè)窗口。在此所用的激光波長(zhǎng)在0.1μm和11μm之間。激光功率在1W和100W之間。最好采用波長(zhǎng)為9.24μm的CO2激光。對(duì)此在不損壞可能處在絕緣材料層下面的、由鋁、金或銅形成的芯片觸點(diǎn)的情況下開鑿窗口。
在另一個(gè)實(shí)施方案中應(yīng)用由電絕緣材料形成的感光層，并且為了露出器件的電接觸面通過(guò)光刻過(guò)程開鑿一個(gè)窗口。光刻過(guò)程包含由電絕緣材料形成的感光層的曝光和電絕緣材料層的已曝光或沒(méi)有曝光的位置的顯影和清除。
在開鑿窗口之后進(jìn)行清潔步驟，在該步驟中清除電絕緣材料層的殘留物。例如濕化學(xué)方法實(shí)現(xiàn)清潔步驟。也可以特別考慮等離子清潔方法。
在另一個(gè)實(shí)施方案中應(yīng)用由不同的導(dǎo)電材料形成的、由多個(gè)彼此重疊布置的亞層組成的層。例如重疊涂上不同的金屬層。亞層或者金屬層的數(shù)目為2至5。通過(guò)由多個(gè)亞層構(gòu)成的導(dǎo)電層例如可以整體構(gòu)成用作擴(kuò)散勢(shì)勢(shì)壘的亞層。如此的亞層例如包括一個(gè)鈦鎢合金(TiW)。在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)中在必須接觸的表面上直接涂敷一個(gè)促成或改善黏附的亞層。如此的亞層例如包括鈦。
在一個(gè)特別的實(shí)施方案中在平面接觸導(dǎo)電材料層之后產(chǎn)生至少一個(gè)導(dǎo)電軌跡。導(dǎo)電軌跡可以鍍?cè)谠搶由稀榱水a(chǎn)生導(dǎo)電軌跡特別實(shí)施層的結(jié)構(gòu)化。這表明，在該層中產(chǎn)生導(dǎo)電軌跡。導(dǎo)電軌跡例如有助于半導(dǎo)體芯片的電接觸。
通常在一個(gè)光刻過(guò)程中實(shí)現(xiàn)這種構(gòu)造。為此可以在導(dǎo)電層上涂上光學(xué)抗蝕劑，使腐蝕劑干燥，接下來(lái)曝光并顯影。也許可能實(shí)現(xiàn)一個(gè)熱處理步驟，以便對(duì)后面的處理過(guò)程穩(wěn)定所涂的光學(xué)抗蝕劑。常規(guī)的正和負(fù)的抗蝕劑(鍍層材料)可以考慮作為光學(xué)抗蝕劑。例如通過(guò)噴射過(guò)程或浸漬過(guò)程實(shí)現(xiàn)光學(xué)抗蝕劑的鍍層。同樣可以考慮電沉積(靜電或電泳沉積)。
可以用一或多個(gè)下列措施代替光學(xué)抗蝕劑也可以涂敷另外可結(jié)構(gòu)化的材料幕式澆淋、浸漬、特別是單面浸漬、噴射、特別是靜電噴射、印刷、特別是絲網(wǎng)印刷、再注塑、分散、旋涂。
也可以用于感光薄膜結(jié)構(gòu)化，該薄膜壓成薄片并且與所涂地光學(xué)抗蝕劑層相對(duì)比進(jìn)行曝光和顯影。
為了產(chǎn)生導(dǎo)電軌跡例如可以采取如下措施在第一子步驟中結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層，在一個(gè)后面的子步驟中在產(chǎn)生的導(dǎo)電軌跡上進(jìn)行另外的金屬層噴涂。通過(guò)另外的涂覆金屬層加強(qiáng)導(dǎo)電軌跡。例如在通過(guò)結(jié)構(gòu)化產(chǎn)生的導(dǎo)電軌跡上電鍍沉積了厚度為1μm至400μm的銅。然后剝離光學(xué)抗蝕劑層或者壓成薄片的薄膜或另外選擇應(yīng)用的可結(jié)構(gòu)化材料。這例如以有機(jī)溶劑、堿性顯影劑或這類物質(zhì)達(dá)到目的。通過(guò)后面的差異腐蝕再度清除沒(méi)有以金屬層加強(qiáng)的平的金屬導(dǎo)電層。加強(qiáng)的導(dǎo)電軌跡保留下來(lái)。
在一個(gè)特別的實(shí)施方案中為了制造一個(gè)多層的裝置多次實(shí)施這些方法步驟，壓成薄片、露出、接觸與產(chǎn)生導(dǎo)電軌跡。
本發(fā)明提供一種新的工藝用于連接焊接區(qū)或者連接接觸面的電接觸與布線，該連接焊接區(qū)或接觸面被布置在半導(dǎo)體芯片上、特別布置在功率半導(dǎo)體芯片上。附加在根據(jù)本發(fā)明的方法中平面接頭和特殊的絕緣產(chǎn)生一個(gè)低感應(yīng)的連接，以便能夠快速并低損耗的接通。
通過(guò)涂敷電絕緣材料層產(chǎn)生一個(gè)電絕緣層。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案對(duì)電絕緣材料層的涂覆對(duì)于絕緣層的產(chǎn)生具有如下優(yōu)點(diǎn)-應(yīng)用在高溫下，電絕緣材料層在適當(dāng)選擇材料的情況下能耐直到300℃的高溫。
-較低的過(guò)程費(fèi)用。
-通過(guò)應(yīng)用較厚的絕緣層能夠達(dá)到較高的絕緣強(qiáng)度。
-較高的生產(chǎn)量，例如可以使用DCB襯底。
-均勻的絕緣特性，因?yàn)橥ㄟ^(guò)在真空中加工電絕緣材料層防止氣穴。
-可以使用整個(gè)芯片接觸面，如此可以傳導(dǎo)較高的電流。
-通過(guò)平面接觸可以均勻控制芯片。
-通過(guò)平面幾何學(xué)在平面接觸情況下的接觸感應(yīng)小于在粗線焊接情況下的接觸感應(yīng)。
-在振動(dòng)負(fù)荷和機(jī)械晃動(dòng)負(fù)荷的情況下這種接觸導(dǎo)致較高的可靠性。
-與競(jìng)爭(zhēng)的方法相比由于較低的熱機(jī)應(yīng)力達(dá)到較高的負(fù)載變化穩(wěn)定性。
-可達(dá)多個(gè)布線面。
-描述的平面連接工藝要求較低的結(jié)構(gòu)高度。這引起一個(gè)緊湊的結(jié)構(gòu)。
-在多層連接平面的情況下可以實(shí)現(xiàn)用于屏蔽的、較大平面的的金屬層層。這特別對(duì)電路的EMV(電磁兼容性)特性(寄生發(fā)射、抗干擾性)產(chǎn)生非常積極影響。
從該方法的優(yōu)選實(shí)施方案中得出該裝置的優(yōu)選并且有益的實(shí)施方案。
從根據(jù)附圖的實(shí)施例描述中得出本發(fā)明的另外特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1指出了用于接觸功率半導(dǎo)體的方法。
在圖1中以1標(biāo)識(shí)實(shí)例的襯底。該襯底1例如具有一個(gè)DCB襯底，該襯底包括由陶瓷材料形成的襯底層10、由銅形成的涂敷在襯底層10的下表面上的層12和由銅形成的涂敷在襯底層10的與下表面相反的表面上的層11。
襯底層10的上表面上的層11一直向下例如直到襯底層10的上表面上都被清除，使得在那里露出上表面。通過(guò)由銅層11和12形成在襯底上的導(dǎo)電軌跡。
在偏離開襯底層10的剩余銅層11表面上疊置一或多個(gè)半導(dǎo)體芯片2，這些芯片可以是彼此相同的和/或相互不同。
半導(dǎo)體芯片2(主要是功率半導(dǎo)體芯片)以一個(gè)未示出的接觸面平整地接觸銅層11的上表面，該接觸面位于轉(zhuǎn)向銅層11的半導(dǎo)體芯片2的下表面。例如，該接觸面與由銅層11進(jìn)行焊接。
在芯片2的偏離開銅層11和下表面的上表面上分別設(shè)置有接觸面210的觸點(diǎn)。
如果例如半導(dǎo)體芯片2是一個(gè)晶體管，則在這個(gè)半導(dǎo)體芯片2的下表面上的接觸面是集電極觸點(diǎn)或者漏極觸點(diǎn)的接觸面，在半導(dǎo)體芯片2的上表面上的觸點(diǎn)是發(fā)射極觸點(diǎn)或者源極觸點(diǎn)，其接觸面是接觸面210。
通過(guò)襯底層10的上表面的露出部分、在半導(dǎo)體芯片2外部由銅層11的上表面并通過(guò)每個(gè)半導(dǎo)體芯片2的暴露表面產(chǎn)生裝有半導(dǎo)體芯片2的襯底1的整個(gè)上表面，通過(guò)該芯片2的上表面和側(cè)面確定芯片的暴露表面。
在步驟301中，在真空的情況下在裝有半導(dǎo)體芯片2的襯底1的整個(gè)表面上涂敷電絕緣的塑料材料層3，使得電絕緣材料層3以緊貼方式覆蓋裝有半導(dǎo)體芯片2并具有接觸面的襯底1的表面而且黏附在該表面上。在這種情況下，電絕緣材料層3遵循由襯底層10的上表面的露出部分、位于半導(dǎo)體芯片2外部由銅層11的上表面、以及由每個(gè)半導(dǎo)體芯片2的暴露表面本身所產(chǎn)生的表面輪廓，其中所述半導(dǎo)體芯片2的暴露表面由這個(gè)芯片2的上表面和側(cè)面確定。
優(yōu)選地利用一或多個(gè)如下的措施實(shí)現(xiàn)在步驟301中涂敷電絕緣材料層3幕式澆淋、浸漬、特別是單面浸漬、噴射、特別是靜電噴射、印刷、特別是絲網(wǎng)印刷、再注塑、分散、旋涂。
電絕緣材料層3用作絕緣體并且用作此外涂敷的、導(dǎo)電材料層4的襯底。
電絕緣材料層3的典型厚度在25-150μm的范圍，其中也可以由較薄的、由電絕緣材料形成的亞層的一組層達(dá)到較大的厚度。因此能夠有益地實(shí)現(xiàn)在幾十kV/mm范圍的絕緣強(qiáng)度。
在步驟302中通過(guò)在電絕緣材料層3上開鑿各自的窗口31在包括器件2在內(nèi)的、襯底1的表面上露出每個(gè)有待接觸的接觸面。
有待接觸的接觸面不僅是在半導(dǎo)體芯片2上的接觸面20，而且也可以是由銅或其他的金屬所形成的層11的、通過(guò)在電絕緣材料層3上開鑿一個(gè)窗口31而露出的區(qū)域。
為了接觸接觸面(210)而開鑿的窗口的范圍大于器件范圍的60％、特別是大于80％。
主要通過(guò)激光燒蝕在電絕緣材料層3上開鑿一個(gè)窗口31。
然后在步驟303中以通常的方法對(duì)露出的接觸面210和112進(jìn)行金屬層噴涂并進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，因此平面接觸，這樣器件的每個(gè)露出的接觸面210和襯底的露出的接觸面112與由導(dǎo)電材料、主要是金屬形成的層4平面接觸。
例如導(dǎo)電材料層4整個(gè)平面地不僅可以涂敷在每個(gè)接觸面210和112上而且也可以涂敷在電絕緣材料層3的、偏離開襯底1表面的上表面上，并且然后例如光刻地如此結(jié)構(gòu)化該層4，即每個(gè)接觸面210和112保持平面接觸并且形成在接觸面210與112和與絕緣材料層3的上面分布的導(dǎo)電軌跡4、6。
為此主要實(shí)施如下過(guò)程步驟(Semiadditve結(jié)構(gòu))i)噴射大約100nm厚的Ti附著層和大約200nm厚的Cu導(dǎo)電層(步驟303)。
ii)在應(yīng)用較厚的漆涂層或感光薄膜5的情況下的光刻法(步驟304)。
iii)以導(dǎo)電層6電鍍?cè)鰪?qiáng)沒(méi)有顯影的區(qū)域。在此直到500μm的層厚是可能的(步驟305)。
iv)Cu和Ti的噴漆層和差異腐蝕(306)。
也可以采取如此措施，即在偏離開襯底1表面的電絕緣材料層3的上表面上涂敷掩模，該掩模釋放接觸面210和112以及在接觸面210與112和電絕緣材料層3上分布的導(dǎo)電軌跡4、6的區(qū)域，然后導(dǎo)電材料層4整個(gè)地以平面方式被涂敷在掩模和接觸面210與112以及沒(méi)有掩模的區(qū)域上。然后掩模與其上存在的層4一起被清除，如此在沒(méi)有掩膜的區(qū)域上僅僅剩下平面接觸的接觸平面210與112和在接觸面210與112和電絕緣材料層3上分布的導(dǎo)電軌跡4、6。
于是提供一個(gè)由襯底1與器件2形成的裝置，該器件具有一個(gè)表面，在該表面上布置電接觸面210、112，在該裝置中在表面上涂敷電絕緣材料層的形式的絕緣體，該層緊貼在該表面上并黏附在該表面上，在該裝置中接觸面210和112分別具有窗口31，在該窗口中接觸面210、112從電絕緣材料層中露出，與層4并附加與導(dǎo)電材料層6接觸。從前面的描述中特別形成該裝置。
權(quán)利要求
1.制造具有被布置在襯底(1)上的器件(2)的裝置的方法，由此所述襯底(1)和器件(2)形成一個(gè)表面輪廓，其中該器件(2)具有一個(gè)電接觸面(210)，在該方法中-電絕緣材料層(3)被涂敷在襯底(1)和器件(2)上，其中所述電絕緣材料層(3)遵循由襯底(1)和器件(2)形成的表面輪廓，-該器件的電接觸面在被涂敷電絕緣材料層(3)時(shí)至少部分保持裸露和/或在涂敷電絕緣材料層(3)之后露出，-導(dǎo)電材料層(4)被涂敷在電絕緣材料層(3)和器件的電接觸面(210)上。
2.按照權(quán)利要求1的方法，在該方法中，電絕緣材料層(3)不是薄膜。
3.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中電絕緣材料層(3)在襯底(1)上在沿直線延伸的區(qū)域內(nèi)的厚度與電絕緣材料層(3)在器件(2)上在沿直線延伸的區(qū)域內(nèi)的厚度相差不到50％，特別相差不到20％。
4.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中襯底(1)具有一個(gè)電接觸面(112)，襯底的電接觸面(112)在涂敷電絕緣材料層(3)時(shí)至少部分保持裸露和/或在涂敷電絕緣材料層(3)之后露出，導(dǎo)電材料層(4)也被涂敷在襯底的電接觸面(112)上。
5.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，借助于一或多個(gè)以下優(yōu)選措施涂敷電絕緣材料層(3)幕式澆淋、浸漬、特別是單面浸漬、噴射、特別是靜電噴射、印刷、特別是絲網(wǎng)印刷、再注塑、分散、旋涂。
6.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，該器件(2)是一個(gè)功率電子器件，特別是一個(gè)功率半導(dǎo)體。
7.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，所述器件(2)在襯底(1)的平面法線的方向上的厚度至少為70μm，特別是為至少100μm。
8.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，襯底(1)具有導(dǎo)電軌跡(11、12)，該導(dǎo)電軌跡(11、12)的厚度為至少100μm，尤其至少為150μm。
9.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中在電絕緣材料層(3)中開鑿一個(gè)大于器件的側(cè)面和/或表面的60％范圍的窗口，這樣器件的電接觸面(210)在涂敷電絕緣材料層(3)時(shí)至少部分保持裸露和/或在涂敷電絕緣材料層(3)之后露出，導(dǎo)電材料層(4)涂敷在電絕緣材料層(3)和器件的電接觸面(210)上，在該表面上開鑿窗口，特別是大于80％。
10.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中通過(guò)激光燒蝕至少部分露出器件的電接觸面(210)。
11.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，一種感光材料用于電絕緣材料層(3)，通過(guò)光刻過(guò)程至少部分露出器件的電接觸面。
12.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中導(dǎo)電材料層(4)分為多個(gè)相疊布置的、由不同導(dǎo)電材料形成的亞層進(jìn)行涂敷，其中特別通過(guò)電鍍生長(zhǎng)涂敷上面的亞層。
13.按照上述權(quán)利要求之一的方法，在該方法中，為了制造一個(gè)多層的裝置多次實(shí)施這些步驟涂敷電絕緣材料層，露出接觸面并且涂敷導(dǎo)電材料層。
14.具有一個(gè)布置在襯底(1)上的器件(2)的裝置，所述襯底(1)和器件(2)由此形成一個(gè)表面輪廓，其中器件(2)具有一個(gè)電接觸面(210)，其中-電絕緣材料層(3)被涂敷在襯底(1)和器件(2)上，由此電絕緣材料層(3)遵循由襯底(1)和器件(2)形成的表面輪廓，-器件的電接觸面(210)從電絕緣材料層(3)中露出，-導(dǎo)電材料層(4)涂敷在電絕緣材料層(3)和器件的露出的電接觸面(210)上。
全文摘要
在一個(gè)襯底和在其上面布置的器件上涂敷電絕緣材料層，使得該層遵循由襯底和器件形成的表面輪廓。
文檔編號(hào)H01L25/07GK1757103SQ200480005533
公開日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2004年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月28日
發(fā)明者N·澤利格爾, K·魏德納, J·查普夫 申請(qǐng)人:西門子公司