專利名稱：共軛分子組件,制造該組件的方法,和包括該組件的器件的制作方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考該申請(qǐng)涉及題為″包括自組裝單層的電子器件，及其制造方法″(轉(zhuǎn)讓給國際商業(yè)機(jī)器公司，代理人案卷No.YOR920020318US1，和在此作為參考并入本發(fā)明)的＿＿遞交的U.S.專利申請(qǐng)No.10/＿＿。
本發(fā)明的背景本發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及共軛分子組件，制造該組件的方法，和包括該組件的器件和，尤其是，具有延伸共軛鏈段的共軛分子組件。
相關(guān)技術(shù)的描述在過去三十年中，在共軛分子和大分子的合成以及化學(xué)和物理理解方面已經(jīng)取得更新的意義和顯著的進(jìn)展。共軛分子組件在光學(xué)，光電子，電子學(xué)，和傳感器場(chǎng)合中的應(yīng)用極大地受到關(guān)注。
大多數(shù)共軛分子組件包括低于8個(gè)單體單元長(zhǎng)的小分子或短鏈低聚物。這些小分子可天然存在，容易通過普通的有機(jī)合成技術(shù)而制備，和在有機(jī)溶劑中使用。
引起共軛和有意義的物理性能的π鍵的性質(zhì)也是分子剛性和不溶性的來源。隨著共軛分子級(jí)的增加，它們變得愈加不可溶。例如，在同系的低聚噻吩系列中，四噻吩(4個(gè)噻吩單體)是可溶的，但六噻吩(6個(gè)噻吩單體)是不可溶的。這些組件的不溶性在某些情況下可通過共軛分子的末端或側(cè)面的化學(xué)官能化而克服，但這也可能改變分子和其組件的理想物理性能。
非常長(zhǎng)的分子(如，大于20個(gè)單體長(zhǎng))通常被劃分為聚合物。聚合物是多分散的和特征在于其平均分子量。聚合物鏈由較短的剛性分子鏈段的分布組成。這尤其在官能化時(shí)引起在較短分子和低聚物中不存在的溶解性，而且引起物理性能的分布和聚合物薄膜的順序的缺乏。
最近，通過溶液相化學(xué)技術(shù)和在樹脂(固體載體)上，已經(jīng)給出了用于制備定義良好的分子和大分子的順序合成路徑[J.M.Tour，″具有精確的長(zhǎng)度和構(gòu)成的共軛大分子。用于構(gòu)造納米結(jié)構(gòu)的有機(jī)合成，″Chem.Rev.96，537(1996)，P.R.L.Malenfant，J.M.J.Frechet，″低聚噻吩的第一固相合成，″Chem.Comm.，23，2657(1998)]。盡管一些組件已被合成，但這些技術(shù)不能組裝到表面上。
具有能夠使分子連接至和自組裝到表面上的頭基團(tuán)的短分子的化學(xué)官能化受到極大關(guān)注。一旦組裝到表面上，這些分子層被稱作自組裝單層(SAM)。這些分子通常被合成并隨后從常用溶劑自組裝到表面上。自組裝單層作為刻蝕隔絕層，用于改變表面化學(xué)的表面層，和抗蝕層而受到極大關(guān)注。
共軛SAM作為分子電子和光子器件中的活性層引起特殊的興趣并更新近地作為分子傳感器中的活性層而被討論。迄今為止研究的SAM通常是短共軛分子鏈段，因?yàn)榭赡軐?duì)器件有意義的較長(zhǎng)分子不再是可溶的并因此尚未被研究。分子電子和存儲(chǔ)器件基于分子內(nèi)電荷遷移并在分子內(nèi)產(chǎn)生所需官能度，如開關(guān)。分子傳感器也可基于分子內(nèi)電荷遷移的變化，通過用作為該分子一部分的受體探測(cè)分析物而產(chǎn)生。分子級(jí)晶體管是用于邏輯場(chǎng)合必需的組件且通常被稱作分子電子學(xué)的圣杯。
構(gòu)建分子級(jí)晶體管的技術(shù)并不簡(jiǎn)單。分子晶體管的通道長(zhǎng)度由分子的長(zhǎng)度確定。類似地，存儲(chǔ)單元中的分子開關(guān)介質(zhì)或分子傳感器中的官能化分子確定電極間距。為了實(shí)現(xiàn)晶體管和存儲(chǔ)單元中的分子器件的合適″關(guān)態(tài)″和傳感器中的電阻的可測(cè)量的變化，必須抑制電極(晶體管中的源極和漏極)之間的隧道效應(yīng)電流。這分別對(duì)晶體管和存儲(chǔ)單元中的通道長(zhǎng)度或單元高度產(chǎn)生下限，因此分子長(zhǎng)度為約2.5nm-3.0nm[C.R.Kagan，A.Afzali，R.Martel，L.M.Gignac，P.M.Solomon，A.G.Schrott，B.Ek，″對(duì)自組裝單層場(chǎng)效應(yīng)晶體管的評(píng)估和考慮″，NanoLetters，3，119(2003)]。對(duì)通道長(zhǎng)度和分子長(zhǎng)度的下限還通過靜電學(xué)和引入足夠的柵場(chǎng)以調(diào)節(jié)分子通道的電導(dǎo)的需要而被限制在分子場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這在用于傳感的化學(xué)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中也如此。已被研究的自組裝共軛分子通常短于2.5nm-3.0nm。
分子器件的所需官能度可使不同分子鏈段的引入成為必需。在分子內(nèi)構(gòu)建分子器件的整個(gè)官能度的長(zhǎng)期夢(mèng)想可能需要引入具有不同化學(xué)和物理功能的不同分子物質(zhì)。迄今，僅非常簡(jiǎn)單的和短的共軛自組裝分子已被研究，因此尚未引入一些所需分子官能度。
疊層組裝技術(shù)已經(jīng)用于在表面上制備較長(zhǎng)長(zhǎng)度尺寸的分子組件。疊層生長(zhǎng)的一種最先進(jìn)的組件是層狀金屬磷酸鹽和膦酸鹽。膜包括多價(jià)金屬離子，如Zr4+，和被酸性官能度，如膦酸終止的有機(jī)分子[如，參見Cao，Hong，Mallouk，″層狀金屬磷酸鹽和膦酸鹽從晶體至單層″Acc.Chem.Res.，25，420(1992)]。
Katz和合作者已經(jīng)使用該方法將可超極化分子排列到具有二級(jí)非線性光學(xué)作用的極性多層膜中(如，參見U.S.專利Nos.5,217,792和5,326,626)。類似方法還延伸到其它材料如聚合物，天然蛋白質(zhì)，膠體，和無機(jī)簇[如，參見Decher，″模糊納米組件為了層狀聚合物多復(fù)合體，″科學(xué)，277，1232(1997)]。這一技術(shù)還應(yīng)用于生產(chǎn)包括Co-二異氰化物，二硫醇與Cu，和吡嗪與Ru的其它多層[如，參見Page，Langmuir，″一次一分子層生長(zhǎng)的配位價(jià)鈷-二異氰化物多層薄膜″16，1172，(2000)]。
在現(xiàn)有例子中，用于膜發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力主要是聚陽離子和聚陰離子之間的靜電相互作用。少數(shù)例子包括其它類型的相互作用，如氫鍵，共價(jià)，或混合共價(jià)-離子。最近，發(fā)明人證明了以一種新的策略將金屬和配體之間的強(qiáng)共價(jià)相互作用，而不是離子相互作用用于組裝幾乎完美封裝的金屬-金屬鍵接超分子的多層并將該方法用于分子器件(YOR920010784US1，YOR920020094US1，C.Lin，C.R.Kagan，″金屬-金屬鍵接的超分子薄膜的疊層生長(zhǎng)和其在制造橫向納米尺寸器件中的用途″，J.Am.Chem.Soc.，125，336(2003))。盡管有些例子使用共價(jià)相互作用進(jìn)行疊層組裝，但無一例子能夠形成碳-碳鍵。
為了在固態(tài)場(chǎng)合和器件中利用共軛分子組件的光學(xué)，光電子，電子，和傳感器性能，需要開發(fā)用于引入具有較長(zhǎng)的分子長(zhǎng)度和各種各樣官能度的分子的新方法。疊層組裝方法盡管在形成延伸的分子結(jié)構(gòu)方面具有吸引力，但尚未能夠證明用于形成碳-碳鍵，后者是形成應(yīng)用上有意義的延伸共軛分子組件所需的。
本發(fā)明的綜述考慮到常規(guī)組件和方法的前述和其它問題，缺點(diǎn)，和缺陷，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種共軛分子組件(和制造該組件的方法)，該組件包括具有長(zhǎng)分子長(zhǎng)度的分子(如，延伸的共軛分子)和允許各種各樣的官能度。
在第一方面，本發(fā)明包括一種共軛分子組件，該組件包括基材，和連接到基材上的延伸共軛分子。延伸共軛分子包括具有用于連接至基材上的第一官能團(tuán)的第一共軛分子，和共價(jià)鍵接至第一共軛分子上的第二共軛分子。
本發(fā)明還包括一種制造共軛分子組件的本發(fā)明方法。本發(fā)明方法包括將具有第一官能團(tuán)的第一共軛分子施用到基材上，和將第二共軛分子共價(jià)鍵接至第一共軛分子以形成延伸共軛分子。
具體地，本發(fā)明方法可包括逐步構(gòu)造共軛分子組件的共價(jià)鍵接組件。更尤其，本發(fā)明提供一種用于碳-碳鍵形成延伸共軛分子組件和用于引入不同分子物質(zhì)以向分子組件賦予官能度的方法。
另外，本發(fā)明提供一種本發(fā)明分子電子器件。該器件可包括源區(qū)和漏區(qū)(如，源極和漏極)，在兩者之間延伸的分子介質(zhì)，以及在源區(qū)，漏區(qū)和分子介質(zhì)之間的電絕緣層(這用于晶體管和傳感器)。該器件可包括兩個(gè)電極以及插入的在兩者之間延伸的分子介質(zhì)(這用于存儲(chǔ)和傳感器)。本發(fā)明分子器件可用于存儲(chǔ)或邏輯或傳感器器件。根據(jù)本發(fā)明的分子器件中的分子介質(zhì)包括可通過逐步構(gòu)造制備的延伸共軛分子組件。
更具體地，本發(fā)明提供了一種用于在表面上構(gòu)造具有受控長(zhǎng)度和分子構(gòu)成的共軛分子組件的組件。
例如，本發(fā)明方法可包括向基材的表面施用表示為結(jié)構(gòu)式G1-分子1-G2的第一分子化合物，以在基材上得到第一分子化合物的涂底層，其中G1包括用于與基材的表面相互作用的官能團(tuán)；G2包括用于與隨后所加分子反應(yīng)的官能團(tuán)，和分子A包括鍵接至G1和G2上的共軛有機(jī)基團(tuán)，使涂底層與第二分子化合物反應(yīng)得到在涂底層上的共價(jià)鍵接分子層，所述第二分子化合物表示為結(jié)構(gòu)式G3-分子2-G4，和能夠與另一官能化的分子反應(yīng)，得到使共價(jià)鍵接分子組件鍵接至自組裝單層上的順序生長(zhǎng)組件。該方法也可包括順序重復(fù)使第二(在順序上，這可能是第三分子化合物)分子化合物與G4反應(yīng)至少一次以進(jìn)一步延伸該分子組件。
在另一例子中，本發(fā)明方法包括向基材的表面施用表示為結(jié)構(gòu)式G1-分子1的第一分子化合物，以在基材上得到第一分子化合物的涂底層，其中G1包括能夠與基材的表面相互作用的官能團(tuán)，和分子1包括鍵接至G1上的官能有機(jī)基團(tuán)，處理分子層G1-分子1的末端以形成化合物G1-分子1-G2，其中G2包括用于與隨后所加分子反應(yīng)的官能團(tuán)，使涂底與分子組件反應(yīng)得到在涂底層上的共價(jià)鍵接分子層；所述分子層選自表示為以下結(jié)構(gòu)式G3-分子2的化合物，并使用反應(yīng)的官能團(tuán)作為G4而制備第二分子化合物的末端，其中G4包括與G2相同或不同的官能團(tuán)，和能夠與另一官能化的分子反應(yīng)，得到使共價(jià)鍵接分子鍵接至自組裝單層上的順序生長(zhǎng)組件。另外，該方法可包括至少一次地順序重復(fù)處理分子層G1-分子1的末端和制備第二分子化合物的末端以進(jìn)一步延伸分子組件。
另外，制造本發(fā)明組件的其它方法可結(jié)合或改變部分的前述方法以偶聯(lián)分子。這些其它方法可包括，例如，靜電，氫鍵接，離子，共價(jià)，和混合離子-共價(jià)相互作用(這些是本領(lǐng)域已知的)，或通過電化學(xué)偶聯(lián)。
更尤其，本發(fā)明提供了一種用于制備具有延伸共軛組件的組件的方法。例如，該方法的一個(gè)例子(如，圖3中的路徑A)包括在基材的表面上施用表示為結(jié)構(gòu)式G1-分子1-G2的第一分子化合物以得到第一連接劑化合物的涂底層；其中G1選自硅烷，膦酸，異羥肟酸，異氰化物，和硫醇，G2選自鹵素，重氮，乙炔基，三烷基錫，硼酸，鹵化鋅，和氫，分子1選自表示為化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的以下基團(tuán)
其中M是金屬， 或其任何組合。另外，該方法包括使涂底與分子組件反應(yīng)，在涂底層上得到共價(jià)鍵接分子層；所述分子層選自表示為以下結(jié)構(gòu)式G3-分子2-G4的化合物，其中分子2可以是與分子1相同或不同的分子物質(zhì)和選自具有上述化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的基團(tuán)，或其任何組合，和其中G4可以是與G2相同或不同的官能團(tuán)，但能夠與另一官能化的分子反應(yīng)。該方法也可包括順序重復(fù)以下步驟與另一分子反應(yīng)至少一次以得到使共價(jià)鍵接分子組件鍵接至自組裝單層上的順序生長(zhǎng)組件。
另外，本發(fā)明方法可包括圖4中的路徑B的步驟，包括在基材的表面上施用表示為結(jié)構(gòu)式G1-分子1的第一分子化合物，以得到第一連接劑化合物的涂底層；其中G1選自硅烷，膦酸，異羥肟酸，異氰化物，和硫醇；分子1選自如上所述具有化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的基團(tuán)，或其任何組合。另外，該方法包括處理分子層G1-分子1的末端以制備G1-分子1-G2，其中G2選自鹵素，三烷基錫，重氮，乙炔基，硼酸，鹵化鋅，氫，和乙烯基，和使涂底與分子組件反應(yīng)，在涂底層上得到共價(jià)鍵接分子層；所述分子層選自表示為以下結(jié)構(gòu)式G3-分子2的化合物，其中分子2可以是與分子1相同或不同的分子物質(zhì)和選自如上所述具有化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的基團(tuán)，或其任何組合，和使用反應(yīng)性官能團(tuán)作為G4制備所加的分子層的末端，其中G4可以是與G2相同或不同的官能團(tuán)，但能夠與另一官能化的分子反應(yīng)。該方法也可包括順序重復(fù)以下步驟至少一次使該分子反應(yīng)和制備末端基團(tuán)，得到使共價(jià)鍵接分子組件鍵接至自組裝單層上的順序生長(zhǎng)組件。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種具有官能度的組件，所述官能度通過使用不同的分子物質(zhì)構(gòu)成組件而引入。這些組件可通過根據(jù)本發(fā)明的方法而制備。
本發(fā)明還包括一種分子器件，后者包括根據(jù)本發(fā)明的延伸共軛分子組件。例如，該器件可包括基材(如，Au，Pd，氧化錫銦，ZrO2，SiO2)，鄰近基材的源區(qū)和漏區(qū)，和包括在源區(qū)和漏區(qū)之間形成的延伸共軛分子的分子介質(zhì)。
例如，本發(fā)明分子器件可包括源區(qū)和漏區(qū)，在源區(qū)和漏區(qū)之間延伸的分子介質(zhì)，以及在源區(qū)，漏區(qū)和分子介質(zhì)之間的電絕緣層。該器件可例如被改變成包括在兩部分的分子介質(zhì)之間的絕緣層上形成的浮動(dòng)電極。
在另一例子中，分子器件包括源區(qū)和漏區(qū)，在源區(qū)和漏區(qū)之間的延伸的分子介質(zhì)，所述分子介質(zhì)包括具有延伸共軛分子組件(如，通過逐步構(gòu)造而制備)的組件，與分子介質(zhì)空間鄰近的柵區(qū)，和在柵區(qū)和源區(qū)之間，在漏區(qū)和分子介質(zhì)之間的電絕緣層。該器件可例如被改變成包括在兩部分的分子介質(zhì)之間的絕緣層上形成的浮動(dòng)電極。
在另一例子中，本發(fā)明分子器件包括源區(qū)和漏區(qū)，在源區(qū)和漏區(qū)之間延伸的分子介質(zhì)。
在另一例子中，分子器件包括源區(qū)和漏區(qū)，在源區(qū)和漏區(qū)之間延伸(如垂直或橫向)的分子介質(zhì)，所述分子介質(zhì)包括具有延伸共軛分子組件(如，通過逐步構(gòu)造而制備)的組件，與分子介質(zhì)空間鄰近的柵區(qū)，以及在柵區(qū)和源區(qū)之間，在漏區(qū)和分子介質(zhì)之間的電絕緣層。
利用其獨(dú)特的和新穎的特點(diǎn)，本發(fā)明包括一種共軛分子組件(和制造該組件的方法)，所述組件包括具有長(zhǎng)分子長(zhǎng)度的分子(如，延伸共軛分子)和允許寬范圍的官能度。本發(fā)明還提供一種具有改進(jìn)的電或傳感器性能的改進(jìn)的分子器件。
附圖的簡(jiǎn)要描述前述和其它目的，方面和優(yōu)點(diǎn)通過以下對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述并參考附圖得到更好的理解，其中

圖1說明根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100；圖2說明制造根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件的方法200；圖3-6說明制造根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件的示例性方法300，400，500，600；圖7A-7B分別說明可根據(jù)本發(fā)明制造的給體-受體組件700，和具有氧化還原-活性物質(zhì)750的分子組件的例子；圖8說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件800(如，2端子橫向器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為在兩個(gè)電極之間的有源開關(guān)介質(zhì)；圖9說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件900(如，2端子橫向器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為在兩個(gè)電極之間具有浮動(dòng)電極的有源開關(guān)介質(zhì)；圖10說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件1000(如，3端子橫向器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為在源和漏極之間通過絕緣體與柵電極隔開的的有源開關(guān)介質(zhì)；圖11說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件1100(如，3端子橫向器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為有源開關(guān)介質(zhì)和通過絕緣體與柵電極隔開的在源極和漏極之間的浮動(dòng)電極；圖12說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件1200(如，2端子垂直器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為在兩個(gè)電極之間的有源開關(guān)介質(zhì)；圖13說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件1300(如，3端子垂直器件結(jié)構(gòu))，包括延伸共軛分子層作為在源極和漏極之間和通過絕緣體與柵電極隔開的有源開關(guān)介質(zhì)；和圖14A-14B說明根據(jù)本發(fā)明的分子傳感器1400，1450，包括用受體官能化的延伸共軛體系作為在兩個(gè)電極(如，源極和漏極)之間的活性傳感介質(zhì)。
本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述現(xiàn)在參考附圖，圖1說明根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。如圖1所示，本發(fā)明分子組件100包括基材110，和延伸共軛分子120，后者包括在基材110上形成的第一共軛分子130，和共價(jià)鍵接至自組裝單層130上的第二共軛分子140。另外，官能團(tuán)150(如，頭官能團(tuán))可用于將第一共軛分子連接(如，鍵接或吸附)至基材110。
本發(fā)明還包括一種制造共軛分子組件的本發(fā)明方法。如圖2所示，本發(fā)明方法200包括將第一共軛分子(如，具有第一官能團(tuán))施用(210)在基材上，和將第二共軛分子共價(jià)連接(220)至第一共軛分子上以形成延伸共軛分子。
本發(fā)明方法可包括共軛分子在自組裝單層上的逐步構(gòu)造以形成共價(jià)鍵接組件(如，共軛分子組件)。更尤其，該組件可通過碳-碳共價(jià)鍵連接。這種結(jié)構(gòu)可在固態(tài)分子電子，光電子，光學(xué)，和傳感器場(chǎng)合中具有許多用途。
更具體地，本發(fā)明組件100可通過小分子的重復(fù)順序構(gòu)造而制成，得到具有受控長(zhǎng)度和化學(xué)構(gòu)成的分子。制造組件的本發(fā)明方法200可被認(rèn)為是自組裝，逐步，和可調(diào)的。
當(dāng)施用到基材上時(shí)，自組裝單層130的共軛分子被吸附(或化學(xué)鍵接)在基材上。然后，至少一種其它的共軛分子(如，多種共軛分子)可被末端-至-末端地加入(如，順序加入)以形成延伸鏈段。因此，組件的疊層生長(zhǎng)可通過該″逐步″方案而實(shí)現(xiàn)。另外，多層狀組件可疊層地生長(zhǎng)至所需長(zhǎng)度。
在一示例性實(shí)施方案中，本發(fā)明方法可包括(1)在基材的表面上施用表示為以下結(jié)構(gòu)式的第一分子化合物；G1-分子1-G2以在基材上生成第一分子化合物的涂底層，其中G1包括能夠與基材的表面相互作用的官能團(tuán)，G2包括能夠與所加的分子反應(yīng)的官能團(tuán)，和分子1包括鍵接至G1和G2上的有機(jī)基團(tuán)(如，共軛分子)；所述共軛分子選自表示為以下結(jié)構(gòu)式1-11的化合物
其中M是金屬， 和其組合；其中R，S，T，U，V，W，X，Y，和Z的每一個(gè)分別是取代基(如，氫，有機(jī)基團(tuán)或非有機(jī)基團(tuán))，和其中d，e，f，g，h，i，j，k，m，n，包括整數(shù)1至10；(2)在分子1上施用表示為以下結(jié)構(gòu)式的第二分子化合物G3-分子2-G4以生成延伸共軛分子組件，其中G 3和G4是相同或不同的能夠與分子1-G2反應(yīng)的官能團(tuán)；和分子2是鍵接至G3和G4上的有機(jī)基團(tuán)(如，共軛分子)。另外，分子2可包括選自具有化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的上述基團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)，和可與分子1相同或與分子1不同。
另外，以上的(2)可順序重復(fù)，以生成使共價(jià)鍵接分子組件鍵接至自組裝單層上的順序生長(zhǎng)的(如，疊層)組件。
每層的長(zhǎng)度，官能度，分子矢量的方向，以及其它物理和化學(xué)性能可通過改變所加的分子而調(diào)整。該特點(diǎn)可用于調(diào)整分子組件的物理性能(例如吸收，發(fā)熒光，極化能力，電負(fù)性，氫鍵能力，與金屬的配位作用)，以及用于制備給體-受體化合物，氧化還原-活性組件，和使用對(duì)化學(xué)或生物劑敏感的受體官能化的組件。
另外，這些步驟可與本領(lǐng)域已知的其它偶聯(lián)反應(yīng)相結(jié)合。優(yōu)選，共軛分子組件100(如，組件)具有1至60個(gè)共軛分子單體。
另外，本發(fā)明組件100(如，組件)可從液體溶液中沉積，因此組件100可沉積在各種地形和外形的基材上。
再次參考附圖，圖3說明本發(fā)明方法的一個(gè)例子(如，路徑A)。具體地，圖3說明一種逐步構(gòu)造方法，該方法可根據(jù)本發(fā)明用于在基材上制造延伸共軛分子化合物。(在圖3中，符號(hào)***表示可與另一分子反應(yīng)形成兩者之間的碳-碳鍵的分子)。
如圖3所示，本發(fā)明方法300可包括將第一化合物G1-分子1-G2施用(310)至基材表面上，施用(320)第二化合物G3-分子2-G4至第一化合物上，以在基材上形成延伸共軛分子G1-分子1-分子2-G4。注意，在這種情況下，基團(tuán)G2和G3可被選擇成相互作用(如，結(jié)合)以被分子1和分子2之間的鍵替代。方法300也可以包括再施用(330)第三化合物G5-分子3-G6(即，重復(fù)步驟320)，以進(jìn)一步延伸共軛分子。
圖4說明本發(fā)明方法的另一例子(例如路徑B)。具體地，圖4說明另一逐步構(gòu)造方法，該方法可根據(jù)本發(fā)明用于在基材上制造延伸共軛分子化合物。
如圖4所示，本發(fā)明方法400可包括施用(410)第一化合物G1-分子1至基材表面上，施用(420)官能團(tuán)G2(如尾端官能團(tuán))至分子1上，和施用(430)化合物分子2使得分子2與分子1鍵接(如，形成碳-碳共價(jià)鍵)，和替代官能團(tuán)G2。
方法400也可包括重復(fù)(440)早先的步驟(如步驟(420)和(430))以進(jìn)一步延伸所述延伸共軛分子。
另外，應(yīng)該注意，這些本發(fā)明方法300，400的各方面可被組合和改變以制造本發(fā)明組件。例如，可進(jìn)行方法400的步驟(410)和(420)以在基材表面上生成化合物G1-分子1-G2。然后，可進(jìn)行方法300的步驟(320)以在基材表面上生成化合物G1-分子1-分子2-G4，等等。
再次參考圖1，關(guān)于基材110，可使用任何合適的材料。合適的基材包括，例如，金屬，金屬氧化物，半導(dǎo)體，金屬合金，半導(dǎo)體合金，聚合物，有機(jī)固體，和其組合?；牡男问娇梢允瞧矫婀腆w或非平面固體如多級(jí)的或彎曲的表面。
以下優(yōu)選的基材已被給出Au，Pd，ITO，ZrO2，和SiO2。
G1-分子1-G2化合物是一種可形成自組裝單層的分子物質(zhì)。合適的化合物包括具有官能團(tuán)G1的有機(jī)分子物質(zhì)，所述官能團(tuán)能夠與形成涂覆表面的基材的表面相互作用。
官能團(tuán)G1可被包括在這些化合物中，用于與具有化學(xué)特異性的特殊基材表面相互作用或鍵接。例如，G1官能團(tuán)可包括一個(gè)或多個(gè)相同或不同的官能團(tuán)，如氧化膦，膦酸，異羥肟酸，亞磷酸酯，磷酸酯，膦嗪，疊氮化物，肼，磺酸，硫化物，二硫化物，醛，酮，硅烷，鍺烷，胂，腈，異氰化物，異氰酸酯，硫氰酸酯，異硫氰酸酯，酰胺，醇，硒醇，硝基，硼酸，醚，硫醚，氨基甲酸酯，硫代氨基甲酸酯，二硫代氨基甲酸酯，二硫代羧酸酯，黃原酸酯，硫代黃原酸酯，烷基硫代磷酸酯，二烷基二硫代磷酸酯或其任何組合。
官能團(tuán)G2能夠與分子的下一層(如，下一層上的官能團(tuán))反應(yīng)。具體地，該基團(tuán)可被包括在分子中，用于與具有化學(xué)特異性的特殊共軛分子相互作用或反應(yīng)，和可包括一個(gè)或多個(gè)相同或不同官能團(tuán)。因此，第一連接劑化合物中的G2可獨(dú)立地包括鹵素或具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式的化合物，-SnR3(其中R是烷基基團(tuán))，-N≡N-，-C≡CH，-CH＝CH2，-ZnX(其中X是鹵素)，H， (其中R可獨(dú)立地是氫或烷基基團(tuán))。
另外，用于促進(jìn)分子(如，G2，G3，和G4)之間鍵接的官能團(tuán)可選自相同的組的基團(tuán)。但它們必須選擇成促進(jìn)形成碳-碳鍵。因此，例如，在以上討論的方法300中，盡管第二和第三官能團(tuán)G2和G3可選自相同的組的基團(tuán)，但它們必須不同(如，G2可以是鹵素，和G3可以是-SnR3基團(tuán)，或反之亦然)以使分子1和分子2被鍵接。
例如，具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式12-13的化合物已被證實(shí)是合適的G1-分子1化合物
在氧化物表面上，和 在Au和Pd表面上。
具有官能團(tuán)G2(如，X＝G2)的具有上述化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的化合物已被證實(shí)適用于與其它分子反應(yīng)，其中R，S，T，U，V，W，X，Y，和Z是取代基(如，氫，或有機(jī)或無機(jī)取代基)，和其中d，e，f，g，h，i，j，k，m，n，包括整數(shù)1至10。另外，具有化學(xué)結(jié)構(gòu)式1-11的基團(tuán)的任何組合適用于與其它分子反應(yīng)。
圖5說明制造共軛分子組件的本發(fā)明方法的一個(gè)更特定的示例性實(shí)施方案。具體地，圖5說明在基材，如石英，銦-錫-氧化物(ITO)，和具有原來的或熱生長(zhǎng)的二氧化硅表面的硅晶片上制造多層組件的方法的一個(gè)例子。如圖5所示，本發(fā)明方法500包括以下(1)將表示為結(jié)構(gòu)式12的第一分子化合物施用(510)到氧化物基材的表面上 其中頭端基團(tuán)(如，G1)是膦酸官能團(tuán)；(2)用正溴琥珀酰亞胺(NBS)溴化(520)該分子以形成在基材上的具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式14的化合物
(3)將尾端基團(tuán)(如，-Br)與具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式15的化合物 在Pd催化劑的存在下反應(yīng)(530)以生成在基材上的具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式16的化合物 另外，以上的步驟(520)和(530)可重復(fù)至少一次以進(jìn)一步延伸共軛分子組件。
圖6說明制造共軛分子組件的本發(fā)明方法的一個(gè)更特定的示例性實(shí)施方案。具體地，圖6說明在基材，如金和鈀上制造多層組件的方法的一個(gè)例子。如圖6所示，本發(fā)明方法600包括以下(1)將表示為化學(xué)結(jié)構(gòu)式13的第一分子化合物施用(610)到基材的表面上 其中G1包括頭基團(tuán)異氰化物；(2)將該化合物(即，化學(xué)結(jié)構(gòu)式13)電化學(xué)偶聯(lián)(620)至具有化學(xué)結(jié)構(gòu)式17的化合物上 以在基材上構(gòu)建具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式18的化合物
(3)將該化合物(化學(xué)結(jié)構(gòu)式18)與另一具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式19的分子， 在Pd催化劑的存在下反應(yīng)(630)，以構(gòu)建具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式20的化合物 (4)將該化合物(化學(xué)結(jié)構(gòu)式20)電化學(xué)偶聯(lián)(640)至具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式13的分子上 以在基材上構(gòu)建具有以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式21的延伸共軛分子 以上反應(yīng)順序顯示兩種使用碳-碳鍵形成而用于形成延伸共軛組件的一般路徑。這兩種方法取決于用于連接不同的分子物質(zhì)的合成反應(yīng)。沉積以基材的化學(xué)改性開始。用于進(jìn)行該改性的試劑選擇使得它們?cè)趦啥藥в袃蓚€(gè)官能團(tuán)，即頭基團(tuán)和尾基團(tuán)。
頭基團(tuán)(如，G1)被選擇成化學(xué)結(jié)合至特殊基材表面。例如，頭基團(tuán)可以是硅烷，膦酸，異羥肟酸，或羧酸以官能化氧化物表面，或硫醇/硫醇鹽，腈，膦，硫化物，或硒化物以官能化金屬或半導(dǎo)體表面。尾基團(tuán)模板化共軛分子組件的生長(zhǎng)。
在第一步驟中，用于膜生長(zhǎng)的基材可以是各種金屬，絕緣體，和半導(dǎo)體如玻璃，石英，鋁，金，鈀，鉑，金/鈀合金，硅，硅上的熱生長(zhǎng)二氧化硅，和銦-錫-氧化物涂覆玻璃。因?yàn)槟囊后w溶液中沉積，它們可沉積在具有各種地形和外形的基材上?；牡男问娇梢允瞧矫婀腆w或非平面固體如多級(jí)的或彎曲的表面。
薄膜沉積的第二步驟是將改性的基材用來自溶液的包含至少一個(gè)共軛分子的合適的化合物和試劑處理。共軛分子與涂底層反應(yīng)。
下一步驟是重復(fù)以上步驟以加入附加層，但共軛分子無需相同。這樣提供一種由各種共軛分子構(gòu)造塊組裝具有基本上任何所需層順序的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的通用方式。
本發(fā)明提供了一種通過偶聯(lián)不同的分子以提供官能度而形成各種各樣異質(zhì)結(jié)構(gòu)的方式。這包括給體-受體組件例如在圖7A中說明的組裝多層700。例如，如圖7A所示，組件可包括分子1(包括四個(gè)噻吩單體和連接到基材上的氰化物基團(tuán))，和分子2(包括4噻吩-s-氧化物單體)。
另外，分子組件可包括氧化還原-活性物質(zhì)如在圖7B中說明的組件750。例如，如圖7B所示，組件可包括分子1(包括四個(gè)噻吩單體和連接到基材上的氰化物基團(tuán))，和分子2(包括卟啉基團(tuán))。
總言之，本發(fā)明利用一種包括延伸共軛分子的分子介質(zhì)。該分子可例如，通過逐步構(gòu)造而被制成為二-和三端子電子和傳感器器件中的有源開關(guān)介質(zhì)。
另外，本發(fā)明共軛分子組件具有定義良好的長(zhǎng)度和分子結(jié)構(gòu)。本發(fā)明分子組件的性能可通過引入不同的分子物質(zhì)而調(diào)整。結(jié)果，這些材料提供用于電子器件場(chǎng)合的豐富電化學(xué)和電子性能和用于傳感器器件場(chǎng)合的受體位，同時(shí)能夠通過便宜方法，如低成本溶液沉積而簡(jiǎn)單和容易地在室溫下制造。
再次參考附圖，圖8說明根據(jù)本發(fā)明的分子器件800。具體地，圖8說明二端子橫向電子器件800的橫截面視圖。該器件800包括在基材18上制造的有源開關(guān)介質(zhì)層4(在電極6和8之間)，用作電極6和8之間的有源開關(guān)介質(zhì)?；钚詫?(如，與基材18或電極6和8之一或兩者相結(jié)合(如，其中組件在側(cè)壁上組裝))包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的二端子橫向器件900的橫截面視圖。器件900包括浮動(dòng)電極30。器件900還包括在基材28上制造的有源開關(guān)介質(zhì)層(在電極24和26之間)，后者具有被浮動(dòng)電極30隔開的2部分22A，22B，并用作電極24和26之間的有源開關(guān)介質(zhì)。另外，層部分22A，22B(如，與任何的電極24，26，和30相結(jié)合(在這種情況下可能更難以將材料選擇性地沉積在側(cè)面上，如果它生長(zhǎng)離開基材的話，但它可生長(zhǎng)離開側(cè)壁))包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
圖10顯示的以晶體管構(gòu)型的三端子橫向電子器件1000的橫截面視圖。器件1000包括共軛分子組件層42，后者(如，與絕緣體48或電極44和46之一或兩者相結(jié)合)包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
層42用作源極和漏極46和44之間的通道。共軛分子組件的電導(dǎo)可通過柵電極50(可以是變質(zhì)性摻雜的硅層)而穿過電絕緣層48，如薄SiO2膜進(jìn)行調(diào)整，所有的都在基材52上制造。
圖11顯示以具有浮動(dòng)電極74的晶體管構(gòu)型的三端子橫向電子器件1100的橫截面視圖。層部分62A，62B是共軛分子組件層的通過浮動(dòng)電極74隔開的各部分和包括(如與任何的電極64，66，和74相結(jié)合)根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
層62用作源極和漏極64和66之間的通道。共軛分子組件層的電導(dǎo)可通過柵電極70(可以是變質(zhì)性摻雜的硅層)而穿過電絕緣層68，如薄SiO2膜進(jìn)行調(diào)整，所有的都在基材72上制造。
圖12顯示二端子垂直電子器件1200的橫截面視圖。器件1200包括共軛分子組件層82，用作在基材88上制造的電極84和86之間的有源開關(guān)介質(zhì)。層82(如，與電極86相結(jié)合)包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。在這種情況下，電極84可沉積在共軛分子組件的上面。
圖13顯示以晶體管構(gòu)型的三端子垂直電子器件1300的橫截面視圖。器件1300包括共軛分子組件層92，后者(如，與源96相結(jié)合)包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
層92用作源極和漏極94和96之間的通道。層92(如，共軛分子組件)的電導(dǎo)通過柵電極100(可以是變質(zhì)性摻雜的硅層)而穿過電絕緣層98，如薄SiO2膜進(jìn)行調(diào)整，所有的都在基材102上制造。在這種情況下，電極94可沉積在共軛分子組件的上面。
圖14A說明根據(jù)本發(fā)明的二端子橫向傳感器器件1400的橫截面視圖。該器件1400包括在基材128上制造的活性傳感介質(zhì)層114(在電極116和118之間)，它用作電極116和118之間的活性傳感介質(zhì)。活性層114(如，與基材128或電極116和118之一或兩者相結(jié)合)包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
如圖14A所示，器件1400中的共軛分子組件100可包括表示為化學(xué)結(jié)構(gòu)式21(上述)的延伸共軛分子，該分子被官能化(如，使用對(duì)分析物124敏感的受體122)以提供所需敏感度。
圖14B顯示按照本發(fā)明的三端子橫向電子器件1450(如晶體管構(gòu)型)的橫截面視圖。器件1450包括共軛分子組件層132，后者(如，與絕緣體138或電極134和136之一或兩者相結(jié)合)包括根據(jù)本發(fā)明的共軛分子組件100。
層132用作源極和漏極136和134之間的通道。如圖14B所示，器件1450中的共軛分子組件100可包括表示為化學(xué)結(jié)構(gòu)式21(上述)的延伸共軛分子，該分子被官能化(如，使用對(duì)分析物146敏感的受體144)以提供所需敏感度。共軛分子組件的電導(dǎo)可通過柵電極140(可以是變質(zhì)性摻雜的硅層)而穿過電絕緣層138，如薄SiO2膜進(jìn)行調(diào)整，所有的都在基材152上制造。根據(jù)本發(fā)明，共軛分子組件可通過逐步構(gòu)造通過從溶液中沉積化合物而形成。該低成本的溶液基沉積與便宜的大面積電子應(yīng)用相適應(yīng)。另外，低溫沉積條件與用于柔性電子場(chǎng)合的各種基材材料(包括塑料)相適應(yīng)。
另外，本發(fā)明提供了一種具有通過逐步構(gòu)造制備的延伸共軛分子組件層(如，絕緣層)的分子電子器件。絕緣層可位于基材上或可被引入分子中。
利用其獨(dú)特的和新穎的特點(diǎn)，本發(fā)明包括一種共軛分子組件(和制造該組件的方法)，所述組件包括具有長(zhǎng)分子長(zhǎng)度的分子(如，延伸共軛分子)和允許寬范圍的官能度。本發(fā)明還提供一種具有改進(jìn)的電性能或傳感器性能的改進(jìn)的分子器件。
盡管本發(fā)明已根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方案描述，但本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可在所附權(quán)利要求的主旨和范圍內(nèi)進(jìn)行改進(jìn)實(shí)施。具體地，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，本文的附圖意味著說明性的，且本發(fā)明組件的設(shè)計(jì)不限于本文所公開的，而是可在本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi)加以改變。
另外，申請(qǐng)人希望包括所有權(quán)利要求要素的等同物，且對(duì)本申請(qǐng)任何權(quán)利要求的修改都不應(yīng)被理解為放棄對(duì)所修改的權(quán)利要求的任何要素或特征的等同物的興趣或權(quán)利。
權(quán)利要求
1.一種用于制備延伸共軛分子組件的方法，所述方法包括在基材的表面上施用第一分子化合物G1-分子1-G2，其中G1包含第一官能團(tuán)，G2包含第二官能團(tuán)，和分子1包含鍵接至G1和G2上的共軛有機(jī)基團(tuán)；和使所述第一分子化合物與第二分子化合物G3-分子2-G4反應(yīng)，其中G3包含第三官能團(tuán)，G4包含第四官能團(tuán)，和分子2包含鍵接至G3和G4上的共軛有機(jī)基團(tuán)，以形成在所述基材上的延伸共軛分子G1-分子1-分子2-G4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一官能團(tuán)G1與所述基材相互作用，和其中所述第二官能團(tuán)G2和所述第三官能團(tuán)G3被所述第一和第二分子化合物中的碳原子之間的共價(jià)鍵替代。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括至少一次順序使所述延伸共軛分子與附加的分子化合物反應(yīng)以進(jìn)一步延伸所述分子組件，其中所述第四官能團(tuán)G4與所述附加的分子化合物相互作用。
4.一種用于制備延伸共軛分子組件的方法，所述方法包括在基材的表面上施用第一分子化合物G1-分子1，其中G1包含第一官能團(tuán)，和分子1包含鍵接至G1上的官能有機(jī)基團(tuán)；處理所述第一分子化合物G1-分子1的末端以形成在所述基材上的第二分子化合物G1-分子1-G2，其中G2包含第二官能團(tuán)；和使所述第二分子化合物與第三分子化合物G3-分子2反應(yīng)以形成在所述基材上的延伸共軛分子G1-分子1-分子2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，進(jìn)一步包括使用官能團(tuán)G4制備所述第二分子化合物和所述延伸共軛分子之一的末端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述共軛有機(jī)基團(tuán)分子1和所述共軛有機(jī)基團(tuán)分子2中的至少一種選自噻吩，噻吩-s-氧化物，亞苯基，亞苯基亞乙烯基，苯基乙炔，乙炔，吡咯，苯胺，卟啉，和其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一分子化合物包含表示為以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式的分子
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一分子化合物包含表示為以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式的分子
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一官能團(tuán)G1選自氧化膦，膦酸，異羥肟酸，亞磷酸酯，磷酸酯，膦嗪，疊氮化物，肼，磺酸，硫化物，二硫化物，醛，酮，硅烷，鍺烷，胂，腈，異氰化物，異氰酸酯，硫氰酸酯，異硫氰酸酯，酰胺，醇，硒醇，硝基，硼酸，醚，硫醚，氨基甲酸酯，硫代氨基甲酸酯，二硫代氨基甲酸酯，二硫代羧酸酯，黃原酸酯，硫代黃原酸酯，烷基硫代磷酸酯，二烷基二硫代磷酸酯和其任何組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二官能團(tuán)G2選自鹵素，三烷基錫，重氮，乙炔基，硼酸，鹵化鋅，氫，和乙烯基。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述基材包含金屬，金屬氧化物，半導(dǎo)體，金屬合金，半導(dǎo)體合金，聚合物，有機(jī)固體和其任何組合中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中順序使所述延伸共軛分子與所述附加的分子反應(yīng)重復(fù)1至60次。
13.一種分子器件，包括基材；鄰近所述基材的源區(qū)和漏區(qū)；和包含在所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間形成的延伸共軛分子的分子介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的分子器件，其中所述源區(qū)和所述漏區(qū)包括電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的分子器件，其中所述源區(qū)和漏區(qū)和所述分子介質(zhì)在所述基材上形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的分子器件，進(jìn)一步包括鄰近所述基材的柵區(qū)；和在所述柵區(qū)和所述源區(qū)和漏區(qū)之間形成的電絕緣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的分子器件，其中所述柵區(qū)被設(shè)置在基材上和在所述絕緣層的下方。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的分子器件，其中所述源區(qū)，所述漏區(qū)和所述分子介質(zhì)被設(shè)置在所述絕緣層上，和其中所述絕緣層被設(shè)置在所述基材上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的分子器件，其中所述源區(qū)，所述漏區(qū)和所述分子介質(zhì)被垂直設(shè)置在電絕緣基材上。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的分子器件，其中所述延伸共軛分子連接到所述電絕緣層，所述源區(qū)，和所述漏區(qū)之一以形成延伸共軛分子組件。
21.一種共軛分子組件，包括基材；和連接到所述基材上的延伸共軛分子，所述延伸共軛分子包含具有連接到所述基材上的第一官能團(tuán)的第一共軛分子；和共價(jià)鍵接至所述第一共軛分子上的第二共軛分子。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的組件，其中所述第二共軛分子在所述第一共軛分子連接到所述基材上之后共價(jià)鍵接至所述第一共軛分子上。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的組件，其中所述延伸共軛分子具有至少4nm的長(zhǎng)度。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的組件，其中所述延伸共軛分子包含給體基團(tuán)和受體基團(tuán)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的組件，其中所述延伸共軛分子包含氧化還原-活性化合物。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的組件，其中所述延伸共軛分子被對(duì)分析物敏感的受體官能化。
27.一種制造共軛分子組件的方法，包括將具有第一官能團(tuán)的第一共軛分子施用在基材上；和將第二共軛分子共價(jià)鍵接至所述第一共軛分子上以形成延伸共軛分子。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中所述施用所述第一共軛分子包括從溶液中沉積所述第一共軛分子。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中所述施用所述第一共軛分子包括將所述第一官能團(tuán)連接至所述基材上。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中所述共價(jià)鍵接所述第二共軛分子包括將第二官能團(tuán)連接至所述第一共軛分子上；和將所述第二官能團(tuán)用所述第二共軛分子替代。
全文摘要
一種共軛分子組件包括基材(100)和連接到基材上的延伸共軛分子(120)，所述延伸共軛分子(120)包括具有用于連接至基材(100)上的第一官能團(tuán)(G1)的第一共軛分子(130)，和共價(jià)鍵接至第一共軛分子上的第二共軛分子(140)。
文檔編號(hào)H01L51/40GK1761532SQ200480007589
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月21日
發(fā)明者A·阿弗扎里-阿達(dá)卡尼, C·R·卡甘 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司