專利名稱：：有機薄膜晶體管及其制造方法、以及使用了它的有源矩陣型顯示器和無線識別標簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及含有由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層的有機薄膜晶體管及其制造方法、以及使用了它的有源矩陣型顯示器和無線識別標簽。
背景技術(shù)：
：目前，薄膜晶體管(以下稱作“TFT”)被用作有源矩陣型液晶顯示器等驅(qū)動元件。TFT的結(jié)構(gòu)一般具有下述構(gòu)成，通過相對于半導(dǎo)體層經(jīng)由絕緣層而設(shè)置的柵極所施加的電場，可以控制與半導(dǎo)體層相接觸而設(shè)置的源極和漏極之間流過的電流。作為目前已實用化的TFT的半導(dǎo)體層的構(gòu)成材料，在晶體硅中使用雖然特性方面較差但較便宜的非晶硅或低溫多晶硅等。此外，作為目前已實用化的TFT的絕緣層的構(gòu)成材料，使用氧化硅或氮化硅等。使用這些構(gòu)成材料的TFT的制造過程，由于需要在等離子化學(xué)蒸鍍法(等離子CVD法)等中使用的大規(guī)模裝置、用于精密加工的薄膜控制裝置，所以是高成本的過程，此外，由于一般包含超過350℃的處理溫度的過程，所以在可以使用的材料方面有限制。另一方面，近年來，有機半導(dǎo)體作為TFT用的半導(dǎo)體材料而受到關(guān)注，提出了使用該有機半導(dǎo)體的各種結(jié)構(gòu)的TFT(以下稱作有機“TFT”)。有機半導(dǎo)體與上述無機類的半導(dǎo)體相比，具有可以通過旋轉(zhuǎn)涂布法、噴墨印刷法、浸漬涂布法等低成本過程成膜的可能性，還可以期待在低溫過程下的成膜。此外，通過使用上述低成本過程及低溫過程，能夠?qū)θ嵝缘幕迳稀⒒虼竺娣e的基板上形成TFT，由此，可期待向薄片般或紙般的顯示器或大屏幕顯示器等的用途擴大。此外，有機TFT由于能夠薄型化及輕量化，所以還可以期待向無線頻率識別(RadioFrequencyIdentification(RFID))標簽等無線識別標簽的應(yīng)用。進而，作為上述有機半導(dǎo)體，記載有使用了動作電壓較低、且能夠提高載流子的遷移率的并五苯的有機TFT(參照例如特開2000-269515號公報(以下稱作專利文獻1)、及“C.D.Dimitrakopoulos等，《OrganicThinFilmTransistorsAReviewofRecentAdvances》，IBMJ.RES.&DEV.，VOL.45，NO.1，JAN2001，p19.Fig.7”(以下稱作非專利文獻1)圖7是表示以往的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖7所示，有機TFT100具有基板101、設(shè)在基板101上的柵極102、依次層疊在基板101及柵極102上的柵絕緣層103及半導(dǎo)體層104、和在半導(dǎo)體層104上分開地設(shè)置的源極105及漏極106。并且，柵極102與半導(dǎo)體層104的場效應(yīng)溝道(channel)104a面對設(shè)置。在有機TFT100的制造方法中，首先，在基板101上通過例如蒸鍍法等設(shè)置金屬電極作為柵極102。接著，在柵極102上通過例如濺射法等設(shè)置無機氧化物質(zhì)作為柵絕緣層103。接著，在柵絕緣層103上通過例如蒸鍍法等設(shè)置有機半導(dǎo)體層作為半導(dǎo)體層104。然后，在半導(dǎo)體層104上通過例如蒸鍍法等設(shè)置金屬電極作為柵極105及漏極106，從而得到有機TFT100。在非專利文獻1中，提出了一種將基板101的溫度保持為室溫(27℃)，并在柵絕緣層103上以6nm/分的蒸鍍速度蒸鍍并五苯而形成半導(dǎo)體層104的有機TFT100。在上述有機TFT100中，場效應(yīng)溝道104a的載流子的遷移率為0.6cm2/Vs，得到了較高的值。但是，構(gòu)成上述有機TFT100的半導(dǎo)體層104的并五苯晶體由于其晶體結(jié)構(gòu)是熱不穩(wěn)定的，所以如果在高溫下長時間放置，則晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，且載流子的遷移率有可能隨時間的變化而變差。圖8是用來說明構(gòu)成上述有機TFT100的半導(dǎo)體層104的并五苯晶體的晶體結(jié)構(gòu)因熱而發(fā)生變化的現(xiàn)象的示意圖，圖8A表示加熱前、圖8B表示在60℃下加熱100小時后的狀態(tài)。由本發(fā)明者們使用X射線衍射法確認了以下變化，加熱前的并五苯P的晶體結(jié)構(gòu)(參照圖8A)具有單一的晶相110，而在加熱后，一部分晶體結(jié)構(gòu)變化為更穩(wěn)定的晶相111(參照圖8B)。其結(jié)果是，因在晶相110與晶相111之間113中產(chǎn)生的許多晶界，載流子的遷移率從0.6cm2/Vs變差到0.001cm2/Vs或以下。此外，在專利文獻1中，提出了與上述非專利文獻1相同發(fā)現(xiàn)的有機TFT及其制造方法，但對于專利文獻1的有機TFT，由于構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)是熱不穩(wěn)定的，所以與非專利文獻1一樣，載流子的遷移率也有可能隨時間的變化而變差。
發(fā)明內(nèi)容鑒于這種狀況，本發(fā)明提供一種能夠抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差的有機TFT及其制造方法、以及使用了它的有源矩陣型顯示器和無線識別標簽。本發(fā)明的有機TFT具有基板和設(shè)置在上述基板上的由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層，其特征在于，上述半導(dǎo)體層由上述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成；上述晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶(bulkcrystals)的晶相相同。這里，所謂的“有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶”是指，一邊使有機半導(dǎo)體氣化并在規(guī)定的析出溫度下緩慢冷卻，一邊析出的塊晶，在27℃和180℃之間晶相實質(zhì)上不發(fā)生變化。具體地說，在以晶體的27℃的X射線衍射圖案的衍射線的峰值強度為基準時，在27℃和180℃之間，在相同峰值位置的衍射線強度維持在90～110％的范圍內(nèi)的情況下，將上述晶體稱作能量最穩(wěn)定的塊晶。其中，在晶體從27℃到180℃之間變化為液體或氣體的情況下，在比從27℃變化為液體或氣體的溫度低20℃的溫度為止的范圍內(nèi)，在相同峰值位置的衍射線強度維持在90～110％的范圍內(nèi)的情況下，將上述晶體稱作能量最穩(wěn)定的塊晶。此外，所謂的“與有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶相同”是指與能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同的晶相占由上述有機半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體的90％或以上。本發(fā)明的有機TFT的制造方法是在基板上蒸鍍有機半導(dǎo)體而形成半導(dǎo)體層的有機TFT的制造方法，其特征在于，在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體時，將上述基板的溫度保持在40～150℃的范圍內(nèi)，以0.1～1nm/分的蒸鍍速度進行蒸鍍。本發(fā)明的有源矩陣型顯示器，其中，配置有多個本發(fā)明的有機薄膜晶體管作為像素的開關(guān)元件。本發(fā)明的無線識別標簽是具有集成電路部分的無線識別標簽，其特征在于，在上述集成電路部分中設(shè)置有權(quán)利要求1所述的有機TFT。圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT的制造方法的流程圖。圖3是表示有關(guān)本發(fā)明的第2實施方案的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4是表示有關(guān)本發(fā)明的第3實施方案的有源矩陣型顯示器的部分剖開立體圖。圖5是表示有關(guān)本發(fā)明的第4實施方案的無線識別標簽的立體圖。圖6是表示并五苯晶體的X射線衍射圖案的圖，圖6A表示并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案，圖6B表示構(gòu)成本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案，圖6C表示構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案，圖6D表示構(gòu)成比較例2的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案。圖7是表示以往的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖8是用來說明構(gòu)成以往的有機TFT100的有機半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)因熱而發(fā)生變化的現(xiàn)象的示意圖，圖8A表示加熱前、圖8B表示在60℃下加熱100小時后的狀態(tài)。具體實施例方式本發(fā)明的有機TFT具有基板和設(shè)置在上述基板上的由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層。上述基板沒有特別的限制，但優(yōu)選為可薄膜化及輕量化的塑料板、以及能夠提高機械柔性及耐沖擊性的塑料膜。作為上述塑料板或上述塑料膜的材料，優(yōu)選為聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯等芳香族聚酯、聚縮醛、聚脲、聚苯砜、聚碳酸脂等。此外，上述基板的優(yōu)選的厚度是0.02～2nm。作為上述有機半導(dǎo)體，優(yōu)選使用π共軛低聚物等低分子有機半導(dǎo)體材料、π共軛聚合物等高分子有機半導(dǎo)體材料等。特別優(yōu)選為包含并苯類材料、酞菁類材料、噻吩類材料中的至少一種材料的有機半導(dǎo)體。作為上述并苯類材料，優(yōu)選為并五苯。此外，作為上述酞菁類材料，優(yōu)選為中心配位有金屬的酞菁絡(luò)合物，作為中心金屬，從電氣特性和保存穩(wěn)定性的角度出發(fā)，優(yōu)選為銅、鐵、鎳、鈷、鋅等單一的金屬或鈦、釩等的金屬復(fù)合體等。此外，作為上述噻吩類材料，可以利用低聚噻吩或聚噻吩，從結(jié)晶性或保存性的角度出發(fā)，可以優(yōu)選使用在側(cè)鏈或末端導(dǎo)入了烷基等官能團。進一步也可以使用噻吩類單體與其它的單體的共聚物。具體地說，可以列舉出聚(芴-CO-并噻吩)、聚(3-烷基噻吩)、聚二氧乙烯噻吩(poly(ethylenedioxythiothene))等。另外，由上述有機半導(dǎo)體構(gòu)成的上述半導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選為0.03～1μm。特別是，在頂柵(topgate)構(gòu)造的有機TFT的情況下，優(yōu)選的是，上述半導(dǎo)體層的厚度為0.03～0.3μm。并且，本發(fā)明的有機TFT的特征在于，上述半導(dǎo)體層由上述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成，上述晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。由此，能夠防止構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的晶相的變化，抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)有機TFT的長壽命化。另外，作為晶相的確認方法，可以通過例如X射線衍射法或吸光分析法等分析手段來進行。此外，本發(fā)明的有機TFT優(yōu)選為，表示構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的X射線衍射圖案中的最大峰值強度值的衍射線的峰值位置與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案中的任一個衍射線的峰值位置一致。由此，構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體與上述塊晶的晶相的同一性變得明確，能夠可靠地抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。進而，更優(yōu)選為，在構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的X射線衍射圖案中，來自于表示上述最大峰值強度值的晶相的衍射線的合計強度值為所有衍射線的合計強度值的90～100％。由此，構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體與上述塊晶的晶相的同一性變得更明確，能夠更可靠地抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。此外，本發(fā)明的有機TFT也可以具有以下構(gòu)成，使用并五苯作為上述有機半導(dǎo)體，在構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的X射線衍射圖案中，在上述晶體的晶面的面間隔為d的情況下，在d為1.43nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。由此，能夠提高抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差的效果。此外，本發(fā)明的有機TFT也可以具有以下構(gòu)成，使用銅酞菁作為上述有機半導(dǎo)體，在構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的X射線衍射圖案中，在d為1.25nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。由此，能夠提高抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差的效果。此外，本發(fā)明的有機TFT也可以具有以下構(gòu)成，使用六噻吩作為上述有機半導(dǎo)體，在構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的上述晶體的X射線衍射圖案中，在d為2.24nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。由此，能夠提高抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差的效果。此外，本發(fā)明的有機TFT優(yōu)選為，還具有對上述半導(dǎo)體層進行電荷的授受的電極，上述電極由金屬及導(dǎo)電性高分子中的至少任意一種形成。如果使用金屬及導(dǎo)電性高分子中的至少任意一種作為電極材料，則可以更平穩(wěn)地進行上述半導(dǎo)體層與上述電極之間的電荷的授受。另外，上述電極是例如與上述半導(dǎo)體層接觸、且相互分開而形成的源極和漏極。此外，作為可以在上述電極中使用的合適的金屬材料，可以列舉出例如金、銅、鎳、鋁、鈦、鉬等。此外，作為可以在上述電極中使用的合適的導(dǎo)電性高分子材料，可以列舉出例如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚亞苯基亞乙烯基等。此外，上述電極的厚度優(yōu)選為0.03～0.3μm。此外，本發(fā)明的有機TFT的制造方法是在基板上蒸鍍有機半導(dǎo)體而形成半導(dǎo)體層的有機TFT的制造方法，其特征在于，在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體時，將上述基板的溫度保持在40～150℃、優(yōu)選為50～90℃的范圍內(nèi)，以0.1～1nm/分、優(yōu)選為以0.1～0.5nm/分的蒸鍍速度蒸鍍。根據(jù)該制造方法，能夠?qū)?gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體層的晶體容易地形成具有與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶相同的晶相的有機TFT。另外，上述基板及上述有機半導(dǎo)體的材料可以使用與上述本發(fā)明的有機TFT的構(gòu)成材料相同的材料。此外，本發(fā)明的有機TFT的制造方法也可以在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體而形成上述半導(dǎo)體層后，將上述半導(dǎo)體層緩慢冷卻。由此，能夠使構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體的晶體穩(wěn)定化，有效地抑制上述晶體的晶相的變化。此外，優(yōu)選的是，在上述制造方法中，在將上述半導(dǎo)體層緩慢冷卻時，使上述半導(dǎo)體層周圍的環(huán)境溫度以1℃/分或以下的速度降溫，更優(yōu)選為以0.2℃/分或以下的速度降溫。由此，能夠更容易地使上述晶體穩(wěn)定化。此外，本發(fā)明的有機TFT的制造方法也可以在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體而形成上述半導(dǎo)體層后，將上述基板的溫度保持在50～150℃的范圍內(nèi)，將上述半導(dǎo)體層熱處理。由此，也能夠使構(gòu)成上述半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體的晶體穩(wěn)定化。此外，本發(fā)明的有機TFT的制造方法也可以在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體而形成上述半導(dǎo)體層后，將上述基板的溫度保持在45℃或以下，在上述半導(dǎo)體層上蒸鍍電極材料而形成電極。由此，能夠抑制電極材料包覆時有機半導(dǎo)體的損傷，能夠形成特性更穩(wěn)定的有機TFT。另外，作為上述電極材料，可以使用與上述本發(fā)明的有機TFT的構(gòu)成材料相同的材料。本發(fā)明的有源矩陣型顯示器，其中作為像素的開關(guān)元件，配置了多個本發(fā)明的有機TFT。此外，本發(fā)明的無線識別標簽是具有集成電路部分的無線識別標簽，其特征在于，在上述集成電路部分中設(shè)置有本發(fā)明的有機TFT。本發(fā)明的有源矩陣型顯示器及無線識別標簽都具有上述的本發(fā)明的有機TFT。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)有機TFT的長壽命化，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品本身的長壽命化。另外，作為本發(fā)明的有源矩陣型顯示器，可以列舉出例如液晶顯示方式、電泳成像顯示方式、有機EL方式、電致變色顯示(ECD)、電解沉積方式、電子粉流體方式、微電子機械系統(tǒng)(MEMS)方式等。此外，作為本發(fā)明的無線識別標簽，可以列舉出例如無線頻率識別(RadioFrequencyIdentification(RFID))標簽等。下面參照本發(fā)明的實施方案。(第1實施方案)首先，說明有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT。說參照的圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖1所示，有機TFT1具有基板11、設(shè)在基板11上的柵極12、依次層疊在基板11及柵極12上的柵絕緣層13以及由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層14、分開地設(shè)置在半導(dǎo)體層14上的源極15及漏極16。此外，柵極12與半導(dǎo)體層14的場效應(yīng)溝道14a面對配置。并且，半導(dǎo)體層14由上述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成，上述晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。由此，能夠防止構(gòu)成半導(dǎo)體層14的上述晶體的晶相的變化，并能夠抑制場效應(yīng)溝道14a的載流子的遷移率隨時間的變化而變差。可以在柵極12、源極15以及漏極16中使用的物質(zhì)，只要是導(dǎo)電性材料、且不與基板材料或有機半導(dǎo)體材料反應(yīng)的材料就可以，沒有特別的限制。例如，可以使用金、鉑、鈀等貴金屬、堿土類金屬、銅、鎳、鋁、鈦、鉬等金屬、以及它們的合金等。此外，還可以使用聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚亞苯基亞乙烯基等導(dǎo)電性高分子或摻雜了特定的雜質(zhì)的硅。特別是，柵極12即使是比其它電極電阻大的材料也能夠動作，所以在例如以使制造變?nèi)菀诪槟康南?，也可以使用與柵極15及漏極16不同的材料。作為柵絕緣層13的材料，可以使用鋯鈦酸鋇(BZT)等無機氧化物等。BZT由于導(dǎo)電率較高，所以能夠提高載流子的遷移率。作為使用了無機氧化物的柵絕緣層13的形成手段，可以使用低溫下的濺射法、旋轉(zhuǎn)法、蒸鍍法、激光燒蝕法等手段。這些方法由于能夠用250℃或以下的低溫程序形成柵絕緣層13，所以在將塑料板或塑料膜等用作基板的情況下特別優(yōu)選。此外，作為柵絕緣層13的材料，可以使用高分子材料等有機絕緣材料。在這種情況下，作為柵絕緣層13的形成手段，優(yōu)選為旋轉(zhuǎn)涂布法、噴墨印刷法、電鍍法等低溫程序。另外，柵絕緣層13的材料，除了上述材料以外，只要是不與電極材料及有機半導(dǎo)體材料反應(yīng)的電絕緣材料就可以使用。此外，為了降低有機TFT1的柵電壓，也可以將介電常數(shù)較高的物質(zhì)用作柵絕緣層13的材料。例如也可以使用美國專利5981970號中所例示的那樣的強介電常數(shù)的化合物。另外，并不限于無機物，也可以使用聚偏氟乙烯類、聚偏二氰乙烯類等介電常數(shù)較高的有機物。接著，參照圖1及圖2說明有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT1的制造方法的一例。圖2是表示有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT1的制造方法的流程圖。如圖2所示，首先，在基板11(參照圖1)上，掩模蒸鍍例如金等金屬而形成柵極12(參照圖1)(步驟S1)。接著，在基板11及柵極12上，通過濺射法層疊例如BZT等無機氧化物而形成柵絕緣層13(參照圖1)(步驟S2)。接著，將基板11的溫度保持在40～150℃的范圍內(nèi)，在柵絕緣層13上以0.1～1nm/分的蒸鍍速度蒸鍍并五苯等有機半導(dǎo)體而形成半導(dǎo)體層14(參照圖1)(步驟S3)。接著，以1℃/分或以下的速度使半導(dǎo)體層14周圍的環(huán)境溫度降溫，對半導(dǎo)體層14進行緩慢冷卻(步驟S4)。由此，使構(gòu)成半導(dǎo)體層14的有機半導(dǎo)體的晶體穩(wěn)定化。接著，將基板11的溫度保持在50～150℃的范圍內(nèi)，對半導(dǎo)體層14進行熱處理(步驟S5)。由此，使上述晶體更加穩(wěn)定化。最后，在半導(dǎo)體層14上掩模蒸鍍例如金等金屬而形成源極15及漏極16(參照圖1)(步驟S6)，從而得到有機TFT1。另外，在蒸鍍源極15及漏極16的電極材料時，如果在將基板11的溫度保持在45℃或以下的狀態(tài)下進行，則能夠抑制電極材料包覆時的有機半導(dǎo)體的損傷，能夠形成特性更穩(wěn)定的有機TFT1。以上說明了有關(guān)本發(fā)明的第1實施方案的有機TFT1的制造方法的一例，但本發(fā)明并不限于此，也可以是省略了上述步驟S4及上述步驟S5的制造方法。(第2實施方案)接著說明有關(guān)本發(fā)明的第2實施方案的有機TFT。所參照的圖3是表示有關(guān)本發(fā)明的第2實施方案的有機TFT的結(jié)構(gòu)的剖視圖。另外，對于與有關(guān)上述第1實施方案的有機TFT(參照圖1)相同的構(gòu)成要素記作相同的標號，省略其說明。如圖3所示，有機TFT2具有基板11、設(shè)在基板11上的柵極12、依次層疊在基板11及柵極12上的柵絕緣層13、分開地設(shè)置在柵絕緣層13上的源極15及漏極16、層疊在柵絕緣層13、源極15及漏極16上的由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層14。此外，柵極12與半導(dǎo)體層14的場效應(yīng)溝道14a面對配置。并且，半導(dǎo)體層14由上述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成，上述晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。由此，能夠防止構(gòu)成半導(dǎo)體層14的上述晶體的晶相的變化，并能夠抑制場效應(yīng)溝道14a的載流子的遷移率隨時間的變化而變差。另外，有關(guān)第2實施方案的有機TFT2相對于第1實施方案只有各層的配置不同，所以能夠用與上述有機TFT1的制造方法同樣的方法來制造，因此對于有機TFT2的制造方法省略說明。(第3實施方案)接著，參照本發(fā)明的第3實施方案。所參照的圖4是有關(guān)第3實施方案的有源矩陣型顯示器(有機EL顯示器)的部分剖開立體圖。如圖4所示，有源矩陣型顯示器(以下只稱作“顯示器”)3具有塑料基板31；在塑料基板31上以矩陣狀配置了多個的像素電極32；與像素電極32連接、且在塑料基板31上以陣列狀配置了多個的有機TFT驅(qū)動電路33；依次層疊在像素電極32及有機TFT驅(qū)動電路33上的有機EL層34、透明電極35和保護膜36；與各有機TFT驅(qū)動電路33和控制電路(未圖示)連接的多根源極線37和柵極線38。這里，層疊電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層等各層而構(gòu)成有機EL層34。并且，顯示器3在各有機TFT驅(qū)動電路33中，作為像素的開關(guān)元件，設(shè)有上述第1及第2實施方案中的任一種的有機TFT。這樣，顯示器3由于設(shè)有抑制了載流子的遷移率隨時間的變化而變差的本發(fā)明的有機TFT作為像素的開關(guān)元件，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有機TFT的長壽命化，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示器本身的長壽命化。以上說明了有關(guān)本發(fā)明的一個實施方案的顯示器，但本發(fā)明并不限于此。例如，雖然在上述實施方案中說明了使用了有機EL的顯示器，但也可以是具有液晶顯示元件等其它顯示元件的顯示器。(第4實施方案)接著，參照本發(fā)明的第4實施方案。所參照的圖5是有關(guān)第4實施方案的無線識別標簽的立體圖。如圖5所示，無線識別標簽4具有膜狀的塑料基板41和設(shè)置在塑料基板41上的天線部42及集成電路部分43。并且，在集成電路部分43中設(shè)有有關(guān)上述第1及第2實施方案的任一種的有機TFT。這樣，無線識別標簽4由于在集成電路部分43中設(shè)置有抑制了載流子的遷移率隨時間的變化而變差的本發(fā)明的有機TFT，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有機TFT的長壽命化，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)無線識別標簽本身的長壽命化。另外，無線識別標簽4也可以在表面上進一步具有保護膜。以上說明了有關(guān)本發(fā)明的一實施方案的無線識別標簽，但本發(fā)明并不限于此。例如，天線部及集成電路部分的配置及結(jié)構(gòu)可以任意地設(shè)定。此外，也可以進一步裝入邏輯電路部。以下說明本發(fā)明的實施例。另外，本發(fā)明并不限于該實施例。(實施例1)首先，參照圖1說明上述本發(fā)明的第1實施方案的實施例即實施例1。關(guān)于所使用的材料，使用厚度為0.25mm的聚酰亞胺作為基板11，使用聚酰亞胺作為構(gòu)成柵絕緣層13的有機絕緣材料，使用并五苯(Aldrich公司制)作為構(gòu)成半導(dǎo)體層14的有機半導(dǎo)體材料，使用金作為構(gòu)成柵極12、源極15及漏極16的導(dǎo)電材料。對于實施例1的制造方法，首先，通過掩模蒸鍍在基板11上蒸鍍金，形成柵極12(厚度50nm)。接著，在基板11及柵極12上旋轉(zhuǎn)涂布聚酰亞胺前體(Kyocera化學(xué)公司制造的CT4112)。將其在60℃下干燥15分鐘，接著在180℃下加熱1小時而使其固化，形成柵絕緣層13。所得到的柵絕緣層13的厚度為0.75μm。接著，將基板11的溫度保持為70℃，在柵絕緣層13上以0.1nm/分的蒸鍍速度蒸鍍并五苯，形成半導(dǎo)體層14(厚度70nm)。接著，通過掩模蒸鍍在半導(dǎo)體層14上蒸鍍金，形成源極15(厚度50nm)及漏極16(厚度50nm)，從而得到實施例1的有機TFT1。另外，源極15與漏極16的距離(溝道長)為100μm，源極15與漏極16的對置寬度(溝道寬度)為2mm)。(比較例1及比較例2)作為比較例，除了將基板的溫度保持為27℃(比較例1)及50℃(比較例2)、以6nm/分的蒸鍍速度在柵絕緣層上蒸鍍并五苯而形成半導(dǎo)體層以外，通過與上述實施例1同樣的方法，制造比較例1及比較例2的有機TFT。(通過X射線衍射法進行的晶相的確認)對于實施例1、比較例1及比較例2，測量構(gòu)成半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案。X射線衍射圖案的測量是使用RigakuRU200(Rigaku公司制造的型號RU200)通過CuKα射線(波長λ＝0.15418nm)來進行的。此外，作為參照例，制造并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶，進行了X射線衍射圖案的測量。結(jié)果如圖6所示。在圖6中，圖6A表示上述塊晶的X射線衍射圖案，圖6B表示構(gòu)成實施例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案，圖6C表示構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案，圖6D表示構(gòu)成比較例2的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案(均為27℃下的數(shù)據(jù))。另外，上述并五苯的塊晶是通過以下的方法制造的。(上述并五苯的塊晶的制法)將并五苯的粉末裝入到石英玻璃管中，一邊用真空泵減壓一邊將石英玻璃管的裝入了并五苯的一側(cè)的端部加熱到200℃，將另一個端部加熱到60℃，使析出的石英玻璃管壁上具有溫度梯度，在石英玻璃管壁上以0.1mm或以上的厚度升華析出并五苯晶體。這是因為，以0.1mm或以上的厚度所析出的晶體難以受到石英玻璃管表面等的影響，所以能夠比較容易地得到能量最穩(wěn)定的晶體。接著，以0.15℃/分緩慢冷卻。另外，石英玻璃管內(nèi)的壓力為1.3×10-2Pa。此外，上述并五苯的塊晶的晶相的確認是如以下這樣進行的。(上述并五苯的塊晶的晶相的確認方法)在溫度可變型X射線試樣容器中裝入所得到的并五苯的塊晶粉末，通過θ-2θ法測量27℃及180℃下的粉末X射線衍射圖案。在所得到的X射線衍射圖案中，與實施例1中制造的有機TFT的半導(dǎo)體層的X射線衍射圖案中觀察到的強的衍射線對應(yīng)的是d為1.43nm的位置的衍射線。另外，在上述塊晶的情況下，可以觀察到d為0.44nm的位置的衍射線等比上述d為1.43nm的位置的衍射線更強的衍射線，但在有機TFT半導(dǎo)體層的情況下，由于晶體排列為使晶體取向相對于基板為特定的方向，所以在所限定的取向以外的衍射線不能觀測到。因此，在晶相的判斷中，對特定取向的d的值(在實施例1中，d為1.43nm)進行比較。另外，測量環(huán)境設(shè)定為在氮氣中、大氣壓(1.0×105Pa)。此外，在所制造的上述塊晶的X射線衍射圖案中，在以d為1.43nm的27℃下的衍射線強度為基準的情況下，將環(huán)境溫度以升溫速度為0.15℃/分提高到180℃后的相同的峰值位置的衍射線強度比率(升溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為98％，使環(huán)境溫度從180℃以0.15℃/分下降到27℃后的相同的峰值位置的衍射線強度比率(降溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為98％。如圖6B所示，構(gòu)成實施例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體在d為1.43nm的位置觀測到表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。此外，如圖6A所示，即使在并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案中，在相同的d為1.43nm的位置也可以觀測到衍射線的峰值。進而，如圖6B所示，在構(gòu)成實施例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的X射線衍射圖案中，觀測不到可在d為1.43nm的位置上觀測到衍射線的晶相以外的晶相所產(chǎn)生的其它衍射線。此外，可在d為1.43nm的位置上被觀測到衍射線的晶相的衍射線的合計強度值為實施例1的X射線衍射圖案中的所有衍射線的合計強度值的90％或以上。從該結(jié)果可以確認，構(gòu)成實施例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的晶相與并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。另一方面，如圖6C所示，構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體，在d為1.55nm的位置上表示最大峰值強度值的衍射線的峰值可以被觀測到，該峰值位置的衍射線在并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案(參照圖6A)中沒有被觀測到。從該結(jié)果可以確認，構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的晶相是與并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相不同的晶相。此外，如圖6D所示，構(gòu)成比較例2的半導(dǎo)體層的并五苯晶體在d為1.55nm及d為1.43nm的位置上被觀測到峰值。從該結(jié)果可以確認，構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的晶相由并五苯的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相與構(gòu)成比較例1的半導(dǎo)體層的并五苯晶體的晶相構(gòu)成。另外，來自于在d為1.43nm的位置上被觀測到衍射線的晶相的衍射線的合計強度值為比較例2的X射線衍射圖案中的所有衍射線的合計強度值的45％。(高溫加速測試前后的晶相的變化)接著，對實施例1、比較例1及比較例2進行高溫加速測試(60℃×100小時)。進而，在測試前后測量X射線衍射圖案，分別計算以測試前的最大峰值強度值為基準時的相同峰值位置的衍射線強度比率(測試后的衍射線強度/測試前的衍射線強度×100，以下相同)。此外，在測試前后，用AGILENT4155C(Agilent公司制造，型號4155C)測量場效應(yīng)溝道的載流子的遷移率。結(jié)果在表1中表示。(表1)<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="693">衍射線強度比率載流子的遷移率(cm2/Vs)測試前測試后實施例199％(d＝1.43nm)0.40.06比較例160％(d＝1.55nm)0.60.001或以下比較例270％(d＝1.55nm)0.001或以下0.001或以下</table></tables>如表1所示，在比較例1中，衍射線強度比率為60％，在測試后，d為1.55nm的衍射線強度降低。此外，雖然在表1中沒有顯示，但隨著上述衍射線強度的降低，d為1.43nm的衍射線強度增大。從該結(jié)果可知，測試前的晶相的一部分變化為更穩(wěn)定的晶相(能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相)。由此，在晶相間產(chǎn)生較多的晶界，載流子的遷移率從0.6cm2/Vs變差到0.001cm2/Vs或以下。此外，在比較例2中，由于在測試前的階段具有多個晶相，所以其載流子的遷移率在測試前后都為0.001cm2/Vs或以下。另一方面，在實施例1中，衍射線強度比率為99％，在測試前后晶相幾乎沒有變化。此外，載流子的遷移率在測試前后從0.4cm2/Vs降低到0.06cm2/Vs，但與比較例1相比，能夠抑制載流子的遷移率變差的程度。這樣可以知道，根據(jù)本發(fā)明，通過使構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體(并五苯)的晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相為相同的晶相，能夠抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。(實施例2)接著，對相對于上述實施例1、構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體不相同的實施例2進行說明。實施例2的有機TFT，除了將基板的溫度保持在60℃、在柵絕緣層上以0.1nm/分的蒸鍍速度蒸鍍銅酞菁(Aldrich公司制造)而形成半導(dǎo)體層以外，通過與上述實施例1同樣的方法制造。(比較例3)作為比較例，除了將基板的溫度保持在30℃，在柵絕緣層上以6nm/分的蒸鍍速度蒸鍍銅酞菁而形成半導(dǎo)體層以外，通過與上述實施例2同樣的方法制造比較例3的有機TFT。(高溫加速測試前后的晶相的變化)接著，對實施例2及比較例3進行高溫加速測試(60℃×100小時)，與上述實施例1同樣，測量衍射線強度比率及載流子的遷移率。結(jié)果表示在表2中。(表2)如表2所示，在比較例3中，衍射線強度比率為63％，在測試后，d為1.30nm的衍射線強度降低。此外，雖然在表2中沒有表示，但隨著上述衍射線強度的降低，d為1.25nm的衍射線強度增大。從該結(jié)果可知，測試前的晶相的一部分變化為更穩(wěn)定的晶相。由此，在晶相間產(chǎn)生較多的晶界，載流子的遷移率從0.01cm2/Vs變差到0.001cm2/Vs或以下。另一方面，在實施例2中，衍射線強度比率為99％，在測試前后晶相幾乎沒有變化。此外，雖然沒有圖示，但在測試前的實施例2的X射線衍射圖案中，并沒有觀測到可在d為1.25nm的位置上觀測到衍射線的晶相以外的晶相所產(chǎn)生的其它衍射線。此外，來自于在d為1.25nm的位置上被觀測到衍射線的晶相的衍射線的合計強度值為實施例2的X射線衍射圖案中的所有衍射線的合計強度值的90％或以上。進而，上述d為1.25nm的位置的衍射線峰值在銅酞菁的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案中也被觀測到(未圖示)。即，可以確認構(gòu)成實施例2的半導(dǎo)體層的銅酞菁晶體的晶相與銅酞菁的能量最穩(wěn)定的晶相相同。此外，載流子的遷移率在測試前后從0.02cm2/Vs降低到0.01cm2/Vs，但與比較例3相比，能夠抑制載流子的遷移率的變差的程度。這樣，在實施例2中，也與實施例1同樣，通過使構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體(銅酞菁)的晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相為相同的晶相，能夠抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。另外，上述銅酞菁的塊晶通過以下的制法制造。(上述銅酞菁的塊晶的制法)將銅酞菁的粉末裝入石英玻璃管中，除了將石英玻璃管的裝入了銅酞菁側(cè)的端部加熱到320℃、使石英玻璃管內(nèi)的壓力為2.3×10-2Pa以外，在與上述制造并五苯的塊晶的方法相同的條件下進行操作。此外，在所制造的上述塊晶的X射線衍射圖案中，在以d為1.25nm的27℃的衍射線強度為基準的情況下，以升溫速度為0.15℃/分將環(huán)境溫度提高到180℃后的相同峰值位置的衍射線強度比率(升溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為99％，以將溫速度0.15℃/分將環(huán)境溫度從180℃降低到27℃后的相同峰值位置的衍射線強度比率(降溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為99％。(實施例3)接著，對相對于上述實施例1和實施例2、構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體不相同的實施例3進行說明。實施例3的有機TFT是除了將基板的溫度保持在60℃、在柵絕緣層上以0.1nm/分的蒸鍍速度蒸鍍六噻吩(sexithiophene，Aldrich公司制)而形成半導(dǎo)體層以外，通過與上述實施例1同樣的方法制造的。(高速加溫測試前后的晶相的變化)接著，對實施例3進行高溫加速測試(60℃×100小時)。與上述實施例1同樣，測量衍射線強度比率及載流子的遷移率。結(jié)果在表3中表示。(表3)在實施例3中，衍射線強度比率為99％，在測試前后晶相幾乎沒有變化。此外，雖然沒有圖示，但在測試前的實施例3的X射線衍射圖案中，并沒有觀測到可在d為2.24nm的位置上觀測到衍射線的晶相以外的晶相所產(chǎn)生的其它衍射線。此外，來自于在d為2.24nm的位置上可以觀測到衍射線的晶相的衍射線的合計強度值為實施例3的X射線衍射圖案的所有衍射線的合計強度值的90％或以上。進而，上述d為2.24nm的衍射線峰值在六噻吩的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案中也被觀測到(未圖示)。即，可以確認構(gòu)成實施例3的半導(dǎo)體層的六噻吩晶體的晶相與六噻吩的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。此外，載流子的遷移率雖然在測試前后從0.02cm2/Vs降低到0.01cm2/Vs，但能夠抑制載流子的遷移率的變差的程度。這樣，在實施例3中，也與實施例1和實施例2同樣，通過使構(gòu)成半導(dǎo)體層的有機半導(dǎo)體(六噻吩)的晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相為相同的晶相，能夠抑制載流子的遷移率隨時間的變化而變差。另外，上述六噻吩的塊晶通過以下的制法制造。(上述六噻吩的塊晶的制法)將六噻吩的薄片裝入石英玻璃管中，將石英玻璃管的裝入了六噻吩一側(cè)的端部加熱到240℃使石英玻璃管內(nèi)的壓力為1.6×10-2Pa以外，通過在與上述制造并五苯的塊晶的方法相同的條件下進行操作。此外，在所制造的上述塊晶的X射線衍射圖案中，在以d為2.24nm的27℃的衍射線強度為基準的情況下，以升溫速度為0.15℃/分將環(huán)境溫度提高到180℃后的相同峰值位置的衍射線強度比率(升溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為99％，以將溫速度0.15℃/分將環(huán)境溫度從180℃降低到27℃后的相同峰值位置的衍射線強度比率(降溫后的衍射線強度/初始的衍射線強度×100)為99％。以上說明了本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明并不限于上述實施例。例如，在上述實施例中使用了X射線衍射法作為晶相的確認方法，但也可以通過吸光分析法等其它分析手段來進行確認。此外，在上述實施例中，舉例說明了將柵極設(shè)在基板上的所謂底柵(bottomgate)構(gòu)造的有機TFT，但對于在基板上設(shè)置源極及漏極、再在其上依次設(shè)置半導(dǎo)體層、柵絕緣層及柵極的所謂的頂柵構(gòu)造的有機TFT，同樣也能夠?qū)嵤?。如以上說明那樣，本發(fā)明由于能夠抑制有機TFT的載流子的遷移率隨時間的變化而變差，所以可以適用于要求長壽命化的電子儀器中。權(quán)利要求1.一種有機薄膜晶體管，其具有基板和設(shè)置在所述基板上的由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層，其特征在于，所述半導(dǎo)體層由所述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成；所述晶體的晶相與所述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。2.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，表示構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的所述晶體的X射線衍射圖案的最大峰值強度值的衍射線的峰值位置與所述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的X射線衍射圖案的任意一個衍射線的峰值位置一致。3.如權(quán)利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，在構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的所述晶體的X射線衍射圖案中，來自于表示所述最大峰值強度值的晶相的衍射線的合計強度值為所有衍射線的合計強度值的90～100％。4.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導(dǎo)體包含并苯類材料、酞菁類材料、噻吩類材料中的至少一種材料。5.如權(quán)利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導(dǎo)體為并五苯；在構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的所述晶體的X射線衍射圖案中，在所述晶體的晶面的面間隔為d的情況下，在d為1.43nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。6.如權(quán)利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導(dǎo)體為銅酞菁；在構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的所述晶體的X射線衍射圖案中，在所述晶體的晶面的面間隔為d的情況下，在d為1.25nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。7.如權(quán)利要求2所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導(dǎo)體為六噻吩；在構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的所述晶體的X射線衍射圖案中，在所述晶體的晶面的面間隔為d的情況下，在d為2.24nm的位置上具有表示最大峰值強度值的衍射線的峰值。8.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述基板為塑料板。9.如權(quán)利要求8所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述塑料板由聚酰亞胺、芳香族聚酯、聚縮醛、聚脲及聚苯砜中的任一種材料構(gòu)成。10.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述基板為塑料膜。11.如權(quán)利要求10所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述塑料膜由聚酰亞胺、芳香族聚酯、聚縮醛、聚脲及聚苯砜中的任一種材料構(gòu)成。12.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機薄膜晶體管還具有對所述半導(dǎo)體層進行電荷的授受的電極；所述電極由金屬和導(dǎo)電性高分子中的至少任一種形成。13.如權(quán)利要求12所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述電極由金、銅、鎳、鋁、鈦、鉬、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚亞苯基亞乙烯基中的至少任一種材料形成。14.一種在基板上蒸鍍有機半導(dǎo)體而形成半導(dǎo)體層的有機薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在蒸鍍所述有機半導(dǎo)體時，將所述基板的溫度保持在40～150℃的范圍內(nèi)，以0.1～1nm/分的蒸鍍速度進行蒸鍍。15.如權(quán)利要求14所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在蒸鍍所述有機半導(dǎo)體而形成所述半導(dǎo)體層后，將所述半導(dǎo)體層緩慢冷卻。16.如權(quán)利要求15所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在將所述半導(dǎo)體層緩慢冷卻時，以1℃/分或以下的速度使所述半導(dǎo)體層的周圍的環(huán)境溫度降溫。17.如權(quán)利要求14所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在蒸鍍所述有機半導(dǎo)體而形成所述半導(dǎo)體層后，將所述基板的溫度保持在50～150℃的范圍內(nèi)，對所述半導(dǎo)體層進行熱處理。18.如權(quán)利要求14所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在蒸鍍所述有機半導(dǎo)體而形成所述半導(dǎo)體層后，將所述基板的溫度保持在45℃或以下，在所述半導(dǎo)體層上蒸鍍電極材料而形成電極。19.一種有源矩陣型顯示器，其中，配置有多個權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管作為像素的開關(guān)元件。20.一種具有集成電路部分的無線識別標簽，其特征在于，在所述集成電路部分中設(shè)置有權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管。全文摘要本發(fā)明提供一種有機薄膜晶體管，其具有基板(11)和設(shè)置在基板(11)上的由有機半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層(14)，半導(dǎo)體層(14)由上述有機半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成；上述晶體的晶相與上述有機半導(dǎo)體的能量最穩(wěn)定的塊晶的晶相相同。并且，本發(fā)明的有機薄膜晶體管的制造方法是在基板(11)上蒸鍍有機半導(dǎo)體而形成半導(dǎo)體層(14)的有機薄膜晶體管的制造方法，在蒸鍍上述有機半導(dǎo)體時，將基板(11)的溫度保持在40～150℃的范圍內(nèi)，以0.1～1nm/分的蒸鍍速度進行蒸鍍。文檔編號H01L51/00GK1823425SQ20048001983公開日2006年8月23日申請日期2004年7月8日優(yōu)先權(quán)日2003年7月10日發(fā)明者七井識成,山本伸一,河北哲郎申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社