專利名稱：電化學能源、電子器件及所述能源的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電化學能源，其包括至少一個以下組件第一電極、第二電極、以及分開所述第一電極和所述第二電極的中間固態(tài)電解質(zhì)。本發(fā)明還涉及設有這種電化學能源的電子器件。而且，本發(fā)明還涉及制造這種電化學能源的方法。
基于固態(tài)電解質(zhì)的電化學能源在本領域中是公知的。如開頭所述的那樣來構造這些(平面)能源或“固態(tài)電池”。固態(tài)電池有效地和干凈地將化學能直接轉換成電能，并且通常用作便攜式電子裝置的電源。在更低的級上，這種電池可以用于為例如微電子組件、尤其是集成電路(IC)提供電能。其例子在國際專利申請WO 00/25378中公開了，其中將固態(tài)薄膜微型電池直接制造在特定基板上。在該制造工藝期間，第一電極、中間固態(tài)電解質(zhì)和第二電極依次淀積在基板上。盡管與其它固態(tài)電池相比，已知的微型電池通常呈現(xiàn)出優(yōu)異的性能，但是已知的微型電池具有幾個缺點。WO 00/25378的已知微型電池的主要缺點在于它的制造工藝相對復雜，因此相對昂貴。
本發(fā)明的目的是提供一種改進的電化學能源，可以用相對簡單的方式對其進行構造和制造，同時保持已知電化學能源的優(yōu)點。
本發(fā)明的目的是通過根據(jù)開頭所述的電化學能源來實現(xiàn)的，其特征在于至少部分通過導電基板來形成所述第一電極，在該導電基板上淀積固態(tài)電解質(zhì)和第二電極。以這種方式，電子-導電基板還用作第一電極的至少一部分。與現(xiàn)有技術中已知的電池相比，所述基板和所述第一電極的至少一部分的集成通常導致更簡單的(微型)電池結構。而且，根據(jù)本發(fā)明制造能源的方法也更簡單，因為可以省略至少一個工藝步驟。根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)能源的相對簡單的制造方法還導致顯著地節(jié)省成本。優(yōu)選地，將固態(tài)電解質(zhì)和第二電極作為厚度大約在0.5和5微米之間的薄膜層淀積在基板上。薄膜層導致更高的電流密度和效率，因為與傳輸穿過厚膜層相比能源中的離子傳輸穿過薄膜層更容易并且更快速。通過這種方式，可以使內(nèi)部能耗最小。因為能源的內(nèi)部電阻相對低，因此當應用可再充電能源時，可以增加充電速度。
在優(yōu)選實施例中，至少部分地對基板面對電解質(zhì)和第二電極的接觸表面進行構圖。通過這種方式，達到兩個電極和固態(tài)電解質(zhì)之間的每單位體積的接觸表面的增加。通常，根據(jù)本發(fā)明的能源的部件之間的接觸表面的這種增加導致改進的能源額定容量(rate capacity)，因此導致更好的電池容量(由于能源的層的體積的最佳利用)。通過這種方式，可以使能源的功率密度最大化，因此最佳化。圖形的性質(zhì)、形狀和尺寸可以是任意的。
一般情況下，可以用各種方式對接觸表面進行構圖，例如，通過為接觸表面提供延伸，其遠離接觸表面向外突出。優(yōu)選地，接觸表面設有具有任意形狀和尺寸的多個腔，將所述電解質(zhì)和所述第二電極設置到所述腔的內(nèi)表面的至少一部分上。這具有的優(yōu)點是可以用相對簡單的方式制造被構圖的接觸表面。在一個實施例中，連接腔，使得多個突出柱形成在基板上，以便增加電化學能源內(nèi)的接觸表面。在另一優(yōu)選實施例中，至少一部分腔形成狹縫或溝槽，其中淀積固態(tài)電解質(zhì)和第二電極。導電基板的接觸表面上的圖形，尤其是腔，例如可以通過蝕刻來形成。
第一電極和第二電極中的至少一個優(yōu)選耦合到集電器。在硅基板的情況下，第一電極可以不需要集電器。然而，對于例如以LiCoO2電極作為第二電極的Li-離子電池來說，優(yōu)選使用鋁集電器(層)。可選地，或附加地，優(yōu)選用摻雜的諸如Si、GaAs、InP的半導體材料或諸如銅或鎳的金屬制造的集電器可以一般用作根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)能源中的集電器。
基板可以具有主表面，在其上或其中形成腔，并且其限定平面。集電器在該平面上的垂直投影可以與腔在該平面上的垂直投影至少部分重疊，并且優(yōu)選地與所有的腔在該平面上的垂直投影至少部分重疊。通過這種方式，集電器相對靠近腔，這增加了最大電流。在一個實施例中，集電器延伸到腔中，優(yōu)選延伸到所有腔中。這導致進一步增加額定容量。這對于相對較深即具有20微米或以上深度的腔來說是有利的。
在一個實施例中，基板適用于(暫時)儲存下列原子中的至少一種原子的離子H、Li、Be、Mg、Na和K。因此，根據(jù)本發(fā)明的電化學能源可以基于各種插入機制(intercalation mechanism)，因此適合于形成不同種類的電池，例如Li離子電池、NiMH電池等。
在另一實施例中，基板由以下材料中的至少一種制成C、SiSn、Ti、Ge和Pb。這些材料的組合還可用于形成基板。優(yōu)選地，n型或p型摻雜硅用作基板，或者摻雜硅的相關化合物，如SiGe或SiGeC。而且其他適當?shù)牟牧弦部梢杂米骰?，只要基板的材料適合于插入和存儲例如在前一段中所提到的原子的離子即可。而且，這些材料優(yōu)選適合于進行蝕刻工藝，以便在基板的接觸表面上施加圖形(孔、溝槽、柱等)。
應用在根據(jù)本發(fā)明的能源中的固態(tài)電解質(zhì)可以基于離子導電機制或非電子導電機制，例如用于H、Li、Be和Mg的離子導體。作為固態(tài)電解質(zhì)的Li導體的例子是鋰磷氧氮(LiPON)。其它公知的固態(tài)電解質(zhì)例如鋰硅氧氮(LiSiON)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鉭酸鋰(LiTaO3)、正鎢酸鋰(Li2WO4)和鋰鍺氧氮(LiGeON)也可以用作鋰導電固態(tài)電解質(zhì)。質(zhì)子導電電解質(zhì)例如可以通過TiO(OH)形成。關于質(zhì)子導電電解質(zhì)的詳細信息在國際申請WO 02/42831中公開了。用于鋰離子基能源的第一(正)電極可以例如是正電極，并且可以由金屬氧化物基材料例如LiCoO2、LiNiO2、LiMnO2或這些材料的組合例如Li(NiCoMn)O2制造。在質(zhì)子基能源的情況下的第一(正)電極的例子是Ni(OH)2和NiM(OH)2，其中M是由選自例如Cd、Co或Bi的組中的一種或多種元素形成。
在又一實施例中，固態(tài)電解質(zhì)和第二電極淀積在基板的多個側面上。通過這種方式，進一步加強使用基板來儲存離子，由此增加根據(jù)本發(fā)明的電化學能源的電容量。
優(yōu)選地，電化學能源包括電耦合在一起的多個組件。這些組件可以按照串聯(lián)和/或并聯(lián)方式耦合在一起，取決于電化學能源的應用要求。當要求相對高的電流時，并聯(lián)地電耦合幾個組件中的第一電極和第二電極。當要求相對高的電壓時，第一組件的第一電極可以電耦合到第二組件的第二電極，第二組件的第一電極可以電耦合到第三組件的第二電極等等。
基板可包括構成第一電極的第一部件和不與第一部件接觸的第二部件。第二部件可以包括集成在第二部件中的電子器件。優(yōu)選地，基板包括用于減少并優(yōu)選地基本上防止離子從第一部件擴散到第二部件的阻擋層。當例如通過采用硅晶片使基板適用于儲存Li離子時，這種阻擋層可以由Si3N4或SiO2形成，以便防止Li離子從第一電極(晶片)出來。
優(yōu)選地，基板由支撐結構支撐，以便鞏固電化學能源。在特定情況下，希望應用這種支撐結構。例如，如果使用鈦或包括基板的鈦用于在具有根據(jù)本發(fā)明的結構的電池中儲存氫，則支撐結構可以用于增強能源的結構。應該注意的是，鈦基板可以由(暫時)電介質(zhì)層來制造，在所述電介質(zhì)層上淀積基板。在該淀積工藝之后，可以除去電介質(zhì)層。為了進一步支撐鈦基板，可以使用非導電支撐結構。有利的是通過減小其厚度來部分除去基板，由此提高能源的能量密度。例如，可以將能源從厚度為大約500微米的基板轉變成厚度為大約10-200微米的基板。為了進行基板的這一調(diào)整，可以應用(公知的)‘基板轉變技術’。
在優(yōu)選實施例中，第一電極包括適用于至少基本上避免插入離子(intercalating ion)擴散到所述基板中的電子導電阻擋層，將所述阻擋層施加到所述基板上。本優(yōu)選實施例通常是非常有利的，因為參與根據(jù)本發(fā)明的電化學能源的(再)充電循環(huán)的插入離子經(jīng)常擴散到基板中，使得這些離子不再參與(再)充電循環(huán)，導致電化學能源的儲存容量減小。通常情況下，采用單晶硅導電基板來承載電子元件，例如集成電路、芯片、顯示器等。這種單晶硅基板存在的缺陷是插入離子相對容易地擴散到所述基板中，導致所述能源的容量減小。為此，將阻擋層施加到所述基板上以避免進入到基板中的所述不利擴散是非常有利的。將通過所述阻擋層至少基本上阻止插入離子的遷移，其結果是不再發(fā)生這些離子穿過基板的遷移，而電子穿過所述基板的遷移仍然是可能的。根據(jù)本實施例，不再需要基板適合于儲存插入離子。因此，還可以采用不同于硅基板的電子導電基板，例如由金屬、導電聚合物等制成的基板。所述阻擋層至少基本上由如下化合物中的至少一種制成鉭、氮化鉭、和氮化鈦。然而，阻擋層的材料不限于這些化合物。這些化合物具有作為共同特性的相對致密結構，對于包括鋰離子的插入離子來說該致密結構是無法透過的。在特殊優(yōu)選實施例中，第一電極還包括淀積在所述阻擋層與基板相對的一側上的插入層。所述插入層由此適合于儲存(和釋放)插入離子(暫時地)。根據(jù)本實施例，第一電極由此由所述基板、所述阻擋層和所述插入層的疊層形成。通常情況下，通過將阻擋層和插入層疊置(淀積)在所述基板上來形成該疊層。然而，在特殊實施例中，還可以通過注入技術來形成疊層，其中例如用例如鉭離子和氮離子轟擊晶體硅基板，之后充分升高被注入基板的溫度，以形成掩埋在所述最初基板內(nèi)的物理阻擋層。作為用離子轟擊硅基板的結果，通常將破壞最初基板的晶體頂層的晶格，導致形成所述插入層的非晶頂層。在優(yōu)選實施例中，所述插入層至少基本上由硅、優(yōu)選由非晶硅構成。非晶硅層具有每單位體積儲存(和釋放)相對大量插入離子的突出特性，這導致根據(jù)本發(fā)明的電化學能源的儲存能力的提高。優(yōu)選地，將所述阻擋層淀積到所述基板上。借助低壓化學汽相淀積(LPCVD)優(yōu)選將所述阻擋層和所述插入層淀積到所述基板上。
本發(fā)明還涉及設有至少一個這種電化學能源的電子組件。該電子組件可以通過集成電路(IC)、微型芯片、顯示器等形成。可以用單片或非單片方式構造電子組件和電化學能源的組合。在單片構造所述組合的情況下，優(yōu)選地將用于離子的阻擋層施加在電子組件和能源之間。在一個實施例中，電子組件和電化學能源形成系統(tǒng)級封裝(SiP)。該封裝優(yōu)選是非導電的并形成用于上述組合的容器。通過這種方式，可以提供獨立的現(xiàn)成可用的SiP，其中除了電子組件以外還設置了根據(jù)本發(fā)明的能源。
本發(fā)明還涉及設有至少一個這種電化學能源，或優(yōu)選地，一個這種電子組件的電子器件。這種電子器件的例子是剃須刀，其中電化學能源例如可以用作備用(或初級)電源。其中可以結合本發(fā)明的能源的電子器件的另一例子是含有微處理器芯片的所謂“智能卡”。目前的智能卡需要單獨的體積大的讀卡器來顯示儲存在卡的芯片上的信息。但是，利用優(yōu)選為柔性、微型的電池，智能卡例如可以包括卡本身上的相對微小的顯示屏，允許用戶容易地訪問儲存在智能卡上的數(shù)據(jù)。
而且本發(fā)明還涉及這種電化學能源的制造方法，包括以下步驟A)將固態(tài)電解質(zhì)淀積在基板上；和B)隨后將第二電極淀積在基板上。在施加步驟A)和步驟B)期間，優(yōu)選使用下列淀積技術之一物理汽相淀積(PVD)、化學汽相淀積(CVD)和原子汽相淀積(AVD)。PVD的例子是濺射和激光消除(laser ablation)，通常需要≥20微米量級的溝槽寬度。CVD的例子是LP-CVD和原子層淀積(ALD)。AVD優(yōu)選在相對低壓(大約150mbar或以下)下進行。這些技術是本領域技術人員所公知的，并允許＞0.5微米量級的基板中的孔徑。
在優(yōu)選實施例中，該方法具有包括對基板的至少一個接觸表面進行構圖的步驟C)，在步驟A)之前執(zhí)行步驟C)。如上所述，對基板表面的構圖增加了能源的不同元件的每單位體積的接觸表面，由此增加了額定容量。在一個實施例中，蝕刻技術可以用于構圖，如濕法化學蝕刻和干法蝕刻。這些技術的公知例子是RIE和聚焦離子束(FIB)。
在該方法的實施例中，該方法包括步驟D)，其包括隨后將電子導電阻擋層和插入層淀積在基板上。步驟D)可以在步驟A)之前進行。
通過以下非限制性的例子對本發(fā)明進行說明，其中

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的電化學能源的透視圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的另一電化學能源的剖面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的單片系統(tǒng)級封裝的示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的可選微型電池的透視圖。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的電化學能源1的透視圖，更具體地講是根據(jù)本發(fā)明的Li離子微型電池。能源1包括用作能源1的負電極的硅基板2。硅基板2例如可以由經(jīng)常用于IC的硅晶片形成。基板2可以具有大于20微米、大于100微米或甚至大于500微米的厚度。在硅基板2的上表面3中，通過現(xiàn)有蝕刻技術蝕刻幾個狹縫4。這些狹縫4的尺寸可以是任意的。優(yōu)選地，狹縫4的寬度大約在2和10微米之間，并且狹縫4的深度大約在10和100微米之間。在構圖的上表面4上，淀積固態(tài)電解質(zhì)層5。電解質(zhì)層5具有大約1微米的厚度，并優(yōu)選由鋰磷氧氮(LiPON)構成。在LiPON層5上，淀積大約1微米厚的正電極層6。正電極6優(yōu)選由LiCoO2構成，可能混有碳纖維。通過常規(guī)的淀積技術，例如化學或物理汽相淀積，以及原子層淀積，將電解質(zhì)5和正電極6淀積到基板2的上表面4上。通過蝕刻基板2，可以(顯著地)增加每單位體積的兩個電極2、6與電解質(zhì)5之間的接觸表面，導致能源1中的額定容量和功率密度的提高(最大化)。任選地，鋁集電器(未示出)可以耦合到正電極6。所示的能源1的結構是相對有效的和簡單的結構，此外相對容易制造。而且，通過使電解質(zhì)的層厚最小化和使能源1的元件2、5和6之間的相互接觸表面最大化，來優(yōu)化所示能源1的性能。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的另一電化學能源7的剖面圖。能源7包括用作能源7的負電極的基板8。對基板8的上表面9和下表面10進行構圖。通過蝕刻在基板8中的腔11、12形成圖形。在上表面9和下表面10上淀積電解質(zhì)層13、14。隨后在每個電解質(zhì)層13、14的頂部淀積正電極15、16。正電極15、16各自(至少)部分地被集電器17、18覆蓋。集電器17、18互相耦合(未示出)?；?還設有分開的集電器19。在該能源7中應用的插入機制和使用的材料可以改變。所示的能源7例如可以形成Li離子(微型)電池或NiMH電池。如前所述，為了提高能源7的能量密度，對基板8的表面9、10進行構圖。當同時例如可以用作芯片載體的基板8用于存儲離子時，可以獲得能源7的相對有效的結構。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的單片系統(tǒng)級封裝(SiP)20的示意圖。SiP包括電子組件或器件21和與其耦合的根據(jù)本發(fā)明的電化學能源22。通過阻擋層23來分開電子組件或器件21和能源22。電子組件或器件21和能源22安裝在相同單片基板(未示出)上和/或基于相同單片基板。能源22的結構可以是任意的，只要基板用作(暫時)離子的存儲介質(zhì)并由此用作電極即可。電子組件或器件21可以通過例如顯示器、芯片、控制單元等形成。通過這種方式，可以用相對簡單的方式形成許多獨立的(現(xiàn)成可用的)器件。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的可選微型電池24的透視圖，具體地講是Li離子電池。微型電池24包括第一電極25、第二電極26和置于兩個電極25、26之間的固態(tài)電解質(zhì)27。在本例中，第一電極25是通過電子導電基板28、電子導電阻擋層29和插入層30的疊層形成的負電極25。通過常規(guī)的蝕刻技術對基板28進行構圖，以便增加所述微型電池24的所述層25、26、27之間(和內(nèi)部)的接觸表面，導致電池容量的提高。通過常規(guī)的淀積技術，通常通過低壓化學汽相淀積(LPCVD)將阻擋層29和插入層30淀積到所述基板28上。所述基板28可以由任何電子導電材料制成，例如金屬或導電聚合物，但是通常由單晶硅制成。由于用于所述基板28的這種可應用材料，基板可以由剛性材料例如硅或柔性材料例如象聚乙炔和聚對亞苯基亞乙烯基(PPV)的某些電子導電聚合物制成。根據(jù)微型電池24的應用，可以選擇合適的材料用于所述基板28。為了避免插入鋰離子過度擴散到所述硅基板28中，這將導致電池效率和電池壽命顯著降低，施加所述阻擋層29。該阻擋層29優(yōu)選由含鉭和/或鈦的化合物形成，如鉭、氮化鉭、氮化鈦等。這些化合物都具有相對低的比電阻。該電子導電層29具有相對致密的結構，對于插入離子具有減小的滲透性，因此所述離子難以擴散到所述基板28中。因此第一電極的插入機制基本上由所述插入層30確定，其特別適合于暫時儲存和釋放插入鋰離子。阻擋層29優(yōu)選具有20和100納米之間的層厚，更優(yōu)選在50和100納米之間。插入層30通常由硅構成，優(yōu)選由非晶硅構成。該插入層30的層厚優(yōu)選在30和100納米之間，更優(yōu)選為大約50納米。所述固態(tài)電解質(zhì)27優(yōu)選通過LiPON、LiNbO3、LiTaO3、Li2WO4等形成。所述第二正電極26通過LiCoO2化合物形成。第一負電極25連接到位于所述微型電池24的上表面上的連接器31上。任選地，可以將附加層(未示出)施加在所示微型電池24的疊層頂部，以提供對所述微型電池24的保護。在這個特殊實施例中，頂層優(yōu)選由等于第一電極25的阻擋層29的附加阻擋層形成，以便將插入鋰離子鎖定在所述微型電池24內(nèi)，其中限制了插入鋰離子的遷移自由，結果，可以保持微型電池24的容量。這導致提高的電池效率和提高的壽命。必須清楚的是，本發(fā)明決不限于前述實施例。在所附權利要求的框架內(nèi)，各種其他實施例是可能的，這對于本領域技術人員來說是顯而易見的。
權利要求
1.一種電化學能源(1、7、22)，包括至少一個以下組件第一電極(2、8)，第二電極(6、15、16)，以及分開所述第一電極(2、8)和所述第二電極(6、15、16)的中間固態(tài)電解質(zhì)(5、13、14)，其特征在于至少部分通過導電基板(2、8)形成所述第一電極(2、8)，在所述導電基板上已經(jīng)淀積了所述固態(tài)電解質(zhì)(5、13、14)和所述第二電極(6、15、16)。
2.根據(jù)權利要求1所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于將所述電解質(zhì)(5、13、14)和所述第二電極(6、15、16)施加到至少部分被構圖的所述基板(2、8)的接觸表面(3、9、10)上。
3.根據(jù)權利要求2所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述接觸表面(3、9、10)設有任意形狀的多個腔(4、11、12)，將所述電解質(zhì)(5、13、14)和所述第二電極(6、15、16)施加到所述腔(4、11、12)的內(nèi)表面的至少一部分上。
4.根據(jù)權利要求3所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述腔(4、11、12)的至少一部分形成狹縫(4)。
5.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述第一電極(2、8)和所述第二電極(6、15、16)中的至少一個耦合到集電器(17、18)上。
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述基板(2、8)適合于儲存以下原子中的至少一種原子的離子H、Li、Be、Mg、Na和K。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述基板(2、8)由下列材料中的至少一種構成C、Sn、Ge、Pb，和優(yōu)選被摻雜的硅。
8.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于將所述固態(tài)電解質(zhì)(5、13、14)和所述第二電極(6、15、16)淀積在所述基板(2、8)的多個側面(9、10)上。
9.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述基板(2、8)至少部分地覆蓋有用于離子的阻擋層(23)。
10.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述基板(2、8)由支撐結構支撐。
11.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述第一電極(2、8)包括適合于至少基本上避免將插入離子擴散到所述基板(2、8)中的電子導電阻擋層，將所述阻擋層施加到所述基板(2、8)上。
12.根據(jù)權利要求11所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述第一電極還包括淀積到所述阻擋層與所述基板相對的一側上的插入層。
13.根據(jù)權利要求12所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述插入層至少基本上由硅、優(yōu)選由非晶硅構成。
14.根據(jù)權利要求11-13中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于將所述阻擋層淀積到所述基板上。
15.根據(jù)權利要求11-14中任一項所述的電化學能源(1、7、22)，其特征在于所述阻擋層至少基本上由以下化合物中的至少一種構成鉭、氮化鉭、鈦和氮化鈦。
16.一種電子器件(21)，設有至少一個根據(jù)權利要求1-15中任一項所述的電化學能源(1、7、22)。
17.根據(jù)權利要求16所述的電子器件(21)，其特征在于所述電子器件是通過集成電路(IC)形成的。
18.根據(jù)權利要求16或17所述的電子器件(21)，其特征在于所述電子器件和所述電化學能源(1、7、22)形成系統(tǒng)級封裝(SiP)(20)。
19.一種制造根據(jù)權利要求1-15中任一項所述的電化學能源(1、7、22)的方法，包括以下步驟A)將所述固態(tài)電解質(zhì)(5、13、14)淀積在所述基板(2、8)上，以及B)隨后將所述第二電極(6、15、16)淀積在所述基板(2、8)上。
20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其特征在于該方法具有包括對所述基板(2、8)的至少一個接觸表面(3、9、10)進行構圖的步驟C)，其中步驟C)在步驟A)之前進行。
21.根據(jù)權利要求19或20所述的方法，其特征在于該方法具有包括隨后將電子導電阻擋層和插入層淀積在所述基板(2、8)上的步驟D)，其中步驟D)是在步驟A)之前進行。
全文摘要
本發(fā)明涉及電化學能源，包括至少一個以下組件第一電極、第二電極和分開所述第一電極和所述第二電極的中間固態(tài)電解質(zhì)。本發(fā)明還涉及設有這種電化學能源的電子組件。本發(fā)明還涉及設有這種電化學能源的電子器件。而且，本發(fā)明涉及制造這種電化學能源的方法。
文檔編號H01M6/18GK1853297SQ200480026440
公開日2006年10月25日 申請日期2004年8月18日 優(yōu)先權日2003年9月15日
發(fā)明者彼得魯斯·H·L·諾滕, 馬丁·奧沃克爾克, 弗雷迪·羅澤博姆 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司