專(zhuān)利名稱(chēng)：具有通過(guò)凸點(diǎn)下金屬化層所連接的附加微型焊盤(pán)的集成電路及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的反熔絲連接，用于利用容納凸點(diǎn)的芯片的表面上的標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)上的凸點(diǎn)下金屬化層(Under-Bump-Metallisierung)來(lái)激活冗余電路或者倒裝芯片裝置的芯片功能，以及涉及一種用于制造這種反熔絲連接的方法。
通常，冗余電路被一起集成在集成電路中，以便能夠按需要激活這些冗余電路。如果由于有錯(cuò)誤的處理(例如缺陷、顆粒)而引起單個(gè)電路部件不能工作，則進(jìn)行這種冗余電路的激活。于是，冗余電路承擔(dān)有缺陷電路的任務(wù)并且整個(gè)芯片能完全工作。
為了激活冗余電路，集成電路必須與有缺陷的區(qū)域電隔離并且與冗余電路(備用電路)相連接。這通過(guò)用于隔離電流路徑的熔絲和用于連接電流路徑的反熔絲來(lái)實(shí)現(xiàn)。
對(duì)于可分離的連接橋(熔絲)和可連接的線路中斷(反熔絲)以及一種用于制造和激活熔絲和反熔絲的方法的例子從DE 196 04 776A1中得知。
迄今，所述熔絲被集成在集成開(kāi)關(guān)電路的金屬化層中?，F(xiàn)在為了隔離熔絲，激光束對(duì)準(zhǔn)該熔絲，并且熔絲被熔斷。在這種情況下，問(wèn)題在于，所述熔絲被封裝在絕緣材料中，以致在熔化過(guò)程中經(jīng)常出現(xiàn)進(jìn)行封裝的絕緣層開(kāi)裂。于是，由此產(chǎn)生如漏電流、腐蝕等等可靠性問(wèn)題。
在完成芯片處理之后，在裝配到殼體中之前電氣檢測(cè)功能。在不能工作的芯片被裝配到殼體中之前，如上所述利用所述熔絲維修這些不能工作的芯片。
現(xiàn)在，本發(fā)明所基于的任務(wù)在于，提供一種集成電路的反熔絲連接，用于激活冗余電路，該反熔絲連接可以極少的費(fèi)用來(lái)提供，并且在所述反熔絲連接中不出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中所列出的問(wèn)題。此外，應(yīng)說(shuō)明一種方法，利用所述方法可以制造這種反熔絲連接。
本發(fā)明所基于的任務(wù)由此來(lái)解決，即在芯片的表面上除了標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)之外還布置其他的微型焊盤(pán)，這些微型焊盤(pán)與芯片中的功能單元電氣連接，并且所選出的微型焊盤(pán)通過(guò)反熔絲連接相互連接，所述反熔絲連接由凸點(diǎn)下金屬化層來(lái)結(jié)構(gòu)化。
因?yàn)榉慈劢z通過(guò)UBM金屬化層的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)化來(lái)制造并且不需要高能量的激光處理，因此避免了可靠性問(wèn)題。
此外，本發(fā)明所基于的任務(wù)通過(guò)一種用于制造反熔絲連接的方法來(lái)解決，其特征在于，首先UBM金屬化層被沉積在所述芯片上，光刻膠層被沉積在所述UBM金屬化層上，并且標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)的區(qū)域被曝光，接著對(duì)于反熔絲連接所必需的面借助激光或電子束附加地被曝光，并且接著光刻膠被顯影，包括反熔絲連接在內(nèi)的UBM金屬化層被結(jié)構(gòu)化。
下面以實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。在所屬的附圖中

圖1示出具有標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)和針對(duì)UBM(反)熔絲的附加微型焊盤(pán)的完成處理的芯片，以及圖2示出在涂敷和結(jié)構(gòu)化UBM金屬化層之后的并且具有附加的UMB反熔絲連接的根據(jù)圖1的完成處理的芯片。
在下面所說(shuō)明的本發(fā)明中，金屬化層被用于構(gòu)造熔絲或反熔絲，所述金屬化層被用于在倒裝芯片金屬化層(UBM凸點(diǎn)下金屬化層)的芯片2上的標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)1上涂敷所謂的凸點(diǎn)。在完成晶片處理之后，該UBM金屬化層3被平面地沉積在該晶片上，并且通過(guò)接著的結(jié)構(gòu)化只被保留在標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)1上。然后，在另一步驟中將(未示出的)凸點(diǎn)涂敷在所述標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)1上，于是利用這些凸點(diǎn)，芯片1能夠與引線框架或印刷電路板電氣接觸。
根據(jù)圖1，設(shè)置附加的微型焊盤(pán)3，所述微型焊盤(pán)3在產(chǎn)品上被引向芯片2的上側(cè)。由此，UBM金屬化層可以被用于在微型焊盤(pán)4之間制造導(dǎo)電的反熔絲連接5。在此，所選出的微型焊盤(pán)4可通過(guò)反熔絲連接5短路(圖2)。
所述“反熔絲”的特別的優(yōu)點(diǎn)能在其中看出，即直到緊接在封裝電路之前、也即將芯片2裝配到引線框架上和接著成型(封裝)之前、也就是說(shuō)直到最后的UBM沉積和結(jié)構(gòu)化能夠?qū)﹄娐愤M(jìn)行修正。
其他的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的“反熔絲”可以導(dǎo)致在芯片1中絲毫不存在可靠性問(wèn)題，因?yàn)榉慈劢z連接5位于芯片2的表面上并且只被沉積在必需的位置上。
此外，與迄今所應(yīng)用的激光熔絲相反，也可以在反熔絲連接5下布置有源或無(wú)源器件。
根據(jù)本發(fā)明，UBM金屬化層可以被用于所說(shuō)明的反熔絲連接5以及用于對(duì)開(kāi)關(guān)電路進(jìn)行編程，也就是說(shuō)這里芯片功能可以在具有多個(gè)功能的芯片的情況下在生產(chǎn)線之外按照硬件來(lái)定義。此外，UBM金屬化層可被用作芯片布線層，由此可以節(jié)省金屬化層，這導(dǎo)致巨大的成本節(jié)約。
在進(jìn)行UBM金屬化層的結(jié)構(gòu)化之前，檢測(cè)晶片上的所有芯片2的功能。接著，UBM金屬化層被沉積，并且光刻膠層被沉積在該UBM金屬化層之上，而且標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)1的區(qū)域被曝光，但是還沒(méi)有被顯影。接著例如借助激光或電子束附加地使對(duì)于反熔絲連接5所必需的面曝光。緊接著，光刻膠被顯影并且UBM金屬化層被結(jié)構(gòu)化。隨后進(jìn)行對(duì)于倒裝芯片裝配所必需的其他工藝。
參考標(biāo)記列表1標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)2芯片3UBM金屬化層4微型焊盤(pán)5反熔絲連接
權(quán)利要求
1.集成電路的反熔絲連接，用于利用容納凸點(diǎn)的芯片的表面上的標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)上的凸點(diǎn)下金屬化層來(lái)激活冗余電路或者倒裝芯片裝置的芯片功能，其特征在于，在所述芯片(2)的表面上除了所述標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)(1)之外還布置有其他微型焊盤(pán)(4)，所述微型焊盤(pán)(4)與(芯片)中的功能單元電氣連接，并且所選出的微型焊盤(pán)(4)通過(guò)反熔絲連接(5)相互連接，所述反熔絲連接(5)由凸點(diǎn)下金屬化層來(lái)結(jié)構(gòu)化。
2.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的反熔絲連接的方法，其特征在于，首先在所述芯片(2)上沉積所述UBM金屬化層，并在所述UBM金屬化層上沉積光刻膠層，以及使所述標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)(1)的區(qū)域曝光，接著借助激光或者電子束附加地使對(duì)于所述反熔絲連接(5)所必需的面曝光，并且緊接著使所述光刻膠顯影，并且對(duì)包括所述反熔絲連接(5)在內(nèi)的所述UBM金屬化層(3)進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種集成電路的反熔絲連接，用于利用容納凸點(diǎn)的芯片的表面上的標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)上的凸點(diǎn)下金屬化層來(lái)激活冗余電路或者倒裝芯片裝置的芯片功能，以及本發(fā)明涉及一種用于制造這種反熔絲連接的方法。通過(guò)本發(fā)明應(yīng)提供一種集成電路的反熔絲連接，用于激活冗余電路，該反熔絲連接可以極少的費(fèi)用來(lái)實(shí)現(xiàn)。由此實(shí)現(xiàn)，在芯片(2)的表面上除了標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)(1)之外還布置其他的微型焊盤(pán)(4)，這些微型焊盤(pán)(4)與(芯片)中的功能單元電氣連接，并且所選出的微型焊盤(pán)(4)通過(guò)反熔絲連接(5)相互連接，所述反熔絲連接(5)由凸點(diǎn)下金屬化層來(lái)結(jié)構(gòu)化。
文檔編號(hào)H01L23/485GK1871703SQ200480031081
公開(kāi)日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2004年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月23日
發(fā)明者A·費(fèi)舍爾, A·馮格拉索 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司