專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨數(shù)字再現(xiàn)和寬帶的普及，目前面臨著大量數(shù)字內(nèi)容充滿家庭等的時(shí)代，正在尋求信息記錄的進(jìn)一步高密度化。在光盤存儲(chǔ)系統(tǒng)中，開始從使用波長(zhǎng)780nm的光的容量700MB的CD(CompactDisc)向使用波長(zhǎng)650nm的光的容量4.7GB的DVD(DigitalVersatile Disc)推進(jìn)高密度化。另外，最近使用波長(zhǎng)405nm的光實(shí)現(xiàn)了容量超過(guò)20GB的光盤系統(tǒng)。
在這種高密度記錄系統(tǒng)中，需要使此前廣泛普及的DVD具有兼容性，所以需要在拾波器上同時(shí)安裝波長(zhǎng)650nm的激光。
在對(duì)應(yīng)多種波長(zhǎng)的拾波器中，為了其小型化、輕量化，優(yōu)選雙波長(zhǎng)集成激光，但在實(shí)現(xiàn)405nm波段的激光的GaN系列半導(dǎo)體和實(shí)現(xiàn)650nm波段的激光的AlGaInP系列半導(dǎo)體中，物理性質(zhì)大不相同，所以不能進(jìn)行在同一基板上的單片集成。為此，提出了采用混合結(jié)構(gòu)的雙波長(zhǎng)集成激光(專利文獻(xiàn)1日本特開2001-230502號(hào)公報(bào)，專利文獻(xiàn)2日本特開2000-252593號(hào)公報(bào))。
專利文獻(xiàn)1的雙波長(zhǎng)集成激光通過(guò)在支撐基板(所謂襯底)上重疊安裝第1發(fā)光元件和第2發(fā)光元件，實(shí)現(xiàn)混合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光裝置，所述第1發(fā)光元件具有第1基板并射出短波長(zhǎng)(例如405nm波段)的激光光束，所述第2發(fā)光元件具有第2基板并射出長(zhǎng)波長(zhǎng)(例如650nm波段)的激光光束。
此處，第1發(fā)光元件安裝在支撐基板上并使發(fā)光部位于第1基板的支撐基板側(cè)，另外，第2發(fā)光元件安裝在第1發(fā)光元件上并使發(fā)光部位于第2基板的第1發(fā)光元件側(cè)。
專利文獻(xiàn)2公開的混合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光裝置通過(guò)采用使第2激光部的n電極和p電極分別通過(guò)熔融金屬電貼合在第1激光部的p電極和n電極上，然后去除第1激光部側(cè)的基板的結(jié)構(gòu)，在第1激光部和第2激光部中射出波長(zhǎng)不同的激光光束。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題可是，專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體激光裝置如上面所述，采用在支撐基板上重疊安裝第1發(fā)光元件和第2發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，但這種結(jié)構(gòu)的情況下，為了能夠向第1發(fā)光元件和第2發(fā)光元件的重合面注入電流，必須在把各個(gè)發(fā)光元件制造成獨(dú)立的半導(dǎo)體芯片后，把芯片化的第1發(fā)光元件和第2發(fā)光元件重疊安裝在支撐基板上。
在把雙波長(zhǎng)集成激光用作光盤的拾波器用光源時(shí)，需要以高精度(小于等于±1μm)控制這兩個(gè)發(fā)光點(diǎn)間隔，但在芯片狀態(tài)下的定位中，高精度地控制發(fā)光點(diǎn)間隔和放射方向是很困難的事情。并且，由于需要對(duì)所有的各個(gè)芯片進(jìn)行定位，所以生產(chǎn)效率較差。
并且，專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體激光裝置的第1發(fā)光元件的發(fā)光部被靠近地安裝在支撐基板上，第2發(fā)光元件的發(fā)光部被靠近地安裝在設(shè)于第1發(fā)光元件上的第1基板上。
但是，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在第1發(fā)光元件和第2發(fā)光元件之間存在厚度較大的第1基板，如上述專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，該第1基板(GaN基板)通常具有約100μm的厚度，所以存在第1發(fā)光元件的發(fā)光部(發(fā)光點(diǎn)的位置)和第2發(fā)光元件的發(fā)光部(發(fā)光點(diǎn)的位置)相隔較遠(yuǎn)的問題。
為此，例如把該半導(dǎo)體激光裝置安裝在拾波器上進(jìn)行信息記錄或信息再現(xiàn)時(shí)，如果使第1發(fā)光部的射出位置(發(fā)光點(diǎn)的位置)的光軸與構(gòu)成拾波器的光學(xué)系統(tǒng)的光軸一致，則第2發(fā)光部的射出位置大大偏離光學(xué)系統(tǒng)的光軸，成為產(chǎn)生像差等的原因。
這種光軸偏離造成的不良影響雖然通過(guò)向光拾波器追加棱鏡等光學(xué)元件可以消除，但會(huì)產(chǎn)生部件數(shù)量及成本增加等問題。
在專利文獻(xiàn)2的半導(dǎo)體激光裝置中，由于利用熔融金屬分別使第1激光部的p電極和n電極與第2激光部的n電極和p電極電貼合，所以該熔融金屬造成的寄生電容增大，存在驅(qū)動(dòng)各個(gè)激光部時(shí)的響應(yīng)特性降低的問題。例如，在對(duì)CD和DVD等進(jìn)行信息記錄時(shí)，如果利用脈沖電流驅(qū)動(dòng)第1激光部或第2激光部，則產(chǎn)生因上述寄生電容的影響而使響應(yīng)特性降低、難以做到快速控制等問題。
并且，在專利文獻(xiàn)2的半導(dǎo)體激光裝置中，由于第1激光部的p、n電極與第2激光部的n、p電極分別通過(guò)熔融金屬電連接，所以在通過(guò)熔融金屬按順時(shí)針方向向第1激光部提供驅(qū)動(dòng)電力，以使第1激光部發(fā)光時(shí)，第2激光部成為反向偏置狀態(tài)，在通過(guò)熔融金屬按順時(shí)針方向向第2激光部提供驅(qū)動(dòng)電力，以使第2激光部發(fā)光時(shí)，第1激光部成為反向偏置狀態(tài)。
因此，在使第1激光部或第2激光部的一方發(fā)光時(shí)，另一方激光部被賦予反向偏置，產(chǎn)生反方向抗壓和反方向漏電流的問題。
本發(fā)明就是鑒于上述以往的課題而提出的，其目的在于，提供一種射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束、并且電特性良好的半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法。
并且，本發(fā)明的目的還在于，提供一種以良好的量產(chǎn)性制造半導(dǎo)體激光裝置用的制造方法，該半導(dǎo)體激光裝置射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束，并且其發(fā)光點(diǎn)間隔較小，電特性良好，而且機(jī)械精度高。
解決課題用的手段權(quán)利要求1所述的發(fā)明是射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具有層疊于半導(dǎo)體基板上的第1激光振蕩部、和以不同于所述第1激光振蕩部的波長(zhǎng)振蕩的第2激光振蕩部，所述半導(dǎo)體基板的相反側(cè)的所述第1激光振蕩部的面、與距所述第2激光振蕩部的發(fā)光部較近一側(cè)的面，通過(guò)絕緣性粘接層固定粘接起來(lái)，所述半導(dǎo)體激光裝置具有第1、第2歐姆電極層，其形成于所述第1、第2激光振蕩部的波導(dǎo)上的表面上；第1、第2布線層，其形成于所述第1、第2激光振蕩部之間，并且分別與所述第1、第2歐姆電極層電連接。
權(quán)利要求2所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置中，從所述第2激光振蕩部側(cè)觀看時(shí)，所述第1激光振蕩部或半導(dǎo)體基板部分突出，所述第1、第2布線層在所述突出部分的面上延伸。
權(quán)利要求3所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光裝置中，所述粘接層是SOG(spin on glass)。
權(quán)利要求4所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置中，在所述第1激光振蕩部的所述歐姆電極層以外的區(qū)域和所述第1布線層之間，形成有由與所述粘接層不同的材質(zhì)構(gòu)成的絕緣層。
權(quán)利要求5所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置中，所述半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第1振蕩部具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體，所述第2激光振蕩部具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體。
權(quán)利要求6所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置中，所述第1振蕩部具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體，所述第2激光振蕩部具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體。
權(quán)利要求7所述的發(fā)明是射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括如下的步驟通過(guò)在半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第1薄膜層，來(lái)制作第1中間生成體；通過(guò)在支撐基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第2薄膜層，來(lái)制作第2中間生成體；使所述第1、第2中間生成體的所述波導(dǎo)側(cè)相對(duì)置，利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接；去除所述支撐基板以使所述第2薄膜層露出。
權(quán)利要求8所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述制作第1中間生成體的步驟具有在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第1歐姆電極層、與所述第1歐姆電極層電連接的第1布線層、覆蓋包括該波導(dǎo)的規(guī)定區(qū)域的第1絕緣性粘接層、和第2布線層，所述制作第2中間生成體的步驟具有在所述第2薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第2歐姆電極層、位于所述第2歐姆電極層以外的區(qū)域的第2絕緣性粘接層，所述利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接的步驟具有如下步驟使所述第2布線層和所述第2歐姆電極層電連接，使所述第1、第2絕緣性粘接層緊密粘接，從而利用所述絕緣性粘接層進(jìn)行所述第1、第2中間生成體之間的固定粘接。
權(quán)利要求9所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述粘接層是SOG(spin onglass)。
權(quán)利要求10所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求7～9的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第1薄膜層具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體，所述第2薄膜層具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體。
權(quán)利要求11所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述支撐基板是藍(lán)寶石基板或AIN基板，所述使第2薄膜層露出的步驟具有如下步驟從所述支撐基板的背面向所述支撐基板和第2薄膜層的接合部附近照射光，對(duì)所述接合部附近進(jìn)行加熱分解。
權(quán)利要求12所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述光是具有小于等于360nm的波長(zhǎng)的激光光束。
權(quán)利要求13所述的發(fā)明是射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括如下的步驟通過(guò)在第1半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第1薄膜層，來(lái)制作第1中間生成體；通過(guò)在第2半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第2薄膜層，來(lái)制作第2中間生成體；使所述第1、第2中間生成體的所述波導(dǎo)側(cè)相對(duì)置，利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接；去除所述第2半導(dǎo)體基板以使所述第2薄膜層露出。
權(quán)利要求14所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述制作第1中間生成體的步驟具有在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第1歐姆電極層、與所述第1歐姆電極層電連接的第1布線層、和第1粘接層，所述制作第2中間生成體的步驟具有在所述第2薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第2歐姆電極層、與所述第2歐姆電極層電連接的第2布線層、和第2粘接層，所述利用粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接的步驟具有如下步驟使所述第1、第2粘接層緊密粘接，從而對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接。
權(quán)利要求15所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述制作第1中間生成體的步驟具有如下步驟在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上形成與覆蓋除所述第1歐姆電極層以外的部分的所述粘接層不同材質(zhì)的絕緣層，在該絕緣層上形成與所述第1歐姆電極層電連接的所述第1布線層。
權(quán)利要求16所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，緊接著所述去除第2半導(dǎo)體基板以使所述第2薄膜層露出的步驟之后，還具有部分蝕刻所述第2薄膜層和所述粘接層，使所述第1、第2布線層和所述絕緣層部分露出的步驟。
權(quán)利要求17所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求13～16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述粘接層是SOG(spin on glass)。
權(quán)利要求18所述的發(fā)明的特征在于，在權(quán)利要求13～17的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，所述第1半導(dǎo)體基板由氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，該氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體由V族元素的氮(N)構(gòu)成，所述第1薄膜層具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體，所述第2半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第2薄膜層具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體。


圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的外部結(jié)構(gòu)和縱剖面結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖3是進(jìn)一步示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖4是進(jìn)一步示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖5是進(jìn)一步示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖6是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的變形例的結(jié)構(gòu)和制造步驟的立體圖。
圖7是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的外部結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是示意性地表示圖7所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖9是進(jìn)一步示意性地表示圖7所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖10是進(jìn)一步示意性地表示圖7所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
圖11是進(jìn)一步示意性地表示圖7所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造步驟的立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下，作為實(shí)施發(fā)明的最佳方式，參照

第1、第2
(第1實(shí)施方式)參照?qǐng)D1～圖5說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置。
另外，圖1(a)是表示該半導(dǎo)體激光裝置LDA的外部結(jié)構(gòu)的立體圖，圖1(b)是表示圖1(a)所示的半導(dǎo)體激光裝置LDA的縱剖面結(jié)構(gòu)的圖，圖2～圖5是示意性地表示該半導(dǎo)體激光裝置LDA的制造步驟的立體圖。
在圖1(a)、(b)中，該半導(dǎo)體激光裝置LDA包括具有由III-V族化合物半導(dǎo)體(例如GaAs)構(gòu)成的半導(dǎo)體基板12a的第1發(fā)光元件1a；具有絕緣性的SiO2系列的SOG(spin on glass旋涂玻璃)3a；和第2發(fā)光元件2a。第1發(fā)光元件1a和第2發(fā)光元件2a利用SOG 3a固定粘接成一體，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光裝置LDA。
此處，與第2發(fā)光元件2a的形成區(qū)域相比，半導(dǎo)體基板12a的占有面積較大，根據(jù)這些形成區(qū)域和占有區(qū)域的大小差異，形成半導(dǎo)體基板12a的突出部分STGa。
第1發(fā)光元件1a形成為包括形成有波導(dǎo)(在本實(shí)施方式中為脊形波導(dǎo))8a的激光振蕩部10a；形成于脊形波導(dǎo)8a中的歐姆電極層9a；絕緣覆蓋除歐姆電極層9a以外的激光振蕩部10a的整個(gè)表面和突出部分STGa的絕緣層11a；與歐姆電極層9a電連接，并且延伸到突出部分STGa側(cè)的帶狀導(dǎo)電性布線層Qa1；與布線層Qa1電連接的形成于突出部分STGa上的電極焊盤Pa31；形成于半導(dǎo)體基板12a的背面?zhèn)鹊臍W姆電極層Pa1。
另外，激光振蕩部10a形成為包括雙異質(zhì)結(jié)(DH)和設(shè)于SOG 3a側(cè)的上述脊形波導(dǎo)8a，該雙異質(zhì)結(jié)(DH)具有由III-V族化合物半導(dǎo)體(例如AlGaInP系列半導(dǎo)體)構(gòu)成的應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層和把該活性層夾在中間層疊的兩個(gè)包覆層，其中，III-V族化合物半導(dǎo)體包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種。
并且，在向歐姆電極層Pa1和電極焊盤Pa31之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)布線層Qa1和歐姆電極層9a流入脊形波導(dǎo)8a，電流沿著脊形波導(dǎo)8a的帶形狀流入激光振蕩部10a中的活性層，從而產(chǎn)生光。
進(jìn)而，利用形成于脊形波導(dǎo)8a的長(zhǎng)度方向的兩端的劈開面(鏡面)構(gòu)成激光諧振器，沿著脊形波導(dǎo)8a產(chǎn)生的光被兩端的劈開面(鏡面)反射，在活性層中一邊重復(fù)往復(fù)，一邊不斷地引發(fā)載波再耦合，以進(jìn)行受激發(fā)射，由此從劈開面射出規(guī)定波長(zhǎng)(例如650nm波段)的激光光束。
第2發(fā)光元件2a形成為包括形成有波導(dǎo)(在本實(shí)施方式中為脊形波導(dǎo))5a的激光振蕩部4a；形成于脊形波導(dǎo)5a上的歐姆電極層6a；介于除歐姆電極層6a以外的激光振蕩部4a和SOG 3a之間的絕緣層7a；與歐姆電極層6a電連接，并且延伸到突出部分STGa側(cè)的帶狀導(dǎo)電性布線層Qa2；與布線層Qa2電連接的形成于突出部分STGa上的電極焊盤Pa32；形成于激光振蕩部4a表面上的歐姆電極層Pa2。
此處，如圖所示，SOG 3a以與激光振蕩部10a的脊形波導(dǎo)8a側(cè)的面大致相同或略小的尺寸形成于絕緣層11a上，激光振蕩部4a以與SOG 3a大致相同的尺寸形成。
另外，激光振蕩部4a形成為包括雙異質(zhì)結(jié)(DH)和設(shè)于SOG 3a側(cè)的上述脊形波導(dǎo)5a，該雙異質(zhì)結(jié)(DH)具有由氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體(GaN系列半導(dǎo)體)構(gòu)成的多重量子井結(jié)構(gòu)的活性層、和把該活性層夾在中間層疊的兩個(gè)包覆層，其中，氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體由V族元素的氮(N)構(gòu)成。
接著，在向歐姆電極層Pa2和電極焊盤Pa32之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)布線層Qa2和歐姆電極層6a流入脊形波導(dǎo)5a，電流沿著脊形波導(dǎo)5a的帶形狀流入激光振蕩部4a中的上述活性層，從而產(chǎn)生光。
進(jìn)而，利用形成于脊形波導(dǎo)5a的長(zhǎng)度方向兩端的劈開面(鏡面)構(gòu)成激光諧振器，沿著脊形波導(dǎo)5a的帶形狀產(chǎn)生的光被兩端的劈開面(鏡面)反射，在活性層中一邊重復(fù)往復(fù)，一邊不斷地引發(fā)載波再耦合，以進(jìn)行受激發(fā)射，由此從劈開面射出規(guī)定波長(zhǎng)(例如405nm波段)的激光光束。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體激光裝置LDA可以使第1發(fā)光元件1a和第2發(fā)光元件2a分別獨(dú)立發(fā)光，并且也能夠同時(shí)發(fā)光。
下面，參照?qǐng)D2～圖5說(shuō)明具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光裝置LDA的制造步驟。
首先，通過(guò)圖2(a)～(e)所示的步驟預(yù)先制作用于形成第1發(fā)光元件1a的中間生成體100，通過(guò)圖3(a)～(c)所示的步驟預(yù)先制作用于形成第2發(fā)光元件2a的中間生成體200。
(中間生成體100的第1制造步驟)關(guān)于中間生成體100，首先如圖2(a)所示，利用MOCVD法等，在GaAs(001)基板12a上層疊包括組成和膜厚等不同的AlGaInP系列半導(dǎo)體的多個(gè)半導(dǎo)體薄膜，從而形成具有應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層和包覆層的AlGaInP系列薄膜層10X。
更具體地講，層疊圖1(b)所示的各層10aa～10ae等以形成激光振蕩部10a，但最先在GaAs基板12a上層疊厚約0.5μm的由摻雜了硅(Si)并經(jīng)過(guò)n型化的n型GaAs構(gòu)成的緩沖層10aa，然后層疊厚約1.2μm的由n型Al0.35Ga0.15In0.5P構(gòu)成的n型包覆層10ab。
然后，層疊厚約0.05μm的由AlGaInP構(gòu)成的引導(dǎo)層10g1。
然后，層疊厚約幾十納米的由GaInP和AlGaInP構(gòu)成的具有應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層10ac，然后層疊厚約0.05μm的由AlGaInP構(gòu)成的引導(dǎo)層10g2，然后層疊厚約1.2μm的由摻雜了鋅(Zn)并經(jīng)過(guò)p型化的Al0.35Ga0.15In0.5P構(gòu)成的p型包覆層10ad，然后層疊厚約0.05μm的由p型Ga0.51In0.49P構(gòu)成的通電層10ae，然后層疊厚約0.2μm的由p型GaAs構(gòu)成的p側(cè)接觸層(省略圖示)。
(中間生成體100的第2制造步驟)然后，如圖2(b)所示，在AlGaInP系列薄膜層10X上形成沿著<110>方向的多個(gè)脊形波導(dǎo)8a，進(jìn)一步形成歐姆電極層9a。
即，在上述的p側(cè)接觸層(省略圖示)上形成與沿著<110>方向的多個(gè)脊形波導(dǎo)8a(參照?qǐng)D1)的形狀一致的掩模，濕式蝕刻從該掩模露出的部分。
并且，進(jìn)行蝕刻直到p型包覆層10ad成為約0.2μm的厚度為止，從而形成多個(gè)帶形狀的脊形波導(dǎo)8a，接著，去除上述掩模，然后在脊形波導(dǎo)8a上通過(guò)蒸鍍形成厚約200nm的由鉻(Cr)或金(Au)或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極層9a。
(中間生成體100的第3制造步驟)然后，如圖2(c)所示，通過(guò)濕式蝕刻略微去除GaAs(001)基板12a的上部，但保留AlGaInP系列薄膜層10X中含有脊形波導(dǎo)8a的規(guī)定范圍的區(qū)域，從而形成多個(gè)沿著<110>方向的深約5μm的槽R。
更具體地講，在含有脊形波導(dǎo)8a的規(guī)定范圍的區(qū)域形成掩模，利用硫酸∶過(guò)氧化氫水∶水之比為4∶1∶1的蝕刻液，濕式蝕刻從該掩模露出的部分。
(中間生成體100的第4制造步驟)然后，在去除上述掩模后，如圖2(d)所示，在除歐姆電極層9a以外的AlGaInP系列薄膜層10X和槽R的GaAs基板12a的上表面被覆形成由ZrO2構(gòu)成的絕緣層11a，然后通過(guò)蒸鍍使由Au構(gòu)成的寬度狹小的布線層Qa1在歐姆電極層9a和絕緣層11a上形成為與脊形波導(dǎo)8a的長(zhǎng)度方向大致正交，從而使布線層Qa1和歐姆電極層9a電連接，并且延伸到槽R側(cè)。
(中間生成體100的第5制造步驟)然后，如圖2(e)所示，在歐姆電極層9a的上表面和絕緣層11a的除槽R以外的上表面被覆形成SOG 3a。由此，在絕緣層11a上形成尺寸與圖1(b)所示的各個(gè)激光振蕩部10a大致相同或略小的SOG 3a。
然后，在SOG 3a和絕緣層11a上，通過(guò)蒸鍍形成由Au構(gòu)成的寬度狹小的布線層Qa2并使其與布線層Qa1大致平行，由此形成經(jīng)過(guò)SOG 3a的表面、側(cè)面以及絕緣層11a上并延伸到槽R側(cè)的布線層Qa2。
以上通過(guò)第1～第4制造步驟，最終制得可以形成多個(gè)第1發(fā)光元件1a的中間生成體100。
(中間生成體200的第1制造步驟)關(guān)于中間生成體200，首先在圖3(a)所示的步驟中，使用藍(lán)寶石(0001)基板13a作為支撐基板，利用MOCVD法等，在藍(lán)寶石(0001)基板13a上層疊由組成和膜厚等不同的GaN系列半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體薄膜，從而形成具有上述的多重量子井結(jié)構(gòu)的活性層和包覆層的GaN系列薄膜層4X。
更具體地講，層疊形成圖1(b)所示的各層4ab～4ah等以形成激光振蕩部4a，但最先在藍(lán)寶石(0001)基板13a上層疊厚約幾十納米的由GaN或AlN構(gòu)成的緩沖層(省略圖示)，然后層疊厚約5～15μm的由摻雜了硅(Si)并經(jīng)過(guò)n型化的n型GaN構(gòu)成的基底層4ab，然后層疊厚約0.8μm的由n型Al0.08Ga0.92N構(gòu)成的n型包覆層4ac，然后層疊厚約0.2μm的由n型GaN構(gòu)成的n型引導(dǎo)層4ad。
然后，層疊厚約幾十納米的具有由組成不同的InxGa1-xN(其中，0≤x)、例如由In0.08Ga0.92N和In0.01Ga0.99N構(gòu)成的井層和屏蔽層的多重量子井結(jié)構(gòu)的活性層4ae。
然后，層疊厚約0.02μm的由Al0.2Ga0.8N構(gòu)成的電子壁壘層4af，然后層疊厚約0.2μm的由摻雜了鎂(Mg)并經(jīng)過(guò)p型化的p型GaN構(gòu)成的p型引導(dǎo)層4ag。
然后，層疊厚約0.4μm的由p型Al0.08Ga0.92N構(gòu)成的p型包覆層4ah，然后層疊厚約0.1μm的由p型GaN構(gòu)成的p側(cè)接觸層(省略圖示)。
(中間生成體200的第2制造步驟)然后，如圖3(b)所示，在GaN系列薄膜層4X上形成沿著<1-100>方向的多個(gè)脊形波導(dǎo)5a，進(jìn)而在脊形波導(dǎo)5a上形成歐姆電極層6a。
即，在上述的p側(cè)接觸層(省略圖示)上形成與沿著<1-100>方向的多個(gè)脊形波導(dǎo)5a(參照?qǐng)D1)的形狀一致的掩模，通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，蝕刻從該掩模露出的部分。接著，進(jìn)行蝕刻直到p型引導(dǎo)層4ag成為約0.05μm的厚度為止，從而形成多個(gè)帶形狀的脊形波導(dǎo)5a。
接著，去除上述掩模，然后在脊形波導(dǎo)5a的頂部通過(guò)蒸鍍形成厚約200nm的由Pd或Au或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極層6a，進(jìn)而在除歐姆電極層6a以外的區(qū)域?qū)盈B絕緣層7a。
(中間生成體200的第3制造步驟)接下來(lái)，如圖3(c)所示，在絕緣層7a的上表面形成SOG3a，由此最終制得歐姆電極層6a露出，而且可以形成多個(gè)第2發(fā)光元件2a的中間生成體200。
(半導(dǎo)體激光裝置LDA的第1制造步驟)然后，通過(guò)圖4和圖5所示的步驟，由預(yù)先制得的中間生成體100、200制造該半導(dǎo)體激光裝置LDA。
首先，如圖4(a)所示，使圖2(e)和圖3(c)所示的最終制得的中間生成體100的脊形波導(dǎo)8a和中間生成體200的脊形波導(dǎo)5a相面對(duì)，并且使AlGaInP系列薄膜層10X的劈開面(110)和GaN系列薄膜層4X的劈開面(1-100)一致，從而使中間生成體100的SOG 3a和中間生成體200的SOG 3a緊密接觸。
另外，在使上述的SOG 3a緊密接觸的狀態(tài)下，在約550℃下加熱，從而將中間生成體100的SOG 3a和中間生成體200的SOG 3a固定粘接成一體，進(jìn)一步使布線層Qa2和激光振蕩部4a側(cè)的歐姆電極層6a電連接，并且把歐姆電極層6a側(cè)的布線層Qa2部分嵌設(shè)在SOG 3a中。
(半導(dǎo)體激光裝置LDA的第2制造步驟)然后，如圖4(b)所示，利用規(guī)定的聚光透鏡，把具有小于等于360nm的波長(zhǎng)的激光光束、最好是YAG激光的4倍波(波長(zhǎng)266nm)聚焦為高能量的光，如為了便于說(shuō)明而利用多個(gè)箭頭示出的那樣，從藍(lán)寶石基板13a的背面?zhèn)日丈洹?br> 在從藍(lán)寶石基板13a的背面?zhèn)日丈涓吣芰康墓鈺r(shí)，波長(zhǎng)226nm的光在藍(lán)寶石基板13a中幾乎不被吸收而透過(guò)，只以微小的滲透深度被GaN吸收。另外，由于在藍(lán)寶石基板13a和GaN之間存在較大的晶格不匹配，所以在它們的接合部附近的GaN上存在極其多的結(jié)晶缺陷。因此，被吸收的光幾乎被轉(zhuǎn)換為熱量，接合部附近被加熱成高溫，GaN分解成金屬鎵和氮?dú)狻?br> 并且，由于存在槽R，所以面對(duì)槽R的GaN系列薄膜層4X的一部分脫落等，形成以槽R為邊界劃分的多個(gè)激光振蕩部4a。
此處，所劃分的激光振蕩部4a(即殘留的GaN系列薄膜層4X)和藍(lán)寶石基板13a處于借助金屬鎵而形成的微弱的接合狀態(tài)。因此，通過(guò)在比鎵的熔點(diǎn)溫度高的約40℃溫度下進(jìn)行整體加熱，將藍(lán)寶石基板13a從激光振蕩部4a剝離。
(半導(dǎo)體激光裝置LDA的第3制造步驟)這樣剝離藍(lán)寶石基板13a時(shí)，如圖4(c)所示，以槽R為邊界劃分的各個(gè)激光振蕩部4a，通過(guò)SOG 3a粘貼在AlGaInP系列薄膜層10X上，形成于槽R上的AlGaInP系列薄膜層10X側(cè)的絕緣層11a和布線層Qa1、Qa2露出。
并且，通過(guò)在純凈水中進(jìn)行超聲波清洗，去除上述脫落等的部分，然后在稀鹽酸中浸泡約3分鐘，從而去除殘留于激光振蕩部4a的露出面(表面)的金屬鎵。
(半導(dǎo)體激光裝置LDA的第4制造步驟)
然后，如圖5(a)所示，通過(guò)蒸鍍等，在各個(gè)激光振蕩部4a的露出面(n型GaN的面)上形成由鈦(Ti)或Au或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極Pa2，在n型GaAs基板12a的底面上形成由AuGe合金(金和鍺的合金)構(gòu)成的歐姆電極Pa1，并且在延伸到槽R側(cè)的布線層Qa1、Qa2上，通過(guò)蒸鍍等分別形成獨(dú)立電連接的金屬的電極焊盤Pa31、Pa32。
(半導(dǎo)體激光裝置LDA的第5制造步驟)然后，如圖5(b)所示，沿著GaN系列薄膜層4X的劈開面即(1-100)面劈開，從而構(gòu)成激光諧振器。
另外，在槽R的部分處沿與激光諧振器面垂直的方向進(jìn)行二次劈開，由此完成具有圖1(a)所示的第1、第2發(fā)光元件1a、2a、且槽R的部分作為突出部分STGa露出的半導(dǎo)體激光裝置LDA。
這樣，根據(jù)該半導(dǎo)體激光裝置LDA，可以形成利用較薄(厚度較小)的SOG 3a固定粘接激光振蕩部4a、10a的結(jié)構(gòu)，所以能夠減小激光振蕩部4a、10a的發(fā)光點(diǎn)間隔。換言之，由于形成為利用較薄的SOG 3a固定粘接激光振蕩部4a、10a的結(jié)構(gòu)，所以能夠縮小激光振蕩部4a的活性層和激光振蕩部10a的活性層的間隔，能夠減小位于激光振蕩部4a的活性層的發(fā)光點(diǎn)和位于激光振蕩部10a的活性層的發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)間隔。
另外，如圖1(a)、(b)所示，n型GaAs基板12a的一部分因上述槽R比激光振蕩部4a、10a更向外側(cè)突出，在該突出的部分的上表面隔著絕緣層11a露出地形成有布線層Qa1、Qa2，所以能夠容易形成用于提供驅(qū)動(dòng)電流的布線。
并且，激光振蕩部4a和10a由于p型半導(dǎo)體側(cè)的歐姆電極層6a、9a只形成于脊形波導(dǎo)5a、8a上，所以寄生電容較小，能夠提高這些激光振蕩部4a、10a的響應(yīng)特性、即驅(qū)動(dòng)電流的高頻響應(yīng)特性。
并且，如上所述，布線層Qa1通過(guò)SOG 3a和絕緣層11a之間與歐姆電極層6a電連接，布線層Qa2通過(guò)SOG 3a中與歐姆電極層9a電連接，所以在向歐姆電極Pa1和電極焊盤Pa31之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，可以使第1發(fā)光元件1a發(fā)光，在向歐姆電極Pa2和電極焊盤Pa32之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，可以使第2發(fā)光元件2a發(fā)光，另外也能夠使第1、第2發(fā)光元件1a、2a同時(shí)發(fā)光。
并且，在使第1、第2發(fā)光元件1a、2a的一方發(fā)光的情況下，也不會(huì)產(chǎn)生另一方成為反向偏置狀態(tài)等問題。
并且，在把該半導(dǎo)體激光裝置LDA安裝在對(duì)CD和DVD及其他存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行信息記錄或信息再現(xiàn)的光拾波器上時(shí)，由于發(fā)光點(diǎn)間隔較小，所以能夠把第1、第2發(fā)光元件1a、2a的各個(gè)發(fā)光點(diǎn)都定位于光拾波器的光學(xué)系統(tǒng)的光軸附近，可以大幅改善像差等的產(chǎn)生。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，在利用SOG 3a固定粘接可以形成多個(gè)第1、第2發(fā)光元件1a、2a的中間生成體100、200后，通過(guò)劈開和雕合(scribing)等劃分為各個(gè)半導(dǎo)體激光裝置LDA，所以能夠在固定粘接中間生成體100、200時(shí)一并進(jìn)行發(fā)光元件1a、2a的發(fā)光點(diǎn)間隔的最佳化控制，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高精度定位。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)化等。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束、并且電特性良好，而且機(jī)械精度較高的半導(dǎo)體激光裝置LDA，而且能夠提供以良好的量產(chǎn)性制造這種半導(dǎo)體激光裝置LDA用的制造方法。
另外，說(shuō)明了利用包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體形成第1發(fā)光元件1a的主體部分即激光振蕩部10a的情況，但也可以利用II-VI族化合物半導(dǎo)體代替這種III-V族化合物半導(dǎo)體來(lái)形成激光振蕩部10a。
另外，作為絕緣層7a、11a，也可以利用SiO2、ZrO2、AlN等絕緣材料適當(dāng)形成。
另外，作為形成GaN系列半導(dǎo)體的基板，也可以使用AlN、AlGaN。
另外，在本實(shí)施方式中，使用于流入驅(qū)動(dòng)電流的波導(dǎo)5a、8a形成為脊形波導(dǎo)，但不限于此，也可以是其他結(jié)構(gòu)。另外，也可以省略上述的絕緣層7a。
(變形例)下面，參照?qǐng)D6說(shuō)明第1實(shí)施方式的變形例。另外，在圖6中，利用相同符號(hào)表示與圖1～圖5所示的半導(dǎo)體激光裝置LDA相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 圖6(a)是表示本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA的外部結(jié)構(gòu)的立體圖，與圖1(a)相對(duì)應(yīng)地示出。
圖6(b)、(c)是示意性地表示本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA的制造步驟的立體圖，圖6(b)與圖2(e)相對(duì)應(yīng)地示出、圖6(c)與圖4(c)相對(duì)應(yīng)地示出。
根據(jù)圖6(a)說(shuō)明本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA和圖1(a)所示的半導(dǎo)體激光裝置LDA的結(jié)構(gòu)上的不同之處，首先，在圖1(a)的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，布線層Qa1、Qa2和電極焊盤Pa31、Pa32形成于突出部分STGa的絕緣層11a上，并且位于同一平面上。
對(duì)此，在本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，一個(gè)布線層Qa1和電極焊盤Pa31隔著絕緣層11a形成于第1發(fā)光元件1a的半導(dǎo)體基板12a上，另一個(gè)布線層Qa2和電極焊盤Pa32形成于在半導(dǎo)體基板12a和絕緣層11a上所形成的臺(tái)狀SOG 3a的表面上。
本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA按照以下敘述的制造步驟制成。
首先，通過(guò)參照?qǐng)D2(a)～(e)說(shuō)明的制造步驟，制作中間生成體100，通過(guò)參照?qǐng)D3(a)～(c)說(shuō)明的制造步驟，制作中間生成體200。
但是，在圖1(a)所示的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，在圖2(e)所示的制造步驟(中間生成體100的第5制造步驟)中，只在AlGaInP系列薄膜層10X的除槽R以外的上表面形成SOG 3a，并形成布線層Qa2，由此制得最終的中間生成體100，但在本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，如圖6(b)所示，在包括槽R在內(nèi)的整個(gè)面上形成SOG 3a，進(jìn)一步在形成于整個(gè)面的SOG 3a的表面上形成布線層Qa2，由此制得最終的中間生成體100。
并且，與圖4(a)、(b)所示的制造步驟同樣地，通過(guò)SOG 3a固定粘接圖6(b)的中間生成體100和圖3(c)的中間生成體200，利用規(guī)定的聚光透鏡，把YAG激光的4倍波(波長(zhǎng)266nm)聚焦為高能量的光，并從藍(lán)寶石基板13a的背面?zhèn)日丈?，從而使與中間生成體200中的藍(lán)寶石基板13a的界面附近的GaN分解成金屬鎵和氮?dú)?，然后剝離藍(lán)寶石基板13a。
結(jié)果，在圖1(a)所示的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，剝離藍(lán)寶石基板13a后的中間生成體形成為圖4(c)所示的結(jié)構(gòu)，而在本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，剝離藍(lán)寶石基板13a后的中間生成體如圖6(c)所示，形成為槽R中的SOG 3a和布線層Qa2露出的結(jié)構(gòu)。
接著，對(duì)該槽R內(nèi)的SOG 3a中的除形成有布線層Qa2的規(guī)定區(qū)域以外的部分進(jìn)行蝕刻，從而使布線層Qa1露出。
并且，通過(guò)與圖5(a)、(b)所示的制造步驟相同的步驟，進(jìn)行規(guī)定劈開等，由此完成圖6(a)所示的本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA。
在具有這種結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體激光裝置LDA中，可以獲得與上述圖1(a)的半導(dǎo)體激光裝置LDA相同的效果。
(第2實(shí)施方式)下面，參照?qǐng)D7～圖11說(shuō)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置LDB。
另外，圖7是表示該半導(dǎo)體激光裝置LDB的外部結(jié)構(gòu)的立體圖，圖8～圖11是示意性地表示該半導(dǎo)體激光裝置LDB的制造步驟的立體圖。
在圖7中，該半導(dǎo)體激光裝置LDB具有射出規(guī)定波長(zhǎng)(例如405nm波段)的激光光束的第1發(fā)光元件1b、和射出波長(zhǎng)比其長(zhǎng)(例如650nm波段)的激光光束的第2發(fā)光元件2b，第1發(fā)光元件1b和第2發(fā)光元件2b通過(guò)SiO2系列的SOG(spin on glass)3b固定粘接成一體，由此實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光裝置LDB。
此處，與第2發(fā)光元件2b的形成區(qū)域相比，半導(dǎo)體基板SUB1的專有區(qū)域較大，根據(jù)這些形成區(qū)域和占有區(qū)域的大小差異，形成半導(dǎo)體基板SUB1的突出部分STGb。
第1發(fā)光元件1b構(gòu)成為包括利用V族元素的氮(N)所構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體(GaN系列半導(dǎo)體)形成的半導(dǎo)體基板SUB1；形成有波導(dǎo)(在本實(shí)施方式中為帶形狀的脊形波導(dǎo))5b和歐姆電極層6b，并射出上述規(guī)定波長(zhǎng)的激光光束的第1激光振蕩部4b；介于除歐姆電極層6b以外的激光振蕩部4b和SOG 3b之間的絕緣層7b；與歐姆電極層6b電連接，并且延伸到突出部分STGb側(cè)的帶狀導(dǎo)電性布線層Qb1；形成于半導(dǎo)體基板SUB1的底面的歐姆電極Pb1。
此處，激光振蕩部4b形成為包括雙異質(zhì)結(jié)(DH)和設(shè)于SOG3b側(cè)的上述脊形波導(dǎo)5b，該雙異質(zhì)結(jié)(DH)具有由氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體(GaN系列半導(dǎo)體)構(gòu)成的多重量子井結(jié)構(gòu)的活性層、和把該活性層夾在中間層疊的兩個(gè)包覆層，其中，氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體由V族元素的氮(N)構(gòu)成。
在向露出的布線層Qb1和歐姆電極Pb1之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)歐姆電極層6b流入脊形波導(dǎo)5b，電流沿著脊形波導(dǎo)5b的帶形狀流入激光振蕩部4b中的上述活性層，從而產(chǎn)生光。
進(jìn)而，利用形成于脊形波導(dǎo)5b的長(zhǎng)度方向兩端的劈開面(鏡面)構(gòu)成激光諧振器，沿著脊形波導(dǎo)5b的帶形狀產(chǎn)生的光被兩端的劈開面(鏡面)反射，在活性層中一邊重復(fù)往復(fù)，一邊不斷地引發(fā)載波再耦合，以進(jìn)行受激發(fā)射，由此從劈開面射出規(guī)定波長(zhǎng)(例如405nm波段)的激光光束。
第2發(fā)光元件2b構(gòu)成為包括具有波導(dǎo)(在本實(shí)施方式中為帶形狀的脊形波導(dǎo))8b和歐姆電極層9b的激光振蕩部10b；介于除歐姆電極層9b以外的激光振蕩部10b和SOG 3b之間的絕緣層11b；與歐姆電極層9b電連接，并且延伸到突出部分STGb側(cè)的帶狀導(dǎo)電性布線層Qb2；形成于激光振蕩部10b表面的歐姆電極Pb2。
此處，激光振蕩部10b形成為包括雙異質(zhì)結(jié)(DH)和上述的脊形波導(dǎo)8b，該雙異質(zhì)結(jié)(DH)具有由III-V族化合物半導(dǎo)體(例如AlGaInP系列半導(dǎo)體)構(gòu)成的應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層、和把該活性層夾在中間層疊的兩個(gè)包覆層，該III-V族化合物半導(dǎo)體包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種。
另外，具體情況將在后面敘述，但在突出部分STGb側(cè)的絕緣層7b上設(shè)有通過(guò)加工SOG 3b而形成的臺(tái)部，導(dǎo)電性布線層Qb2延伸到該臺(tái)部上，并且成為從外部提供驅(qū)動(dòng)電流的電極。
接著，在向露出的布線層Qb2和歐姆電極層Pb2之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)歐姆電極層9b流入脊形波導(dǎo)8b，電流沿著脊形波導(dǎo)8b的帶形狀流入激光振蕩部10b中的上述活性層，從而產(chǎn)生光。
進(jìn)而，利用形成于脊形波導(dǎo)8b的長(zhǎng)度方向的兩端的劈開面(鏡面)構(gòu)成激光諧振器，沿著脊形波導(dǎo)8b的帶形狀產(chǎn)生的光被兩端的劈開面(鏡面)反射，在活性層中一邊重復(fù)往返，一邊不斷地引發(fā)載波再耦合，以進(jìn)行受激發(fā)射，由此從劈開面射出規(guī)定波長(zhǎng)(例如650nm波段)的激光光束。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體激光裝置LDA可以使第1發(fā)光元件1b和第2發(fā)光元件2b分別獨(dú)立發(fā)光，并且也能夠同時(shí)發(fā)光。
下面，參照?qǐng)D8～圖11的立體圖，說(shuō)明具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光裝置LDB的制造步驟。
首先，通過(guò)圖8(a)～(e)所示的步驟，預(yù)先制作用于形成第1發(fā)光元件1b的中間生成體300，通過(guò)圖9(a)～(e)所示的步驟，預(yù)先制作用于形成第2發(fā)光元件2b的中間生成體400。
(中間生成體300的第1制造步驟)關(guān)于中間生成體300，首先在圖8(a)所示的步驟中，利用MOCVD法等，在GaN系列半導(dǎo)體、更具體講是n型GaN(0001)半導(dǎo)體基板SUB1上，層疊由組成和膜厚等不同的GaN系列半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體薄膜，從而形成與圖1(b)所示的各層4ab～4ah等相同的GaN系列薄膜層4X、即具有多重量子井結(jié)構(gòu)的活性層和包覆層的GaN系列薄膜層4X。
即，在半導(dǎo)體基板SUB1上層疊厚約5～15μm的由摻雜了Si并經(jīng)過(guò)n型化的n型GaN構(gòu)成的基底層，然后層疊厚約0.8μm的由n型Al0.09Ga0.92N構(gòu)成的n型包覆層，然后層疊厚約0.2μm的由n型GaN構(gòu)成的n型引導(dǎo)層，然后層疊厚約幾十納米的由多重量子井結(jié)構(gòu)構(gòu)成的活性層，該多重量子井結(jié)構(gòu)的井層和屏蔽層由In0.08Ga0.92N和In0.01Ga0.99N構(gòu)成，然后層疊厚約0.02μm的由Al0.2Ga0.8N構(gòu)成的電子壁壘層，然后層疊厚約0.2μm的由摻雜了Mg并經(jīng)過(guò)p型化的p型GaN構(gòu)成的p型引導(dǎo)層，然后層疊厚約0.4μm的由p型Al0.08Ga0.92N構(gòu)成的p型包覆層，然后層疊厚約0.1μm的由p型GaN構(gòu)成的p側(cè)接觸層，由此形成GaN系列薄膜層4X。
(中間生成體300的第2制造步驟)然后，如圖8(b)所示，在GaN系列薄膜層4X上形成多個(gè)脊形波導(dǎo)5b，進(jìn)一步在脊形波導(dǎo)5b上形成歐姆電極層6b。
即，在上述的p側(cè)接觸層上沿著<1-100>方向形成與多個(gè)脊形波導(dǎo)5b的形狀一致的掩模，通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，蝕刻從該掩模露出的部分。
此處，進(jìn)行蝕刻直到上述p型引導(dǎo)層成為約0.05μm的厚度為止，從而形成多個(gè)帶形狀的脊形波導(dǎo)5b。
接著，在去除上述掩模后，在脊形波導(dǎo)5b上通過(guò)蒸鍍形成厚約200nm的由Pd或Au或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極層6b。
(中間生成體300的第3制造步驟)然后，如圖8(c)所示，在GaN系列薄膜層4X的除歐姆電極層6b以外的表面上形成由ZrO2構(gòu)成的絕緣層7b。
(中間生成體300的第4制造步驟)然后，如圖8(d)所示，通過(guò)蒸鍍，使由Au構(gòu)成的規(guī)定寬度的布線層Qb1在歐姆電極層6b和絕緣層7b上形成為與脊形波導(dǎo)5b的長(zhǎng)度方向大致正交。此時(shí)，布線層Qb1和歐姆電極層6b電連接。
(中間生成體300的第5制造步驟)然后，如圖8(e)所示，在GaN系列薄膜層4X上的整個(gè)表面形成SiO2系列的SOG 3b，由此最終制得中間生成體300。
(中間生成體400的第1制造步驟)然后，關(guān)于中間生成體400，首先如圖9(a)所示，在III-V族化合物半導(dǎo)體、更具體講為n型GaAs(001)半導(dǎo)體基板SUB2的上表面，利用MOCVD法形成由InGaP構(gòu)成的蝕刻阻止層STP，然后在蝕刻阻止層STP上層疊與圖1(b)所示的各層10aa～10ae等相同的AlGaInP系列薄膜層10X，即具有應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層和包覆層的AlGaInP系列薄膜層10X。
即，在半導(dǎo)體基板SUB2的上表面形成蝕刻阻止層STP后，在蝕刻阻止層STP上層疊厚約0.5μm的由摻雜了Si并經(jīng)過(guò)n型化的n型GaAs構(gòu)成的緩沖層，然后層疊厚約1.2μm的由n型Al0.35Ga0.15In0.5P構(gòu)成的n型包覆層，然后層疊厚約0.05μm的由AlGaInP構(gòu)成的n型引導(dǎo)層。
然后，層疊厚約幾十納米的由GaInP和AlGaInP構(gòu)成的應(yīng)變型量子井結(jié)構(gòu)的活性層，然后層疊厚約0.05μm的由AlGaInP構(gòu)成的p型引導(dǎo)層，然后層疊厚約1.2μm的由摻雜了Zn并經(jīng)過(guò)p型化的Al0.35Ga0.15In0.5P構(gòu)成的p型包覆層，然后層疊厚約0.05μm的由p型Ga0.51In0.49P構(gòu)成的通電層，然后層疊厚約0.2μm的由p型GaAs構(gòu)成的p側(cè)接觸層，由此形成AlGaInP系列薄膜層10X。
(中間生成體400的第2制造步驟)然后，如圖9(b)所示，在AlGaInP系列薄膜層10X上，以與圖8(b)所示的脊形波導(dǎo)5b相同的間隔，形成用于形成沿著<110>方向的多個(gè)脊形波導(dǎo)8b的掩模，利用硫酸∶過(guò)氧化氫水∶水之比為4∶1∶1的蝕刻液等，濕式蝕刻從該掩模露出的部分。
此處，進(jìn)行蝕刻直到p型包覆層成為約0.2μm的厚度為止，從而形成多個(gè)帶形狀的脊形波導(dǎo)8b。
然后去除上述掩模，在脊形波導(dǎo)8b上形成由Cr或Au或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極層9b。
(中間生成體400的第3制造步驟)然后，在AlGaInP系列薄膜層10X的除歐姆電極層9b以外的表面上形成SiO2的絕緣層11b。
(中間生成體400的第4制造步驟)然后，如圖9(d)所示，通過(guò)蒸鍍，使由Au構(gòu)成的規(guī)定寬度的布線層Qb2在歐姆電極層9b和絕緣層11b上形成為與脊形波導(dǎo)8b的長(zhǎng)度方向大致正交。此時(shí)，布線層Qb2和歐姆電極層9b電連接。
(中間生成體400的第5制造步驟)然后，如圖9(e)所示，在AlGaInP系列薄膜層10X上的整個(gè)表面形成SiO2系列的SOG 3b，由此最終制得中間生成體400。
(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第1制造步驟)然后，通過(guò)圖10和圖11所示的步驟，由預(yù)先制得的中間生成體300、400制造該半導(dǎo)體激光裝置LDB。
首先，如圖10(a)所示，使圖8(e)和圖9(e)所示的最終制得的中間生成體300、400的脊形波導(dǎo)5b、8b相面對(duì)，并且使GaN系列薄膜層4X的劈開面(1-100)和AlGaInP系列薄膜層10X的劈開面(110)一致，從而使中間生成體300的SOG 3a和中間生成體400的SOG 3a緊密接觸。
另外，在使上述的SOG 3a緊密接觸的狀態(tài)下，在約550℃下加熱，從而將中間生成體300的SOG 3a和中間生成體400的SOG 3a固定粘接成一體，并且把形成于中間生成體400上的布線層Qb2嵌設(shè)在SOG 3a中。
(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第2制造步驟)然后，如圖10(b)所示，利用硫酸∶過(guò)氧化氫水∶水之比為4∶1∶1的蝕刻液，濕式蝕刻n型GaAs半導(dǎo)體基板SUB2，從而將其去除，然后利用鹽酸∶水之比為1∶1的蝕刻液，蝕刻通過(guò)該濕式蝕刻而露出的蝕刻阻止層STP，從而將其去除，使AlGaInP系列薄膜層10X露出。
即，使在上述的中間生成體400的第1制造步驟中說(shuō)明的由n型GaAs構(gòu)成的緩沖層露出。
(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第3制造步驟)然后，如圖10(c)所示，在應(yīng)該形成激光振蕩部10b的區(qū)域形成掩模，濕式蝕刻AlGaInP系列薄膜層10X中的從該掩模露出的部分。
由此，形成圖示的多個(gè)激光振蕩部10b，并且使各個(gè)激光振蕩部10b之間的絕緣層11b露出。
(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第4制造步驟)然后，如圖11(a)所示，使用CF4氣體，對(duì)上述露出的絕緣層11b和SOG 3b實(shí)施干式蝕刻，從而使布線層Qb1和Qb2露出，并形成臺(tái)狀的SOG 3b。
即，在利用CF4氣體進(jìn)行干式蝕刻時(shí)，SiO2的絕緣層11b被蝕刻，Au的布線層Qb1和Qb2未被蝕刻，另外SiO2系列的SOG 3b中的位于布線層Qb2下側(cè)的部分除外的部分被蝕刻。結(jié)果，如圖11(a)所示，臺(tái)狀的SOG 3b殘留，該臺(tái)狀的SOG 3b上的布線層Qb2和利用ZrO2形成的絕緣層7b上的布線層Qb1殘留。
這樣，只利用CF4氣體進(jìn)行干式蝕刻，即可使需要布線的布線層Qb1、Qb2露出，由于該露出，可以去除不需要的部分，所以能夠簡(jiǎn)化制造步驟。
(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第5制造步驟)然后，如圖11(b)所示，在激光振蕩部10b的露出面(表面)，在由AuGe合金構(gòu)成的歐姆電極Pb2、n型GaN的半導(dǎo)體基板SUB1的底面，通過(guò)蒸鍍等形成由Ti或Au或它們的合金構(gòu)成的歐姆電極Pb1，然后沿著GaN系列薄膜層4X的劈開面即(1-100)面劈開，從而構(gòu)成激光諧振器。
進(jìn)而，在布線層Qb1、Qb2露出的部分處沿與激光振蕩器面垂直的方向進(jìn)行二次劈開，由此完成具有圖7所示的第1、第2發(fā)光元件1b、2b的半導(dǎo)體激光裝置LDB。
這樣，根據(jù)該半導(dǎo)體激光裝置LDB，可以形成利用較薄(厚度較小)的SOG 3b固定粘接激光振蕩部4b、10b的結(jié)構(gòu)，所以能夠減小激光振蕩部4b、10b的發(fā)光點(diǎn)間隔。換言之，由于形成為利用較薄的SOG 3b固定粘接激光振蕩部4b、10b的結(jié)構(gòu)，所以能夠縮小激光振蕩部4b的活性層和激光振蕩部10b的活性層的間隔，能夠減小位于激光振蕩部4b的活性層上的發(fā)光點(diǎn)和位于激光振蕩部10b的活性層上的發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光點(diǎn)間隔。
并且，激光振蕩部4b和10b由于p型半導(dǎo)體側(cè)的歐姆電極層6a、9a只形成于脊形波導(dǎo)5a、8a上，所以寄生電容較小，能夠提高這些激光振蕩部4a、10a的響應(yīng)特性、即驅(qū)動(dòng)電流的高頻響應(yīng)特性。
并且，激光振蕩部4b、10b通過(guò)SOG 3b被電分離開，所以能夠分別獨(dú)立發(fā)光，而且也可以同時(shí)發(fā)光。并且在使第1、第2發(fā)光元件1b、2b的一方發(fā)光的情況下，也不會(huì)產(chǎn)生另一方成為反向偏置狀態(tài)等問題。
并且，在把該半導(dǎo)體激光裝置LDB安裝在對(duì)CD和DVD及其他存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行信息記錄或信息再現(xiàn)的光拾波器上時(shí)，由于發(fā)光點(diǎn)間隔較小，所以能夠把第1、第2發(fā)光元件1b、2b的各自發(fā)光點(diǎn)都定位于光拾波器的光學(xué)系統(tǒng)的光軸附近，可以大幅改善像差等的產(chǎn)生。
并且，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，在利用SOG 3b固定粘接可以形成多個(gè)第1、第2發(fā)光元件1b、2b的中間生成體300、400后，通過(guò)劈開和雕合等劃分為各個(gè)半導(dǎo)體激光裝置LDB，所以能夠在固定粘接中間生成體300、400時(shí)一并進(jìn)行發(fā)光元件1b、2b的發(fā)光點(diǎn)間隔的最佳化控制，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高精度定位，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)化等。
另外，本實(shí)施方式的制造方法在參照?qǐng)D10(b)、(c)說(shuō)明的步驟(半導(dǎo)體激光裝置LDB的第2、第3制造步驟)中，通過(guò)加工n型GaAs的半導(dǎo)體基板SUB2和AlGaInP系列薄膜10X，使絕緣膜11b露出。因此，第1發(fā)光元件1b側(cè)的半導(dǎo)體基板SUB1可以使用GaN半導(dǎo)體基板，所以能夠制造結(jié)晶性良好的GaN系列薄膜層4X。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束、并且電特性良好，而且機(jī)械精度較高的半導(dǎo)體激光裝置LDB，而且能夠提供以良好的量產(chǎn)性制造這種半導(dǎo)體激光裝置LDB的制造方法。
另外，說(shuō)明了利用由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體形成第1發(fā)光元件1b的主體部分即激光振蕩部4b的情況，但也可以利用II-VI族化合物半導(dǎo)體代替這種III-V族化合物半導(dǎo)體來(lái)形成激光振蕩部4b。
另外，絕緣層11b只要是能夠被上述的CF4氣體干式蝕刻的材料，也可以是其他材料，另外，絕緣層7b只要是能夠不被上述的CF4氣體干式蝕刻的材料，也可以是其他材料。
權(quán)利要求
1.一種射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具有層疊于半導(dǎo)體基板上的第1激光振蕩部、和以不同于所述第1激光振蕩部的波長(zhǎng)振蕩的第2激光振蕩部，所述第1激光振蕩部的與所述半導(dǎo)體基板相反側(cè)的面、與距所述第2激光振蕩部的發(fā)光部較近一側(cè)的面，通過(guò)絕緣性粘接層固定粘接起來(lái)，所述半導(dǎo)體激光裝置具有第1、第2歐姆電極層，其形成于所述第1、第2激光振蕩部的波導(dǎo)上的表面上；第1、第2布線層，其形成于所述第1、第2激光振蕩部之間，并且分別與所述第1、第2歐姆電極層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，從所述第2激光振蕩部側(cè)觀看時(shí)，所述第1激光振蕩部或半導(dǎo)體基板部分突出，所述第1、第2布線層在所述突出部分的面上延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述粘接層是SOG(spin on glass)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，在所述第1激光振蕩部的所述歐姆電極層以外的區(qū)域和所述第1布線層之間，形成有由與所述粘接層不同的材質(zhì)構(gòu)成的絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第1振蕩部具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體，所述第2激光振蕩部具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第1振蕩部具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體，所述第2激光振蕩部具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體。
7.一種射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括如下的步驟通過(guò)在半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第1薄膜層，來(lái)制作第1中間生成體；通過(guò)在支撐基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第2薄膜層，來(lái)制作第2中間生成體；使所述第1、第2中間生成體的所述波導(dǎo)側(cè)相對(duì)置，利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接；去除所述支撐基板以使所述第2薄膜層露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述制作第1中間生成體的步驟具有在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第1歐姆電極層；與所述第1歐姆電極層電連接的第1布線層；覆蓋包括該波導(dǎo)的規(guī)定區(qū)域的第1絕緣性粘接層；和第2布線層，所述制作第2中間生成體的步驟具有在所述第2薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第2歐姆電極層；位于所述第2歐姆電極層以外的區(qū)域的第2絕緣性粘接層，所述利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接的步驟具有如下步驟使所述第2布線層和所述第2歐姆電極層電連接，使所述第1、第2絕緣性粘接層緊密粘接，從而利用所述絕緣性粘接層進(jìn)行所述第1、第2中間生成體之間的固定粘接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接層是SOG(spin on glass)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7～9中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第1薄膜層具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體，所述第2薄膜層具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐基板是藍(lán)寶石基板或AIN基板，所述使第2薄膜層露出的步驟具有如下步驟從所述支撐基板的背面向所述支撐基板和第2薄膜層的接合部附近照射光，對(duì)所述接合部附近進(jìn)行加熱分解。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述光是具有小于等于360nm的波長(zhǎng)的激光光束。
13.一種射出波長(zhǎng)不同的多個(gè)激光光束的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括如下的步驟通過(guò)在第1半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第1薄膜層，來(lái)制作第1中間生成體；通過(guò)在第2半導(dǎo)體基板上形成至少包括活性層和波導(dǎo)的第2薄膜層，來(lái)制作第2中間生成體；使所述第1、第2中間生成體的所述波導(dǎo)側(cè)相對(duì)置，利用絕緣性的粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接；去除所述第2半導(dǎo)體基板以使所述第2薄膜層露出。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述制作第1中間生成體的步驟具有在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第1歐姆電極層；與所述第1歐姆電極層電連接的第1布線層；和第1粘接層，所述制作第2中間生成體的步驟具有在所述第2薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上重疊形成以下層的步驟沿著該波導(dǎo)的第2歐姆電極層；與所述第2歐姆電極層電連接的第2布線層；和第2粘接層，所述利用粘接層對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接的步驟具有如下步驟使所述第1、第2粘接層緊密粘接，從而對(duì)所述第1、第2中間生成體之間進(jìn)行固定粘接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述制作第1中間生成體的步驟具有如下步驟在所述第1薄膜層的波導(dǎo)側(cè)的面上形成與覆蓋除所述第1歐姆電極層以外的部分的所述粘接層不同材質(zhì)的絕緣層，在該絕緣層上形成與所述第1歐姆電極層電連接的所述第1布線層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，緊接著所述去除第2半導(dǎo)體基板以使所述第2薄膜層露出的步驟之后，還具有部分蝕刻所述第2薄膜層和所述粘接層，使所述第1、第2布線層和所述絕緣層部分露出的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求13～16中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接層是SOG(spin on glass)。
18.根據(jù)權(quán)利要求13～17中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體基板由氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，該氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體由V族元素的氮(N)構(gòu)成，所述第1薄膜層具有由V族元素的氮(N)構(gòu)成的氮化物系列III-V族化合物半導(dǎo)體，所述第2半導(dǎo)體基板由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述第2薄膜層具有包括作為V族元素的砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的任意一種的III-V族化合物半導(dǎo)體或II-VI族化合物半導(dǎo)體。
全文摘要
提供一種激光光束的發(fā)光點(diǎn)間隔小的半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法。具有半導(dǎo)體基板(12a)和激光振蕩部(10a)的第1發(fā)光元件(1a)和具有激光振蕩部(4a)的第2發(fā)光元件(2a)使激光振蕩部(10a)的脊形波導(dǎo)(8a)和激光振蕩部(4a)的脊形波導(dǎo)(5a)相面對(duì)，并利用厚度較小的SOG(3a)固定粘接。與脊形波導(dǎo)(8a)上的歐姆電極層(9a)電連接的導(dǎo)電性布線層(Qa1)和與脊形波導(dǎo)(5a)上的歐姆電極層(6a)電連接的導(dǎo)電性布線層(Qa2)分別延伸到半導(dǎo)體基板(12a)上的絕緣層(11a)，在半導(dǎo)體基板(12a)的底面和激光振蕩部(4a)的表面分別形成歐姆電極(Pa1、Pa2)。在向歐姆電極(Pa1)和布線層(Qa1)之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，激光振蕩部(10a)射出激光光束，在向歐姆電極(Pa2)和布線層(Qa2)之間提供驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，激光振蕩部(4a)射出激光光束。由于利用厚度較小的SOG(3a)固定粘接激光振蕩部(4a、10a)，所以能夠形成發(fā)光點(diǎn)間隔小的半導(dǎo)體激光裝置。
文檔編號(hào)H01S5/22GK1871755SQ20048003109
公開日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2004年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月24日
發(fā)明者宮地護(hù), 木村義則, 竹間清文 申請(qǐng)人:日本先鋒公司