專利名稱：閃存裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于存儲器裝置和制造該存儲器裝置的方法。本發(fā)明對于非易失性存儲器裝置具有特殊的可應(yīng)用性。
背景技術(shù)：
對于相關(guān)于非易失性存儲器裝置的高密度和性能的逐漸擴(kuò)大需求，而需要有小的設(shè)計(jì)特征結(jié)構(gòu)、高的可靠度和增加的制造產(chǎn)量。然而，減小設(shè)計(jì)特征結(jié)構(gòu)，將挑戰(zhàn)習(xí)知方法的極限。舉例而言，減小設(shè)計(jì)特征結(jié)構(gòu)，將使得存儲器裝置很難符合其所期望的資料保存需求，例如，十年資料保存需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種使用柱子結(jié)構(gòu)所形成的非易失性存儲器裝置。氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層可形成于柱子結(jié)構(gòu)(pillarstructures)的周圍，而多晶硅或金屬層可形成于ONO層的上。于ONO層中的氮化物層可作用為用于非易失性存儲器裝置的電荷儲存器或浮置柵電極。多晶硅或金屬層可作用為用于非易失性存儲器裝置的控制柵極，并可藉由ONO層的頂面氧化物層而與浮置柵極分離。
于下列的說明中將提出本發(fā)明的部分額外優(yōu)點(diǎn)和其它特征，而該等部分額外優(yōu)點(diǎn)和其它特征對于熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言將由于下列的說明而變得明白，或可由實(shí)施本發(fā)明而習(xí)得該等額外優(yōu)點(diǎn)和其它特征。本發(fā)明的各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)和特征可由所附權(quán)利要求書所指出的事項(xiàng)實(shí)現(xiàn)并獲得。
依照本發(fā)明，藉由存儲器裝置而達(dá)成部分的上述和其它優(yōu)點(diǎn)，該存儲器裝置包括第一導(dǎo)電層、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、許多的電介質(zhì)層和控制柵極。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于該第一導(dǎo)電層上，而第一導(dǎo)電層的一部分作用為用于存儲器裝置的源極區(qū)域。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有第一端和相對于該第一端的第二端。第一端設(shè)置于鄰接作用為源極區(qū)域的第一導(dǎo)電層的部分，而第二端作用為用于存儲器裝置的漏極區(qū)域。圍繞于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分而形成電介質(zhì)層，而電介質(zhì)層的至少其中的一作用為用于存儲器裝置的浮置柵電極?？刂茤艠O形成于該電介質(zhì)層的上。
依照本發(fā)明的另一態(tài)樣，提供一種包括襯底、第一絕緣層、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、許多的電介質(zhì)層和控制柵極的存儲器裝置。該第一絕緣層形成于襯底上，而導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于該第一絕緣層之上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)作用為用于存儲器裝置的溝道區(qū)域。電介質(zhì)層形成圍繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分，并至少其中一個電介質(zhì)層作用為用于存儲器裝置的電荷儲存電極?？刂茤艠O形成于該等電介質(zhì)層上。
依照本發(fā)明的另一態(tài)樣，提供一種包括第一導(dǎo)電層、許多的結(jié)構(gòu)、許多的電介質(zhì)層和至少一個導(dǎo)電層的非易失性存儲器陣列。該第一導(dǎo)電層形成于襯底上，而該第一導(dǎo)電層的部分作用為存儲器陣列中的存儲單元(cell)的源極區(qū)域。該等結(jié)構(gòu)形成于第一導(dǎo)電層上，而各該等結(jié)構(gòu)作用為用于其中一個存儲單元的溝道區(qū)域。電介質(zhì)層形成圍繞各該結(jié)構(gòu)的各部分，其中，至少其中一個電介質(zhì)層作用為用于其中一個存儲單元的電荷儲存電極。該至少一個導(dǎo)電層形成于用于各該等存儲單元的多個電介質(zhì)層之上。
就熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言由下列的詳細(xì)說明對于本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)和特征將變得容易明白。各顯示和說明的實(shí)施例提供構(gòu)思實(shí)施本發(fā)明的最佳模式的例子。本發(fā)明可作各種顯而易知的態(tài)樣上的修飾，所有的該等修飾將不會脫離本發(fā)明的范圍。因此，各圖式本質(zhì)上系關(guān)于例示性，而非用來限制本發(fā)明。


參照所附圖式，其中各圖中具有相同參考號碼指示的各組件可表示相同的組件。
圖1顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例可用來形成柱子結(jié)構(gòu)的范例層的橫剖面圖。
圖2顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例所形成的許多柱子結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖3顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖2的裝置上形成絕緣層的橫剖面圖。
圖4顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖3的柱子結(jié)構(gòu)周圍形成電介質(zhì)層的橫剖面圖。
圖5顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖4的裝置上形成控制柵極材料的橫剖面圖。
圖6顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖5的裝置已沉積控制柵極材料后的上視圖。
圖7顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖5的蝕刻控制柵極材料的橫剖面圖。
圖8顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例圖7的半導(dǎo)體裝置的上視圖。
圖9顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖7的裝置上形成位線的橫剖面圖。
圖10顯示依照本發(fā)明的實(shí)施范例于圖9的裝置于列方向的橫剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。于不同圖式中相同的參考號碼可識認(rèn)為相同或相似的組件。而且，下列的詳細(xì)說明并不限制本發(fā)明。反之，本發(fā)明之范圍將由所附權(quán)利要求書及其均等內(nèi)容所界定。
按照本發(fā)明的實(shí)施例提供了譬如快閃電可拭除只讀存儲器(EEPROM)裝置的非易失性存儲器裝置，并提供制造該等裝置的方法。存儲器裝置可包括具有電介質(zhì)層的柱子結(jié)構(gòu)，和形成于該柱子結(jié)構(gòu)周圍的控制柵極層。一層或多層的電介質(zhì)層可作用為用于存儲器裝置的浮置柵極。
圖1為顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例所形成的半導(dǎo)體裝置100的范例橫剖面圖。參照圖1，半導(dǎo)體裝置100可包括絕緣層上覆硅(SOI)結(jié)構(gòu)，該SOI結(jié)構(gòu)包括硅襯底110和形成于該襯底110上的掩埋氧化物層(buried oxide layer)120。掩埋氧化物層120可用習(xí)知的方式形成于該襯底110上。于實(shí)施范例中，掩埋氧化物層120可包括譬如SiO2的氧化硅，并可具有從大約500埃()至大約2000埃的范圍內(nèi)的厚度。
譬如摻雜的硅化物(silicide)和自行對準(zhǔn)硅化物(salicide)的低電阻層130可形成于掩埋氧化物層120上，作用為對于半導(dǎo)體裝置100的源極區(qū)域或接地，以下將作更詳細(xì)的說明。于實(shí)施范例中，低電阻層130可具有從大約100埃至大約500埃的范圍內(nèi)的厚度。
硅層140可形成于層130上。硅層140可包括單晶硅或多晶硅而具有從大約200埃至大約1000埃的范圍內(nèi)的厚度?？墒褂霉鑼?40形成柱子結(jié)構(gòu)，如下的更詳細(xì)說明。
依照本發(fā)明所選用的實(shí)施例，襯底110和層140可包括譬如鍺的其它的半導(dǎo)體材料，或譬如硅-鍺的半導(dǎo)體材料組合。掩埋氧化物層120亦可包括其它的電介質(zhì)材料。
硅層140可圖案化或蝕刻以形成結(jié)構(gòu)210，如圖2的透視圖所示。舉例而言，光阻材料可沉積于硅層140之上并圖案化，接著蝕刻未由光阻所覆蓋的硅層140的部分，以形成許多圓柱形、柱子狀結(jié)構(gòu)210(亦稱之為柱子結(jié)構(gòu)210或柱子210)的列/行。于實(shí)施范例中，可用傳統(tǒng)方式，使用蝕刻終止于層130上，而蝕刻硅層140。柱子結(jié)構(gòu)210的高度可以從大約100埃至大約1000埃的范圍，柱子結(jié)構(gòu)210的寬度可從大約100埃至大約1000埃的范圍內(nèi)。于一個實(shí)施例中，柱子結(jié)構(gòu)210的高度和寬度可以分別是500埃和200埃。柱子結(jié)構(gòu)210亦可以彼此于橫方向分離大約100nm至大約1000nm。為了簡化的目的，圖2顯示了二列的柱子結(jié)構(gòu)210，各列包含5個柱子結(jié)構(gòu)210。應(yīng)了解到可形成額外的柱子結(jié)構(gòu)210的列/行。
于形成柱子結(jié)構(gòu)210后，可形成絕緣層310于層130上，如圖3中所示。絕緣層310可靠接于柱子210的基部。于實(shí)施范例中，絕緣層310可包括譬如SiO2的氧化物材料，而絕緣層310的厚度可在大約100埃至大約500埃的范圍內(nèi)。對于絕緣層310亦可使用其它的絕緣材料。絕緣層310可將一列柱子210與另一列柱子210隔離。
然后可將許多的薄膜形成于柱子210的周圍。于實(shí)施范例中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)電介質(zhì)薄膜可形成于柱子210的周圍。例如，氧化物層410可形成于柱子210的周圍，如圖4中所示。于實(shí)施范例中，氧化物層410可以沉積或熱生長于柱子210的周圍，厚度從大約100埃至大約500埃的范圍內(nèi)。為了簡明的目的，圖4顯示二個柱子210的橫剖面圖。應(yīng)了解到氧化物層410可用相似的方式形成于各柱子210的周圍。亦應(yīng)了解到氧化物層410可形成于各柱子210的所有曝露垂直表面的周圍。此外，于一些實(shí)施例中，氧化物層410可形成于頂表面上。于此等實(shí)施例中，于后續(xù)制程中將去除頂面覆蓋，將于下文中作更詳細(xì)的說明。
其次，氮化物層420可形成于氧化物層410的周圍，如圖4中所示。于實(shí)施范例中，氮化物層420可沉積從大約100埃至大約500埃的范圍內(nèi)的厚度。然后另外的氧化物層430可形成于氮化物層420的周圍，如圖4中所示。于實(shí)施范例中，氧化物層430可沉積或熱生長從大約100埃至大約500埃的范圍內(nèi)的厚度。層410至430形成用于后續(xù)形成的存儲器裝置的ONO電荷儲存電介質(zhì)。詳言之，氮化物層420可作用為浮置柵電極，而頂面氧化物層430可作用為柵間電介質(zhì)。
然后硅層510可形成于半導(dǎo)體裝置100上，如圖5中所示。硅層510可用為對于后續(xù)形成的控制柵電極的電極材料。于實(shí)施范例中，硅層510可包括使用習(xí)知的化學(xué)氣相沉積(CVD)所沉積的多晶硅，達(dá)到從大約100埃至大約1000埃的范圍內(nèi)的厚度?；蚩蛇x用譬如鍺或硅與鍺的組合的其它半導(dǎo)體材料、或各種金屬，作為柵極材料。
然后可將硅層510圖案化并蝕刻到絕緣層310而中止。舉例而言，圖6顯示依照本發(fā)明于硅層510已經(jīng)蝕刻形成標(biāo)以610和620的硅列后，半導(dǎo)體裝置100的上視圖。參照圖6，列610和620各包括5個柱子210(用虛線顯示)、圍繞著柱子210的ONO層410至430(用虛線顯示)、以及圍繞著ONO層410至430的硅層510。絕緣層310將列610與620電隔離。顯示于圖6中的硅層510可以與柱子210的上表面實(shí)質(zhì)上成平面。于此實(shí)施中，可蝕刻或平面化顯示于圖5中的硅層510，而使得該硅層510可實(shí)質(zhì)上與柱子210的上表面成平面。
然后可蝕刻硅層510而曝露出柱子210的上部。例如，可回蝕刻柱子210以曝露柱子210的頂表面和上部，如圖7中所示。于實(shí)施范例中，于蝕刻后可曝露約100埃至大約500埃的柱子210的上部。于蝕刻制程期間，也許蝕通位于柱子210之間的硅層510的部分至絕緣層310，如圖7中所示。
圖8顯示于蝕刻硅層后，曝露出柱子210的上部的半導(dǎo)體裝置100的上視圖。參照圖8，半導(dǎo)體裝置100包括數(shù)行標(biāo)示為810至850，由ONO層410至430和多晶硅510所環(huán)繞的柱子210。絕緣層310可分離行810至850。
其次，譬如鋁或銅的金屬可沉積及圖案化于半導(dǎo)體裝置100上形成金屬層910，如圖9中所示。金屬層910的厚度可從大約200埃至大約2000埃范圍內(nèi)。參照圖9，金屬層910可作用為用于半導(dǎo)體裝置100的位線。位線譯碼器(圖中未顯示)可耦接至金屬層910，以促進(jìn)內(nèi)存體裝置100程序化或從內(nèi)存體裝置100讀出資料。
圖10顯示半導(dǎo)體裝置100于列方向的例示橫剖面圖。各柱子210，包圍的ONO層410至430，以及柵極層510可作用為存儲器陣列中的存儲單元。參照圖10，標(biāo)記為1005的柱子210的上部可作用為半導(dǎo)體裝置100中存儲單元的漏極區(qū)域，而標(biāo)記為1010的靠接柱子210的下部的層130部分可作用為半導(dǎo)體裝置100的存儲單元的源極區(qū)域。因此，存儲單元的溝道形成于垂直柱子210中。
可根據(jù)特殊的最終裝置需求，而摻雜源極/漏極區(qū)域1010和1005。例如，n型或p型雜質(zhì)可植入于源極/漏極區(qū)域1010和1005。例如，譬如磷的n型摻雜物可植入劑量大約1×1019原子/平方公分(atoms/cm2)至大約1×1020原子/平方公分，而植入能量大約10KeV至大約50KeV?；蚩蛇x用譬如硼的p型摻雜物，以相似的劑量和植入能量來植入?？筛鶕?jù)特定的最終裝置需求，而選用特定的植入劑量和能量。一般熟悉此項(xiàng)技術(shù)者將能夠根據(jù)電路需求而最佳化源極/漏極植入制程。此外，可于形成半導(dǎo)體裝置100中較早的步驟，譬如在形成ONO層410之前，摻雜源極/漏極區(qū)域1010和1050。再者，可根據(jù)特殊的電路需求，使用各種之間隔件(spacers)和傾斜角度(tilt angle)植入制程來控制源極/及漏極接面的位置。然后可執(zhí)行活化退火(activation annealing)以活化源極/漏極區(qū)域1010和1005。
圖10中所示獲得的半導(dǎo)體裝置100具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)層結(jié)構(gòu)。也就是說，半導(dǎo)體裝置100可包括具有ONO電介質(zhì)層410至430的硅柱子結(jié)構(gòu)210，以及形成于其上的控制柵極510。柱子結(jié)構(gòu)210作用為用于存儲器裝置的溝道區(qū)域或襯底電極，而ONO層410至430可作用為電荷儲存結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體裝置100可操作為非易失性存儲器裝置，譬如NOR型快閃EEPROM?？山逵墒┘悠珘?，例如大約10V至控制柵極510，而完成程序化。也就是說，若偏壓施加至控制柵極510，則電子可穿隧從源極/漏極區(qū)域1010和1005進(jìn)入浮置柵電極(例如，氮化物層420)?？山逵墒┘永绱蠹s10V的偏壓至控制柵極510而完成拭除。于拭除期間，電子可穿隧從浮置柵電極(例如，氮化物層420)進(jìn)入源極/漏極區(qū)域1010和1005。
可使用顯示于圖9和圖10中的半導(dǎo)體裝置100以形成非易失性存儲器陣列。舉例而言，圖9和圖10中的半導(dǎo)體裝置100顯示了二個存儲單元各用來儲存單位信息(single bit of information)。依照實(shí)施范例，可用相似于圖9和圖10中所示的許多存儲單元來形成存儲器陣列。舉例而言，許多的位線，譬如顯示于圖9中的位線910，可各耦接至各柱子210的列(row)或行(column)。許多的控制柵極，譬如顯示于圖10中的控制柵極510，可各電耦接至存儲單元的行或列，該行或列存儲單元與位線910偏移(offset)90度，并作用為存儲器陣列的位線(word lines)。然后位線譯碼器(圖中未顯示)和位線譯碼器(圖中未顯示)可分別耦接至位線910和位線510。然后可使用該位線和位線譯碼器以促進(jìn)存儲器陣列的各特定存儲單元的程序化，或讀出儲存于各特定存儲單元中的數(shù)據(jù)。依此方式，可形成高密度非易失性存儲器陣列。
因此，依照本發(fā)明，使用許多的垂直柱子結(jié)構(gòu)，而形成閃存裝置。優(yōu)點(diǎn)是，柱子210使得用于存儲器裝置的溝道能形成于垂直結(jié)構(gòu)，由此當(dāng)與習(xí)知閃存裝置相比較時，有助于所得到的存儲器裝置100達(dá)成增加電路密度。本發(fā)明亦能容易整合入習(xí)知的半導(dǎo)體制程。
于前面的說明中，為了提供本發(fā)明的完全了解，而提出了許多特定的詳細(xì)說明，譬如特定的材料、結(jié)構(gòu)、化學(xué)物、制程等。然而，可不依靠此處所提出的特定詳細(xì)說明而實(shí)施本發(fā)明。于其它例子中，為了不致于不必要的模糊了本發(fā)明的真實(shí)性，而不再詳細(xì)說明已知的制程結(jié)構(gòu)。
能藉由習(xí)知的沉積技術(shù)而沉積依照本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體裝置的電介質(zhì)和導(dǎo)電層。例如，可使用譬如包括低壓CVD(LPCVD)和增強(qiáng)CVD(ECVD)的各種型式CVD制程的金屬化技術(shù)。
本發(fā)明可應(yīng)用于制造FinFET半導(dǎo)體裝置，而尤其是具有設(shè)計(jì)特征結(jié)構(gòu)100nm及以下的FinFET裝置。本發(fā)明可用來形成任何種形式的半導(dǎo)體裝置，但為了避免模糊了本發(fā)明的真正特征，而因此未再提出詳細(xì)說明。于實(shí)施本發(fā)明中，使用到習(xí)知的光學(xué)微影和蝕刻技術(shù)，而因此于本文中不再詳細(xì)提出此等技術(shù)的細(xì)節(jié)。此外，雖然已詳細(xì)說明了圖5的形成半導(dǎo)體的一系列制程，但應(yīng)了解到于其它符合本發(fā)明的實(shí)施中可改變制程步驟次序。
于本揭示說明書中，僅顯示和說明了本發(fā)明的較佳實(shí)施例和少數(shù)其變化的例子。將了解到，本發(fā)明能夠使用于各種其它組合和環(huán)境，并能夠在如此文中所表示的本發(fā)明概念范圍內(nèi)作修飾。
此外，除非對本申請案說明書中的組件、動作、或指令已作了明確的說明，否則使用于本申請案說明書中的該等組件、動作、或指令將不解釋為對于本發(fā)明所必不可或缺或一定必要的。而且，如本申請案原文說明書中所使用的不定冠詞“a”將包含了一個或多個項(xiàng)目，而當(dāng)真的僅有一項(xiàng)時，則將使用“一個(one)”語詞來表示。
權(quán)利要求
1.一種存儲器裝置(100)，包括第一導(dǎo)電層(130)，其中該第一導(dǎo)電層(130)的一部分作為存儲器裝置(100)的源極區(qū)域(1010)；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)，形成于該第一導(dǎo)電層(130)上，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)具有第一端和相對于該第一端的第二端，其中該第一端設(shè)置于鄰接作為該存儲器裝置(100)的源極區(qū)域(1010)的第一導(dǎo)電層(130)的部分，而其中該第二端作為該存儲器裝置(100)的漏極區(qū)域(1005)；多個電介質(zhì)層(410至430)，圍繞于該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)的至少一部分而形成，其中該電介質(zhì)層(410至430)的至少其中之一作為該存儲器裝置(100)的浮置柵電極；以及控制柵極(510)，形成于該多個電介質(zhì)層(410至430)之上。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置(100)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)基本上為圓柱形。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲器裝置(100)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)具有從大約100埃至大約1000埃的范圍內(nèi)的厚度，和從大約100埃至大約1000埃的范圍內(nèi)的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置(100)，其中該多個電介質(zhì)層(410至430)包括第一氧化物層(410)，圍繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)而形成，氮化物層(420)，圍繞該第一氧化物層(410)而形成，以及第二氧化物層(430)，圍繞該氮化物層(420)而形成，其中該氮化物層(420)作為該浮置柵電極。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置(100)，進(jìn)一步包括襯底(110)；以及形成于該襯底(110)上的掩埋的氧化物層(120)，其中該第一導(dǎo)電層(130)形成于該掩埋的氧化物層(120)上。
6.一種存儲器裝置(100)，包括襯底(110)和形成于該襯底(110)上的第一絕緣層(120)，該存儲器裝置(100)的特征在于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)，形成于該第一絕緣層(120)之上，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)作為存儲器裝置(100)的溝道區(qū)域；多個電介質(zhì)層(410至430)，圍繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)的至少一部分而形成，并且所述電介質(zhì)層(410至430)的至少其中一個作為存儲器裝置(100)的電荷儲存電極；以及控制柵極(510)，形成于該多個電介質(zhì)層(410至430)之上。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置(100)，進(jìn)一步包括導(dǎo)電層(130)，形成于該第一絕緣層(120)與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)之間，其中該導(dǎo)電層(130)鄰接該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)的一部分作為該存儲器裝置(100)的源極區(qū)域(1010)；以及第二絕緣層(310)，形成于該第一導(dǎo)電層(130)上，并鄰接該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)的下部。
8.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置(100)，其中該多個電介質(zhì)層(410至430)具有從大約300埃至大約1500埃的范圍內(nèi)的組合厚度。
9.一種非易失性存儲器陣列(100)，包括第一導(dǎo)電層(130)，形成于襯底(110)上，其中該第一導(dǎo)電層(130)的部分作為該存儲器陣列中的存儲單元的源極區(qū)域；多個結(jié)構(gòu)(210)，形成于該第一導(dǎo)電層(130)上，其中各該多個結(jié)構(gòu)(210)作為其中一個存儲單元的溝道區(qū)域；多個電介質(zhì)層(410至430)，圍繞各該多個結(jié)構(gòu)的部分而形成，其中該多個電介質(zhì)層(410至430)的至少其中一個作為其中一個存儲單元的電荷儲存電極；以及至少一個導(dǎo)電層(510)，形成于各該存儲單元的多個電介質(zhì)層(410至430)之上。
10.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲器陣列，進(jìn)一步包括多條位線(910)，其中各該多條位線(910)接觸許多個該多個結(jié)構(gòu)(210)，其中該至少一個導(dǎo)電層(510)包括多個導(dǎo)電層(510)，以及其中各該導(dǎo)電層(510)接觸與一群存儲單元有關(guān)的該多個電介質(zhì)層的最上一層，并作為該非易失性存儲器陣列(100)的字線。
全文摘要
一種存儲器裝置(100)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)、許多的電介質(zhì)層(410至430)以及控制柵極(510)。電介質(zhì)層(410至430)繞著該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)而形成，而該控制柵極(510)形成于該電介質(zhì)層(410至430)上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(210)的一部分作用為存儲器裝置(100)的漏極區(qū)域(1005)，而電介質(zhì)層(410至430)的至少其中之一作用為存儲器裝置(100)的電荷儲存結(jié)構(gòu)。電介質(zhì)層(410至430)可包括氧化物－氮化物－氧化物層。
文檔編號H01L21/28GK1886803SQ200480034767
公開日2006年12月27日 申請日期2004年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月4日
發(fā)明者W·E·希爾, 汪海宏, Y·吳, 俞斌 申請人:先進(jìn)微裝置公司