專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，特別是關(guān)于一種開(kāi)窗型球柵陣列(WBGA)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝件是一種承載有如半導(dǎo)體芯片等的主動(dòng)元件的電子裝置，結(jié)構(gòu)主要使至少一個(gè)芯片接置在基板的一側(cè)，并借多條如焊線等導(dǎo)電元件電性連接到該基板，且芯片與焊線是以樹(shù)脂材料(如環(huán)氧樹(shù)脂等)制成的封裝膠體包覆，避免受外界水氣及污染物侵害。該半導(dǎo)體封裝件還可包括多個(gè)呈陣列方式排列的焊球植設(shè)在基板的另一側(cè)，它與接設(shè)有芯片與焊線的一側(cè)相對(duì)。這種具有焊球的半導(dǎo)體封裝件稱(chēng)為球柵陣列(ball grid array，BGA)封裝件，且通過(guò)該焊球作為輸入/輸出(input/output，I/O)端，使載設(shè)在封裝件中的芯片能夠與外界裝置，如印刷電路板(printed circuit board，PCB)成電性連接關(guān)系。半導(dǎo)體封裝件的高度包括用于包覆芯片與焊線的封裝膠體的厚度、基板厚度及焊球高度，這使得整體封裝件尺寸難以進(jìn)一步縮小。
為了能有效縮小半導(dǎo)體封裝件尺寸，如美國(guó)專(zhuān)利第6,218,731號(hào)提出的一種開(kāi)窗型(window-type)封裝件。圖1E即顯示一種現(xiàn)有開(kāi)窗型球柵陣列封裝件。如圖所示，半導(dǎo)體芯片10借膠粘劑13接置在基板1的上表面100上、且遮覆基板10的開(kāi)孔103。該芯片10并借其上的電極焊墊11由多條貫穿在該開(kāi)孔103中的焊線14電性連接到基板10的下表面101。同時(shí)，芯片10與焊線14分別被上封裝膠體15及下封裝膠體16包覆，且多個(gè)焊球17植設(shè)在基板1下表面101上未形成有下封裝膠體16的區(qū)域。
上述開(kāi)窗型球柵陣列封裝件是以圖1A至圖1E的工序步驟制得的。
首先，如圖1A所示，提供一由多條基板1組成的基板片Z，其中各基板1具有一貫穿其中的開(kāi)孔103，該開(kāi)孔103最好呈矩形。接著，進(jìn)行一置晶(chip-bonding)工序及焊線(wire-bonding)作業(yè)。在置晶工序中，至少一芯片10借膠粘劑13接置在各基板1的上表面100上、并遮覆該基板1的開(kāi)孔103，然后，在焊線作業(yè)中，形成多條貫穿于各基板1的開(kāi)孔103中的焊線14，使芯片10借由其上的電極焊墊11通過(guò)該焊線14電性連接到對(duì)應(yīng)基板1的下表面101。
如圖1B所示，提供一封裝模具，具有一上模18及一下模19，該上模18形成有一上模穴180，該下模19形成有多條下模穴190各對(duì)應(yīng)到一列基板1的開(kāi)孔103。該上模穴180的尺寸足以收納所有接置在基板1上的芯片10。各下模穴190的尺寸覆蓋住該對(duì)應(yīng)列所有基板1的開(kāi)孔103并容納突出基板1下表面101上的焊線14線弧。該封裝模具觸接到基板片Z上，使上模18接置在基板1的上表面100上，下模19接置在基板1的下表面101上。
如圖1C所示，進(jìn)行模壓(molding)作業(yè)，將樹(shù)脂材料(如環(huán)氧樹(shù)脂)注入下模19的下模穴190中，形成多條下封裝膠體16，各下封裝膠體16填充在對(duì)應(yīng)列的開(kāi)孔103并包覆對(duì)應(yīng)的焊線14，以及將樹(shù)脂材料注入上模18的上模穴180中，形成一上封裝膠體15用于包覆所有接置在基板1上的芯片10。
完成第一及第二模壓作業(yè)后，自基板片Z上移除上模18及下模19，使基板1的下表面101上未被下封裝膠體16覆蓋的區(qū)域外露。
如圖1D所示，植設(shè)多個(gè)焊球17在基板1的下表面101上的外露區(qū)域。最后，當(dāng)完成上述置晶、焊線、模壓及植球作業(yè)后，進(jìn)行一切單(singulation)作業(yè)，切割上封裝膠體15、基板片Z及下封裝膠體16以分離各基板1，形成多條具有單離的基板1、芯片10及多個(gè)焊球14的開(kāi)窗型球柵陣列式(WBGA)半導(dǎo)體封裝件(如圖1E所示)。
然而上述WBGA封裝件只適于芯片上的電極焊墊集中排列在芯片的中央或特定位置，如圖2A至圖2C所示。若芯片上的電極焊墊的排列如圖3A至圖3D所示，不只是集中排列在中央位置，并同時(shí)分散在芯片各區(qū)域時(shí)，則會(huì)使WBGA封裝件的工序遭遇許多困難。
首先，若芯片上的電極焊墊不僅集中設(shè)置在中央(如美國(guó)專(zhuān)利第5,777,391號(hào)所示)而同時(shí)也分布在其它區(qū)域時(shí)，供承載該芯片的基板即需對(duì)應(yīng)該芯片的電極焊墊分布位置，設(shè)置相對(duì)應(yīng)的貫穿開(kāi)口，供焊線穿越該基板貫穿開(kāi)口電性連接該芯片的電極焊墊與基板，然而因這些貫穿開(kāi)口的設(shè)置，會(huì)造成基板電性布局設(shè)計(jì)的更復(fù)雜與工序上的困難；此外，基板開(kāi)口越多則基板的結(jié)構(gòu)會(huì)變得脆弱，且基板中能設(shè)計(jì)電路的空間會(huì)進(jìn)一步減少，這影響到封裝件的品質(zhì)、效能及其工序的成本和優(yōu)良率。
再者，例如當(dāng)芯片作用面上的電極焊墊分布是如圖3A所示的形狀排列時(shí)，則在該芯片完成置晶及打線作業(yè)后，在進(jìn)行模壓工序時(shí)的剖面圖將如圖4A所示，其中下模49必須依據(jù)基板開(kāi)孔403與焊線44的位置進(jìn)行設(shè)計(jì)，也就是開(kāi)設(shè)有對(duì)應(yīng)的模穴，因而，當(dāng)基板開(kāi)孔403和焊線44越多，使下模49的設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，且為了因應(yīng)各式的基板開(kāi)孔403和焊線44，必須開(kāi)設(shè)各種下模49，這會(huì)耗費(fèi)許多成本；另外在進(jìn)行模壓時(shí)，也會(huì)因該基板設(shè)置過(guò)多貫穿開(kāi)口，使得可供下模49夾持的部分減少，這就提高溢膠的機(jī)率、降低封裝件的可靠性。
再者，請(qǐng)參閱圖4B，它顯示完成模壓并進(jìn)行植球后呈現(xiàn)的完整WBGA結(jié)構(gòu)，該焊球47的大小受到各下封裝膠體46間的間距D的限制，因此，若基板開(kāi)孔403越多，間距D會(huì)趨于縮減，造成焊球47能接植的區(qū)域受限，會(huì)嚴(yán)重影響該封裝件的焊球布植空間及設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，利用導(dǎo)電凸塊和焊線提供芯片與基板間的電性連接組合，可減少WBGA封裝基板開(kāi)孔的數(shù)目，進(jìn)而減少模具設(shè)計(jì)的復(fù)雜性并節(jié)省封裝工序的成本。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，利用導(dǎo)電凸塊和焊線提供芯片與基板間的電性連接組合，減少WBGA封裝基板開(kāi)孔的數(shù)目，進(jìn)而減少基板設(shè)計(jì)及其工序的復(fù)雜性與維持基板結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，避免減少模具夾持所需空間，進(jìn)而降低模壓時(shí)造成的溢膠發(fā)生機(jī)率，維持工序的優(yōu)良率。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，提供焊球所能接植的適當(dāng)面積，避免影響焊球布植設(shè)計(jì)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，利用導(dǎo)電凸塊和焊線提供芯片與基板間的電性連接組合，提高電子元件電性傳導(dǎo)功能。
為達(dá)上述及其它的目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一具有第一表面和相對(duì)的第二表面的基板，且該基板形成有至少一貫穿開(kāi)口；一作用面上具有多個(gè)電極焊墊的芯片，部分該芯片的電極焊墊通過(guò)導(dǎo)電凸塊接置、并電性連接到該基板第一表面上，部分該芯片的電極焊墊通過(guò)穿過(guò)該基板貫穿開(kāi)口的焊線電性連接到該基板第二表面；一形成在該基板第一表面上的第一封裝膠體，包覆該半導(dǎo)體芯片；一形成在該基板第二表面上的第二封裝膠體，包覆該焊線；以及多個(gè)焊球，植置在該基板第二表面上。
該基板具有第一表面和相對(duì)的第二表面，且該基板形成至少一穿透第一表面和第二表面的貫穿開(kāi)口，在該基板第一表面和第二表面上設(shè)置多個(gè)電性連接墊，該基板第一表面的電性連接墊是對(duì)應(yīng)芯片上的部分電極焊墊分布，通過(guò)導(dǎo)電凸塊與該芯片做電性連接，基板第二表面的電性連接墊則供與芯片的部分電極焊墊借焊線做電性連接。封裝膠體有兩部分，一部分形成在該基板第一表面的第一封裝膠體，包覆該半導(dǎo)體芯片，另一部分則形成在該基板第二表面上的第二封裝膠體，包覆該焊線，多個(gè)焊球則植置在該基板的第二表面上。
本發(fā)明一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制法，該制法主要包括提供作用面形成多個(gè)電極焊墊的芯片和具有第一表面及相對(duì)第二表面的基板，且該基板形成至少一貫穿開(kāi)口；以覆晶方式將部分該芯片的電極焊墊通過(guò)導(dǎo)電凸塊接置并電性連接到該基板的第一表面上，并將部分該芯片的電極焊墊通過(guò)穿過(guò)該基板貫穿開(kāi)口的焊線，電性連接到該基板第二表面；進(jìn)行封裝壓模工序，以分別在該基板第一表面上形成包覆該芯片的第一封裝膠體，及在該基板第二表面上形成包覆該焊線的第二封裝膠體；以及在該基板第二表面上植置多個(gè)焊球。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法應(yīng)用在開(kāi)窗型球柵陣列(WBGA)半導(dǎo)體封裝件中，為了使芯片電性連接到基板時(shí)，將芯片部分的電極焊墊先借由導(dǎo)電凸塊利用覆晶方式接置并電性連接到基板第一表面，再將其余的芯片電極焊墊通過(guò)焊線電性連接到基板第二表面，由芯片上電極焊墊位置的區(qū)域劃分及分配導(dǎo)電凸塊和焊線的組合，達(dá)到減少基板開(kāi)口的目的，進(jìn)而減少模具設(shè)計(jì)的復(fù)雜度與節(jié)省封裝的成本，降底基板設(shè)計(jì)及其工序的難度，維持基板結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，避免減少模具夾持所需空間，進(jìn)而降低模壓時(shí)造成的溢膠發(fā)生機(jī)率，維持工序的優(yōu)良率，通過(guò)減少基板的開(kāi)口，還可為焊球接植提供的適當(dāng)面積，避免焊球接植布局的限制。


圖1A至圖1E是現(xiàn)有開(kāi)窗型球柵陣列半導(dǎo)體封裝件工序示意圖；圖2A至圖2C是芯片的電極焊墊集中于中央分布的平面示意圖；圖3A至圖3D是芯片的電極焊墊同時(shí)排列在芯片中央及其余區(qū)域的平面示意圖；圖4A是具有如圖3A中芯片的封裝結(jié)構(gòu)在模壓工序剖面示意圖；圖4B是完成模壓并進(jìn)行植球后呈現(xiàn)的完整WBGA封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖5A至圖5D是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法剖面示意圖；圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1請(qǐng)參閱圖5D，它顯示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例的剖面圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有基板5、芯片50、導(dǎo)電凸塊520、焊線54、封裝膠體55，56以及焊球57等元件。
該基板5具有第一表面501和相對(duì)的第二表面502，且該基板5形成有至少一穿透第一表面501和第二表面502的貫穿開(kāi)口503。
該芯片50可例如是圖3B所示的形態(tài)，該芯片50具有作用面，作用面上設(shè)有多個(gè)電極焊墊51、52，電極焊墊51、52的分布為十字型，該電極焊墊51、52是分別為進(jìn)行后續(xù)覆晶工序和打線工序而劃分為第一電極焊墊區(qū)域511及第二電極焊墊區(qū)域521，其中該第一電極焊墊區(qū)域511是預(yù)定進(jìn)行打線作業(yè)的電極焊墊51所構(gòu)成，該第二電極焊墊區(qū)域521是預(yù)定進(jìn)行覆晶的電極焊墊52所構(gòu)成。
再者，該基板5第一表面501和第二表面502形成有多個(gè)電性連接墊500、505，且該基板第一表面501的電性連接墊500得以通過(guò)設(shè)置在該基板中例如導(dǎo)電盲孔(via)或鍍通孔(PTH)等層間導(dǎo)電結(jié)構(gòu)504，電性連接到該基板第二表面502的部分電性連接墊505。另外，該基板第一表面501的電性連接墊500是對(duì)應(yīng)芯片50上電極焊墊52的第二電極焊墊區(qū)域521分布，以通過(guò)導(dǎo)電凸塊520與該芯片50直接做電性連接，進(jìn)而提高電性功能?；宓诙砻?02的電性連接墊505則供與芯片50上電極焊墊51的第一電極焊墊區(qū)域511借焊線54做電性連接。
封裝膠體有兩部分，一部分是形成在該基板5第一表面501的第一封裝膠體55，借以包覆該半導(dǎo)體芯片50，另一部分則形成在該基板5第二表面502上的第二封裝膠體56，借以包覆該焊線54。
該多個(gè)焊球57則植置在該基板5的第二表面502的焊球墊506上，提供該半導(dǎo)體芯片50電性連接到外部裝置。
還請(qǐng)參閱圖5A至圖5D，它顯示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法剖面示意圖。
如圖5A所示，提供作用面形成有多個(gè)電極焊墊51、52的芯片50和具有第一表面501及相對(duì)第二表面502的基板5，該基板5形成至少一穿透第一表面501和第二表面502的貫穿開(kāi)口503，且該基板在其第一及第二表面上形成有多個(gè)電性連接墊500、505，該基板第一表面501的電性連接墊500能夠通過(guò)設(shè)置在該基板中例如導(dǎo)電盲孔(via)或鍍通孔(PTH)等層間導(dǎo)電結(jié)構(gòu)504，電性連接到該基板第二表面502的部分電性連接墊505，供該芯片50的電極焊墊52通過(guò)覆晶方式，借由導(dǎo)電凸塊520電性連接到該基板5第一表面上501的電性連接墊500，并使該芯片50封閉住該基板貫穿開(kāi)口503的一側(cè)，使該芯片50的電極焊墊51顯露在該貫穿開(kāi)口503。
該芯片50可采用例如圖3B所示的半導(dǎo)體芯片(但不以此為限，另可以是其余非僅中央集中有電極焊墊的芯片)，該電極焊墊51、52分別進(jìn)行后續(xù)工序打線和覆晶工序，劃分為第一電極焊墊區(qū)域511及第二電極焊墊區(qū)域521，其中該第一電極焊墊區(qū)域511是預(yù)定進(jìn)行打線作業(yè)的電極焊墊51所構(gòu)成，該第二電極焊墊區(qū)域521是預(yù)定進(jìn)行覆晶的電極焊墊52所構(gòu)成。該芯片50電極焊墊52的第二電極焊墊區(qū)域521是借由導(dǎo)電凸塊520電性連接到該基板5，該導(dǎo)電凸塊520的形式可以是焊錫接點(diǎn)形式或金質(zhì)凸塊形式，例如該電極焊墊52是可通過(guò)在其上形成焊錫凸塊同時(shí)配合在基板第一表面501的電性連接墊500上設(shè)置預(yù)焊錫材料經(jīng)過(guò)回焊，使該芯片50接置并電性連接到基板第一表面501；或者也可利用制作成本較低的柱狀接合(stud bond)工序，其主要是通過(guò)焊線機(jī)的焊針(capillary)夾置金線，并在該金線一端燒成球體，使焊針下壓到芯片50的電極焊墊52上，借以在該芯片50的電極焊墊52上形成金質(zhì)凸塊，進(jìn)而使該芯片50的第二電極焊墊區(qū)域521得以通過(guò)該金質(zhì)凸塊接置、并電性連接到該基板5第一表面501上。
請(qǐng)參閱圖5B，將該芯片50上顯露在該基板5的貫穿開(kāi)口503的電極焊墊51的第一電極焊墊區(qū)域511，通過(guò)穿過(guò)基板5的貫穿開(kāi)口503的焊線54，電性連接到基板第二表面502的電性連接墊505。
請(qǐng)參閱圖5C，接著進(jìn)行封裝壓模工序，其主要是提供一具有一上模58及一下模59的封裝模具，該上模58形成有上模穴580，該下模59形成有下模穴590，該上模穴580的尺寸足以收納接置在基板5上的芯片50，該下模穴590的尺寸覆蓋住該對(duì)應(yīng)基板5貫穿開(kāi)口503并容納突出在基板5第二表面502上的焊線54線弧，將樹(shù)脂材料(如環(huán)氧樹(shù)脂)注入上、下模穴580、590中，借以分別在該基板5第一表面501上形成包覆該芯片50的第一封裝膠體55，及在該基板5第二表面502上形成包覆該焊線54的第二封裝膠體56。在本實(shí)施例中，雖在芯片作用面上的電極焊墊分布區(qū)域大，但利用本發(fā)明將芯片(周?chē)?部分的電極焊墊先利用覆晶方式電性連接到基板第一表面后，再將芯片(中央)部分的電極焊墊通過(guò)打線方式電性連接到基板第二表面，因此可如同現(xiàn)有WBGA封裝件一樣，僅在基板中央開(kāi)設(shè)對(duì)應(yīng)的貫穿開(kāi)口即可，如此即可同樣利用常用的模具進(jìn)行封裝模壓，借以節(jié)省成本，進(jìn)而可提供后續(xù)在基板第二表面上有較大空間進(jìn)行焊球的布置設(shè)計(jì)。
請(qǐng)參閱圖5D，最后在基板5第二表面502上沒(méi)有被第二封裝膠體56包覆的焊球墊506上植置多個(gè)焊球57。此外，應(yīng)注意的是本發(fā)明的工序中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作可針對(duì)單一封裝結(jié)構(gòu)也可以是呈批次形式的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行工序。
實(shí)施例2請(qǐng)參閱圖6，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施態(tài)的剖面示意圖，它與上述實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)及工序大致相同，主要差異在于該芯片作用面上的電極焊墊可依分布位置、間距及工序需求等實(shí)際狀況加以考慮，決定針對(duì)部分的電極焊墊采用覆晶方式、另一部分的電極焊墊采用打線方式電性連接到基板，例如在圖6中考慮若芯片60中央?yún)^(qū)域的電極焊墊62分布較為稀疏，則可利用制作成本較低、且步驟較為簡(jiǎn)便的柱狀接合(stud bond)工序，在位于芯片中央的電極焊墊上直接植設(shè)金凸塊，并以覆晶方式接置并電性連接至基板6第一表面601；相對(duì)地，在該基板6對(duì)應(yīng)芯片60中央?yún)^(qū)以外的其余電極焊墊61位置設(shè)置有貫穿開(kāi)口603，并使該芯片60的電極焊墊61得以顯露在該貫穿開(kāi)口603，通過(guò)打線方式，以穿過(guò)該貫穿開(kāi)口603的焊線64電性連接該電極焊墊61與基板第二表面602。其后，再進(jìn)行封膠及植球工序，另外，該封裝結(jié)構(gòu)同樣是可采單顆或批次方式制作，在采用批次方式制作時(shí)，尚需進(jìn)行切單以形成多個(gè)封裝結(jié)構(gòu)單元。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法主要是針對(duì)開(kāi)窗型球柵陣列式(WBGA)半導(dǎo)體封裝件中，由于形成在芯片作用面上的電極焊墊分布區(qū)域不僅集中于中央時(shí)，為了使芯片電性連接到基板時(shí)，將芯片部分的電極焊墊先借由導(dǎo)電凸塊以利用覆晶方式，接置并電性連接到基板第一表面，再將其余的芯片電極焊墊通過(guò)焊線電性連接到基板第二表面，減少基板貫穿開(kāi)口的設(shè)置，解決了現(xiàn)有開(kāi)窗型球柵陣列(WBGA)半導(dǎo)體封裝件在基板中開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿開(kāi)口時(shí)，導(dǎo)致的基板電路布局及制作復(fù)雜性問(wèn)題，同時(shí)也避免了后續(xù)進(jìn)行芯片封裝模壓工序中為了配合基板多開(kāi)口的設(shè)置所造成的模具開(kāi)發(fā)制作成本提高及模壓溢膠機(jī)率增加的問(wèn)題，從而不會(huì)影響后續(xù)在基板表面焊球的布設(shè)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法包括提供作用面形成多個(gè)電極焊墊的芯片和具有第一表面及相對(duì)第二表面的基板，且該基板形成至少一貫穿開(kāi)口；以覆晶方式將部分該芯片的電極焊墊通過(guò)導(dǎo)電凸塊接置并電性連接到該基板的第一表面上，并將部分該芯片的電極焊墊通過(guò)穿過(guò)該基板貫穿開(kāi)口的焊線，電性連接到該基板第二表面；進(jìn)行封裝壓模工序，以分別在該基板第一表面上形成包覆該芯片的第一封裝膠體，及在該基板第二表面上形成包覆該焊線的第二封裝膠體；以及在該基板第二表面上植置多個(gè)焊球。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)是開(kāi)窗型球柵陣列半導(dǎo)體封裝件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該基板在其第一及第二表面上形成多個(gè)電性連接墊，供芯片的部分電極焊墊通過(guò)覆晶方式、借由導(dǎo)電凸塊電性連接到該基板第一表面的電性連接墊，并使該芯片封閉住該基板貫穿開(kāi)口的一側(cè)，使該芯片的其余電極焊墊顯露在該貫穿開(kāi)口，利用經(jīng)過(guò)該貫穿開(kāi)口的焊線，使芯片的部分電極焊墊電性連接到基板第二表面的電性連接墊。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該導(dǎo)電凸塊的形式可以是焊錫接點(diǎn)形式或金質(zhì)凸塊形式。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該芯片與基板的覆晶接合是可在芯片的電極焊墊上形成焊錫凸塊，同時(shí)配合在基板第一表面上設(shè)置預(yù)焊錫材料，經(jīng)過(guò)回焊使該芯片接置并電性連接到基板第一表面。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該芯片與基板的覆晶接合可利用柱狀接合工序，通過(guò)焊針夾置金線，并在該金線一端燒成球體使焊針下壓到芯片的電極焊墊上，借以在該芯片的電極焊墊上形成金質(zhì)凸塊，進(jìn)而使該芯片得以通過(guò)該金質(zhì)凸塊接置并電性連接到該基板第一表面上。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作可針對(duì)單一封裝結(jié)構(gòu)或呈批次形式的封裝結(jié)構(gòu)。
8.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括一具有第一表面和相對(duì)的第二表面的基板，且該基板形成有至少一貫穿開(kāi)口；一作用面上具有多個(gè)電極焊墊的芯片，部分該芯片的電極焊墊通過(guò)導(dǎo)電凸塊接置、并電性連接到該基板第一表面上，部分該芯片的電極焊墊通過(guò)穿過(guò)該基板貫穿開(kāi)口的焊線電性連接到該基板第二表面；一形成在該基板第一表面上的第一封裝膠體，包覆該半導(dǎo)體芯片；一形成在該基板第二表面上的第二封裝膠體，包覆該焊線；以及多個(gè)焊球，植置在該基板第二表面上。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)是開(kāi)窗型球柵陣列半導(dǎo)體封裝件。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板在其第一及第二表面上形成有多個(gè)電性連接墊，供芯片的部分電極焊墊通過(guò)覆晶方式、借由導(dǎo)電凸塊電性連接到該基板第一表面的電性連接墊，并使該芯片封閉住該基板貫穿開(kāi)口的一側(cè)，使該芯片的其余電極焊墊顯露在該貫穿開(kāi)口，利用經(jīng)過(guò)該貫穿開(kāi)口的焊線，使芯片的部分電極焊墊電性連接到基板第二表面的電性連接墊。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電凸塊的形式可以是焊錫接點(diǎn)形式或金質(zhì)凸塊形式。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片與基板的接合可在芯片的電極焊墊上形成焊錫凸塊同時(shí)配合在基板第一表面上設(shè)置預(yù)焊錫材料，經(jīng)過(guò)回焊使該芯片接置并電性連接到基板第一表面。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片與基板的接合可利用柱狀接合工序，通過(guò)焊針夾置金線，并在該金線一端燒成球體，使焊針下壓到芯片的電極焊墊上，在該芯片的電極焊墊上形成金質(zhì)凸塊，進(jìn)而使該芯片得以通過(guò)該金質(zhì)凸塊接置并電性連接到該基板第一表面上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，該結(jié)構(gòu)包括作用面形成多個(gè)電極焊墊的芯片以及具有第一表面及相對(duì)第二表面的基板，該基板形成至少一貫穿開(kāi)口，將電極焊墊穿過(guò)該開(kāi)口的焊線電性連接到該基板第二表面，并將部分該芯片的電極焊墊通過(guò)導(dǎo)電凸塊接置電性連接到該基板第一表面上，接著，進(jìn)行封裝壓模工序，分別在該基板形成包覆該芯片的第一及第二封裝膠體，在該第二表面上植置多個(gè)焊球；本發(fā)明的通過(guò)減少基板開(kāi)口，維持基板結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，避免減少模具夾持所需空間，降低溢膠發(fā)生的幾率，維持工序的優(yōu)良率，通過(guò)減少基板的開(kāi)口，還可為焊球接植提供的適當(dāng)面積，避免焊球接植布局的限制。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1808702SQ200510002538
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2005年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者張錦煌, 黃致明, 黃建屏, 蕭承旭 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司