專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種可降低光學(xué)干涉的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有輕薄、可撓曲式、易攜性、全彩高亮度、省電、可視角廣及無影像殘影等優(yōu)點(diǎn)，為未來平面顯示器的新趨勢(shì)。有機(jī)發(fā)光二極管又可分為反相型(inverted)與非反相型(non-inverted)，其中反相型是指由陰極開始成長的有機(jī)發(fā)光二極管。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，為公知反相型有機(jī)發(fā)光二極管10的結(jié)構(gòu)。在一玻璃基板11上，由下而上依序?yàn)橐煌该麟姌O12、一電子傳輸層13(Electron Transport Layer)、一發(fā)光層14(EmissiveMaterial layer，EML)、一空穴傳輸層15(Hole Transport Layer)、一空穴注入層16(Hole Injection Layer)及一反射電極17。位于透明電極與反射電極之間所有層狀結(jié)構(gòu)，于下文中統(tǒng)稱為「有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)」。
有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光原理如下，于兩電極12，17提供一外加偏壓，使電子經(jīng)過電子傳輸層13，同時(shí)使空穴經(jīng)過空穴注入層16與空穴傳輸層15后，進(jìn)入一具有發(fā)光特性的有機(jī)物質(zhì)(發(fā)光層14)內(nèi)發(fā)生再結(jié)合而形成一″激發(fā)光子″(exciton)。之后，再將能量釋放出來而回到基態(tài)(ground state)。而這些釋放出來的能量當(dāng)中，通常由于發(fā)光材料的選擇及電子自旋的特性(spinstate characteristics)，只有25％的能量可以用來當(dāng)作有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光。由于所選擇的發(fā)光層14材料能階差(band gap)的不同，可使這25％的能量以不同顏色的光的形式釋放出來，而形成有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光現(xiàn)象。
發(fā)光層14具有上下兩發(fā)光面，向上發(fā)射的光線經(jīng)過空穴傳輸層15、空穴注入層16至反射電極17而反射回來。向下發(fā)射的光線則經(jīng)過電子傳輸層13后，穿過透明電極12及玻璃基板11而射出有機(jī)發(fā)光二極管之外。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，光線穿過各個(gè)層狀結(jié)構(gòu)時(shí)，由于部分折射及部分反射，理論上會(huì)產(chǎn)生干涉紋于無窮遠(yuǎn)處。但事實(shí)上，視角變化會(huì)影響眼睛所感覺到的干涉紋，導(dǎo)致色坐標(biāo)的變化。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C，圖標(biāo)的曲線a，b，c，d分別代表發(fā)光層14至反射電極17之間厚度為110nm、120nm、130nm及140nm的色坐標(biāo)變化。顯示當(dāng)視角在0-80度之間時(shí)，隨著厚度的增加，色飽和度將明顯增加。請(qǐng)參照?qǐng)D1D，曲線A為厚度140nm，當(dāng)視角由0度增加到80度時(shí)，光強(qiáng)度衰減約50％；而曲線B為厚度110nm，光強(qiáng)度衰減約80％。顯示厚度較大者，隨著視角的增加，其光強(qiáng)度衰減程度愈小。
總結(jié)來說，光線于有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)的各層之間來回傳遞會(huì)產(chǎn)生光學(xué)干涉。尤其是在發(fā)光層至反射電極之間傳遞時(shí)，光學(xué)干涉將導(dǎo)致光色隨著該部分厚度的不同而大幅改變。其改變包括色坐標(biāo)(CIE1931)隨視角偏移與光強(qiáng)度隨視角改變。這兩種光特性也會(huì)隨著紅綠藍(lán)三光色的波長以及三種有機(jī)發(fā)光二極管厚度的不同，導(dǎo)致其改變的程度也會(huì)不一樣。如此造成了有機(jī)發(fā)光二極管的白平衡會(huì)隨著視角而有偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其增加發(fā)光層至兩極間的厚度以避免光學(xué)干涉，特別是不增加其它制程即可達(dá)成此目的。
本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，藉由避免光學(xué)干涉來改善有機(jī)發(fā)光二極管的白平衡及光強(qiáng)度的衰減。
為此，本發(fā)明首先提出一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一透明電極；一反射電極；以及一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括一摻雜有發(fā)光摻雜體的發(fā)光層，該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該透明電極與該反射電極之間，且其總膜厚具有大于發(fā)光主波長的厚度。
本發(fā)明還提出另一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含有一透明電極；一反射電極；一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透明電極與該反射電極之間，并具有380nm-10000nm的厚度。
本發(fā)明的特點(diǎn)和有優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明提出的有機(jī)發(fā)光二極管，其基本結(jié)構(gòu)包括一透明電極、一反射電極以及一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)。該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)位于透明電極與反射電極之間，其至少具有一發(fā)光層。值得注意的是，該發(fā)光層與該反射電極之間的厚度大于發(fā)光主波長以避免產(chǎn)生光學(xué)干涉。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于底部發(fā)光(bottom emission)、反相型底部發(fā)光及頂部發(fā)光(top emission)、反相型頂部發(fā)光等四種型式的有機(jī)發(fā)光二極管。此外，當(dāng)光學(xué)干涉發(fā)生在發(fā)光層與透明電極之間時(shí)，亦可應(yīng)用本發(fā)明的概念以避免其發(fā)生。


本發(fā)明的具體實(shí)施例將于往后的說明文字中輔以下列圖形做更詳細(xì)的闡述圖1A為公知反相型有機(jī)發(fā)光二極管10的結(jié)構(gòu)；圖1B為光學(xué)干涉成因的示意圖；圖1C為發(fā)光層至反射電極的厚度不同時(shí)，色坐標(biāo)值隨視角變化；圖1D為發(fā)光層至反射電極的厚度不同時(shí)，光強(qiáng)度隨視角變化；圖2為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管20基本結(jié)構(gòu)；圖3為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管；圖4A為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管；圖4B為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其發(fā)光層與反射電極之間加入一空穴輔助注入層；圖5為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管；圖6為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的反相頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管；
圖7A為反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管(空穴注入層厚度700nm)；圖7B為反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管(空穴注入層厚度710nm)；圖7C為反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管(空穴注入層厚度710nm+CuPc層(10nm))；圖7D為圖7A-7C的有機(jī)發(fā)光二極管在不同視角下，其色坐標(biāo)的變化；圖7E為圖7A-7C的有機(jī)發(fā)光二極管在不同視角下，其光強(qiáng)度變化；圖8為本發(fā)明的光學(xué)模擬頻譜圖；圖9為視角0度時(shí)，光學(xué)模擬頻譜與實(shí)測(cè)頻譜的比較圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明10 公知反相型有機(jī)發(fā)光二極管50 頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管11 玻璃基板51 基板12 透明電極52 反射電極13 電子傳輸層 53 空穴注入層14 發(fā)光層 54 空穴傳輸層15 空穴傳輸層 55 發(fā)光層16 空穴注入層 56 電子傳輸層17 反射電極57 電子注入層20 有機(jī)發(fā)光二極管 58 透明電極21 透明電極60 反相頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管22 反射電極61 基板23 有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)62 反射電極231 發(fā)光層 63 電子傳輸層30 底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管64 發(fā)光層31 基板65 空穴傳輸層32 透明電極66 空穴注入層33 有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)67 透明電極
331 空穴注入層71空穴注入層332 空穴傳輸層72空穴注入層333 發(fā)光層73CuPc層334 電子傳輸層74反射電極335 電子注入層43反射電極34 反射電極 44空穴注入層40 反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管 45發(fā)光層41 透明電極 46空穴傳輸層42 電子傳輸層46’空穴輔助注入層具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明所提出的有機(jī)發(fā)光二極管20，其基本結(jié)構(gòu)包括一透明電極21、一反射電極22以及一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)23。有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)23位于透明電極與反射電極之間，其至少包含一發(fā)光層231，其摻雜發(fā)光摻雜體。特別強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明的有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)23的厚度t大于其發(fā)光主波長λ。由于可見光的波長范圍約在380-700nm之間，同時(shí)為了避免厚度t過大而增加光線吸收率，因此有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)23的合理厚度范圍可定于380nm-10000nm之間。
有機(jī)發(fā)光二極管可分為底部發(fā)光、反相型底部發(fā)光及頂部發(fā)光、反相型頂部發(fā)光等四種型式。在不同型式的有機(jī)發(fā)光二極管中，上述反射電極可以是陽極或陰極，可視電子傳輸層或空穴傳輸層何者形成于其上而定；同樣的，透明電極也可以被當(dāng)作陽極或陰極。以下將配合附圖詳述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)在不同型式有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用，并列舉具體實(shí)施例說明如下請(qǐng)參照?qǐng)D3，為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管30。圖示底部基板31為光線的出射面。在基板31上形成一透明電極32，在透明電極32之上具有一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)33。有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)33包括一空穴注入層331、一空穴傳輸層332、一發(fā)光層333、一電子傳輸層334、一電子注入層335由下而上依序堆疊，最后形成一反射電極34于有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)33之上。其中透明電極32接觸于空穴傳輸層332而作為陽極；反射電極34接觸于電子注入層335而作為陰極。
如公知技術(shù)所述，發(fā)光層333與反射電極34的間距影響干涉效果較大，故于此部分采用大于發(fā)光主波長的厚度，其合理范圍可定于380nm-10000nm之間。本實(shí)施例中，電子傳輸層334與電子注入層335的總厚度大于發(fā)光主波長。例如，若有機(jī)發(fā)光二極管30發(fā)紅光，發(fā)光層333與反射電極34的間距應(yīng)大于紅光主波長(約700nm)。若發(fā)藍(lán)光，發(fā)光層333與反射電極34的間距應(yīng)大于藍(lán)光主波長(約464nm)。若發(fā)綠光，發(fā)光層333與反射電極34的間距應(yīng)大于綠光主波長(約524nm)。值得一提的是，電子傳輸層334的較佳厚度在5-200nm之間；電子注入層335的較佳厚度在40-1000nm之間。此外，電子注入層335亦可單獨(dú)采用大于發(fā)光主波長的厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D4A，為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管40。其結(jié)構(gòu)與圖3不同之處在于，透明電極41接觸于電子傳輸層42而作為陰極；反射電極43接觸于空穴注入層44而作為陽極。為了避免光學(xué)干涉，發(fā)光層45與反射電極43之間的厚度應(yīng)大于發(fā)光主波長。因此，空穴注入層44可采用40-1000nm或大于發(fā)光主波長的厚度。亦可在發(fā)光層45與空穴注入層44之間加入一空穴傳輸層46，且使空穴傳輸層46與空穴注入層44的總厚度大于發(fā)光主波長或介于380nm-10000nm之間。其中空穴傳輸層46厚度的合理范圍為5-200nm。于本實(shí)施例中，并無電子注入層設(shè)于透明電極41與電子傳輸層42之間，為了增加自由電子的數(shù)目，可在電子傳輸層42摻雜n型材料。
另外，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，發(fā)光層45與反射電極43之間可加入一空穴輔助注入層46’。較佳者，空穴輔助注入層46’位于空穴注入層44與反射電極之間，并且空穴輔助注入層46’、空穴注入層44及空穴傳輸層46三者的總厚度大于發(fā)光主波長。在材料選擇方面，空穴輔助注入層46的材料能階差(bandgap)通常須在4eV以上，其可選自酞菁銅(CuPc)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或半導(dǎo)體材料。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管50。在基板51上，由下而上依序形成一反射電極52、一空穴注入層53、一空穴傳輸層54、一發(fā)光層55、一電子傳輸層56、一電子注入層57及一透明電極58。于本實(shí)施例中透明電極58作為陰極；反射電極52作為陽極。發(fā)光層55與反射電極52之間為空穴注入層與空穴傳輸層，而非電子注入層與電子傳輸層。圖示頂部透明電極58為光線的出射面。與前二實(shí)施例相同的是，影響干涉效果較大的部分仍然在發(fā)光層55與反射電極52之間。故該部分應(yīng)采用大于發(fā)光主波長或介于380nm-10000nm的厚度，較佳者，位于發(fā)光層55與反射電極52之間的空穴傳輸層厚度為5-200nm；而空穴注入層的厚度為40-1000nm。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，為具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的反相頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管60。在基板61上，由下而上依序形成一反射電極62、一電子傳輸層63、一發(fā)光層64、一空穴傳輸層65、一空穴注入層66及一透明電極67。發(fā)光層64與反射電極62之間的電子傳輸層63厚度大于發(fā)光主波長或介于380nm-10000nm之間。此外，于發(fā)光層64與電子傳輸層63之間，更可加入一電子注入層(未圖示)，且電子傳輸層63具有5-200nm的厚度，而該電子注入層具有40-1000nm的厚度。兩者總厚度應(yīng)大于發(fā)光主波長。
須強(qiáng)調(diào)的是，上述圖3及圖6的實(shí)施例中，在透明電極32，67和發(fā)光層333，64中間可選擇性加入空穴注入層及/或空穴傳輸層；在反射電極34，62和發(fā)光層333，64中間可選擇性加入電子傳輸層及/或電子注入層。上述圖4A-4B及圖5的實(shí)施例中，在透明電極41，58和發(fā)光層45，55中間可選擇性加入電子注入層及/或電子傳輸層；在反射電極43，52和發(fā)光層45，55中間可選擇性加入空穴傳輸層及/或空穴注入層。另外，上述所有實(shí)施例中的反射電極的材料皆可選自金屬、半導(dǎo)體及金屬氧化物或?qū)щ姼叻肿铀M成的群組其中之一，特別是反射率至少高于40％的金屬或半導(dǎo)體。空穴傳輸層材料皆可為NPB(N，N-di(naphthalene-1-yl)-N，N-diphenyl-benzidene)。
總結(jié)來說，無論是何種型式的有機(jī)發(fā)光二極管，影響干涉效果較大的部分皆在發(fā)光層與反射電極之間，亦即干涉易發(fā)生在光線發(fā)射至反射電極，再反射至光線的出射面的過程中，不因反射電極作為陰極或陽極而有所不同。然而，上述實(shí)施例皆為避免發(fā)光層與反射電極之間的光學(xué)干涉，但光學(xué)干涉仍有可能發(fā)生在發(fā)光層與透明電極之間。此時(shí)亦可應(yīng)用本發(fā)明的概念以避免其發(fā)生。
圖7A及圖7B皆為反相底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，但具有不同的空穴注入層71，72厚度；圖7B與圖7C具有相同的空穴注入層72厚度，但圖7C于空穴注入層72與反射電極74之間增加一CuPc層73。其色坐標(biāo)及光強(qiáng)度變化如7D及7E所示。
請(qǐng)參照?qǐng)D7D，為圖7A-7C的有機(jī)發(fā)光二極管在不同視角下，其色坐標(biāo)的變化。當(dāng)視角在0-80度之間，空穴注入層71，72厚度分別為700nm、710nm時(shí)，如曲線a1，b1，c1所示，其色飽和度將維持穩(wěn)定。無論是否加入CuPc層73，其光色均不會(huì)改變。請(qǐng)參照?qǐng)D7E，為圖7A-7C的有機(jī)發(fā)光二極管在不同視角下，其光強(qiáng)度變化。圖中曲線A1，B1，C1顯示視角在60度之內(nèi)，光強(qiáng)度仍相當(dāng)穩(wěn)定。證明影響光學(xué)干涉的主要因素在于有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)的厚度而不在于其材料種類。只要增加有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)的厚度即可避免光學(xué)干涉而減輕有機(jī)發(fā)光二極管所發(fā)出的光隨視角產(chǎn)生色偏與光強(qiáng)度衰減的現(xiàn)象。
請(qǐng)參照?qǐng)D8，為光學(xué)模擬頻譜圖。圖中縱軸為色坐標(biāo)(CIE 1931)值；橫軸為空穴注入層的厚度。當(dāng)發(fā)光層到反射電極之間的空穴注入層厚度超過464nm的時(shí)候，色坐標(biāo)已開始收斂，當(dāng)?shù)?00nm時(shí)，色坐標(biāo)已趨于飽和，代表光學(xué)干涉現(xiàn)象行為已經(jīng)不嚴(yán)重，已不會(huì)有嚴(yán)重光色偏移的行為。請(qǐng)參照?qǐng)D9，為視角0度時(shí)，光學(xué)模擬頻譜與實(shí)測(cè)頻譜的比較圖。顯示兩者光強(qiáng)度隨波長的變化甚為接近，同時(shí)證明了模擬頻譜足以用來說明本發(fā)明的效果。
雖然本發(fā)明已以具體實(shí)施例揭示，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的前提下所作出的等同組件的置換，或依本發(fā)明專利保護(hù)范圍所作的等同變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本專利涵蓋的范疇。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一透明電極；一反射電極；以及一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括一摻雜有發(fā)光摻雜體的發(fā)光層，該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該透明電極與該反射電極之間，且其總膜厚具有大于發(fā)光主波長的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)更包括一發(fā)光層，且該發(fā)光層與該反射電極的間距大于發(fā)光主波長。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴注入層，且該空穴注入層的厚度大于發(fā)光主波長。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴傳輸層及一空穴注入層，且該空穴傳輸層與該空穴注入層的總厚度大于發(fā)光主波長。
5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴輔助注入層，且該空穴輔助注入層的材料選自酞菁銅、氧化銦錫、氧化銦鋅及半導(dǎo)體材料所形成的群組。
6.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴輔助注入層，且該空穴輔助注入層的材料具有4eV以上的能階差。
7.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴輔助注入層、一空穴注入層及一空穴傳輸層，且三者的總厚度大于發(fā)光主波長。
8.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一電子注入層，且該電子注入層的厚度大于發(fā)光主波長。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該電子注入層之間更包含一電子傳輸層，且該電子傳輸層與該電子注入層的總厚度大于發(fā)光主波長。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射電極的材料選自金屬、半導(dǎo)體及金屬氧化物或?qū)щ姼叻肿铀M成的群組其中之一。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包含有一透明電極；一反射電極；一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透明電極與該反射電極之間，并具有380nm-10000nm的厚度。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)更包括一發(fā)光層，且該發(fā)光層與該反射電極的間距介于380nm-10000nm之間。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一空穴注入層，且該空穴注入層的厚度為40-1000nm。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該空穴注入層之間更包含一空穴傳輸層，且該空穴傳輸層厚度為5-200nm。
15.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該反射電極之間具有一電子注入層，且該電子注入層的厚度為40-1000nm。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光層與該電子注入層之間更包含一電子傳輸層，且該電子傳輸層厚度為5-200nm。
17.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射電極的材料選自金屬、半導(dǎo)體及金屬氧化物或?qū)щ姼叻肿铀M成的群組其中之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括一透明電極、一反射電極以及一有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)。該有機(jī)電激發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一摻雜有發(fā)光摻雜體的發(fā)光層，其設(shè)置于該透明電極與該反射電極之間，且其總膜厚具有大于發(fā)光主波長的厚度，從而通過增加發(fā)光層至兩極間的厚度以避免光學(xué)干涉，來改善有機(jī)發(fā)光二極管的白平衡及光強(qiáng)度的衰減。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1825656SQ20051000846
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2005年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月21日
發(fā)明者李世昊, 陳哲仁 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司