專利名稱：多個(gè)薄膜器件的形成的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的說(shuō)與半導(dǎo)體器件相關(guān)，更具體地說(shuō)，是關(guān)于形成多個(gè)薄膜器件的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著通信網(wǎng)絡(luò)的廣泛發(fā)展、象電視會(huì)議、遠(yuǎn)程教育、和遠(yuǎn)程監(jiān)控一類的遠(yuǎn)程通信日漸滲透到工作和家庭生活中。這導(dǎo)致對(duì)低成本大面積顯示器需求的增長(zhǎng)，以提供增強(qiáng)的視覺(jué)體驗(yàn)。
另外，對(duì)用于家庭娛樂(lè)的成本低，重量輕的大面積顯示器的需求量也在增長(zhǎng)。目前的大面積等離子體或LCD型顯示器非常苯重而昂貴。例如，Toshiba的42英寸等離子體顯示器重達(dá)100磅以上，售價(jià)約$6000，而Sharp的37英寸LCD顯示器重達(dá)60磅，價(jià)格與前者相似。
有些公司(如eInk、ePaper和SiPix圖象公司等)試圖將顯示媒質(zhì)做在塑料網(wǎng)板上來(lái)解決這一問(wèn)題。但在塑料網(wǎng)板上形成有源象素矩陣問(wèn)題很多。各研究組正采用噴墨工藝將有機(jī)晶體管做在一個(gè)柔性襯底上，但在產(chǎn)量和分辨率方面都有問(wèn)題。
因而為解決上述與產(chǎn)量和分辨率相關(guān)的問(wèn)題需要有一種形成多個(gè)薄膜器件的方法和系統(tǒng)。此方法和系統(tǒng)應(yīng)該簡(jiǎn)單、成本低、并能容易用到現(xiàn)有工藝。本發(fā)明將滿足這些要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是形成多個(gè)薄膜器件的方法。這種方法包括提供一個(gè)柔性襯底，并利用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻(SAIL)工藝在柔性襯底上形成多個(gè)薄膜器件。
通過(guò)下面結(jié)合各附圖以例示方式對(duì)本發(fā)明的原理所作的詳細(xì)描述，我們可以明了本發(fā)明的其它一些方面及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法的高層流程圖。
圖2是按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖1的流程圖中步驟120的更詳細(xì)的流程圖。
圖3顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的多個(gè)薄膜器件。
圖4顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例制造的一種結(jié)構(gòu)的更詳細(xì)情況。
圖5顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例形成多個(gè)薄膜器件的工藝過(guò)程。
圖6顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在實(shí)現(xiàn)圖5的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)的剖面5(a)-5(c)。
圖7顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在實(shí)現(xiàn)圖5的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)的剖面5(d)-5(f)。
圖8顯示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在實(shí)現(xiàn)圖5的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)的剖面5(g)-5(h)。
圖9表示一臺(tái)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)機(jī)的示意圖。
圖10是一個(gè)半導(dǎo)體晶片的側(cè)面局部透視圖。
圖11顯示按本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例形成多個(gè)薄膜器件的另一種過(guò)程。
圖12顯示按本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例實(shí)現(xiàn)圖11的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)沿X-X′和Y-Y′方向的剖面11(a)-11(e)。
圖13顯示按本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例實(shí)現(xiàn)圖11的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)沿X-X′和Y-Y′方向的剖面11(f)-11(i)。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及形成多個(gè)薄膜器件的方法和系統(tǒng)。下面的描述按照專利申請(qǐng)及其要求提供給本專業(yè)技術(shù)人員，使他們能實(shí)現(xiàn)和使用本發(fā)明。本專業(yè)技術(shù)人員很容易了解各實(shí)施例的各種變型及這里要講到的一般原理和特性。因此，本發(fā)明不只限于所顯示的實(shí)施例，而是可以用到與這里所描述的原理和特性相一致的非常寬的范圍內(nèi)。
本發(fā)明提供一種形成多個(gè)薄膜器件的方法和系統(tǒng)。此方法和系統(tǒng)的各種變型可以采用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻(SAIL)工藝在柔性襯底上形成多個(gè)薄膜器件。因此，可結(jié)合SAIL工藝采用一種卷到卷(roll-to-roll)制造工藝，以提供一種大面積和/或柔性顯示器的低成本制造方案。
圖1是一個(gè)形成多個(gè)薄膜器件的方法的高層流程圖。第一步驟110包括提供柔性襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，柔性襯底是一個(gè)適用于滾壓制造工藝的襯底。最后步驟120包括利用SAIL工藝在柔性襯底上形成多個(gè)薄膜器件。在一個(gè)實(shí)施例中，這些多個(gè)薄膜器件是一個(gè)相互連接的晶體管陣列。
自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻是一種用來(lái)以高分辨率對(duì)襯底材料上的薄膜作圖的工藝，它采用在具有將要加工的結(jié)構(gòu)特征的掩模和需要作圖的襯底材料之間相接觸的方式。作圖的薄膜可以是電介質(zhì)，半導(dǎo)體，金屬或有機(jī)物，而且可以作成薄膜疊層或者單層。壓印光刻特別適合于滾壓工藝，因?yàn)樗漠a(chǎn)量高，可以處理較寬的襯底，并容許襯底不平。
雖然上述概念是在采用柔性襯底的情形下說(shuō)明，但應(yīng)指出，此工藝也可用非柔性襯底來(lái)實(shí)現(xiàn)，這仍然屬于本發(fā)明的思路和范疇之內(nèi)。
圖2是圖1流程圖中步驟120的更詳細(xì)的流程圖。第一步驟121包括在柔性襯底上淀積一層或多層材料。在一個(gè)實(shí)施例中，各材料層包括過(guò)渡層，硅層，電介質(zhì)層和柵極金屬層。第二步驟122包括在各材料層上形成一個(gè)三維(3D)結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，此3D結(jié)構(gòu)是壓印聚合物，而且是用一個(gè)沖壓工具產(chǎn)生的。在題為“一種形成半導(dǎo)體器件的方法和系統(tǒng)”的專利申請(qǐng)10/184,587中描述了利用沖壓工具在材料層內(nèi)產(chǎn)生3D圖形的方法，我們把它引用到這里作參考。最后的步驟123包括根據(jù)多個(gè)薄膜器件所需的特性在至少一種材料上作圖。
在一個(gè)實(shí)施例中，這些多個(gè)薄膜器件是一些晶體管，它們形成一個(gè)有源矩陣底板。一塊大面積的電路有源矩陣底板是象素和用于電子控制信號(hào)和數(shù)據(jù)的導(dǎo)線的陣列。每個(gè)象素有至少一個(gè)與象素電極相連的晶體管。因此，每個(gè)象素可以獨(dú)立編址，象素電極上加有所要求的電壓或電流。因而這類有源矩陣底板可以用在各種大面積電子應(yīng)用(如大面積顯示器和大面積成象器)中。
圖3是按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有源矩陣底板300。從圖3可看出，該有源矩陣底板300包括一些象素，每個(gè)象素330包含一個(gè)薄膜晶體管332和一個(gè)象素電極335。薄膜晶體管與柵極線310和數(shù)據(jù)線320相連。由于對(duì)于低分辨率顯示器象素尺寸可能較大，柵極線310和數(shù)據(jù)線320與外部電子驅(qū)動(dòng)器的連接花費(fèi)不大。因此所有驅(qū)動(dòng)器裝置可以放在外面。
圖4表示按一個(gè)實(shí)施例的加工過(guò)程中早期階段的一個(gè)結(jié)構(gòu)400。從圖可以看到，結(jié)構(gòu)400包含一個(gè)晶體管410和一個(gè)象素電極420。材料層401-405也顯示出來(lái)了。這些層包括柔性襯底層401，過(guò)渡層402，硅層403，介質(zhì)層404和金屬層405。
在一個(gè)實(shí)施例中，柔性襯底401是一個(gè)帶或不帶無(wú)機(jī)涂層的聚酰亞胺塑料片。過(guò)渡層(有機(jī)或無(wú)機(jī)涂層)可以是氮氧化物，氮化硅，非晶體Si:H層或BCB(苯環(huán)丁烷)。層403例如是非晶體Si:H等的半導(dǎo)體。介質(zhì)層404例如是SiN等材料。金屬層405是一種柵極金屬，如TiW，TiW/Al，MoCr等。
圖5表示按本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例形成多個(gè)薄膜器件的過(guò)程。為了說(shuō)明，圖6-8示例說(shuō)明在實(shí)施圖5過(guò)程中產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的剖面5(a)-5(g)。
剖面5(a)所示的結(jié)構(gòu)包括壓印聚合物510，柵極金屬層511，介質(zhì)層512，硅層513，過(guò)渡層514和柔性襯底515。第一步驟501包含金屬層和介質(zhì)層的刻蝕部分。這里壓印聚合物510用作掩模。剖面5(b)表示壓印聚合物510和各層的其余部分511和512。在一個(gè)實(shí)施例中，用干法刻蝕工藝(如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)或離子銑)將金屬層511和介質(zhì)層512除掉。
在一種RIE工藝中，把襯底放在一個(gè)反應(yīng)器內(nèi)，反應(yīng)器內(nèi)引入了幾種氣體。利用高頻(RF)功率源在此氣體混合物內(nèi)點(diǎn)著等離子體，使氣體分子分裂成離子和反應(yīng)物質(zhì)。這些離子和反應(yīng)物質(zhì)與被刻蝕的材料表面相互作用而形成另一種氣體材料。這是RIE刻蝕的化學(xué)部分。還有一個(gè)本質(zhì)上與濺散淀積過(guò)程類似的物理部分。
如果離子的能量足夠高，它們可以不經(jīng)化學(xué)反應(yīng)而將被刻蝕材料的原子撞擊出來(lái)。產(chǎn)生使化學(xué)和物理刻蝕相平衡的干法刻蝕是一種很復(fù)雜的過(guò)程，因?yàn)橐{(diào)節(jié)許多參數(shù)。通過(guò)改變這種平衡可以影響刻蝕的各向異性特性，因?yàn)榛瘜W(xué)部分是各向同性的，而物理部分是各向異性的。因而RIE可以進(jìn)行高度定向的刻蝕。
離子銑是一種物理干法刻蝕工藝，這時(shí)把樣品暴露在被加速的單能惰性離子準(zhǔn)直束下，通過(guò)離子撞擊而把材料除掉。典型的離子銑系統(tǒng)裝有一個(gè)雙柵Kaufman型離子源，它提供約200V至約1.5kV的加速電壓。典型的工作氣體是氬(在P～2E-4托壓力下)。樣品安裝在一個(gè)旋轉(zhuǎn)的水冷臺(tái)上，該臺(tái)可以相對(duì)入射的氬離子傾鈄。
離子銑用來(lái)加工亞微米光柵，也可用來(lái)建造包含很不一樣的材料(例如金屬/絕緣體/半導(dǎo)體組合物)的樣品，因?yàn)檫@些材料的刻蝕速率有大致相同的數(shù)量級(jí)(例如，在500eV氬離子中，GaAs80nm/min，Au75nm/min，氮化硅25nm/min，光刻膠約20nm/min)。因而離子銑為進(jìn)行定向刻蝕提供了一種很靈活的工具。
雖然我們是結(jié)合上述實(shí)施例描述離子銑和RIE刻蝕工藝的，但本專業(yè)技術(shù)人員不難明白，也可以采用其它不同的刻蝕過(guò)程，這仍然屬于本發(fā)明的思路和范疇之內(nèi)。
第二個(gè)步驟502是淀積一個(gè)硅摻雜層。在一個(gè)實(shí)施例中，這個(gè)硅摻雜層是一個(gè)非晶體或微晶SiN+層。第三個(gè)步驟503是淀積一個(gè)與SiN+層相接觸的源-漏極極金屬層。剖面5(c)表示的結(jié)構(gòu)包括與源-漏極金屬層517接觸的SiN+層516。合適的源-漏極金屬包括Al、TiW、Cr等。
第四個(gè)步驟504是施加一種平坦化材料到源-漏極金屬層上。剖面5(d)表示與源-漏極金屬層517相接觸的平坦化材料518。合適的平坦化材料包括光刻膠，可UV固化聚合物和自旋玻璃。
第五個(gè)步驟包括除去部分平坦化材料。這里將露出部分源-漏極金屬層517。剖面5(e)的結(jié)構(gòu)包括平坦化材料518的剩余部分和源-漏極金屬層517的外露部分。
第六步驟506包括除掉源-漏極金屬層的露出部分和一部分SiN+層。這里將露出壓印聚合物510的一部分。剖面5(f)表示露出的壓印聚合物510。
第七步驟507包括將露出部分的壓印聚合物減薄。剖面5(g)表示壓印聚合物518露出部分被減薄以后的結(jié)構(gòu)?？梢钥闯觯Ｓ嗥教够牧喜糠?18還留著，因?yàn)檫@個(gè)刻蝕步驟有選擇地除掉壓印聚合物510，但不除去平坦化材料518或襯底。
最后一個(gè)步驟包括除去柵極金屬層，介質(zhì)層和硅層部分(圖中未示)。接著除去平坦化材料。剖面5(h)表示所得到的結(jié)構(gòu)。
在步驟504之后可以選擇引入一個(gè)平坦化步驟。在一個(gè)實(shí)施例中，該步驟是通過(guò)化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)工藝完成的。在超高密度集成電路生產(chǎn)中，用CMP除去襯底頂層的材料。在一種典型CMP工藝中，在可控化學(xué)、壓力、速度和溫度條件下把一種研磨料加在頂層上。研磨料包括漿料溶液和拋光墊。漿料溶液在即將使用前置備，方法是將一種所謂的產(chǎn)物母體與一種氧化劑相混合。產(chǎn)物母體缺少氧化劑，但包含其它的漿料成分(例如，研磨料、催化劑、水)。
現(xiàn)在參看圖9和10，它們是一臺(tái)包括旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)的CMP機(jī)900的示意圖和半導(dǎo)體晶片905的側(cè)面局部透視圖(圖10)。該CMP機(jī)900將要拋光的晶片通過(guò)臂901送進(jìn)并將它們安置在旋轉(zhuǎn)拋光墊902上。拋光墊用有彈性的材料制成而且具有一定結(jié)構(gòu)，往往帶一些預(yù)先做好的溝槽以幫助拋光過(guò)程。調(diào)節(jié)臂909用來(lái)調(diào)節(jié)拋光墊。晶片通過(guò)臂901以一個(gè)預(yù)定的向下力保持在拋光墊902上的適當(dāng)位置。
拋光過(guò)程中晶片905的下表面靠在拋光墊902上。當(dāng)拋光墊902旋轉(zhuǎn)時(shí)，臂901使晶片905以預(yù)定速度轉(zhuǎn)動(dòng)。CMP機(jī)900還包含一個(gè)漿料配送管907，它橫跨拋光墊902的半徑延伸。漿料配送管907將漿料流906從漿料源912配送到拋光墊902上。典型地是向拋光墊902灌注約8秒鐘的漿料906。漿料906是一種去離子水和多種拋光劑的混合物，拋光劑用來(lái)從化學(xué)上幫助晶片光滑且可預(yù)見(jiàn)地平坦化。拋光墊902和晶片905的旋轉(zhuǎn)作用連同漿料的拋光作用一起使晶片905以某個(gè)公稱速度被平坦化或者是拋光。在當(dāng)前采用硅石漿料的系統(tǒng)中，漿料的PH值很高，典型值為10或11左右。在漿料配送過(guò)程終止后，去離子水通過(guò)水配送管908從去離子水源910配送到墊上。然后除掉晶片襯底上的漿料。
雖然上述實(shí)施例介紹了一種CMP刻蝕過(guò)程的應(yīng)用，但本專業(yè)技術(shù)人員明白，也可以用其它的平坦化過(guò)程而仍然屬于本發(fā)明的思路和范圍之內(nèi)。
圖11是按本發(fā)明另一實(shí)施例形成多個(gè)薄膜器件的另一種工藝。在此過(guò)程中引入了一個(gè)摻雜步驟。圖12-13顯示在實(shí)施圖11的過(guò)程中所得結(jié)構(gòu)沿X-X′和Y-Y′(見(jiàn)圖4)的剖面11(a)-11(i)。
剖面11(a)表示一個(gè)結(jié)構(gòu)，它包括壓印聚合物1110、柵極金屬層1111、電介質(zhì)層1112、硅層1113、過(guò)渡層1114和柔性襯底1115。第一個(gè)步驟1101是刻蝕柵極金屬層和介質(zhì)層部分。這里用壓印聚合物1110作掩模。剖面11(b)表示壓印聚合物1110及層1111和1112的剩余部分。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬層1111和介質(zhì)層1112部分是用干法刻蝕工藝除去的。
第二個(gè)步驟1102包括摻雜硅層。該步驟可利用激光摻雜技術(shù)和等離子體摻雜技術(shù)來(lái)進(jìn)行。剖面11(c)表示摻雜硅層1113′。
通常在用激光摻雜時(shí)，硅表面僅暴露在受激準(zhǔn)分子激光強(qiáng)輻照下約幾個(gè)毫微秒時(shí)間(約50ns或更短)。在這個(gè)時(shí)間內(nèi)硅表面從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，摻雜物擴(kuò)散到液態(tài)硅中。
具體而言，激光摻雜采用受激準(zhǔn)分子激光器(常用XeCl激光)作為能源。在投影式氣體浸沒(méi)激光摻雜(P-GILD)中，使用一種反射型中間掩模版。激光器的輸出通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)使束均勻，并通過(guò)照明器使束在一個(gè)電介質(zhì)中間掩模版上掃描。然后通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)使中間掩模板成象在晶片上。在受到照射的區(qū)域，入射光子能量在硅頂面7nm左右內(nèi)被吸收并轉(zhuǎn)換為熱能，使表面加熱并讓雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底內(nèi)。
激光摻雜有幾方面的好處。第一，摻雜物一般能滲透整個(gè)液態(tài)硅，但只極少向固態(tài)硅內(nèi)擴(kuò)散。因此，結(jié)的深度由硅的熔化深度控制。第二，由于雜質(zhì)結(jié)合在電氣上活潑的位置且襯底不因硅的固化而受損，故不需要高溫退火步驟。第三，對(duì)過(guò)程的控制通常很簡(jiǎn)單。第四，過(guò)程產(chǎn)生薄片且接觸電阻小。最后，此過(guò)程避免了對(duì)光刻膠的多個(gè)處理步驟。
在等離子體摻雜系統(tǒng)中，一個(gè)半導(dǎo)體晶片被安置在一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)板上，后者起陰極的作用。把含所需摻雜物材料的離子化氣體引入室內(nèi)，并在臺(tái)板和陽(yáng)極或室壁之間加以高壓脈沖，形成等離子體，其等離子體鞘層處在晶片附近。施加電壓使等離子體中的離子加速跨過(guò)等離子體鞘層并把離子注入晶片內(nèi)。注入深度與加在晶片和陽(yáng)極間的電壓有關(guān)。
在上述等離子體摻雜系統(tǒng)中，高壓脈沖產(chǎn)生等離子體并將正離子從等離子體向著晶片加速。在其它被稱為等離子體源離子注入(PSII)的等離子體注入系統(tǒng)中，采用一個(gè)單獨(dú)的等離子體源來(lái)提供連續(xù)等離子體。(這些注入系統(tǒng)還有幾個(gè)別的簡(jiǎn)稱，最通用的是等離子體浸沒(méi)離子注入，PIII。)在這類系統(tǒng)中，臺(tái)板和晶片浸沒(méi)在這個(gè)連續(xù)等離子體中，并相隔一段時(shí)間在臺(tái)板和陽(yáng)極之間加上一個(gè)高壓脈沖，使等離子體中的正離子向著晶片加速。
雖然上述實(shí)施例是作為與激光摻雜技術(shù)和等離子體摻雜技術(shù)連用而描述的，但本專業(yè)技術(shù)人員不難明白，也可以采用各種不同的摻雜技術(shù)而仍然屬于本發(fā)明的思路和范圍之內(nèi)。
第三個(gè)步驟1103包括淀積與摻雜硅層相接觸的源-漏極金屬層。剖面11(d)所示結(jié)構(gòu)包括與源-漏極金屬層1117相接觸的摻雜硅層1113′。
第四個(gè)步驟1104包括把一種平坦化材料加到源-漏極金屬層上。剖面11(e)表示與源-漏極金屬層1117相接觸的平坦化材料1118。
第五個(gè)步驟1105包括去掉平坦化材料部分。這里一部分源-漏極金屬層1117外露。剖面11(f)所示結(jié)構(gòu)包括剩下的平坦化材料部分1118和源-漏極金屬層1117的外露部分。
第六個(gè)步驟1106包括去掉源-漏極金屬層的露出部分。這里一部分壓印聚合物1110外露。剖面11(g)表示外露的壓印聚合物1110。
第七個(gè)步驟1107包括減薄壓印聚合物的外露部分。剖面11(h)顯示在壓印聚合物1110外露部分除去后的結(jié)構(gòu)。我們看到，平坦化材料的剩余部分1118留下來(lái)了，因?yàn)檫@個(gè)刻蝕步驟選擇性地除去壓印聚合物1110，但不去掉平坦化材料1118或襯底。
最后一個(gè)步驟1108包括除去柵極金屬層、介質(zhì)層、硅層和平坦化材料各部分。剖面11(i)顯示最后的結(jié)構(gòu)。我們看到，該結(jié)構(gòu)包含一個(gè)晶體管1120和與另一個(gè)晶體管(未示)的相互連接1130，其中相互連接包括處在柵極金屬1111和源-漏極金屬1117之間的壓印聚合物1110。
雖然上述實(shí)施例是針對(duì)用來(lái)形成晶體管陣列的情況而言的，但本專業(yè)技術(shù)人員不難明白，上述方法可以用來(lái)加工各種不同的器件，這仍然屬于本發(fā)明的構(gòu)思和范圍之內(nèi)。
我們介紹了一種形成多個(gè)薄膜器件的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)的各種實(shí)施例可以讓SAIL過(guò)程用來(lái)在柔性襯底上形成多個(gè)薄膜器件。因此，可以把滾壓制造工藝與SAIL過(guò)程結(jié)合使用，以提供大面積和/或柔性顯示器的低成本制造方案。
毋需進(jìn)一步分析，上述說(shuō)明已充分展現(xiàn)了本發(fā)明的要旨，即其他人可以根據(jù)這些知識(shí)很容易地把本發(fā)明用到各種各樣的應(yīng)用中，而不失去其特征。從現(xiàn)有技術(shù)的觀點(diǎn)來(lái)看，這些特征完全構(gòu)成本發(fā)明在普通和特殊方面的基本特性。因此，應(yīng)當(dāng)而且可以按與下面權(quán)利要求書(shū)相當(dāng)?shù)囊饬x和范圍來(lái)理解這些應(yīng)用。雖然本發(fā)明是通過(guò)某些實(shí)施例來(lái)描述的，但本專業(yè)技術(shù)人員不難明白，其它的實(shí)施例也屬于下面權(quán)利要求書(shū)確定的本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成多個(gè)薄膜器件的方法，包括提供一個(gè)柔性襯底[401]；利用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻工藝在柔性襯底[401]上形成多個(gè)薄膜器件[410]。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中多個(gè)薄膜器件包括互連晶體管[332]的陣列[300]。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻工藝包括在柔性襯底[401]上淀積至少一種材料；在此至少一種材料上形成三維結(jié)構(gòu)[510]；及根據(jù)多個(gè)薄膜器件的所需特性對(duì)所述至少一種材料上作圖。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中利用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻工藝包括淀積一種平坦化材料[518]。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中互連晶體管[332]的陣列[300]包含一個(gè)有源矩陣底板。
6.一種形成多個(gè)薄膜器件的系統(tǒng)，包括將自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻工藝應(yīng)用于柔性襯底[401]以在柔性襯底[401]上形成多個(gè)薄膜器件的裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中多個(gè)薄膜器件包含互連晶體管[332]的陣列[300]。
8.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中應(yīng)用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻工藝的裝置包括在柔性襯底[401]上淀積至少一種材料的裝置；在所述至少一種材料上形成三維結(jié)構(gòu)[510]的裝置；根據(jù)多個(gè)薄膜器件的所需特性對(duì)所述至少一種材料作圖的裝置。
9.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中利用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻的裝置包括用于淀積一種平坦化材料[518]的裝置。
10.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中互連晶體管[332]的陣列[300]包含一個(gè)有源矩陣底板。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)方面是形成多個(gè)薄膜器件的方法。此方法包括提供一個(gè)柔性襯底[401]并應(yīng)用自對(duì)準(zhǔn)壓印光刻(SAIL)工藝在此柔性襯底[401]上形成多個(gè)薄膜器件[410]。
文檔編號(hào)H01L51/00GK1655341SQ20051000903
公開(kāi)日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2005年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月10日
發(fā)明者P·梅, W·B·杰克遜, C·P·陶西格, A·簡(jiǎn)斯 申請(qǐng)人:惠普開(kāi)發(fā)有限公司