專利名稱：一種側(cè)墻制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種側(cè)墻制作方法。
背景技術(shù)：
在1微米以下的半導體生產(chǎn)工藝中一般都會使用側(cè)墻的結(jié)構(gòu)，側(cè)墻一般用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
在一般的0.15微米以上的D形貌的側(cè)墻生產(chǎn)工藝大致如圖1所示，首先是用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，以下簡稱CVD)的方法在硅表面生長一層二氧化硅薄膜，然后再用CVD方法在二氧化硅薄膜上面生長一層氮化硅薄膜，再進行側(cè)墻刻蝕。成長的一層二氧化硅薄膜可以防止下面生長的氮化硅薄膜直接生長在硅片表面而造成的應(yīng)力缺陷，而第二步中所生長的氮化硅薄膜是作為側(cè)墻的主要組成部分。
隨著半導體工藝的發(fā)展，半導體工藝的線寬越來越小，到了0.13微米以下的工藝中，如果采用現(xiàn)有的工藝，就會產(chǎn)生許多的問題。隨著多晶硅線條之間距離的越來越窄，CVD填充氮化硅的能力會受到限制，出現(xiàn)中間有空洞的現(xiàn)象?？涛g之后會引起側(cè)墻整個形貌的變化，從而造成器件的失效。在0.13微米以下的工藝中，若采用已有的工藝，生長氮化硅薄膜之后側(cè)墻的形貌如圖2所示，側(cè)墻刻蝕后側(cè)墻的形貌如圖3所示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種側(cè)墻制作方法，應(yīng)用在0.13微米以下的工藝中，可以得到理想的側(cè)墻形貌。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種側(cè)墻制作方法，包括以下步驟，第一步，在硅片表面生長二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生長氮化硅薄膜；第三步，側(cè)墻刻蝕；第四步，重復步驟二和三，直至獲得寬度為500-800埃的“D”形狀的側(cè)墻。
作為本發(fā)明一種優(yōu)選技術(shù)方案的一種側(cè)墻制作方法，第一步中最好采用化學氣相沉積方法生長二氧化硅薄膜。
作為本發(fā)明另一種優(yōu)選技術(shù)方案的一種側(cè)墻制作方法，第二步中最好采用化學氣相沉積方法生長氮化硅薄膜。
作為本發(fā)明另一種優(yōu)選技術(shù)方案的一種側(cè)墻制作方法，第二步中生長的氮化硅薄膜厚度最好為200-600埃。
作為本發(fā)明另一種優(yōu)選技術(shù)方案的一種側(cè)墻制作方法，第三步中的側(cè)墻刻蝕最好為干刻刻蝕。
與已有技術(shù)中的化學機械拋光機相比，本發(fā)明一種側(cè)墻制作方法，在硅片表面生長二氧化硅薄膜之后，重復第二步的在二氧化硅薄膜上面生長氮化硅薄膜，以及第三步的側(cè)墻刻蝕，使得在0.13微米以下的工藝中，可以得到理想的側(cè)墻形貌。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步描述圖1為已有工藝的一種側(cè)墻制作方法工藝流程圖；圖2為已有技術(shù)的側(cè)墻制作方法生長氮化硅薄膜后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖3為已有技術(shù)的側(cè)墻制作方法側(cè)墻刻蝕后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明第一次生長氮化硅薄膜后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明進行第一次側(cè)墻刻蝕后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明第二次生長氮化硅薄膜后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖7為本發(fā)明進行第二次側(cè)墻刻蝕后側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖；圖8為本發(fā)明一種側(cè)墻制作方法流程圖。
具體實施例方式
如圖8所示，本發(fā)明一種側(cè)墻制作方法，包括以下步驟包括以下步驟，第一步，在硅片表面生長二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生長氮化硅薄膜；第三步，側(cè)墻刻蝕；第四步，重復步驟二和三，直至獲得寬度為500-800埃的“D”形狀的側(cè)墻。
下面進行詳細說明，為了防止多晶硅線條之間在用CVD方法生長氮化硅的時候出現(xiàn)空洞，在先用CVD方法生長一層二氧化硅薄膜之后，然后再用CVD方法生長一層氮化硅薄膜，其厚度約為正常生長膜厚厚度的1/2-1/4，即200-600埃。側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。再進行各向異性的側(cè)墻干刻刻蝕，在增加一些過量的干刻刻蝕后，側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖如圖5所示。然后，再進行清洗，在去除由于刻蝕而產(chǎn)生副生成物之后，再用CVD方法生長一層氮化硅薄膜，其厚度約為正常生長膜厚厚度的1/2-1/4，即200-600埃。側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖如圖6所示。再重復上面的各向異性的側(cè)墻干刻刻蝕，然后再用CVD方法生長一層氮化硅薄膜，進行各向異性的側(cè)墻干刻刻蝕，直到獲得理想的側(cè)墻圖形，直到側(cè)墻結(jié)構(gòu)圖如圖7所示。
權(quán)利要求
1.一種側(cè)墻制作方法，其特征在于，包括以下步驟，第一步，在硅片表面生長二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生長氮化硅薄膜；第三步，側(cè)墻刻蝕；第四步，重復步驟二和三，直至獲得寬度為500-800埃的“D”形狀側(cè)墻。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻制作方法，其特征在于，第一步中采用化學氣相沉積方法生長二氧化硅薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻制作方法，其特征在于，第二步中采用化學氣相沉積方法生長氮化硅薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻制作方法，其特征在于，第二步中生長的氮化硅薄膜厚度為200-600埃。
5.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻制作方法，其特征在于，第三步中的側(cè)墻刻蝕為干刻刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種側(cè)墻制作方法，包括以下步驟，首先生長二氧化硅薄膜；再生長氮化硅薄膜；第三步，側(cè)墻刻蝕；第四步，重復步驟二和三，直至獲得寬度為500－800埃的“D”形狀的側(cè)墻。本發(fā)明公開了一種側(cè)墻制作方法，在硅片表面生長二氧化硅薄膜之后，重復第二步的在二氧化硅薄膜上面生長氮化硅薄膜，以及第三步的側(cè)墻刻蝕，可以在0.13微米以下的工藝中，可以得到理想的側(cè)墻形貌。
文檔編號H01L21/336GK1909195SQ20051002853
公開日2007年2月7日 申請日期2005年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月5日
發(fā)明者周貫宇, 陳華倫, 錢文生, 陳曉波, 郭永芳 申請人:上海華虹Nec電子有限公司