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      帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路及使用其的電源裝置的制作方法

      文檔序號:6849901閱讀:180來源:國知局
      專利名稱:帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路及使用其的電源裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種檢測電路電流、并對半導(dǎo)體集成電路和外部的電路裝置進(jìn)行保護(hù)等的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路及使用該電路的電源裝置。
      背景技術(shù)
      一直以來,如圖5所示的帶過電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,被作為電源設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路廣泛使用。電源設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路,被用于各種機器的電源電路和輸出電路中。電源設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路,在電源設(shè)備中流過過大的電流,檢測該過大電流,執(zhí)行限制電流的保護(hù)動作,使半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部或外部受到損壞不會損傷。這種電源設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路,除要求動作上有安全性,還要求高精度,在正常的電流下不啟動保護(hù)功能、而在規(guī)定的過電流下保護(hù)功能要可靠地啟動。并且,與一般電子零件一樣,還要求價格要低。
      在圖5所示的半導(dǎo)體集成電路中,電流輸入端子52及電流輸出端子53,分別與功率NPN晶體管54的集電極及發(fā)射極連接。功率NPN晶體管54的基極,由NPNTr驅(qū)動電路55驅(qū)動。功率NPN晶體管54及NPNTr驅(qū)動電路55,例如若是輸出電路,將輸入到NPNTr驅(qū)動電路55中的輸入信號功率放大后從電流輸出端子53輸出;若是電源電路,則能夠從電流輸出端子53獲取穩(wěn)定為定電壓或定電流的輸出。
      從功率NPN晶體管54的發(fā)射極側(cè)輸入到電流輸出端子53的電流輸出值,與從電流輸入端子52流入到功率NPN晶體管54的集電極側(cè)的電流值基本相等。用于將此電流控制于規(guī)定范圍內(nèi)的過電流檢測功能,通過電阻56及比較器57來實現(xiàn)。電阻56,是為了檢測出從電流輸入端子52流向功率NPN晶體管54的集電極的電流而設(shè)置的,會產(chǎn)生一個對應(yīng)流過的電流值的壓降。
      當(dāng)功率NPN晶體管54的集電極電流變大,電阻56兩端的電壓超過比較器57的閾值電壓,比較器57動作,比較器輸出端子58的輸出從低電平變?yōu)楦唠娖?。此輸出的變換被傳送至NPNTr驅(qū)動電路55,執(zhí)行使功率NPN晶體管54截止的動作。
      為了提高圖5的電流檢測的精度,必須測定電流檢測等級。由于測試裝置的每1根探測器中的允許電流被限制為很小的值,因此當(dāng)過電流的檢測等級較高時,在晶片測試工序中直接對電流檢測等級進(jìn)行測定是不可能的。
      因此,用由晶片測試中所使用的探測器供給的電流值,對電阻56的阻值進(jìn)行測定,并與比較器57的閾值設(shè)計值進(jìn)行比較,判斷過電流檢測等級的適當(dāng)與否。為了測定電阻56的阻值,在半導(dǎo)體集成電路的芯片上,預(yù)先形成有源電極61、測量電極62、63及源電極64。在源電極61、64間流過電流,實現(xiàn)測量測量電極62、63間的電壓,來高精度地對具有的較低阻值的電阻56進(jìn)行測定。但是,低阻值的電阻56,由于連接在比較器57的輸入端子之間,因此無法實際地測出作為比較器57閾值的閾值電壓。
      為了實際地測出作為比較器57閾值的閾值電壓,先已提出如下方案在半導(dǎo)體集成電路中,設(shè)置一種連線導(dǎo)通機構(gòu)(例如,齊納二極管),使電流檢測電阻56和比較器57的輸入側(cè)之間的連線,在涉及過電流檢測功能的晶片測試工序中處于截斷狀態(tài),在該工序之后再形成為導(dǎo)通狀態(tài)的(參照專利文獻(xiàn)1)。
      但是,現(xiàn)有的專利文獻(xiàn)1所述的提案,必須具備只在晶片測試的工序時使用的、由齊納二極管構(gòu)成的連線導(dǎo)通機構(gòu),并且為了將該連線導(dǎo)通機構(gòu)導(dǎo)通,需要具有2個用于施加高電壓脈沖的特別端子。因此,半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)變得很復(fù)雜,另外,必須使用可以耐高電壓脈沖的耐高壓元件。因此,帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,有構(gòu)造復(fù)雜并且價格高的問題。
      專利文獻(xiàn)1特開2001-53120號公報。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體集成電路、及使用該半導(dǎo)體集成電路的電源裝置,在將電流檢測用電阻內(nèi)置、檢測大電流的半導(dǎo)體集成電路中,能夠令電流檢測用電阻的阻值不受端子和測試用探測器的附加電阻的影響、準(zhǔn)確地進(jìn)行測定;能夠在流過較大電流的情況下、不用設(shè)置特別的附加裝置就能真實地測出電流檢測的閾值(閾值電壓);并能根據(jù)該測定結(jié)果對電流檢測的閾值進(jìn)行調(diào)整。
      本發(fā)明之一的半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路將上述電流檢測用電阻兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測上述檢測電流的規(guī)定值,其特征在于,具備電流端子,其用于從外部向所述電流檢測用電阻流入電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流端子與所述比較電路的一方輸入端之間、其阻值比所述電流檢測用電阻高;以及測定端子,其連接在所述比較電路的所述一方輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上。
      本發(fā)明之二的半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路將上述電流檢測用電阻兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測上述檢測電流,其特征在于,具備第1電流端子;第2電流端子,其流過始于所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻的檢測電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間、其阻值比所述電流檢測用電阻高;以及,第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上。
      本發(fā)明的之三半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,在本發(fā)明之二的半導(dǎo)體集成電路中,還具備第2測定端子,其連接在所述電流檢測用電阻的另一端、進(jìn)行與所述第2電流端子相同的輸出。
      本發(fā)明之四的半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路,將上述電流檢測用電阻的兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測上述檢測電流,其特征在于,具備第1電流端子;第2電流端子,其流過始于所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻的檢測電流;第1電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間,其阻值比所述電流檢測用電阻高;第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述第1電流限制用電阻之間的連接點上;第2電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的另一端與所述比較電路的第2輸入端之間,其阻值比所述電流檢測用電阻高;以及,第2測定端子,其連接在所述第2輸入端與所述第2電流限制用電阻之間的連接點上。
      本發(fā)明之五的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于在本發(fā)明之一至本發(fā)明之四中的任一項所述的半導(dǎo)體集成電路中,所述比較電路,可調(diào)整所述閾值使其與檢測電流的規(guī)定值相當(dāng)。
      本發(fā)明之六的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于在本發(fā)明之五的半導(dǎo)體集成電路中,所述比較電路具有差動放大器,其與所述電流限制用電阻的阻值相比具有極高的輸入阻抗;和比較器,其將該差動放大器的輸出與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并輸出比較結(jié)果,所述基準(zhǔn)電壓,可通過可微調(diào)的電壓調(diào)整部件來調(diào)整。
      本發(fā)明之七的電源裝置,其特征在于,具備電壓轉(zhuǎn)換電路,其轉(zhuǎn)換輸入電壓以產(chǎn)生規(guī)定的輸出電壓;和本發(fā)明之一至本發(fā)明之六中的任一項所述的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,該半導(dǎo)體集成電路被輸入所述電壓轉(zhuǎn)換電路中流過的檢測電流。
      本發(fā)明之八的電源裝置,其特征在于,備有電壓轉(zhuǎn)換電路,其轉(zhuǎn)換輸入電壓以產(chǎn)生規(guī)定的輸出電壓;半導(dǎo)體集成電路,該半導(dǎo)體集成電路是帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,其形成有流過上述電壓轉(zhuǎn)換電路的檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路,將上述電流檢測用電阻的兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測上述檢測電流,半導(dǎo)體電路還具備第1電流端子;第2電流端子,其從所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻流過檢測電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間,阻值比所述電流檢測用電阻高;第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上;以及,第2測定端子,其連接在所述電流檢測用電阻的另一端,進(jìn)行與所述第2電流端子相同的輸出,所述第2電流端子與所述第2測定端子在所述半導(dǎo)體集成電路的外部也相互連接。
      (發(fā)明效果)通過本發(fā)明,在電流檢測用電阻內(nèi)置、檢測大電流的半導(dǎo)體集成電路中,能夠令電流檢測用電阻的阻值不受端子和測試用探測器的附加電阻的影響、正確地進(jìn)行測定,并且不會流過較大電流、不必設(shè)置特別的附加裝置,就能真實地測出電流檢測的閾值(閾值電壓)進(jìn)行調(diào)整。因而能將半導(dǎo)體集成電路的電流檢測功能,在晶片階段,就可簡便且正確地進(jìn)行設(shè)定。
      另外,能不受測定用探測器的電阻和端子的阻值的影響,將電流檢測用電阻的阻值正確地檢測出來。由于電流檢測用電阻由鋁布線等構(gòu)成,阻值較低,因此能夠只將電流檢測用電阻的阻值正確測定,并且這樣是非常有效的。
      另外,根據(jù)此正確測定的電流檢測用電阻的阻值、和預(yù)先設(shè)定的檢測電流,能夠?qū)⒈容^電路的閾值微調(diào)至最優(yōu)值。
      另外,電流限制用電阻的阻值,阻值可以遠(yuǎn)大于電流檢測用電阻,且由于不要求精度,因此容易制造。
      另外,實際使用時,通過將第2電流端子和第2測定端子并聯(lián)連接,由于可以減少連接電阻,因此能減少電能損耗。


      圖1為表示本發(fā)明的實施例的電源裝置及其中所使用的帶電流檢測功能半導(dǎo)體集成電路的構(gòu)成圖。
      圖2為表示測定圖1中的電流檢測用電阻的阻值的測定狀況的圖。
      圖3為表示圖1中的基準(zhǔn)電壓的閾值的測定狀況的圖。
      圖4為表示本發(fā)明的另一個實施例的帶電流檢測功能半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)圖。
      圖5為表示現(xiàn)有的帶過電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)圖。
      圖中Vdd-電源電壓,Lo-線圈,Do-肖特基二極管,Co-濾波電容,Vo-輸出電壓,Io-輸出電流,Is-檢測電流,So-開關(guān)晶體管,100-半導(dǎo)體集成電路,10-可變電壓源,20-電流源,30-電壓計,40-比較電路,AMP-差動放大器,CP1-比較器,50-控制電路,Rs-電流檢測用電阻,Rt、Rt1、Rt2-電流限制用電阻,P1~P6-半導(dǎo)體集成電路端子。
      具體實施例方式
      下面參照附圖,對本發(fā)明的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路及使用該電路的電源裝置的實施例進(jìn)行說明。圖1為表示本發(fā)明的第1實施例的電源裝置及該裝置中所使用的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)圖。
      在圖1中作為電源裝置,以升壓型開關(guān)電源裝置為例。另外,本發(fā)明,也適用于降壓型開關(guān)電源裝置和串聯(lián)型電源裝置等具有電流檢測功能的電源裝置、和電機驅(qū)動裝置等。
      在圖1中,線圈Lo和開關(guān)用NMOS晶體管So在電源和地間串聯(lián)連接,NMOS晶體管So在導(dǎo)通/截止間切換。在線圈Lo和NMOS晶體管So之間的連接點上所生成的電壓,通過肖特基二極管Do和濾波電容Co整流濾波后,輸出電源電壓Vdd被升壓后的輸出電壓Vo。Io為供給到圖中未表示的負(fù)載的輸出電流。另外,作為開關(guān)元件So,除MOS晶體管之外,有時也可以是雙極型晶體管。
      用分壓電阻R1、R2將輸出電壓Vo分壓,形成電壓檢測信號Vdet。根據(jù)此電壓檢測信號Vdet,控制NMOS晶體管So的通斷比,進(jìn)行穩(wěn)電壓動作,使輸出電壓Vo維持為規(guī)定值。
      另外,通過NMOS晶體管So的導(dǎo)通關(guān)斷(on/off)控制,線圈Lo中流有開關(guān)電流(以下,稱為檢測電流)Is。檢測出此檢測電流Is的大小,進(jìn)行電流限制動作以保證檢測電流Is不超過規(guī)定值。
      此穩(wěn)壓動作及電流控制動作,用半導(dǎo)體集成電路100進(jìn)行。首先,電壓檢測信號Vdet通過電壓輸入端子P6輸入到控制電路50中。在此控制電路50中,電壓檢測信號Vdet與用于電壓控制的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。根據(jù)此比較結(jié)果而形成的開關(guān)控制信號Cont通過控制端子P5施加于NMOS晶體管So的柵極之上。從而,將輸出電壓Vo穩(wěn)電壓控制為規(guī)定值。
      電流限制動作,是通過將用電流檢測用電阻Rs和比較電路40獲得的比較輸出Cip供給到控制電路50而進(jìn)行。再者,控制電路50,也可設(shè)置于半導(dǎo)體集成電路100的外部。此時,半導(dǎo)體集成電路100中,不需要控制端子P5和電壓輸入端子P6,而設(shè)置用于輸出比較輸出Cip的比較輸出端子來替代這兩個端子。
      電流檢測用電阻Rs,其一端與第1電流端子P1連接,另一端與第2電流端子P2連接。然后,將流過此電流檢測用電阻Rs中的檢測電流Is所產(chǎn)生的壓降,用比較電路40與基準(zhǔn)電壓Vref進(jìn)行比較。由于電源裝置在使用時流有較大的檢測電流Is(例如,2A左右),因此電流檢測用電阻Rs使用具有極低的阻值(例如,0.1Ω左右)的電阻。此電流檢測用電阻Rs,例如,在形成半導(dǎo)體集成電路的制造工序中,與芯片表面的電極布線等的金屬布線(鋁布線)等,同時形成。電流檢測用電阻Rs,由于形成在半導(dǎo)體集成電路上,容易降低成本。另外,電流檢測用電阻Rs,由于包含在半導(dǎo)體集成電路自身中,不暴露于封裝的外部,因此也提高了穩(wěn)定性。
      電流檢測用電阻Rs的一端側(cè)和比較電路40的輸入側(cè)之間設(shè)有電流限制用電阻Rt。此電流限制用電阻Rt和比較電路40的輸入側(cè)之間的連接點,連接有第1測定端子P3。此電流限制用電阻Rt,與電流檢測用電阻Rs的阻值相比,具有明顯高的阻值(例如,20kΩ左右)。該電流限制用電阻Rt的阻值,只要較高即可,不要求其阻值的精度。第1測定端子P3,為測定電流檢測用電阻Rs的阻值和比較電路40的閾值時使用的端子,通常動作時開路。即,不與外部連接。通過令第1測定端子P3平時開路,能夠只檢測由電流檢測用電阻Rs產(chǎn)生的壓降。再者,比較電路40的輸入阻抗,最好比電流檢測用電阻Rs高很多。
      第2測定端子P4為測定電流檢測用電阻Rs的阻值和比較電路40的閾值時使用的端子。此第2測定端子P4,平常工作時,與第2電流端子并聯(lián)。這樣,由于平常使用時檢測電流Is被第2電流端子P2和測定端子P4分流,降低了損耗。
      比較電路40在此例中,具備差動放大器AMP、和比較器CP1。差動放大器AMP,放大其2輸入端間的電壓,并輸出電流檢測信號Idet。此差動放大器AMP的輸入側(cè),最好使用輸入阻抗較高的元件,例如輸入側(cè)使用MOS晶體管的差動放大器。
      比較器CP1,將輸入的電流檢測信號Idet,與檢測等級調(diào)整后的基準(zhǔn)電壓(檢測閾值)Vref進(jìn)行比較,作為該比較結(jié)果,輸出比較輸出Cip。此基準(zhǔn)電壓(檢測閾值)Vref,例如用分壓電阻組、和可熔材料(例如,熔絲等)組的組合,通過微調(diào)設(shè)置為可微調(diào)為必要的值的電壓調(diào)整部件,來調(diào)整。
      在此圖1的電源裝置中,通常,控制電路50,根據(jù)電壓檢測信號Vdet,控制NMOS晶體管So的通斷比(on/off比)從而將輸出電壓Vo維持為規(guī)定值,進(jìn)行穩(wěn)壓動作以維持輸出電壓Vo為固定值。
      另一方面,檢測電流Is流過電流檢測用電阻Rs。由電流檢測用電阻Rs的阻值和檢測電流值所產(chǎn)生的壓降被用差動放大器AMP放大,其放大輸出電流檢測信號Idet被與基準(zhǔn)電壓Vref進(jìn)行比較。當(dāng)電流檢測信號Idet沒達(dá)到基準(zhǔn)電壓Vref,由于不輸出比較輸出Cip,因此進(jìn)行穩(wěn)壓動作。
      但是,電流檢測信號Idet達(dá)到基準(zhǔn)電壓Vref后,從比較器CP1輸出比較輸出Cip,并輸入到控制電路50中。通過輸入此比較輸出Cip,控制電路開始進(jìn)行限流動作代替之前的穩(wěn)壓動作。此限流動作可為停止作為電源裝置的動作,或者也可為,在被限定的電流進(jìn)行動作。
      為了將此限流動作在規(guī)定的檢測電流Is下進(jìn)行,就必須要準(zhǔn)確地知道電流檢測用電阻Rs的阻值,及設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vref為與規(guī)定的檢測電流Is和電流檢測用電阻Rs的阻值對應(yīng)的閾值。
      本發(fā)明,能在半導(dǎo)體基層電路的晶片狀態(tài)、用普通的檢測裝置(每根探測器中可流有的電流限制為較小值,例如約200mA),測定電流檢測用電阻Rs的阻值及基準(zhǔn)電壓Vref的閾值。在圖2及圖3中,表示了這些測定狀況。
      圖2所示,為測定電流檢測用電阻Rs的阻值的測定狀況。圖2中,第2電流端子P2用探測器與地連接,然后測定裝置的電流源20的輸出端用探測器與第1電流端子P1連接。來自電流源20的測定電流Ist與檢測電流Is(例如,2A左右)相比極小(例如,100mA左右)。另一方面,在第1測定端子P3和第2測定端子P4之間,跨接有作為電壓測定模塊的電壓計30。
      來自電流源20的測定電流Ist,如圖2中虛線所示,流經(jīng)第1電流端子P1、電流檢測用電阻Rs、第2電流端子P2。此測定電流Ist的電流路經(jīng)中,存在第1、第2電流端子P1、P2自身的電阻和這些端子與探測器之間的接觸電阻等電阻(圖2中用帶括號的“rc”表示)。這些電阻rc,雖然比電流檢測用電阻Rs還大,但本發(fā)明中它們不會對電壓計30的測定結(jié)果產(chǎn)生影響。另外,由于差動放大器AMP的輸入阻抗及電壓計的阻抗也都很高,因此也不會對電壓計30的測定結(jié)果產(chǎn)生影響。
      即,電壓計30的測定結(jié)果,由測定電流Ist和電流檢測用電阻Rs決定。因此,可以正確地測定電流檢測用電阻Rs的阻值。
      接下來,圖3中表示基準(zhǔn)電壓Vref的閾值的測定狀況。如圖3所示,在第1測定端子P3和第2測定端子P4間,跨接有電壓可掃描的可變電壓源10。此可變電壓源10的測定電壓Vt,可以用可變電壓源10自身來測量,另外,也可在可變電壓源10之外另外設(shè)置電壓測定模塊。再者,此可變電壓源10,除電流源20和電壓計30等,還設(shè)有檢測裝置。
      電流檢測用電阻Rs的阻值,已經(jīng)如圖2所示正確地測出。檢測電流值Is欲限定的規(guī)定電流值、與測定的電流檢測用電阻Rs的阻值相乘得到的電壓,作為應(yīng)當(dāng)從比較電路40輸出比較輸出Cip、即作為目標(biāo)的閾值電壓。第1、第2測定端子P3、P4的接觸電阻等阻值,與電流限制用電阻Rt的阻值相比可以忽略。
      因此,將可變電壓源10的測定電壓Vt,在目標(biāo)的閾值電壓附近的規(guī)定范圍進(jìn)行掃描。當(dāng)掃描測定電壓Vt時,監(jiān)視比較器CP1的比較輸出Cip。然后,根據(jù)比較輸出Cip產(chǎn)生時的測定電壓、和作為目標(biāo)的閾值電壓之間的差,微調(diào)比較器CP1的電壓調(diào)整部件,對基準(zhǔn)電壓(檢測閾值)Vref的值進(jìn)行調(diào)整。從而,基準(zhǔn)電壓(檢測閾值)Vref,能正確地設(shè)定為作為目標(biāo)的閾值電壓。
      通過此第1實施例,能不受第1、第2電流端子P1、P2和測試用探測器的附加電阻的影響,將內(nèi)置的電流檢測用電阻Rs的阻值正確地測定。并且,不產(chǎn)生與檢測電流Is相當(dāng)?shù)妮^大電流,根據(jù)實際的測定結(jié)果,將電流檢測閾值(閾值電壓)Vref調(diào)整為最優(yōu)值。從而在晶片階段,對半導(dǎo)體集成電路的電流檢測功能,簡單并且正確地進(jìn)行設(shè)定。
      另外,電流限制用電阻Rt的阻值,可以為比電流檢測用電阻Rs的阻值高很多,由于不要求其精度,因此容易制造。
      另外,在實際使用時,令第1測定端子P3開路,只對由電流檢測用電阻Rs所產(chǎn)生的壓降進(jìn)行檢測,另外,通過將第2電流端子P2和第2測定端子P4并聯(lián)連接,能夠減小連接電阻,降低電能損耗。
      再者,作為比較電路40,對具備差動放大器AMP和比較器CP1的形式進(jìn)行了說明,但并不限于此構(gòu)成,只要能夠?qū)崿F(xiàn)比較功能的構(gòu)成都可以同樣使用。
      圖4為表示本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路的另一個實施例的圖。圖4的實施例中,第2電流端子P2、即電流檢測用電阻Rs的另一端,與差動放大器AMP的另一個輸入端(圖4中,—輸入端)之間,也設(shè)有一個具有較高阻值的第2電流限制用電阻Rt2。此時,將圖1的電流限制用電阻Rt表示為第1電流限制用電阻Rt1。
      伴隨設(shè)置此電流限制用電阻Rt2,差動放大器AMP的另一個輸入端和第2電流限制用電阻Rt2之間的連接點上,連有第2測定端子P4。其他的構(gòu)成,與圖1中的相同。
      在此圖4的實施例中,能使向差動放大器AMP的輸入電路平衡。但是,在實際使用時,不能如圖1所示,將第2電流端子P2和第2測定端子P4連接。因為與第1實施例相比,會增加一些損耗。
      再者,圖1及圖4的各實施例中,當(dāng)能夠利用其他的地端子時,可將第2電流端子P2和第2測定端子P4的某一個、或者兩個全部省略。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路將所述電流檢測用電阻兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測所述檢測電流的規(guī)定值,其特征在于,具備電流端子,其用于從外部向所述電流檢測用電阻流入電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流端子與所述比較電路的一方輸入端之間、具有比所述電流檢測用電阻更高的阻值;以及測定端子,其連接在所述比較電路的所述一方輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上。
      2.一種半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路將所述電流檢測用電阻兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測所述檢測電流,其特征在于,具備第1電流端子;第2電流端子,其流過始于所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻的檢測電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間、具有比所述電流檢測用電阻更高的阻值;以及,第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,還具備第2測定端子,其連接在所述電流檢測用電阻的另一端、進(jìn)行與所述第2電流端子相同的輸出。
      4.一種半導(dǎo)體集成電路,在帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,形成有流過檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路,將所述電流檢測用電阻的兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測所述檢測電流,其特征在于,具備第1電流端子;第2電流端子,其流過始于所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻的檢測電流;第1電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間,具有比所述電流檢測用電阻更高的阻值;第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述第1電流限制用電阻之間的連接點上;第2電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的另一端與所述比較電路的第2輸入端之間,具有比所述電流檢測用電阻更高的阻值;以及,第2測定端子,其連接在所述第2輸入端與所述第2電流限制用電阻之間的連接點上。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,根據(jù)所述比較電路,可調(diào)整所述閾值使其與檢測電流的規(guī)定值相當(dāng)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路,其特征在于,所述比較電路,具有差動放大器,其與所述電流限制用電阻的阻值相比具有極高的輸入阻抗;和比較器,其將該差動放大器的輸出與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并輸出比較結(jié)果,所述基準(zhǔn)電壓,可通過可微調(diào)的電壓調(diào)整部件來調(diào)整。
      7.一種電源裝置,其特征在于,具備電壓轉(zhuǎn)換電路,其轉(zhuǎn)換輸入電壓以產(chǎn)生規(guī)定的輸出電壓;和權(quán)利要求1~6中的任一項所述的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,該半導(dǎo)體集成電路被輸入所述電壓轉(zhuǎn)換電路中流過的檢測電流。
      8.一種電源裝置,其特征在于,備有電壓轉(zhuǎn)換電路,其轉(zhuǎn)換輸入電壓以產(chǎn)生規(guī)定的輸出電壓;半導(dǎo)體集成電路,該半導(dǎo)體集成電路是帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路,其形成有流過所述電壓轉(zhuǎn)換電路的檢測電流的電流檢測用電阻、和用于檢測在該電流檢測用電阻中所產(chǎn)生的壓降的比較電路,通過所述比較電路,將所述電流檢測用電阻的兩端間的壓降所對應(yīng)的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測所述檢測電流,所述半導(dǎo)體電路還具備第1電流端子;第2電流端子,其從所述第1電流端子通過所述電流檢測用電阻流過檢測電流;電流限制用電阻,其設(shè)置于所述電流檢測用電阻的一端與所述比較電路的第1輸入端之間,具有比所述電流檢測用電阻更高的阻值;第1測定端子,其連接在所述第1輸入端與所述電流限制用電阻之間的連接點上;以及,第2測定端子,其連接在所述電流檢測用電阻的另一端,進(jìn)行與所述第2電流端子相同的輸出,所述第2電流端子與所述第2測定端子在所述半導(dǎo)體集成電路的外部也相互連接。
      全文摘要
      用比較電路將電流檢測用電阻兩端之間的電壓與閾值進(jìn)行比較,檢測出檢測電流的規(guī)定值。在此帶電流檢測功能的半導(dǎo)體集成電路中,具備用于從外部向該電流檢測用電阻中流入電流的電流端子;設(shè)置在電流檢測用電阻與比較電路的輸入端之間的、具有高阻值的電流限制用電阻;以及,跨接在比較電路的輸入端與電流限制用電阻之間的連接點上的測定端子。從而實現(xiàn)將電流檢測用電阻內(nèi)置,在檢測大電流的半導(dǎo)體集成電路中,能夠令電流檢測用電阻的阻值不受端子和測試用探測器的附加電阻的影響正確地進(jìn)行測定;同時不用流過較大電流或設(shè)置特別的附加裝置,就能真實地測出電流檢測的閾值(閾值電壓);并能根據(jù)該測定結(jié)果對電流檢測的閾值進(jìn)行調(diào)整。
      文檔編號H01L21/822GK1674246SQ20051005601
      公開日2005年9月28日 申請日期2005年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月26日
      發(fā)明者北川篤 申請人:羅姆股份有限公司
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