專利名稱：疊層陶瓷元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如交替地層疊了陶瓷層和內(nèi)部電極層的疊層壓電元件等的疊層陶瓷元件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年，在使用陶瓷的電子部件的技術(shù)領(lǐng)域，為了對(duì)應(yīng)高性能化的要求，多層化被推進(jìn)。可是，由于多層化時(shí)內(nèi)部電極層的量就增加，因此當(dāng)內(nèi)部電極層的材料中使用鈀(Pd)或銀(Ag)等貴金屬時(shí)，制造成本變高。于是，研討了使用更廉價(jià)的銅等的賤金屬。
可是，由于銅極易氧化，因此在制造時(shí)當(dāng)在氧化氣氛中進(jìn)行去除粘合劑的脫脂工序時(shí)，產(chǎn)生銅氧化物從而體積膨脹，發(fā)生裂紋，存在這一問題。另外，也考慮了在還原氣氛中進(jìn)行脫脂工序以避免銅氧化，但在還原氣氛中粘合劑的分解往往變得不充分，存在碳?xì)埩魪亩匦越档偷膯栴}。
作為解決這樣的問題的方法，例如提出了在內(nèi)部電極層的原料中代替金屬銅使用銅氧化物的方案(例如參見專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。根據(jù)該方法，由于能夠在氧化氣氛中進(jìn)行脫脂工序，因此能夠減少殘留碳，故優(yōu)選，但在脫脂工序之后，必須還原銅氧化物，在此時(shí)體積收縮，發(fā)生裂紋，存在這一問題。另外，作為其他方法，也提出了在內(nèi)部電極層中使用銅合金的方案(例如參見專利文獻(xiàn)3)，但存在銅合金的電阻率大、而且價(jià)格高的問題。
于是，提出了在將水蒸氣導(dǎo)入到惰性氣體中的還原氣氛下進(jìn)行脫脂的方法(例如參見專利文獻(xiàn)4及專利文獻(xiàn)5)。
特開2003-234258號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開2003-243742號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開昭62-210611號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]特開平4-317309號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)5]特開平5-90066號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容可是，迄今謀求多層化的中，疊層陶瓷電容器是主流，但近年，作為高速響應(yīng)的下一代汽車發(fā)動(dòng)機(jī)燃料噴射控制裝置的電子部件而被注目的使用了鉛系壓電陶瓷材料的疊層陶瓷促動(dòng)器(actuator)的多層化正被考慮。驅(qū)動(dòng)器的場合，也有層疊數(shù)達(dá)到幾百層的情況，另外要求大小也大達(dá)10mm×10mm×高40mm左右的促動(dòng)器。
因此，在過去的專利文獻(xiàn)4中記載的方法中，由于在100℃-400℃的溫度區(qū)域內(nèi)的氧分壓高，因此在層疊數(shù)多的場合，銅氧化導(dǎo)致的體積膨脹變大，發(fā)生裂紋，存在這一問題。另外，在過去的專利文獻(xiàn)5中記載的方法中，由于引入了0.01ppm-1000ppm的氫，因此當(dāng)疊層體大、脫脂遍數(shù)又增加時(shí)，在脫脂的初期及中期氧分壓稍微不足，有時(shí)會(huì)在內(nèi)部殘留碳變多，存在這一問題。當(dāng)殘留碳變多時(shí)，在燒成時(shí)內(nèi)部局部地成為還原氣氛，陶瓷層的鉛還原，變成金屬鉛，也有時(shí)與內(nèi)部電極層的金屬銅反應(yīng)，一部分液化，溶出到外部。另外，即使未發(fā)生溶出那么大的不良情況，也有時(shí)由于鉛的金屬化，內(nèi)部的陶瓷層的特性也降低，在驅(qū)動(dòng)之時(shí)，在疊層體的內(nèi)部和外周部發(fā)生動(dòng)作位移差，由于其應(yīng)變而破壞。
本發(fā)明是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于，提供即使多層化或大型化也能夠得到良好的制品的疊層壓電元件等的疊層陶瓷元件的制造方法。
本發(fā)明的疊層陶瓷元件的制造方法，是包括將交替地層疊了含有陶瓷層的原料的陶瓷前體層、和含有作為內(nèi)部電極層的原料的金屬銅的內(nèi)部電極前體層的疊層體加熱而脫脂的工序，該工序?qū)牒卸栊詺怏w和7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣的氣氛氣體，在式1所示的氧分壓氣氛中進(jìn)行的，(式1)p(O2)≤(25331×Kp)2/3在式1中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)；單位是Pa。
優(yōu)選在氣氛氣體中不混合氫、或者即使混合氫也在10摩爾ppm或以下。另外，氧分壓優(yōu)選為式2所示的范圍內(nèi)，溫度優(yōu)選600℃或以下，(式2)Kp2×106≤p(O2)≤(25331×Kp)2/3
在式2中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)；單位是Pa。
此外，該制造方法，在含有作為陶瓷層原料的鉛原料、例如鈦鋯酸鉛原料的場合優(yōu)選，在制造陶瓷層厚度為內(nèi)部電極層厚度的5倍或以上200倍或以下的疊層陶瓷元件、或者體積為20mm3或以上的疊層陶瓷元件的場合優(yōu)選。特別是在制造疊層壓電元件的場合優(yōu)選。
根據(jù)本發(fā)明的疊層陶瓷元件的制造方法，由于導(dǎo)入7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣，使氧分壓在式1所示的范圍內(nèi)，因此能夠抑制金屬銅的氧化，能夠抑制裂紋發(fā)生。另外，也能夠減少殘留碳，能夠抑制內(nèi)部電極層的溶出等。所以，也能夠制造陶瓷層厚度為內(nèi)部電極層厚度的5倍或以上200倍或以下、或者體積為20mm3或以上的大型疊層陶瓷元件，能夠得到良好的特性。
特別是如果使氣氛氣體中不混合氫、或者即使混合也在10摩爾ppm或以下，或者如果使氧分壓在式2所示的范圍內(nèi)，則在更加能夠抑制碳?xì)埩舻耐瑫r(shí)，能夠抑制陶瓷前體層中的鉛的還原。


圖1是表示有關(guān)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的疊層陶瓷元件的制造方法的流程圖。
圖2是表示采用圖1所示的制造方法制造的疊層陶瓷元件的一個(gè)構(gòu)成例的截面圖。
圖3是表示實(shí)施例的脫脂處理中的氧分壓的特性圖。
符號(hào)說明11…陶瓷層、12…內(nèi)部電極層、13…端子電極具體實(shí)施方式
以下詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方案。
圖1是表示有關(guān)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的疊層陶瓷元件的制造方法中的工序的圖。在本實(shí)施方案中，具體說明例如使用含有鈦鋯酸鉛等含有鉛作為構(gòu)成元素的鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物的陶瓷，制造圖2所示的交替地層疊了陶瓷層11和內(nèi)部電極層12的疊層陶瓷元件的情況。
首先，準(zhǔn)備陶瓷層11的原料，根據(jù)目的組成稱量后，加入粘合劑，制成陶瓷原料混合物(步驟S101)。在陶瓷層11的原料中使用例如含有構(gòu)成陶瓷層11的元素的氧化物、或者通過燒成可生成含有該元素的氧化物的碳酸鹽、草酸鹽或者氫氧化物等化合物。例如在形成含鈦鋯酸鉛的陶瓷層11的場合，作為鉛(Pb)、鈦(Ti)及鋯(Zr)的原料，準(zhǔn)備含有它們的氧化鉛(PbO)、氧化鈦(TiO2)及氧化鋯(ZrO2)、或者通過燒成可生成其氧化物的化合物。
接著，將該陶瓷原料混合物成形為片狀，形成陶瓷前體層(步驟S102)。
另外，作為內(nèi)部電極層12的原料，準(zhǔn)備金屬銅，加入粘合劑，制成內(nèi)部電極原料混合物(步驟S103)。在內(nèi)部電極層12的原料中也可以只使用金屬銅，但也可以將金屬銅和其他材料混合而使用。作為其他材料，例如列舉出在燒成后變成金屬銅的銅氧化物或者有機(jī)銅化合物、金屬銅以外的金屬、或者在燒成后變成該金屬的金屬氧化物或者有機(jī)金屬化合物。另外，在內(nèi)部電極原料混合物中也可以根據(jù)需要添加分散劑、增塑劑、電介質(zhì)材料、絕緣體材料等的添加劑。
接著，在陶瓷前體層上例如絲網(wǎng)印刷內(nèi)部電極原料混合物，形成內(nèi)部電極前體層(步驟S104)。接著，多層層疊形成內(nèi)部電極前體層的陶瓷前體層，制成交替地層疊了陶瓷前體層和內(nèi)部電極前體層的疊層體(步驟S105)。
那之后，加熱該疊層體，進(jìn)行分解去除粘合劑的脫脂處理(步驟S106)。該脫脂處理優(yōu)選導(dǎo)入含有氮(N2)或氬(Ar)等惰性氣體、7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣、和根據(jù)需要的氫的氣氛氣體，在式3所示的氧分壓氣氛中進(jìn)行。
(式3)p(O2)≤(25331×Kp)2/3在式3中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)。單位是Pa。
水蒸氣如式4所示的那樣與作為殘留碳成分的烴或碳反應(yīng)，具有促進(jìn)殘留碳分解去除的作用。
(式4)
在式4中，m及n表示正整數(shù)。
使水蒸氣的導(dǎo)入量為7摩爾％或以上是因?yàn)?，?dāng)少于該值時(shí)，粘合劑的分解去除不充分，殘留碳變多，特別是陶瓷層11的層疊數(shù)變多或大小變大時(shí)，內(nèi)部的殘留碳的量變多。另外，使水蒸氣的導(dǎo)入量為50摩爾％或以下是因?yàn)?，?dāng)多于該值時(shí)，內(nèi)部電極前體層所含的金屬銅易變化成氧化亞銅(Cu2O)，氧化亞銅在680℃或以上向陶瓷層11擴(kuò)散，成為使特性劣化的原因。
另外，水蒸氣通過式5、6所示的解離平衡發(fā)生氧的同時(shí)，也具有即使氫濃度增大也抑制氧分壓變化的作用。
(式5)
(式6)Kp＝{p(O2)1/2×p(H2)}/p(H2O)在式6中，Kp表示水的解離平衡常數(shù)，p(O2)表示氧分壓，p(H2)表示氫分壓，p(H2O)表示水蒸氣分壓。
即，脫脂處理時(shí)的氧分壓利用水的解離平衡被調(diào)整到極低的范圍。之所以這樣地利用水的解離平衡調(diào)整氧分壓是因?yàn)?，?dāng)氧濃度高時(shí)，內(nèi)部電極層12的原料所含的金屬銅氧化并膨脹，發(fā)生裂紋，同時(shí)，作為氣氛氣體導(dǎo)入氧，這樣將氧分壓控制得低是極難的。
此時(shí)，當(dāng)作為氣氛氣體導(dǎo)入氫時(shí)，根據(jù)質(zhì)量作用法則，在式5中反應(yīng)向水未解離的方向進(jìn)行，氧分壓降低，因此為了使氧分壓盡量高，優(yōu)選不導(dǎo)入氫。在不導(dǎo)入氫的場合，氣氛氣體中的氫只來自水蒸氣的解離，因此由式5，p(H2)＝2×p(O2)。因此式6變成式7。
(式7)Kp＝2p(O2)3/2/p(H2O)p(O2)3/2＝0.5×p(H2O)×Kp所以，不導(dǎo)入氫的場合的氧分壓的最大值p(O2)max，如上述那樣當(dāng)水蒸氣的最大導(dǎo)入量為50摩爾％時(shí)，此時(shí)的p(H2O)是0.5×101325(Pa)，因此變成如式8所示，導(dǎo)出式3。
(式8)p(O2)3/2max＝0.5×0.5×101325×Kp＝25331×Kpp(O2)max＝(25331×Kp)2/3式8中，單位是Pa。
另外，氧分壓更優(yōu)選為式9所示的范圍內(nèi)。當(dāng)氧分壓低時(shí)，陶瓷前體層所含的鉛被還原，易產(chǎn)生金屬鉛，其結(jié)果有陶瓷材料的特性降低，或者，金屬鉛與內(nèi)部電極前體層所含的金屬銅反應(yīng)而溶解、或者中斷的情況等。
(式9)Kp2×106≤p(O2)≤(25331×Kp)2/3在式9中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)。單位是Pa。
氫也有去除殘留碳的作用，因此也可以作為氣氛氣體與水蒸氣一起導(dǎo)入。但是當(dāng)氫的導(dǎo)入量多時(shí)，氧分壓降低，殘留碳變多，或者有陶瓷前體層所含的鉛易被還原的情況，因此優(yōu)選氫不導(dǎo)入、或者即使導(dǎo)入也使在氣氛氣體中的濃度為10摩爾ppm或以下。
脫脂處理時(shí)的溫度優(yōu)選為600℃或以下。當(dāng)超過600℃時(shí)，鉛系的陶瓷材料開始燒結(jié)，因此由于致密化使得通氣路閉塞，妨礙了粘合劑的分解揮發(fā)。
進(jìn)行了脫脂處理之后，燒成，制成交替地層疊了陶瓷層11和內(nèi)部電極層12的疊層燒結(jié)體(步驟S107)。燒成溫度高于脫脂處理時(shí)的溫度，小于金屬銅的熔點(diǎn)1083℃，優(yōu)選為1050℃或以下，更優(yōu)選為1000℃或以下。燒成氣氛控制氧分壓，使得內(nèi)部電極前體層所含的金屬銅不被氧化，陶瓷前體層所含的鉛不還原。
燒成之后，例如通過鼓式拋光或噴砂等拋光疊層燒結(jié)體的端面，通過濺射金等金屬形成端子電極13。或者，將金等金屬、或者在燒成后變成該金屬的氧化物或有機(jī)金屬化合物等與粘合劑混合，制成端子電極材料混合物，通過印刷或轉(zhuǎn)印該端子電極材料混合物并燒結(jié)而形成端子電極13(步驟S108)。據(jù)此得到疊層陶瓷元件。
這樣根據(jù)本實(shí)施方案，導(dǎo)入含有7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣的氣氛氣體，在p(O2)≤(25331×Kp)2/3(單位是Pa)的氧分壓氣氛中作脫脂處理，因此能夠抑制金屬銅的氧化，能夠抑制裂紋發(fā)生，同時(shí)能夠抑制銅向陶瓷層11擴(kuò)散。另外，也能夠減少殘留碳，能夠抑制陶瓷層11中的鉛的還原及內(nèi)部電極層12的溶出等。
特別是根據(jù)本實(shí)施方案，在制造陶瓷層11的厚度為內(nèi)部電極層12的厚度的5倍或以上200倍或以下、或者體積為20mm3或以上的大型疊層陶瓷元件、或者需求這樣大型的疊層陶瓷元件的疊層壓電元件的場合能夠得到大的效果，能夠得到良好的特性。該陶瓷層11的厚度指的是被內(nèi)部電極層12夾持的每1層的厚度，內(nèi)部電極層12的厚度也指的是被陶瓷層11夾持的每1層的厚度，另外，在脫脂處理中如果在氣氛氣體中不混合氫、或者即使混合氫也使之在10摩爾ppm或以下，或者如果使氧分壓在Kp2×106≤p(O2)(單位是Pa)的范圍內(nèi)，則更加能夠抑制碳的殘留，同時(shí)在脫脂處理中能夠抑制陶瓷前體層所含的鉛還原。
實(shí)施例另外，說明本發(fā)明的具體的實(shí)施例。
(實(shí)施例1-8)制作了陶瓷層11和含有金屬銅的內(nèi)部電極層12的疊層燒結(jié)體，其中，陶瓷層11含有含鈦鋯酸鉛的鉛系鈣鈦礦型復(fù)合氧化物。首先，準(zhǔn)備陶瓷層11的原料，稱量之后加入甲基丙烯酸系粘合劑并混合(步驟S101)，成形為片狀，形成陶瓷前體層(步驟S102)。
另外，作為內(nèi)部電極層12的原料，準(zhǔn)備金屬銅，加入乙基纖維素系粘合劑并混合(步驟S103)，在陶瓷前體層上通過絲網(wǎng)印刷形成內(nèi)部電極前體層(步驟S104)。接著，層疊360層形成了內(nèi)部電極前體層的陶瓷前體層，壓接之后切割，使以層疊方向?yàn)榉ň€的截面達(dá)到8mm×8mm，得到疊層體(步驟S105)。
接著，將該疊層體插入到氧化鋁制的管狀爐之中，加熱進(jìn)行脫脂處理(步驟S106)。加熱條件是室溫至200℃以3.3℃/分的升溫速度、200℃-400℃以0.3℃/分的升溫速度、400-550℃以1.0℃/分的升溫速度加熱，在550℃保持48小時(shí)之后，以3.3℃/分的降溫速度冷卻。另外，氣氛氣體是使氮或氮與氫的混合氣體向維持在規(guī)定溫度的水中鼓泡而被水蒸氣飽和的，將該氣氛氣體導(dǎo)入到爐內(nèi)。
此時(shí)，在實(shí)施例1-8中，如表1所示變化氣氛氣體中的水蒸氣量及氫量，據(jù)此如表1所示調(diào)節(jié)爐內(nèi)的氧分壓。水蒸氣量通過變化水的溫度來調(diào)節(jié)。表1所示的氧分壓(單位是Pa)是用Kp2×α表示的場合的α值、用(β×Kp)2/3表示的場合的β值。另外，圖3表示出各實(shí)施例的氧分壓。
對(duì)于脫脂后的疊層體，通過目視觀察外觀，調(diào)查有無裂紋。另外，將疊層體分成內(nèi)部和外周部，測(cè)定殘留碳量。所謂外周部，規(guī)定為在以層疊方向?yàn)榉ň€的截面中距外周為邊長的1/4以內(nèi)、即2mm以內(nèi)的區(qū)域，所謂內(nèi)部，規(guī)定為比此更靠近中心側(cè)的區(qū)域。其結(jié)果，在實(shí)施例1-8中均未看到裂紋發(fā)生，殘留碳量也充分少。但是，關(guān)于實(shí)施例8，稍微可見在陶瓷前體層中鉛還原變成金屬鉛而存在。表1示出得到的結(jié)果。
在此之后，將脫脂后的疊層體在金屬銅不氧化且鉛不還原的氧分壓氣氛中在950℃燒成2小時(shí)，得到疊層燒結(jié)體。對(duì)于得到的疊層燒結(jié)體，觀察燒結(jié)狀態(tài)等，對(duì)于實(shí)施例1-7，沒有特別問題，但對(duì)于實(shí)施例8，可稍微看到內(nèi)部電極層12局部成球狀。表1表示出其結(jié)果。
作為與實(shí)施例1-8對(duì)比的比較例1、2，如表1所示變化在脫脂處理時(shí)導(dǎo)入的氣氛氣體的水蒸氣量及氫量，如表1所示調(diào)節(jié)爐內(nèi)的氧分壓，除此以外，與實(shí)施例1-8同樣地制作了疊層燒結(jié)體。另外，作為與實(shí)施例1-8對(duì)比的比較例3、4，使脫脂處理時(shí)的氣氛為大氣中、或者導(dǎo)入氧使氧分壓為1Pa，除此以外，與實(shí)施例1-8同樣地制作疊層體，進(jìn)行脫脂處理。對(duì)于比較例1-4也與實(shí)施例1-8同樣地調(diào)查了脫脂后的疊層體及燒結(jié)后的疊層燒結(jié)體。將其結(jié)果一并示于表1中。對(duì)于比較例3、4，由于在脫脂后看到裂紋發(fā)生，因此燒成未進(jìn)行。
表1

如表1所示，根據(jù)實(shí)施例1-8，對(duì)于脫脂后的疊層體，未看到裂紋，殘留碳量也充分少。另外，對(duì)于燒成后的疊層燒結(jié)體也未看到銅向陶瓷層11擴(kuò)散、或者銅從內(nèi)部電極層12溶出。
與之相比，水蒸氣導(dǎo)入量多于50摩爾％的比較例1，對(duì)于脫脂后的疊層體雖然未看到裂紋發(fā)生，但是對(duì)于燒成后的疊層燒結(jié)體，看到銅向陶瓷層11的顯著擴(kuò)散。另外，水蒸氣導(dǎo)入量少于7摩爾％的比較例2，脫脂后的疊層體中的殘留碳量多，對(duì)于燒成后的疊層燒結(jié)體，可看到銅從內(nèi)部電極層12溶出。此外，提高了氧分壓的比較例3、4，對(duì)于脫脂后的疊層體可看到裂紋發(fā)生。
即知道，如果導(dǎo)入含有7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣的氣氛氣體，在p(O2)≤(25331×Kp)2/3(單位是Pa)的氧分壓氣氛中作脫脂處理，則即使層疊數(shù)多達(dá)360層，也能夠抑制內(nèi)部電極前體層所含的金屬銅的氧化，能夠抑制裂紋發(fā)生，同時(shí)，能夠減少殘留碳，能夠抑制內(nèi)部電極的溶出等。
另外，比較實(shí)施例2、5-8知道，氣氛氣體中的氫濃度為0摩爾ppm-10摩爾ppm的實(shí)施例2、5-7，無論是脫脂后還是燒成后都未看到問題，而氣氛氣體中的氫濃度為100摩爾ppm、氧分壓小于Kp2×106Pa的實(shí)施例8，在脫脂后在陶瓷前體層中稍微可見鉛的還原，因此在燒成后稍微可見內(nèi)部電極層12的球狀化。
即知道，如果在氣氛氣體中不混合氫、或者即使混合氫也使之在10摩爾ppm或以下，或者如果使氧分壓在Kp2×106Pa或以上，則在脫脂處理中能夠抑制陶瓷前體層所含的鉛還原。
以上舉出實(shí)施方案及實(shí)施例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不被上述實(shí)施方案及實(shí)施例限定，可種種變形。例如，在上述實(shí)施方案及實(shí)施例中，說明了使用含有鈦鋯酸鉛的鉛系鈣鈦礦型復(fù)合氧化物的情況，但本發(fā)明也能夠適用于使用含有鎂鈮酸鉛等的其他的鉛系鈣鈦礦型復(fù)合氧化物的情況。另外，也可以在鈦鋯酸鉛之外還含有鈮酸鉛或鋅酸鉛等的其他成分，還可以用鈣(Ca)、鍶(Sr)或鋇(Ba)等置換鉛的一部分，還可以添加各種輔助成分。
另外，在上述實(shí)施方案及實(shí)施例中，說明了使用鉛系鈣鈦礦型復(fù)合氧化物的情況，但本發(fā)明也能夠適用于采用不含鉛的其他陶瓷材料形成陶瓷層11的情況。作為其他陶瓷材料，例如舉出含有鈦酸鋇、鉍層狀氧化物、鈦酸鈉鉍、或者鈦酸鉀鉍的。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性在疊層電容器或者疊層壓電元件等的領(lǐng)域能夠廣泛使用，特別適合于疊層促動(dòng)器的制造。
權(quán)利要求
1.一種疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，包括將交替地層疊了含有陶瓷層的原料的陶瓷前體層、和含有作為內(nèi)部電極層的原料的金屬銅的內(nèi)部電極前體層的疊層體加熱而脫脂的工序，該工序?qū)牒卸栊詺怏w和7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣的氣氛氣體，在式1所示的氧分壓氣氛中進(jìn)行，(式1)p(O2)≤(25331×Kp)2/3在式1中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)；單位是Pa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，在上述氣氛氣體中不混合氫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，在上述氣氛氣體中混合10摩爾ppm或以下的氫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的任1項(xiàng)所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，上述工序在式2所示的氧分壓氣氛中進(jìn)行，(式2)Kp2×106≤p(O2)≤(25331×Kp)2/3在式2中，p(O2)表示氧分壓，Kp表示水的解離平衡常數(shù)；單位是Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4的任1項(xiàng)所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，上述工序在600℃或以下進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5的任1項(xiàng)所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，陶瓷前體層含有作為陶瓷層原料的鉛原料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，陶瓷前體層含有作為陶瓷層的原料的鈦鋯酸鉛的原料。
8.一種疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1-7的任1項(xiàng)所述的方法，制造陶瓷層厚度為內(nèi)部電極層厚度的5倍或以上200倍或以下的疊層陶瓷元件。
9.一種疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1-8的任1項(xiàng)所述的方法，制造體積為20mm3或以上的疊層陶瓷元件。
10.一種疊層陶瓷元件的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1-9的任1項(xiàng)所述的方法，制造疊層壓電元件。
全文摘要
提供即使多層化或大型化也能夠得到良好的制品、特別適合于疊層壓電元件的疊層陶瓷元件的制造方法。形成交替地層疊了含有陶瓷層的原料的陶瓷前體層、和含有作為內(nèi)部電極層的原料的金屬銅的內(nèi)部電極前體層的疊層體后，加熱從而脫脂處理。此時(shí)，導(dǎo)入含有惰性氣體、7摩爾％或以上50摩爾％或以下的水蒸氣、和根據(jù)需要的氫的氣氛氣體，將氧分壓調(diào)整在p(O
文檔編號(hào)H01L41/24GK1674176SQ20051006246
公開日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月26日
發(fā)明者中野貴弘, 七尾勝, 坂本英也, 塚田岳夫 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社