專利名稱：低介電常數(shù)半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于邏輯、存儲(chǔ)器、通信和微控制器應(yīng)用的微電子芯片的制造。本發(fā)明尤其涉及支撐結(jié)構(gòu)的使用，以在半導(dǎo)體器件中集成超低介電常數(shù)(K)的材料。
背景技術(shù)：
硅集成電路的工作速度正在顯著地提高，以滿足在計(jì)算、通信和微控制器應(yīng)用中需要的強(qiáng)大性能。這又需要減少用于互連芯片上的電路的布線中的信號(hào)傳輸延遲，從而不會(huì)由于互連延遲而較大地限制或妨礙性能。芯片中互連延遲的發(fā)生是由于RC時(shí)間常數(shù)，其中R是芯片布線中的電阻值，C是在多層互連疊層中的信號(hào)線和周圍導(dǎo)體之間的有效電容量。
通過(guò)減小圍繞這些線的絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)K，可以減小互連電容量。因此，已經(jīng)有很多研究，用于在互連結(jié)構(gòu)中確定和使用低K絕緣體。為此已經(jīng)提出可能用作低K材料的全部絕緣體材料包括氟化硅、經(jīng)過(guò)或未經(jīng)過(guò)氟化的聚合物、無(wú)定形特氟隆類聚合物、以及由多孔硅形成的氣凝膠。
將低K介質(zhì)材料集成到這種布線結(jié)構(gòu)中存在幾個(gè)實(shí)際困難。首先，很多這些低K材料的物理化學(xué)性質(zhì)對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光處理不是最優(yōu)的。例如，大部分聚合材料過(guò)于軟，在化學(xué)機(jī)械拋光中過(guò)快地腐蝕，從而不能很好地控制嵌入的層厚。通過(guò)在介質(zhì)上施加硬覆層作為化學(xué)機(jī)械拋光停止層可以控制一些上述情況，但是需要附加的處理，并難于確保低K材料與所述附加層的處理的兼容性。其次，大部分低K聚合物在溫度等于或大于400℃時(shí)發(fā)生變質(zhì)。從而，因?yàn)樗鼈儾荒芙?jīng)受在退火工藝中造成的器件毀壞，所以不適合用于器件互連應(yīng)用，所述退火工藝嚴(yán)格地限制了可以用于該目的的介質(zhì)的選擇。最后，如氣凝膠的多孔無(wú)機(jī)介質(zhì)在機(jī)械上非常脆弱(即多孔和易碎)，因此不可能經(jīng)受重復(fù)的金屬沉積和化學(xué)機(jī)械拋光的多層制造方法。
Chang等人的美國(guó)專利5,559,005中提出的方法解決了這個(gè)問(wèn)題，其中第一層由鋁基互連布線形成，包括絕緣體(二氧化硅)和沉積在絕緣體的過(guò)孔中的柱層。然后在第一層上沉積第二互連布線鋁合金層，并對(duì)其構(gòu)圖。通過(guò)蝕刻工藝從金屬特征之間除去絕緣體。然后全部或部分地在所述結(jié)構(gòu)中填充低介電常數(shù)材料，并且在形成的結(jié)構(gòu)上沉積鈍化層。通過(guò)由低K絕緣體代替氧化物材料的該過(guò)程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)介電常數(shù)的凈降低。盡管該方法從原理上可以實(shí)現(xiàn)均勻和較低K值的介質(zhì)，但是部分中空的低K介質(zhì)結(jié)構(gòu)不能獲得均勻或預(yù)定的有效K值，因?yàn)榭障兜拇嬖谂c否依賴于多種因素，包括金屬特征的尺寸、間隔和縱橫比，并且對(duì)于基于溶液的絕緣體沉積，還依賴于填充絕緣體前體溶液的粘度和溶劑成分。這復(fù)雜化了設(shè)計(jì)電路的任務(wù)，因?yàn)殡娐沸枰_地獲得有效介電常數(shù)，并使其保持在窄范圍內(nèi)，以獲得最小化的延遲容差，從而提高芯片性能。
Buchwalter等人的美國(guó)專利6,148,121提出了一種方法，其中，將具有最低介電常數(shù)的空氣用作級(jí)內(nèi)介質(zhì)。通過(guò)半導(dǎo)體處理領(lǐng)域中現(xiàn)有的方法和材料制造多層互連布線結(jié)構(gòu)；然后通過(guò)合適的蝕刻工藝除去相鄰金屬特征之間的級(jí)內(nèi)介質(zhì)；對(duì)蝕刻的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火，以除去等離子體損傷；在暴露的蝕刻的結(jié)構(gòu)上施加薄鈍化涂層；在鈍化的金屬特征的頂部表面上層壓絕緣覆層；在覆層上可選地沉積絕緣環(huán)境阻擋層；以及在環(huán)境阻擋層、覆層和薄鈍化層中蝕刻出過(guò)孔，用于接線焊盤(pán)接觸。通過(guò)形成接線輸入/輸出焊盤(pán)完成該器件。盡管該方法通過(guò)避免使用低介電常數(shù)材料，克服了與低介電常數(shù)材料相關(guān)的例如可處理性和熱穩(wěn)定性的問(wèn)題，但是該方法需要附加的處理步驟。
本發(fā)明的方法以有效和高成本效益的方法實(shí)現(xiàn)了上述目的，所述方法還避免了構(gòu)圖、蝕刻和對(duì)準(zhǔn)的附加處理步驟。本發(fā)明通過(guò)采用接觸印刷代替常規(guī)的平版印刷來(lái)形成支撐結(jié)構(gòu)，為超低K介質(zhì)的集成提供了更可行和經(jīng)濟(jì)的解決方案。使用接觸印刷，即高產(chǎn)出(high-through-put)高解決方案印刷技術(shù)代替平版印刷，提供了常規(guī)芯片制造方法所不具有的幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先，接觸印刷解決了在低于200nm的尺寸的制造科學(xué)的問(wèn)題。其次，接觸印刷使得能夠提供完全新穎的半導(dǎo)體芯片制造的方法。直接進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，從而使得能夠提供新穎的裝配半導(dǎo)體器件的方法。接觸印刷工藝還在制造半導(dǎo)體器件中提供了益處，其中支撐結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)對(duì)于接觸印刷工藝不再關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容
盡管希望在高性能微電子器件芯片中使用多孔超低介電常數(shù)的材料，但是由于其多孔性和差的機(jī)械穩(wěn)定性，存在問(wèn)題。多孔超低介電常數(shù)材料不能無(wú)故障地或不限制高模量介質(zhì)材料地經(jīng)受標(biāo)準(zhǔn)晶片處理。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供實(shí)現(xiàn)解決上述問(wèn)題和限制的低K芯片互連結(jié)構(gòu)的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是利用易得的半導(dǎo)體處理工具和材料制造互連結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供可行、低成本和高分辨率的解決方案，用于集成超低K介質(zhì)材料，其中通過(guò)采用接觸印刷技術(shù)，所述技術(shù)不需要構(gòu)圖、蝕刻或?qū)?zhǔn)的常規(guī)制造步驟，解決了在低于200nm的尺寸下的制造科學(xué)的問(wèn)題，并且允許裝配器件制造的新方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供用于由絕緣材料形成的多孔超低介電常數(shù)材料的支撐結(jié)構(gòu)，其能夠使多孔超低介電常數(shù)材料在化學(xué)機(jī)械拋光處理中經(jīng)受機(jī)械應(yīng)力。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種方法，其中使支撐結(jié)構(gòu)與多孔低介電常數(shù)材料的面積比非常低，從而組合的總介電常數(shù)保持接近多孔低介電常數(shù)材料的介電常數(shù)。


通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，將使本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更加顯而易見(jiàn)，其中圖1示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的沉積和構(gòu)圖金屬覆蓋的襯底層的步驟；圖2示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的利用高產(chǎn)出印刷技術(shù)形成印刷支撐結(jié)構(gòu)的步驟；圖3示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的沉積多孔超低介電常數(shù)材料的步驟；圖4示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的平面化多孔超低介電常數(shù)材料的步驟；圖5示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的拋光停止膜沉積的步驟；圖6示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的形成金屬柱層的步驟；圖7示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的形成金屬互連的步驟；圖8a示出了形成本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的支撐結(jié)構(gòu)的接觸印刷工藝；圖8b示出了本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的支撐結(jié)構(gòu)；圖9示出了對(duì)本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的支撐結(jié)構(gòu)的第一非限制性構(gòu)圖；以及圖10示出了對(duì)本發(fā)明的低K介質(zhì)半導(dǎo)體器件的支撐結(jié)構(gòu)的第二非限制性構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明公開(kāi)了一種多層低介質(zhì)K的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述器件具有非常低的電容量，從而具有快的傳播速度。本發(fā)明的半導(dǎo)體通過(guò)采用無(wú)孔低K介質(zhì)絕緣材料支撐結(jié)構(gòu)，成功地集成了多孔、以及因此易碎、超低K介質(zhì)絕緣材料(或多種材料)。所述支撐結(jié)構(gòu)用作支架，使超低K介質(zhì)經(jīng)受住在化學(xué)機(jī)械拋光步驟中施加的機(jī)械應(yīng)力。通過(guò)下面的步驟形成半導(dǎo)體器件如圖1所示，在襯底10上沉積第一金屬層20?？梢杂射X、銅或類似的材料形成第一金屬層20。構(gòu)圖第一金屬層20以形成構(gòu)圖的第一金屬布線30。通過(guò)本領(lǐng)域公知的常規(guī)方法，例如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)或鑲嵌工藝進(jìn)行對(duì)第一金屬層20的構(gòu)圖。
如圖2所示，通過(guò)對(duì)構(gòu)圖的第一金屬布線30施加第一絕緣材料40，形成超低K介質(zhì)材料的支撐結(jié)構(gòu)50。第一絕緣材料40是無(wú)孔低K介質(zhì)。如圖8a所示，在構(gòu)圖的第一金屬布線30上形成支撐結(jié)構(gòu)50，并利用接觸印刷對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。圖8b示出了利用圖8a所示的方法構(gòu)圖完成的支撐結(jié)構(gòu)。通過(guò)利用希望圖形的反圖形在模板70上澆鑄聚二甲基硅氧烷(PDMS)，來(lái)制造接觸印刷的印模(stamp)60。利用電子束或STM平板印刷制造所述反圖形。固化支撐結(jié)構(gòu)50，并將PDMS印模60從模板70剝離。然后將模板70暴露于由印模60和襯底80之間的瞬時(shí)接觸傳送的墨水。圖8a和8b示出了用于鍍覆的非限制性可選支撐結(jié)構(gòu)圖形。
第一絕緣材料40優(yōu)選具有低于3.9的介質(zhì)K。第一絕緣材料40可以是常規(guī)的聚合物或具有適當(dāng)物理強(qiáng)度的絕緣體。合適的有機(jī)聚合材料的非限制示例包括芳香族熱固性聚合樹(shù)脂，例如Dow Chemicals公司制造的商標(biāo)為SiLK的樹(shù)脂和Honeywell Microeletronics制造的商標(biāo)為Flare的聚合樹(shù)脂。另外，可以使用在CMP中可以經(jīng)受強(qiáng)力的無(wú)孔無(wú)機(jī)或有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料，如甲基倍半硅氧烷(MSQ)、氫倍半硅氧烷(HSQ)、MSQ-HSQ共聚物、MSQ-HSQ混合物、原硅酸四乙酯、或任何其它低K無(wú)機(jī)材料。優(yōu)選為有機(jī)芳香族熱固性聚合物，因?yàn)槠湎啾扔跓o(wú)機(jī)介質(zhì)具有更大的強(qiáng)度。
接觸印刷比常規(guī)平板印刷具有更大的優(yōu)點(diǎn)。接觸印刷不需要常規(guī)平板印刷所需要的構(gòu)圖和蝕刻。接觸印刷可以在小于200nm的尺寸下制造。接觸印刷還提供了半導(dǎo)體制造的新穎方法，因?yàn)橹苯舆M(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，不存在衍射限制，其固有地平行，并且其使用保形接觸以影響襯底的材料性質(zhì)。
如圖3所示，在支撐結(jié)構(gòu)50上沉積第二絕緣材料90。第二絕緣材料90是多孔超低K介質(zhì)材料，其介質(zhì)K低于支撐結(jié)構(gòu)50的第一絕緣材料40的介質(zhì)K。適合第二絕緣材料90的超低介質(zhì)K材料的示例為介質(zhì)K低于2.2的任何有機(jī)或無(wú)機(jī)介質(zhì)材料。優(yōu)選，第二絕緣材料90的介質(zhì)K低于1.8。還可以使用多孔無(wú)機(jī)材料或有機(jī)-無(wú)機(jī)混合物，如多孔甲基倍半硅氧烷(MSQ)、多孔氫倍半硅氧烷(HSQ)、多孔MSQ-HSQ共聚物、多孔MSQ-HSQ混合物、多孔原硅酸四乙酯、或任何其它多孔低K無(wú)機(jī)材料。合適的多孔有機(jī)材料可以包括任何芳香族熱固性聚合樹(shù)脂，例如DowChemicals公司出售的商標(biāo)為SiLK的樹(shù)脂、Honeywell microelectronics出售的商標(biāo)為Flare的聚合樹(shù)脂、以及其它供應(yīng)商出售的類似樹(shù)脂。
可選地，用于第二絕緣材料90的多孔超低介電常數(shù)材料可以施加為包括犧牲隔離層的無(wú)孔材料。隨后通過(guò)熱處理或其它本領(lǐng)域已知的處理除去犧牲隔離層。
然后如圖4所示對(duì)第二絕緣材料90進(jìn)行平面化。通過(guò)回蝕刻或化學(xué)機(jī)械拋光處理進(jìn)行平面化。優(yōu)選，在沉積化學(xué)機(jī)械拋光停止層之前采用回蝕刻處理來(lái)平面化第二絕緣材料90的表面100。通過(guò)首先旋涂材料實(shí)現(xiàn)對(duì)平表面的回蝕刻，所述材料類似于使用的介質(zhì)材料，與介質(zhì)材料具有相同的蝕刻率，并且可以形成平表面。通過(guò)對(duì)薄聚酰胺層的旋涂，實(shí)現(xiàn)了非限制性的示例。然后可以利用定時(shí)蝕刻工藝蝕刻該涂層，以平面化介質(zhì)材料的表面。
然后如圖5所示，在所述平面化的低介質(zhì)K表面100上沉積化學(xué)機(jī)械拋光停止膜層110。化學(xué)機(jī)械拋光停止膜層110通過(guò)從表面除去多余的材料，減小了表面100的粗糙度。
然后如圖6所示，利用鑲嵌工藝，在第一金屬層20上形成多個(gè)互連金屬柱120?；ミB金屬柱120示出為通過(guò)化學(xué)機(jī)械平面化使其隔離。在第二絕緣介質(zhì)材料中平版印刷地限定互連圖形，從而形成溝槽。沉積金屬以填充形成的溝槽。通過(guò)化學(xué)機(jī)械平面化除去多余的金屬。
然后如圖7所示，在所述拋光停止膜層110上沉積第二金屬層130，以形成與金屬柱120的互連。構(gòu)圖第二金屬層130以形成到第一金屬層20的互連。
可以可選地重復(fù)全部過(guò)程，以形成具有垂直路徑的疊層半導(dǎo)體器件。
因?yàn)橹谓Y(jié)構(gòu)與多孔介質(zhì)的面積比較低，組合的總介質(zhì)K保持接近多孔低介質(zhì)K材料的介質(zhì)K。添加低K多孔和支撐材料之后的半導(dǎo)體器件的介質(zhì)K為K1*r+K2*(1-r)，其中K1和K2分別是低K多孔和支撐材料的介質(zhì)K，r是支撐面積與總面積之比。如果K2＜＜K1并且r＜＜1，則絕緣膜的有效介質(zhì)K保持非常低，并且結(jié)構(gòu)將足夠堅(jiān)固以支持隨后的制造方法。
通過(guò)參考特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明。應(yīng)該理解，上述描述和示例只是為了說(shuō)明本發(fā)明。只要不脫離本發(fā)明的精神和范圍，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以作出本發(fā)明的各種替換和修改。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)的所有替換、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種制造低介電常數(shù)半導(dǎo)體的方法，包括以下步驟在襯底上沉積第一金屬層；構(gòu)圖所述第一金屬層以形成構(gòu)圖的第一金屬布線；在所述構(gòu)圖的第一金屬布線上形成支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)是介電常數(shù)為K1的第一絕緣材料；構(gòu)圖所述支撐結(jié)構(gòu)；在所述支撐結(jié)構(gòu)上沉積第二絕緣材料，其中所述第二絕緣材料的介電常數(shù)為K2；平面化所述第二絕緣材料；在所述平面化的第二絕緣材料上沉積拋光停止膜層；在所述拋光停止膜層中形成多個(gè)金屬柱；在所述拋光停止膜層上沉積第二金屬層，以形成第二金屬布線；以及構(gòu)圖所述第二金屬層，以通過(guò)所述金屬柱在所述第二金屬布線和所述第一金屬布線之間形成互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括重復(fù)每個(gè)所述步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料的所述介電常數(shù)K2低于所述第一絕緣材料的所述介電常數(shù)K1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻或鑲嵌工藝構(gòu)圖所述第一金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)接觸印刷形成所述支撐結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述接觸印刷包括以下步驟形成印模；形成連接到所述印模的模板，其中所述模板具有希望印刷圖形的反圖形；固化所述模板和所述印模；從所述模板剝離所述印模；以及將所述模板暴露于墨水。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中沉積所述第二絕緣材料的所述步驟還包括以下步驟施加具有隔離層的無(wú)孔材料；以及除去所述隔離層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中通過(guò)加熱進(jìn)行所述除去步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)回蝕刻處理、化學(xué)機(jī)械拋光處理或其任意組合進(jìn)行所述平面化步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述回蝕刻處理包括以下步驟旋涂蝕刻率與所述第二絕緣材料相同的材料；以及蝕刻所述旋涂材料，以在所述第二絕緣材料上形成平表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)鑲嵌工藝形成所述金屬柱。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一絕緣材料是介電常數(shù)低于4的低K介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一絕緣材料是介電常數(shù)低于3的低K介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一絕緣材料選自聚合物、有機(jī)聚合材料、無(wú)機(jī)聚合材料、聚合樹(shù)脂、無(wú)孔無(wú)機(jī)材料、有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料、低介電常數(shù)有機(jī)材料、低介電常數(shù)無(wú)機(jī)材料或其組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料是介電常數(shù)低于2的低K介質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料是介電常數(shù)低于1.8的低K介質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料是多孔無(wú)機(jī)-有機(jī)混合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述多孔無(wú)機(jī)-有機(jī)混合物選自多孔甲基倍半硅氧烷、多孔氫倍半硅氧烷、多孔甲基倍半硅氧烷-氫倍半硅氧烷共聚物、多孔甲基倍半硅氧烷-氫倍半硅氧烷混合物、多孔原硅酸四乙酯或其任意組合。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料是多孔有機(jī)材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述多孔有機(jī)材料是芳香族熱固性聚合樹(shù)脂。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一絕緣材料是無(wú)孔材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二絕緣材料是多孔材料。
23.一種低介電常數(shù)器件，通過(guò)包括以下步驟的方法制備在襯底上沉積第一金屬層；構(gòu)圖所述第一金屬層，以形成構(gòu)圖的第一金屬布線；在所述構(gòu)圖的第一金屬布線上形成支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)是介電常數(shù)為K1的第一絕緣材料；構(gòu)圖所述支撐結(jié)構(gòu)；在所述支撐結(jié)構(gòu)上沉積第二絕緣材料，其中所述第二絕緣材料的介電常數(shù)為K2；平面化所述第二絕緣材料；在所述平面化的第二絕緣材料上沉積拋光停止膜層；在所述拋光停止膜層中形成多個(gè)金屬柱；在所述拋光停止膜層上沉積第二金屬層，以形成第二金屬布線；以及構(gòu)圖所述第二金屬層，以通過(guò)所述金屬柱在所述第二金屬布線和所述第一金屬布線之間形成互連。
24.一種制造低介電常數(shù)半導(dǎo)體的方法，包括以下步驟在襯底上沉積第一金屬層；構(gòu)圖所述第一金屬層，以形成構(gòu)圖的第一金屬布線；在所述構(gòu)圖的第一金屬布線上形成支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)是介電常數(shù)為K1的第一絕緣材料；構(gòu)圖所述支撐結(jié)構(gòu)；在所述支撐結(jié)構(gòu)上沉積第二絕緣材料，其中所述第二絕緣材料的介電常數(shù)為K2，低于所述第一絕緣材料的所述介電常數(shù)K1；平面化所述第二絕緣材料；在所述平面化的第二絕緣材料上沉積拋光停止膜層；在所述拋光停止膜層中形成多個(gè)金屬柱；在所述拋光停止膜層上沉積第二金屬層，以形成與所述金屬柱的互連；以及構(gòu)圖所述金屬層，以通過(guò)所述金屬柱互連第二金屬布線和所述第一金屬布線。
全文摘要
一種制造低介電常數(shù)半導(dǎo)體的方法，包括以下步驟在襯底上沉積第一金屬層；構(gòu)圖第一金屬層，以形成構(gòu)圖的第一金屬布線；在構(gòu)圖的第一金屬布線上施加第一絕緣材料以形成支撐結(jié)構(gòu)；通過(guò)接觸印刷工藝構(gòu)圖第一絕緣材料；在支撐結(jié)構(gòu)上沉積較低介電常數(shù)的第二絕緣材料；平面化第二絕緣材料；在平面化的第二絕緣材料上沉積拋光停止膜層，以形成多個(gè)金屬柱；在拋光停止膜層上沉積第二金屬層，以形成與所述柱的互連；以及構(gòu)圖金屬層，以形成通過(guò)金屬柱互連到第一金屬布線的第二金屬布線。
文檔編號(hào)H01L23/532GK1677644SQ20051006300
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2005年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月2日
發(fā)明者L·克萊文杰, L·徐, T－D·袁, C·蒂貝格 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司