專利名稱：集成電路封裝裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體集成電路(IC)的晶片堆棧(chip-on-chip)封裝中IC晶片的組裝，特別是有關(guān)于一種多重IC晶片的定位，以共用相同或是少數(shù)的散熱器(heat spreader)。再者，內(nèi)蓋板(internal lid)或散熱器為良好的支撐體以防止彎曲變形(warpage)并維持整體IC封裝的共面性(coplanarity)。
背景技術(shù)：
IC晶片封裝是制造過程中最重要步驟之一，其對(duì)于封裝的IC晶片的整體成本、效能及可靠度有著深遠(yuǎn)的貢獻(xiàn)。當(dāng)半導(dǎo)體裝置進(jìn)級(jí)到較高的集成度(integration)時(shí)，封裝技術(shù)，例如晶片堆棧(chip-on-chip)，則變得十分關(guān)鍵。
當(dāng)半導(dǎo)體裝置尺寸縮小時(shí)，晶片上裝置的密度增加。然而，隨之增加的制程功率也使得晶片堆棧封裝裝置中的多重晶片(multi-chip)所產(chǎn)生的總熱量增加?？深A(yù)期的，封裝裝置中過多的熱會(huì)降低了裝置的效能。再者，若產(chǎn)生的熱過多，裝置將會(huì)受損。
傳統(tǒng)上解決熱產(chǎn)生的方法是包含于裝置操作期間，提供一散熱裝置(即，散熱器)與IC封裝裝置中的IC晶片作熱接觸。上述傳統(tǒng)裝置的一般布局是將多個(gè)IC晶片的上表面彼此相對(duì)分開，每一上表面與對(duì)應(yīng)的散熱器作熱接觸，使得作為散熱器的基板同時(shí)也供作IC封裝裝置的外表面(或外蓋板)。不幸地，為了每一IC晶片而提供一分離的散熱器，相對(duì)而言較為昂貴，特別是當(dāng)IC封裝具有大量IC晶片堆棧時(shí)。另外，每一額外的散熱器將增加IC封裝裝置的整體尺寸，其并不利于部件或裝置尺寸持續(xù)縮小的趨勢。因此，需尋求一種晶片堆棧裝置的封裝技術(shù)，其需具有高效能的散熱器但卻無已知技術(shù)中存在的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路(IC)封裝裝置及其制造方法。所述IC封裝裝置包括第一及第二封裝基板與一第一IC晶片。第一IC晶片上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將其電性耦接至第一封裝基板。所述IC封裝裝置亦包括一第二IC晶片，其上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將其電性耦接至第二封裝基板。另外，IC封裝裝置包括一散熱器，以將熱從第一及第二IC晶片散出，其具有一第一表面耦接于第一IC晶片的一背側(cè)(非主動(dòng)區(qū))，其位于第一IC晶片的主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)。散熱器亦具有一第二表面相對(duì)于其第一表面，耦接于第二IC晶片的一背側(cè)，其位于第二IC晶片的主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)。因此，第一IC晶片的背側(cè)與第二IC晶片的背側(cè)相向。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置，該散熱器更包括至少一凹槽形成于其內(nèi)部，以在該散熱器通過一流體而將熱散出。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置，該凹槽的一寬度側(cè)向延伸而超越該第一及該第二集成電路晶片的寬度。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置，該第一及該第二封裝基板被至少一散熱構(gòu)件所隔開，其耦接于該第一及該第二封裝基板之間位于對(duì)應(yīng)每一基板的周圍處。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置，該第一及該第二封裝基板被第一及第二組的一或多個(gè)散熱構(gòu)件所隔開，該第一組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第一封裝基板與該散熱器之間周圍處，而該第二組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第二封裝基板與該散熱器之間周圍處，該第一及該第二組散熱構(gòu)件耦接于該散熱器相對(duì)的表面上。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置，該第一及該第二封裝基板之一或兩者更包括至少一接合結(jié)構(gòu)形成于其外表面上，以將該集成電路封裝裝置耦接至另一結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述IC封裝裝置的制造方法包括下列步驟。借由形成于一第一IC晶片的一主動(dòng)區(qū)上方的至少一接合結(jié)構(gòu)，將第一IC晶片耦接至一第一封裝基板。此方法包括將一散熱器的一第一表面耦接至第一IC晶片的一背側(cè)，其位于第一IC晶片的主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)。此方法更包括將相對(duì)于散熱器的第一表面的一第二表面耦接于一第二IC晶片的一背側(cè)，散熱器將熱從第一及第二IC晶片散出。另外，此方法包括借由形成于第二IC晶片的一主動(dòng)區(qū)上方的至少一接合結(jié)構(gòu)，將一第二封裝基板耦接至第二IC晶片，第二IC晶片的主動(dòng)區(qū)位于其背側(cè)的一相對(duì)側(cè)。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置的制造方法，更包括形成穿過該散熱器的至少一凹槽，以在該散熱器通過一流體而將熱散出。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置的制造方法，更包括將該凹槽的一寬度側(cè)向延伸而超越該第一及該第二集成電路晶片的寬度。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置的制造方法，更包括利用于該第一及該第二封裝基板之間位于對(duì)應(yīng)每一基板的周圍處耦接至少一散熱構(gòu)件來隔開該第一及該第二封裝基板。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置的制造方法，更包括借由第一及第二組之一或多個(gè)散熱構(gòu)件隔開該第一及該第二封裝基板，該第一組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第一封裝基板與該散熱器之間周圍處，而該第二組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第二封裝基板與該散熱器之間周圍處，該第一及該第二組散熱構(gòu)件耦接于該散熱器相對(duì)的表面上。
本發(fā)明所述的集成電路封裝裝置的制造方法，更包括于該第一及該第二封裝基板之一或兩者的外表面上形成至少一接合結(jié)構(gòu)，以將該集成電路封裝裝置耦接至另一結(jié)構(gòu)。
當(dāng)以上述方法制造時(shí)，第一IC晶片的背側(cè)是朝向第二IC晶片的背側(cè)，使得兩者共用相同的散熱器，而將IC封裝裝置操作期間產(chǎn)生的熱散出。就共用單一散熱器而言，不同于分隔用于封裝裝置中每一IC晶片的多個(gè)散熱器，可制造出更緊實(shí)的IC封裝裝置。如此一來，IC封裝裝置制造技術(shù)得以簡化，有效地降低制造成本，甚至縮減制造時(shí)間。


圖1是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的IC封裝裝置的剖面示意圖；圖2是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的IC封裝裝置的剖面示意圖，其具有一散熱器可自其外部置入；圖3是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的IC封裝裝置的剖面示意圖，其中散熱器具有協(xié)助散熱的一凹槽；圖4是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的IC封裝裝置的剖面示意圖，其具有三個(gè)IC晶片；圖5是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的IC封裝裝置的剖面示意圖，其具有多對(duì)IC晶片共用相同的散熱器；圖6是繪示出圖5的IC封裝裝置的另一實(shí)施例，其中散熱器包括多個(gè)凹槽以協(xié)助熱自多對(duì)IC晶片散出。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示出本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路(IC)封裝裝置100。IC封裝裝置包括第一及第IC晶片105及110。每一IC晶片105及110具有多個(gè)接合結(jié)構(gòu)115。接合結(jié)構(gòu)115是電性耦接至每一IC晶片105及110上所對(duì)應(yīng)的主動(dòng)區(qū)A。在本實(shí)施例中，接合結(jié)構(gòu)115為焊接凸塊，以與每一IC晶片105及110上所對(duì)應(yīng)的主動(dòng)區(qū)A作電性及物理性耦接。焊接凸塊115亦可被晶片與封裝基板之間空隙所充填的底膠(underfill)材料所覆蓋，用以釋放應(yīng)力。
IC晶片105及110的主動(dòng)區(qū)A包括耦接于IC晶片105及110內(nèi)部主動(dòng)電路部件的結(jié)構(gòu)與內(nèi)連線。如圖1所示，第一IC晶片105是耦接于一第一IC封裝蓋板120，同時(shí)第二IC晶片110是耦接于一第二IC封裝蓋板125。如圖所示，第一及第二IC封裝蓋板120及125是借由散熱構(gòu)件(stiffeners)130而彼此隔開，且其它多個(gè)接合結(jié)構(gòu)132耦接于第二封裝蓋板125。如以上關(guān)于接合結(jié)構(gòu)115所述，這些接合結(jié)構(gòu)132亦包括焊接凸塊。然而，本發(fā)明不限于此，任何適用的接合結(jié)構(gòu)亦可運(yùn)用于本發(fā)明。典型地，第一及第二封裝蓋板120及125及散熱構(gòu)件130包括內(nèi)連線，以容許第一及第二IC晶片105及110可透過接合結(jié)構(gòu)132，功能性連接至其它結(jié)構(gòu)或裝置。
如圖1的IC封裝裝置100所示，散熱器135是耦接于第一及第二IC晶片105及110之間，并典型地透過一導(dǎo)電或非導(dǎo)電黏著劑140而耦接至晶片各自的背側(cè)。在一實(shí)施例中，黏著劑140包括一般用于現(xiàn)存或后續(xù)發(fā)展產(chǎn)品的任何類型的黏著劑。第一及第二IC晶片105及110的背側(cè)是位于每一IC晶片105及110的主動(dòng)區(qū)A的相對(duì)側(cè)。透過耦接兩IC晶片105及110的背側(cè)至散熱器135，IC晶片105及110操作期間所產(chǎn)生的熱能，可借由散熱器135自IC晶片105及110引出并適時(shí)地散出。
透過散出IC封裝裝置100操作期間所產(chǎn)生的熱，IC晶片105及110可更有效率地運(yùn)作且具有較長的操作壽命。除了提供典型的散熱功用之外，耦接于第一及第二IC晶片105及110背側(cè)之間的散熱器135可構(gòu)成一更緊實(shí)的IC封裝裝置100。舉例而言，本實(shí)施例中，封裝裝置100的兩IC晶片105及110僅需使用一散熱器，而不是對(duì)于每一IC晶片105及110制造出一分離的散熱器。如此一來，用于制造上述IC封裝的技術(shù)得以簡化，有效地降低制造成本，甚至縮減制造時(shí)間。另一優(yōu)點(diǎn)在于內(nèi)散熱器(或蓋板)可加強(qiáng)支撐IC封裝各處，以防止其彎曲變形，因而維持整體IC封裝的共面性。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的IC封裝裝置200。如同圖1的IC封裝裝置100所示，IC封裝裝置200包括第一及第二IC晶片205及210，其具有接合結(jié)構(gòu)215，例如焊接凸塊，并分別將第一及第二IC晶片205及210的主動(dòng)區(qū)A耦接至第一及第二封裝蓋板220及225。
散熱器235是耦接于第一及第二IC晶片205及210的背側(cè)之間，使得兩者的主動(dòng)區(qū)A面向相對(duì)的方向。圖2的IC封裝裝置200包括多個(gè)散熱構(gòu)件230，其耦接于第一及第二封裝蓋板220及225之間。然而在本實(shí)施例中，這些散熱構(gòu)件230耦接于散熱器235相對(duì)的表面上，而不是鄰接于散熱器235的末端。如同第一實(shí)施例所述，散熱器235借由導(dǎo)電或非導(dǎo)電黏著劑240而耦接于第一及第二IC晶片205及210之間，使IC晶片205及210的背側(cè)與散熱器235作熱連接。圖2的IC封裝裝置200亦包括沿著第二封裝蓋板225外表面的接合結(jié)構(gòu)232，以將封裝裝置200耦接至其它部件或裝置，例如印刷電路板(printed circuit board，PCB)。
透過耦接散熱器235相對(duì)表面上的散熱構(gòu)件230，散熱器235周邊或末端可到達(dá)封裝裝置200外部(即，散熱構(gòu)件230的外部)。由于散熱器235可直接與封裝裝置200外部接觸，故可有效地散出第一及第二IC晶片205及210操作期間所產(chǎn)生的熱。舉例而言，當(dāng)IC封裝裝置200組裝于最終的位置時(shí)，散熱片(heat sink)或其它散熱裝置可直接耦接至散熱器235。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的IC封裝裝置300。如同圖1及圖2的裝置，圖3所示的IC封裝裝置300包括第一及第二IC晶片305及310，其透過多個(gè)接合結(jié)構(gòu)315，分別耦接至第一及第二封裝蓋板320及325。如同之前的實(shí)施例，接合結(jié)構(gòu)315可借由傳統(tǒng)技術(shù)形成之，如同其它任何有用的接合結(jié)構(gòu)類型，以將第一及第二IC晶片305及310電性或物理耦接至封裝蓋板320及325。
相似于圖1所繪示的實(shí)施例，本實(shí)施例又包括散熱構(gòu)件330，其耦接于第一及第二封裝蓋板320及325之間周圍或邊緣處。再者，散熱器335耦接于第一及第二IC晶片305及310的背側(cè)，使得IC晶片305及310的主動(dòng)區(qū)A面向相對(duì)的方向。另外，散熱器335包括一凹槽345，其形成于散熱器335內(nèi)部。盡管散熱器335持續(xù)將第一及第二IC晶片305及310所產(chǎn)生的熱依上述方式散出，然而一熱流體(即，液體或氣體)亦可流經(jīng)散熱器335中的凹槽345來協(xié)助散熱。
在一實(shí)施例中，流經(jīng)散熱器335中凹槽345的流體包括能夠自IC晶片305及310傳導(dǎo)熱的液體。在一特定的實(shí)施例中，流經(jīng)凹槽345的液體為蒸餾水(distilled water)。又另一實(shí)施例中，流經(jīng)凹槽345的流體為空氣。當(dāng)然，此處并不限定流經(jīng)凹槽345用以協(xié)助散熱的流體的類型。在一有利的實(shí)施例中，凹槽345的寬度延伸超越第一及第二IC晶片305及310的寬度，以在裝置300操作期間將熱更有效地散出。當(dāng)然，此處并無限定特別的凹槽345寬度。另外，亦不限定僅有單一凹槽345形成于散熱器335內(nèi)部，或是限定凹槽345的外型。在IC封裝裝置300的設(shè)計(jì)及制造中，可以具有兩個(gè)以上的凹槽，用以將流體通入散熱器335中。
請(qǐng)參閱圖4，其繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的IC封裝裝置400。在本實(shí)施例中，裝置400中包括了三個(gè)IC晶片405、410、及412。特別地，第一及第二IC晶片405及410耦接至一散熱器435，其位于IC晶片405及410背側(cè)之間。如同之前實(shí)施例所述，第二IC晶片410包括多個(gè)接合結(jié)構(gòu)(即，焊接凸塊)415，其耦接于IC晶片410的主動(dòng)區(qū)A，以將第二IC晶片410耦接至一第二封裝蓋板425。第二封裝蓋板425亦包括其本身的接合結(jié)構(gòu)432，例如焊接凸塊，用以將封裝裝置400電性及物理耦接至其它結(jié)構(gòu)或裝置。
關(guān)于第三IC晶片412的組裝，耦接至第一IC晶片405的主動(dòng)區(qū)A并與之結(jié)合的接合結(jié)構(gòu)415亦電性及物理性耦接至第三IC晶片412的主動(dòng)區(qū)A。如同使用焊接凸塊作為接合結(jié)構(gòu)的所有實(shí)施例，第一及第三IC晶片405及412主動(dòng)區(qū)A之間接合是一冶金接合(metallurgical bond)。一旦第三IC晶片412耦接至第一IC晶片405，一第一封裝蓋板420是耦接于第三IC晶片412的背側(cè)。第一封裝蓋板420本身可為相似散熱器435的散熱結(jié)構(gòu)。散熱器435可用于協(xié)助將第一及第二IC晶片405及410所產(chǎn)生的熱散出。同時(shí)第一封裝蓋板420可用于協(xié)助將操作第三IC晶片412所產(chǎn)生的熱散出。
最后，為了完成封裝裝置400的制作，散熱構(gòu)件430可放置于散熱器435周圍的相對(duì)表面上且其位于第一及第二封裝蓋板420及425之間周圍處。如以上所述，第一及第二封裝蓋板420及425和散熱構(gòu)件430一樣，可包括內(nèi)連線，其借由接合結(jié)構(gòu)432，而將第一、第二、及第三IC晶片405、410、及412電性連接至其它結(jié)構(gòu)或裝置。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的IC封裝裝置500，其包括了四個(gè)IC晶片505、510、512、及514。在本實(shí)施例中，第一及第二IC晶片505及510與第三及第四IC晶片512及514是成對(duì)耦接在一起，每一對(duì)的耦接方式相似于圖2所示。特別地，第一IC晶片505是透過接合結(jié)構(gòu)515，而耦接于第一封裝蓋板520。同時(shí)，第二IC晶片510使用相似的接合結(jié)構(gòu)耦接至第二封裝蓋板525。同樣地，第三IC晶片512是透過接合結(jié)構(gòu)，例如焊接凸塊，而耦接于第一封裝蓋板520。同時(shí)，第四IC晶片514沿著第二IC晶片510的邊，耦接至第二封裝蓋板525。
借由上述組合來耦接IC晶片505、510、512、及514，第一及第三IC晶片505及512的背側(cè)是耦接于一散熱器535的一表面上。同時(shí)，第二及第四IC晶片510及514的背側(cè)是耦接于散熱器535的一相對(duì)表面上。散熱構(gòu)件530是耦接于第一及第二封裝蓋板520及525之間且位于對(duì)應(yīng)的散熱器535的相對(duì)表面上，使得散熱器535的邊緣得以通達(dá)裝置500外面。如之前所述，封裝裝置500可透過形成于第二封裝蓋板525外表面的接合結(jié)構(gòu)532，耦接至其它結(jié)構(gòu)或裝置。圖5的實(shí)施例繪示出如何將多重IC晶片成對(duì)耦接并彼此相鄰(即，單一散熱器535的相同側(cè))，且又共用單一散熱器535，以將裝置500操作期間的熱散出。如此一來，圖5的實(shí)施例只需要制作出一散熱器535，且裝置500中所有的IC晶片505、510、512、及514共用一散熱片535。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示出與圖5相同的IC封裝裝置500，然而，散熱器535包括了三個(gè)凹槽545a、545b、及545c形成于內(nèi)。如同圖3所繪示的IC封裝裝置300，凹槽545a、545b、及545c可用以在散熱器535中通入一流體來協(xié)助將第一、第二、第三、及第四IC晶片505、510、512、及514操作期間所產(chǎn)生的熱散出。如以上所述，任何有助于導(dǎo)熱的流體類型可流經(jīng)凹槽545a、545b、及545c，例如水或空氣。再者，盡管圖6僅繪示出三凹槽545a、545b、及545c，然而并不限定可形成于散熱器535內(nèi)部的凹槽數(shù)量。另外，每一凹槽545a、545b、及545c的寬度不需與圖6所示的相同，但可基于散熱所需來做選擇。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡單說明如下100、200、300、400、500～I(xiàn)C封裝裝置105、205、305、405、505～第一IC晶片110、210、310、410、510～第二IC晶片115、215、315、415、515、132、232、332、432、532～接合結(jié)構(gòu)120、220、320、420、520～第一封裝蓋板125、225、325、425、525～第二封裝蓋板130、230、330、430、530～散熱構(gòu)件135、235、335、435、535～散熱器140、240、340、440～黏著劑412、512～第三IC晶片514～第四IC晶片A～主動(dòng)區(qū)
權(quán)利要求
1.一種集成電路封裝裝置，其特征在于所述集成電路封裝裝置包括第一及第二封裝基板；一第一集成電路晶片，其上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將該第一集成電路晶片電性耦接至該第一封裝基板；一第二集成電路晶片，其上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將該第二集成電路晶片電性耦接至該第二封裝基板；以及一散熱器，將熱從該第一及該第二集成電路晶片散出，該散熱器具有一第一表面耦接于該第一集成電路晶片的一背側(cè)，其位于該第一集成電路晶片的該主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)，且該散熱器具有一第二表面耦接于該第二集成電路晶片的一背側(cè)，其位于該第二集成電路晶片的該主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝裝置，其特征在于該散熱器更包括至少一凹槽形成于其內(nèi)部，以在該散熱器通過一流體而將熱散出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路封裝裝置，其特征在于該凹槽的一寬度側(cè)向延伸而超越該第一及該第二集成電路晶片的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝裝置，其特征在于該第一及該第二封裝基板被至少一散熱構(gòu)件所隔開，其耦接于該第一及該第二封裝基板之間位于對(duì)應(yīng)每一基板的周圍處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝裝置，其特征在于該第一及該第二封裝基板被第一及第二組的一或多個(gè)散熱構(gòu)件所隔開，該第一組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第一封裝基板與該散熱器之間周圍處，而該第二組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第二封裝基板與該散熱器之間周圍處，該第一及該第二組散熱構(gòu)件耦接于該散熱器相對(duì)的表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝裝置，其特征在于該第一及該第二封裝基板之一或兩者更包括至少一接合結(jié)構(gòu)形成于其外表面上，以將該集成電路封裝裝置耦接至另一結(jié)構(gòu)。
7.一種集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于所述集成電路封裝裝置的制造方法包括借由形成于一第一集成電路晶片的一主動(dòng)區(qū)上方的至少一接合結(jié)構(gòu)，將該第一集成電路晶片耦接至一第一封裝基板；將一散熱器的一第一表面耦接至該第一集成電路晶片的一背側(cè)，其位于該第一集成電路晶片的該主動(dòng)區(qū)的一相對(duì)側(cè)；將相對(duì)于該散熱器的該第一表面的一第二表面耦接于一第二集成電路晶片的一背側(cè)，該散熱器將熱從該第一及該第二集成電路晶片散出；以及借由形成于該第二集成電路晶片的一主動(dòng)區(qū)上方的至少一接合結(jié)構(gòu)，將一第二封裝基板耦接至該第二集成電路晶片，該第二集成電路晶片的該主動(dòng)區(qū)位于其背側(cè)的一相對(duì)側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于更包括形成穿過該散熱器的至少一凹槽，以在該散熱器通過一流體而將熱散出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于更包括將該凹槽的一寬度側(cè)向延伸而超越該第一及該第二集成電路晶片的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于更包括利用于該第一及該第二封裝基板之間位于對(duì)應(yīng)每一基板的周圍處耦接至少一散熱構(gòu)件來隔開該第一及該第二封裝基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于更包括借由第一及第二組之一或多個(gè)散熱構(gòu)件隔開該第一及該第二封裝基板，該第一組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第一封裝基板與該散熱器之間周圍處，而該第二組散熱構(gòu)件耦接于對(duì)應(yīng)的該第二封裝基板與該散熱器之間周圍處，該第一及該第二組散熱構(gòu)件耦接于該散熱器相對(duì)的表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝裝置的制造方法，其特征在于更包括于該第一及該第二封裝基板之一或兩者的外表面上形成至少一接合結(jié)構(gòu)，以將該集成電路封裝裝置耦接至另一結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種集成電路封裝裝置及其制造方法。封裝裝置包括第一及第二封裝基板、一第一及第二集成電路晶片、及一散熱器。第一集成電路晶片上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將其電性耦接至第一封裝基板。第二集成電路晶片上的一主動(dòng)區(qū)上形成有至少一接合結(jié)構(gòu)，以將其電性耦接至第二封裝基板。散熱器將熱從第一及第二集成電路晶片散出，其具有一第一表面耦接于第一集成電路晶片的一背側(cè)，且具有一第二表面耦接于第二集成電路晶片的一背側(cè)。因此，兩晶片的背側(cè)彼此相向。內(nèi)部的散熱器亦作為集成電路封裝的支撐，以防止彎曲變形而維持集成電路封裝的共面性。
文檔編號(hào)H01L23/46GK1750261SQ200510063138
公開日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2005年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月17日
發(fā)明者張仕承 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司