專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種對于薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及其簡化的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)器通過調(diào)節(jié)電場來控制液晶的光透射率從而顯示圖像。為了這個目的，LCD包括具有以矩陣型排列的液晶單元的液晶顯示板，和用于驅(qū)動液晶顯示板的驅(qū)動電路。
液晶顯示板包括彼此相對的薄膜晶體管基板和濾色片基板、注入在兩基板之間的液晶、和保持兩基板之間的盒間隙的襯墊料。
薄膜晶體管基板包括柵線、數(shù)據(jù)線、形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉處的作為開關(guān)器件的薄膜晶體管、為各液晶單元所形成的并連接到薄膜晶體管的像素電極，和定向膜。柵線和數(shù)據(jù)線通過各焊盤部分接收來自驅(qū)動電路的信號。薄膜晶體管響應(yīng)提供給柵線的掃描信號將提供給數(shù)據(jù)線的像素信號施加到像素電極。
濾色片基板包括為各液晶單元形成的濾色片、用于劃分濾色片并反射外部光的黑矩陣、通常用于將基準(zhǔn)電壓施加到液晶單元的公共電極、和形成的定向膜。
通過分別制備薄膜陣列基板和濾色片基板，將它們連接，然后在它們之間注入液晶并密封該板來完成液晶顯示板。
在這種液晶顯示器件中，由于薄膜晶體管基板包括半導(dǎo)體加工工序并需要多次掩模工序，因此薄膜晶體管基板具有增加液晶顯示板制造成本的復(fù)雜的制造工序。為了解決這個問題，已經(jīng)研制出一種可以減少掩模工序的數(shù)量的薄膜晶體管基板。這是因?yàn)橐淮窝谀９ば蚩梢园ǘ鄠€子工序如薄膜沉積，清潔，光刻，刻蝕，光刻膠剝離和檢驗(yàn)工序等。最近，最為突出的是一種從已存在的作為薄膜晶體管標(biāo)準(zhǔn)掩模工序的五輪掩模工序中消除了一輪掩模工序的四輪(four-round)。
圖1為采用四輪掩模工序的薄膜晶體管基板的平面圖，圖2為沿圖中I-I’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖。
參考圖1和圖2，薄膜晶體管基板包括設(shè)置在下基板42上并彼此相交的柵線2和數(shù)據(jù)線4，其間具有柵絕緣膜44；設(shè)置在各交叉處的薄膜晶體管6，和設(shè)置在具有交叉結(jié)構(gòu)的單元區(qū)域處的像素電極18。此外，薄膜晶體管基板包括設(shè)置在像素電極18和前級(pre-stage)柵線2之間的重疊部分處的存儲電容器20，連接到柵線2的柵焊盤26，和連接到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)焊盤34。
薄膜晶體管6響應(yīng)施加到柵線2的掃描信號使施加到數(shù)據(jù)線4的像素信號充入像素電極18中并保持。為此，薄膜晶體管6包括連接到柵線2的柵極8，連接到數(shù)據(jù)線4的源極10，連接到像素電極18的漏極12，和與柵極8重疊并限定源極10和漏極12之間的溝道的有源層14。
與源極10和漏極12重疊并在源極10和漏極12之間具有溝道部分的有源層14也與數(shù)據(jù)線4、下數(shù)據(jù)焊盤電極36和上存儲電極22重疊。在有源層14上，進(jìn)一步設(shè)置有與數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12、下數(shù)據(jù)焊盤電極36和上存儲電極22形成歐姆接觸的歐姆接觸層48。
像素電極18通過貫穿鈍化膜50的第一接觸孔16連接到薄膜晶體管6的漏極12。像素電極18通過充入的像素信號產(chǎn)生相對于設(shè)置在上基板(未示出)上的公共電極的電勢差。由于介電各向異性，該電勢差旋轉(zhuǎn)設(shè)置在薄膜晶體管基板和上基板之間的液晶，并將從光源(未示出)通過像素電極18輸入的光向上基板傳輸。
存儲電容器20由下述元件構(gòu)成前級柵線2，與柵線2重疊的上存儲電極22，其間具有柵絕緣膜44、有源層14和歐姆接觸層48；和與上存儲電極22重疊的像素電極18，其間具有鈍化膜50并通過貫穿鈍化膜50的第二接觸孔24連接到像素電極18。存儲電容器20使得在像素電極18中充入的像素信號穩(wěn)定地保持到充入下一像素電壓。
柵線2通過柵焊盤26連接到柵驅(qū)動器(未示出)。柵焊盤26由下述元件構(gòu)成從柵線2延伸出的下柵焊盤電極28，和上柵焊盤電極32，其通過貫穿柵絕緣膜44和鈍化膜50的第三接觸孔30連接到下柵焊盤電極28。
數(shù)據(jù)線4通過數(shù)據(jù)焊盤34連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤34由下述元件構(gòu)成從數(shù)據(jù)線4延伸出的下數(shù)據(jù)焊盤電極36，和上數(shù)據(jù)焊盤電極40，其通過貫穿鈍化膜50的第四接觸孔38連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極36。
以下，將參考圖3A至3D，詳細(xì)描述采用四輪掩模工序制造具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的方法。
參考圖3A，通過第一掩模工序，在下基板42上設(shè)置包括柵線2、柵極8和下柵焊盤電極28的柵極金屬圖案。
更具體地說，通過諸如濺射的沉積技術(shù)，在下基板42上形成柵極金屬層。然后，通過利用第一掩模的光刻和刻蝕工序，對柵極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成包括柵線2、柵極8和下柵焊盤電極28的柵極金屬圖案。柵極金屬層具有由鉻(Cr)、鉬(Mo)或鋁金屬等構(gòu)成的單層或雙層結(jié)構(gòu)。
參考圖3B，在具有柵極金屬圖案的下基板42上涂敷柵絕緣膜44。此外，通過第二掩模工序，在柵絕緣膜44上順序設(shè)置包括有源層14和歐姆接觸層48的半導(dǎo)體圖案和包括數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12、下數(shù)據(jù)焊盤電極36和上存儲電極22的源極/漏極金屬圖案。
更具體地說，通過如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)和濺射等沉積技術(shù)，在具有柵極金屬圖案的下基板42上順序設(shè)置柵絕緣膜44、非晶硅層、n+非晶硅層和源極/漏極金屬層。這里，柵絕緣膜44由無機(jī)絕緣材料如氮化硅(SiOx)或氧化硅(SiOx)構(gòu)成。源極/漏極金屬從鉬(Mo)或鉬合金等中選擇。
然后，利用第二掩模通過光刻，在源極/漏極金屬層上形成光刻膠圖案。在該情況下，具有位于薄膜晶體管的溝道部分處的衍射曝光部分的衍射曝光掩模用作第二掩模，由此允許溝道部分的光刻膠圖案具有比其他源極/漏極圖案部分更低的高度。
隨后，利用光刻膠圖案，通過濕刻工序?qū)υ礃O/漏極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，由此提供包括數(shù)據(jù)線4、源極10、與源極10連成一體的漏極12、和上存儲電極22的源極/漏極金屬圖案。
接著，利用相同光刻膠圖案，通過干刻工序?qū)+非晶硅層和非晶硅層同時進(jìn)行構(gòu)圖，由此提供歐姆接觸層48和有源層14。
通過灰化工序，從溝道部分去除具有相對低的高度的光刻膠圖案，從而通過干刻工序刻蝕源極/漏極金屬圖案和溝道部分的歐姆接觸層48。從而，暴露出溝道部分的有源層14以使源極10與漏極12斷開連接。
然后，通過剝離工序，去除源極/漏極金屬圖案組上剩余的光刻膠圖案。
參考圖3C，在具有源極/漏極金屬圖案的柵絕緣膜44上形成包括第一到第四接觸孔16，24，30和38的鈍化膜50。
更具體地說，通過如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)的沉積技術(shù)在具有源極/漏極金屬圖案的柵絕緣膜44上整個形成鈍化膜50。然后，利用第三掩模，通過光刻和刻蝕工序?qū)︹g化膜50進(jìn)行構(gòu)圖，從而限定第一到第四接觸孔16，24，30和38。以貫穿鈍化膜50并暴露出漏極12的方式形成第一接觸孔16，而以貫穿鈍化膜50并暴露出上存儲電極22的方式形成第二接觸孔24。以貫穿鈍化膜50和柵絕緣膜44并暴露出下柵焊盤電極28的方式形成第三接觸孔30。以貫穿鈍化膜50并暴露出上數(shù)據(jù)焊盤電極36的方式形成第四接觸孔38。
鈍化膜50由與柵絕緣膜44相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或由有機(jī)絕緣材料如具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物、BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)等構(gòu)成。
參考圖3D，通過第四掩模工序，在鈍化膜50上設(shè)置包括像素電極18、上柵焊盤電極32和上數(shù)據(jù)焊盤電極40的透明導(dǎo)電膜圖案。
通過諸如濺射等沉積技術(shù)在整個鈍化膜50上沉積透明導(dǎo)電膜。然后，利用第四掩模，通過光刻和刻蝕工序?qū)ν该鲗?dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，從而提供包括像素電極18、上柵焊盤電極32和上數(shù)據(jù)焊盤電極40的透明導(dǎo)電膜圖案。像素電極18通過第一接觸孔16電連接到漏極12，同時通過第二接觸孔24電連接到與前線柵線2重疊的上存儲電極22。上柵焊盤電極32通過第三接觸孔30電連接到下柵焊盤電極28。上數(shù)據(jù)焊盤電極40通過第四接觸孔38電連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極36。這里，透明導(dǎo)電膜由氧化銦錫(ITO)等構(gòu)成。
如上所述，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管基板及其制造方法采用四輪掩模工序，由此減少了工序的數(shù)量，因此減少了與工序數(shù)量的減少成比例的制造成本。然而，由于四輪掩模工序仍然具有復(fù)雜的制造工序，其限制了成本上的任何減少，因此需要能夠進(jìn)一步簡化的制造方法并且因此進(jìn)一步減少制造成本的薄膜晶體管基板和其制造方法。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板中，為了第二掩模工序，由于上存儲電極22由源極/漏極金屬構(gòu)成，因此包括有源層14和歐姆接觸層48的半導(dǎo)體層設(shè)置在上存儲電極22的下方。由于這種半導(dǎo)體層，上存儲電極22和作為下存儲電極的柵線2彼此距離相對較遠(yuǎn)，從而減小存儲電容器20的電容，其與距離成反比。由于這個原因，存儲電容器20不能穩(wěn)定地保持充入像素電極18中的像素信號。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板中，存儲電容器20的上和下電極分別由不透明源極/漏極金屬和柵極金屬構(gòu)成。從而，這引起的問題是當(dāng)擴(kuò)大上存儲電極22和柵線2之間的重疊區(qū)域以便增加存儲電容器20的電容時，像素電極18的孔徑比也減小相應(yīng)程度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管基板和其制造方法，其適于簡化工序以及擴(kuò)大存儲電容器的電容量，而不需要減小孔徑比。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的液晶顯示器件包括雙層結(jié)構(gòu)的柵線，所述雙層具有第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層并具有臺階敷層；與柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線；在柵線和數(shù)據(jù)線之間的柵絕緣膜；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；限定薄膜晶體管的溝道并與數(shù)據(jù)線重疊的半導(dǎo)體層；覆蓋數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的鈍化膜；在貫穿鈍化膜的像素區(qū)像素孔內(nèi)的柵絕緣膜上的像素電極；和與像素電極重疊的存儲電容器，其間具有柵絕緣膜，所述存儲電容器具有從第一透明導(dǎo)電層延伸出的下存儲電極。
該顯示器件進(jìn)一步包括柵焊盤，其包括具有雙層結(jié)構(gòu)并連接到柵線的下柵焊盤電極，和在貫穿柵絕緣膜和鈍化膜的接觸孔內(nèi)的上柵焊盤電極。
該顯示器件進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)焊盤，其包括連接到數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極，和在貫穿鈍化膜的接觸孔內(nèi)的上數(shù)據(jù)焊盤電極，其中半導(dǎo)體層與下數(shù)據(jù)焊盤電極重疊。
像素電極通過像素孔基本上側(cè)向地連接到漏極。
上數(shù)據(jù)焊盤電極通過接觸孔基本上橫向地連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極。
柵極連接到柵線。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的一種液晶顯示器件的制造方法包括利用第一掩模在基板上形成包括具有透明導(dǎo)電層的雙層的柵線和柵極，和包括具有透明導(dǎo)電層的下存儲電極的柵極圖案；形成覆蓋柵極圖案的柵絕緣膜，并利用第二掩模在柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體層和源極/漏極層；和利用第三掩模形成具有像素孔的鈍化膜以及在像素孔內(nèi)的柵絕緣膜上形成連接到漏極并與下存儲電極重疊的像素電極。
第一掩模包括第一半色調(diào)(half-tone)掩模。
第二掩模包括衍射曝光掩模。
第三掩模包括第二半色調(diào)掩模。
形成柵線和柵極的步驟包括在基板上形成作為透明導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；利用第一掩模，通過光刻在第二導(dǎo)電層上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；通過采用第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案通過刻蝕對第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖來形成柵線、柵極和下存儲電極；利用第一光刻膠圖案，通過刻蝕去除下存儲電極上的第二導(dǎo)電層；和去除第一光刻膠圖案。
利用刻蝕，第二導(dǎo)電層保留在下存儲電極上。
該方法進(jìn)一步包括在形成柵線、柵極和下存儲電極后，利用灰化使第一光刻膠圖案變薄以及去除第二光刻膠圖案。
數(shù)據(jù)線與半導(dǎo)體層重疊。
下存儲電極從柵線的第一導(dǎo)電層延伸出。
形成柵線和柵極的步驟進(jìn)一步包括形成連接到柵線的下柵焊盤電極，而形成鈍化膜的步驟進(jìn)一步包括通過暴露出下柵焊盤電極形成貫穿鈍化膜和柵絕緣膜的接觸孔，以及在接觸孔內(nèi)形成連接到下柵焊盤電極的上柵焊盤電極。
下柵焊盤電極包括雙層。
形成柵絕緣膜的步驟進(jìn)一步包括形成連接到數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極，而形成鈍化膜的步驟進(jìn)一步包括形成貫穿鈍化膜的第二接觸孔和在第二接觸孔內(nèi)連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極的上數(shù)據(jù)焊盤電極。
形成鈍化膜的步驟包括在源極和漏極上形成鈍化膜；利用第二掩模，通過光刻在鈍化膜上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；利用第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，通過刻蝕形成第一接觸孔；利用第一光刻膠圖案，通過刻蝕形成像素孔和第二接觸孔；在第一光刻膠圖案上形成透明導(dǎo)電層；和利用剝離(lift-off)通過去除第一光刻膠圖案和透明導(dǎo)電層，形成具有像素電極、上柵焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極的透明導(dǎo)電圖案。
該方法進(jìn)一步包括通過灰化使第一光刻膠圖案變薄和在形成第一接觸孔后去除第二光刻膠圖案。
形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括形成漏極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的暴露部分。
像素電極基本上側(cè)向地連接到漏極。
上數(shù)據(jù)焊盤電極基本上側(cè)向地連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極。
形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括刻蝕位于漏極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的暴露部分的下方的半導(dǎo)體層。
形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括過刻蝕(over-etching)鈍化膜使得第一光刻膠圖案的邊緣比鈍化膜的邊緣更加突出。
第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有連續(xù)不斷(constant)的臺階敷層。


本發(fā)明的這些和其他目的將從下文參考所附附圖對本發(fā)明實(shí)施方式的詳細(xì)描述中顯而易見，其中圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板的一部分的平面圖；圖2所示為在圖1中沿I-I’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖；圖3A至3D所示為圖2所示的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖5所示為在圖4中沿II-II’、III-III’和IV-IV’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖；圖6A和6B所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的第一掩模工序的平面圖和截面圖；圖7A至7E所示為用于詳細(xì)解釋第一掩模工序的截面圖；圖8A和8B所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的第二掩模工序的平面圖和截面圖；圖9A至9E所示為用于詳細(xì)解釋第二掩模工序的截面圖；
圖10A和10B所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的第三掩模工序的平面圖和截面圖；圖11A至11E所示為用于詳細(xì)解釋第三掩模工序的截面圖；圖12所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；以及圖13所示為在圖12中沿II-II’、III-III’和IV-IV’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，這些實(shí)施例在所附附圖中說明。
以下，將參考圖4至13詳細(xì)描述本發(fā)明的所示實(shí)施方式。
圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖，圖5為在圖4中的沿II-II’、III-III’和IV-IV’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖。
參考圖4和圖5，薄膜晶體管基板包括以彼此交叉的方式設(shè)置在下基板142上的柵線102和數(shù)據(jù)線104，其間具有柵絕緣膜144；鄰近各交叉處的薄膜晶體管106；和設(shè)置在由交叉所限定的像素區(qū)處的像素電極118。此外，薄膜晶體管基板包括設(shè)置在像素電極118和從柵線102伸出的下存儲電極122之間的重疊部分處的存儲電容器120，連接到柵線102的柵焊盤，和連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤134。
薄膜晶體管106響應(yīng)施加到柵線102的掃描信號，使施加到數(shù)據(jù)線104的像素信號充入像素電極118中并保持。為此，薄膜晶體管106包括連接到柵線102的柵極108；連接到數(shù)據(jù)線104的源極110；與源極110相對設(shè)置、連接到像素電極118的漏極112；與柵極108重疊的有源層116，其間具有柵絕緣膜144，以限定源極110和漏極112之間的溝道；和形成在除了溝道部分之外的有源層116上的歐姆接觸層146，使源極110和漏極112歐姆接觸。
這里，柵線102和柵極108具有雙層結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置有由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層101和在其上由金屬層構(gòu)成的第二導(dǎo)電層103。
此外，包括有源層116和歐姆接觸層146的半導(dǎo)體圖案148也與數(shù)據(jù)線104重疊。
由柵線102和數(shù)據(jù)線104之間的交叉所限定的像素區(qū)設(shè)有貫穿鈍化膜150的像素孔170。像素電極118形成在像素孔170內(nèi)的柵絕緣膜144上并與鈍化膜150具有接觸面。此外，像素電極118連接到通過由像素孔170暴露出的漏極112。這種像素電極118充入由薄膜晶體管106提供的像素信號，從而產(chǎn)生相對于設(shè)置在濾色片基板(未示出)處的公共電極的電勢差。由于介電各向異性，該電勢差旋轉(zhuǎn)設(shè)置在薄膜晶體管基板和濾色片基板之間的液晶，并控制從光源(未示出)通過像素電極118輸入的光的量，從而將所述光傳輸?shù)綖V色片基板中。
形成存儲電容器120使得從第一導(dǎo)電層101向像素區(qū)伸出的下存儲電極122與像素電極118重疊，其間具有柵絕緣膜144。下存儲電極122由第一導(dǎo)電層101即透明導(dǎo)電層構(gòu)成，因此可以擴(kuò)大它和像素區(qū)域之間的重疊區(qū)域，而不會減小孔徑比。因此，可能增加存儲電容器120的電容而不減小孔徑比。此外，像素電極118和下存儲電極122彼此重疊，其間僅具有柵絕緣膜144，以減小兩電極118和122之間的距離，由此進(jìn)一步增加存儲電容器120的電容。結(jié)果，可以更穩(wěn)定地保持充入到像素電極118中的信號。
柵線102經(jīng)由柵焊盤126連接到柵驅(qū)動器(未示出)。柵焊盤126由從柵線102延伸出的下柵焊盤電極128，和設(shè)置在第一接觸孔130內(nèi)、連接到下柵焊盤電極128的上柵焊盤電極132組成，其中第一接觸孔130貫穿鈍化膜150和柵絕緣膜144。下柵焊盤電極128具有雙層結(jié)構(gòu)，其中與柵線102相似地形成第一和第二導(dǎo)電層101和103。上柵焊盤電極132在第一接觸孔130內(nèi)與鈍化膜150具有接觸面。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤134連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤134由從數(shù)據(jù)線104延伸的下數(shù)據(jù)焊盤電極136，和在第二接觸孔138內(nèi)形成并連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極136的上數(shù)據(jù)焊盤電極140組成，其中第二接觸孔138貫穿鈍化膜150。包括歐姆接觸層146和有源層116的半導(dǎo)體層148以與下數(shù)據(jù)焊盤電極136重疊的方式形成在其下方。上數(shù)據(jù)焊盤電極140在第二接觸孔138內(nèi)與鈍化膜150具有接觸面。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板形成與像素電極118重疊并由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的下存儲電極122，因此它可以增加存儲電容器120的電容而不會減小孔徑比。因此，柵線102的線寬可以減小，而與柵線102和像素電極118之間的重疊區(qū)域無關(guān)，由此具有的優(yōu)點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)高清晰度。
通過下述三輪掩模工序形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板。
圖6A和6B分別為解釋在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖，而圖7A至圖7E為用于詳細(xì)解釋第一掩模工序的截面圖。
通過第一掩模工序，在下基板142上形成包括柵線102、連接到柵極102的柵極108、下柵焊盤電極128和下存儲電極122的柵極金屬圖案。柵線102、柵極108和下柵焊盤電極128采用雙層結(jié)構(gòu)，在該雙層結(jié)構(gòu)中構(gòu)造了第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103，而下存儲電極122采用單層結(jié)構(gòu)，在該單層結(jié)構(gòu)中柵線102的第一導(dǎo)電層101延伸。利用半色調(diào)掩模160，通過單個掩模工序形成具有上述雙層和單層結(jié)構(gòu)的柵極圖案。
更具體地說，如圖7A所示，通過諸如濺射的沉積技術(shù)，在下基板142上構(gòu)造第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103，并且其上形成有光刻膠167。第一導(dǎo)電層由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)等構(gòu)成。第二導(dǎo)電層103由金屬材料如Mo、Cu、Al、Ti、Cr、MoW或AlNd等構(gòu)成。
進(jìn)一步，在第二導(dǎo)電層103上可以設(shè)置第三導(dǎo)電層。在該情況下，第一導(dǎo)電層由透明導(dǎo)電層如ITO、IZO、TO等構(gòu)成；第二導(dǎo)電層由金屬層如Mo、Ti、Cu、Al(Nd)組等構(gòu)成；而第三導(dǎo)電層由金屬層如Cu、Al、Ti、Mo、Al(Nd)組等構(gòu)成。另外，第二和第三導(dǎo)電層可以由上述組的組合構(gòu)成。例如，它們由Mo/ITO、Al(Nd)/ITO、Cu/ITO、Cu/Ti/ITO、Cu/Mo/ITO、Cu/Mo/ITO、Cu/Mo+Ti/ITO、Al(Nd)/Mo/ITO等構(gòu)成。這意味著，例如當(dāng)描述超出雙層的Mo/ITO時，應(yīng)當(dāng)首先形成ITO，之后形成Mo。
接下來，如圖7B所示，利用半色調(diào)掩模160，通過光刻，光刻膠167在光下曝光并顯影，從而形成具有臺階敷層的光刻膠圖案。
半色調(diào)掩模160包括透明石英(SiO2)基板166，和在其上形成的遮擋層162和部分透光層164。這里，遮擋層162設(shè)置在將具有柵極圖案的區(qū)域處以隔斷紫外線(UV)，從而在顯影后留下第一光刻膠圖案168A。部分透射層164設(shè)置在將具有下存儲電極的區(qū)域處以局部透射UV，從而留下比第一光刻膠圖案更薄的第二光刻膠圖案168B。為此，遮擋層由金屬如Cr、CrOx等構(gòu)成，而部分透射層164由MoSix構(gòu)成。
隨后，如圖7C所示，利用具有臺階敷層的光刻膠圖案，通過刻蝕工序?qū)Φ谝粚?dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103進(jìn)行構(gòu)圖，從而提供雙層結(jié)構(gòu)的柵極圖案。
然后，如圖7D所示，利用氧(O2)等離子體，通過灰化工序?qū)饪棠z圖案168進(jìn)行灰化，從而使第一光刻膠圖案的厚度變薄并去除第二光刻膠圖案。此外，利用已灰化的第一光刻膠圖案168，通過刻蝕工序去除下存儲電極122上的第二導(dǎo)電層103。從而，下存儲電極122可以僅由第一導(dǎo)電層101構(gòu)成，而不會與包括在柵線102中的第二導(dǎo)電層103誤對準(zhǔn)。這時，沿已灰化第一光刻膠圖案168A構(gòu)圖的第二導(dǎo)電層103的每側(cè)再次進(jìn)行更多刻蝕，從而使得柵極圖案的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103具有階式的一定臺階敷層。因此，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的側(cè)面具有高的陡斜率時，可以防止在其上產(chǎn)生的源極/漏極金屬層的破損狀態(tài)。
同時，第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序選擇性地使用濕刻或干刻。例如，如果所有的第一和第二導(dǎo)電層101和103被刻蝕，那么，如圖7C所示的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序，光刻膠圖案的灰化工序和已暴露出的第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序在相同的腔室中相繼進(jìn)行，因此可以得到的優(yōu)點(diǎn)為工序簡化。
另外，已暴露出的第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序可以使用濕刻。例如另一個例子，如圖7C所示，第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103可以使用濕刻，如圖7D所示，已暴露出的第二導(dǎo)電層103的灰化工序和刻蝕工序可以使用干刻，或者僅已暴露出的第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序可以使用濕刻。另外，第二導(dǎo)電層103進(jìn)行濕刻，而第一導(dǎo)電層101進(jìn)行干刻，或者第二導(dǎo)電層103進(jìn)行干刻，而第一導(dǎo)電層101進(jìn)行濕刻；并且，據(jù)此已暴露出的第二導(dǎo)電層103的灰化工序和刻蝕工序使用干刻，或者僅已暴露出的第二導(dǎo)電層103的刻蝕工序使用濕刻。
因此，當(dāng)采用高清晰度模式時干刻是有利的，而當(dāng)采用高尺寸模式時濕刻是有利的。此外，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層103由Mo構(gòu)成時干刻是有利的，而當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層103由Cu或Al構(gòu)成時濕刻是有利的。
因此，如圖7E所示，通過剝離工序去除留在柵極圖案上的光刻膠圖案168A。
圖8A和8B分別為解釋在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式制造薄膜晶體管基板的方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖，圖9A至圖9D為用于詳細(xì)解釋第二掩模工序的截面圖。
首先，在具有柵極圖案的下基板142上形成柵絕緣膜144。此外，在其上形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和下數(shù)據(jù)焊盤電極136的源極/漏極圖案和包括沿源極/漏極圖案的背面彼此重疊的有源層116和歐姆接觸層146的半導(dǎo)體圖案148。利用衍射曝光掩模，通過單個掩模工序形成半導(dǎo)體圖案148和源極/漏極圖案。
更具體地說，在具有柵極圖案的下基板142上順序形成柵絕緣膜144，非晶硅層115，摻雜了n+或p+雜質(zhì)的非晶硅層145和源極/漏極金屬層105。例如，柵絕緣膜144，非晶硅層115和摻雜了雜質(zhì)的非晶硅通過PECVD形成，而源極/漏極金屬層105通過濺射形成。柵絕緣膜144由無機(jī)絕緣材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)構(gòu)成，而源極/漏極金屬層105由Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)或Cr/Al(Nd)等形成。例如，雙層的Al/Cr意味著應(yīng)當(dāng)首先形成Cr，之后形成Al。
進(jìn)一步，如圖9B所示，在源極/漏極金屬層105上形成光刻膠219，然后利用衍射曝光掩模210，通過光刻在光下曝光和顯影光刻膠219，從而提供具有臺階敷層的光刻膠圖案220。
衍射曝光掩模210包括透明石英基板212，由金屬層如Cr、CrOx等形成的遮擋層，和衍射曝光狹縫216。遮擋層214設(shè)置在具有半導(dǎo)體圖案和源極/漏極圖案的區(qū)域處以隔斷紫外線(UV)，從而在顯影后留下第一光刻膠圖案220A。衍射曝光狹縫216設(shè)置在具有薄膜晶體管的溝道的區(qū)域處以衍射UV，由此留下比第一光刻膠圖案220A更薄的第二光刻膠圖案220B。
隨后，如圖9C所示，利用具有臺階敷層的光刻膠圖案220，通過刻蝕工序?qū)υ礃O/漏極金屬層105進(jìn)行構(gòu)圖，從而在它下方提供源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案148。在該情況下，源極/漏極圖案的源極110和漏極112具有一體的結(jié)構(gòu)。
然后，如圖9D所示，利用氧(O2)等離子體，通過灰化工序，對光刻膠圖案220進(jìn)行灰化，從而使第一光刻膠圖案220A的厚度變薄并去除第二光刻膠圖案220B。此外，利用已灰化第一光刻膠圖案220A，通過刻蝕去除由去除第二光刻膠圖案所暴露出的源/漏圖案和其下方的歐姆接觸層，從而使源極110與漏極112分離并暴露出有源層116。從而，在源極110和漏極112之間設(shè)置包括有源層116的溝道。這時，源極/漏極圖案的每側(cè)沿已灰化的第一光刻膠圖案220A再次進(jìn)行更多地刻蝕，從而提供具有階式的臺階敷層的源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案148。
因此，如圖9E所示，通過剝離工序去除留在源極/漏極圖案上的光刻膠圖案220A。
圖10A和10B分別為解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的第三掩模工序的平面圖和截面圖，而圖11A至圖11E為用于詳細(xì)解釋第三掩模工序的截面圖。
通過第三掩模工序形成具有像素孔170和第一接觸孔130和第二接觸孔138的鈍化膜150；和包括像素電極118、上柵焊盤電極132和上數(shù)據(jù)焊盤電極140的透明導(dǎo)電圖案。
更具體地說，如圖11A所示，通過諸如PECVD和旋轉(zhuǎn)涂敷等技術(shù)在具有源極/漏極圖案的柵絕緣膜144上形成鈍化膜150，并且在其上形成光刻膠239。鈍化膜150由與柵絕緣膜144相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或者由有機(jī)絕緣材料如具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物、BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)構(gòu)成。
接下來，如圖11B所示，利用半色調(diào)掩模230，通過光刻使光刻膠239在光下曝光并顯影，由此形成具有臺階敷層的光刻膠圖案240。
半色調(diào)掩模230包括透明石英(SiO2)基板232，和其上形成的遮擋層234和部分透射層236。這里，遮擋層234設(shè)置在鈍化膜必須存在的區(qū)域處以隔斷紫外線(UV)，從而在顯影后留下第一光刻膠圖案240A。部分透射層236設(shè)置在具有貫穿鈍化膜150的像素孔170和第二接觸孔138的區(qū)域處以局部透射UV，從而在顯影后留下比第一光刻膠圖案240A更薄的第二光刻膠圖案240B。為了此，遮擋層234由金屬如Cr、CrOx等構(gòu)成，而部分透射層236由MoSix構(gòu)成。此外，石英基板232設(shè)置在具有貫穿鈍化膜150和柵絕緣膜144的第一接觸孔130的區(qū)域處以完全透射UV，從而防止光刻膠圖案240的存在。
隨后，如圖11C所示，利用具有臺階敷層的光刻膠圖案240，通過刻蝕工序，對鈍化膜150和柵絕緣膜144進(jìn)行構(gòu)圖，從而提供貫穿鈍化膜150和柵絕緣膜144的第一接觸孔130，以暴露出下柵焊盤電極128。
然后，如圖11C所示，利用氧(O2)等離子體，通過灰化工序，對光刻膠圖案240進(jìn)行灰化，從而使第一光刻膠圖案240A的厚度變薄并去除第二光刻膠圖案240B。此外，利用已灰化第一光刻膠圖案240A，通過干刻工序去暴露出的鈍化膜150，以提供暴露出漏極112和柵絕緣膜144的像素孔170和暴露出上數(shù)據(jù)焊盤電極136的第二接觸孔138。這里，通過鈍化膜150的過度刻蝕被灰化的第一光刻膠圖案240A的邊緣具有比鈍化膜150的邊緣更加突出的形狀。這種灰化和干刻工序在相同的腔室中相繼進(jìn)行。
接下來，如圖11D所示，通過諸如濺射等沉積技術(shù)，在具有第一光刻膠圖案240A的薄膜晶體管基板上整體地形成透明導(dǎo)電膜117。透明導(dǎo)電膜117由ITO、IO或IZO等構(gòu)成。在該情況下，沉積后在第一光刻膠圖案240A的邊緣附近具有線性的透明導(dǎo)電膜117在鈍化膜150的邊緣處具有開口，以提供剝離劑滲透通道。
然后，如圖11E所示，通過剝離工序同時去除第一光刻膠圖案240和其上的透明導(dǎo)電膜117，從而提供包括像素電極118、上柵焊盤電極132和上數(shù)據(jù)焊盤電極140的透明導(dǎo)電圖案。這時，剝離劑經(jīng)由透明導(dǎo)電膜117的開口形成的滲透通道從鈍化膜150的邊緣容易地滲入，因此可以提高剝離效率。像素電極118在像素孔170內(nèi)與鈍化膜150具有接觸面，并設(shè)置在柵絕緣膜144上以連接到漏極112。上柵焊盤電極132在第一接觸孔130內(nèi)與鈍化膜150具有接觸面，并連接到下柵焊盤電極128。上數(shù)據(jù)焊盤電極132在第二接觸孔138內(nèi)與鈍化膜150具有接觸面，并連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極136。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法利用半色調(diào)掩模形成具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極圖案和具有單層結(jié)構(gòu)的下存儲電極122。此外，它利用另一半色調(diào)掩模形成貫穿鈍化膜150的像素孔170和第二接觸孔138和貫穿鈍化膜150和柵絕緣膜144的第一接觸孔130。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法通過用于構(gòu)圖鈍化膜150的光刻膠圖案的剝離工序?qū)⑼该鲗?dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，以提供透明導(dǎo)電圖案。結(jié)果，可以通過三輪掩模工序來簡化工序。
而且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的方法制造，當(dāng)傾向于相對薄地限定相應(yīng)于相對較大區(qū)域如下存儲電極122和像素孔170的光刻膠圖案的厚度時，使用半色調(diào)掩模，而當(dāng)傾向于相對薄地限定相應(yīng)于相對較小區(qū)域如薄膜晶體管106的溝道的光刻膠圖案的厚度時，該方法使用衍射曝光掩模。從而，可以提高工序效率。
圖12為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖，圖13為在圖12中沿II-II’、III-III’和IV-IV’線得到的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖12和圖13所示的薄膜晶體管基板除了像素電極118在側(cè)面連接到通過像素孔170所暴露出的漏極112；以及上數(shù)據(jù)焊盤電極140在側(cè)面連接到通過第二接觸孔138所暴露出的下數(shù)據(jù)焊盤電極136之外，具有與圖4和圖5所示的薄膜晶體管基板相同的元件。因此，將省略對相同元件的描述。
當(dāng)包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和下數(shù)據(jù)焊盤電極136的源極/漏極圖案由可適于干刻的Mo形成時，在貫穿鈍化膜150的像素孔170和第二接觸孔138的形成之后，漏極112和下數(shù)據(jù)焊盤電極136的暴露出的部分被刻蝕。在該情況下，設(shè)置在漏極112和下數(shù)據(jù)焊盤電極136的暴露出的部分下方的半導(dǎo)體圖案也被刻蝕。從而，設(shè)置在像素孔170內(nèi)的像素電極118連接到漏極112的側(cè)面，并與留下的有源層116或柵極絕緣膜144接觸。此外，設(shè)置在第二接觸孔138內(nèi)的上數(shù)據(jù)焊盤電極140連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極136的側(cè)面，并與留下的有源層116或柵絕緣膜144接觸。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，存儲電容器的上和下電極由透明導(dǎo)電層形成，以擴(kuò)大所述兩個電極之間的重疊區(qū)域而不需要減小孔徑比，從而增加存儲電容器的電容。此外，下存儲電極與上存儲電極即像素電極重疊，其間僅具有柵絕緣膜，從而由于兩極之間的距離減小，更大地增加了存儲電容器的電容。
特別地，根據(jù)本發(fā)明，借助于半色調(diào)掩模，形成了具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極圖案和具有單層結(jié)構(gòu)的下存儲電極122。此外，借助于另一半色調(diào)掩模，形成貫穿鈍化膜150的像素孔170和第二接觸孔138和貫穿鈍化膜150和柵絕緣膜144的第一接觸孔130。此外，通過用于構(gòu)圖鈍化膜150的光刻膠圖案的剝離工序?qū)⑼该鲗?dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，以提供透明導(dǎo)電圖案。結(jié)果，可以通過三輪掩模工序來簡化工序。
另外，根據(jù)本發(fā)明，通過半色調(diào)掩模工序，柵極圖案的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有階式的不變的臺階敷層，因此通過第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的急劇傾斜可以防止引起的源極/漏極圖案的破損。
此外，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)傾向于相對薄地限定寬光刻膠圖案時使用半色調(diào)掩模，而當(dāng)傾向于相對薄地限定窄光刻膠圖案時使用衍射曝光掩模。從而，可以提高工序效率。
盡管本發(fā)明已經(jīng)通過上述附圖中所示的實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式，在不偏離本發(fā)明精神的情況下其可以具有多種變形或改進(jìn)。因此，本發(fā)明的范圍僅通過所附權(quán)利要求和其等同物來限定。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括雙層結(jié)構(gòu)的柵線，所述雙層具有第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層并具有臺階敷層；與所述柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；在所述柵線和數(shù)據(jù)線之間的柵絕緣膜；連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；限定所述薄膜晶體管的溝道并與所述數(shù)據(jù)線重疊的半導(dǎo)體層；覆蓋所述數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的鈍化膜；在貫穿所述鈍化膜的像素區(qū)的像素孔內(nèi)的柵絕緣膜上的像素電極；以及與所述像素電極重疊的存儲電容器，其間具有所述柵絕緣膜，所述存儲電容器具有從所述第一透明導(dǎo)電層延伸出的下存儲電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括柵焊盤，其包括具有雙層結(jié)構(gòu)并連接到所述柵線的下柵焊盤電極，和在貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜的接觸孔內(nèi)的上柵焊盤電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)焊盤，其包括連接到所述數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極，和在貫穿所述鈍化膜的接觸孔內(nèi)的上數(shù)據(jù)焊盤電極，其中所述半導(dǎo)體層與下數(shù)據(jù)焊盤電極重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述像素電極通過像素孔基本上側(cè)向地連接到所述漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述上數(shù)據(jù)焊盤電極通過接觸孔基本上側(cè)向地連接到所述下數(shù)據(jù)焊盤電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述柵極連接到柵線。
7.一種液晶顯示器件的制造方法，包括利用第一掩模，在基板上形成包括具有透明導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu)的柵線和柵極，和包括具有透明導(dǎo)電層的下存儲電極的柵極圖案；形成覆蓋柵極圖案的柵絕緣膜，并利用第二掩模在柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體層和源極/漏極層；以及利用第三掩模形成具有像素孔的鈍化膜以及在像素孔內(nèi)的柵絕緣膜上形成連接到漏極并與下存儲電極重疊的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一掩模包括第一半色調(diào)掩模。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二掩模包括衍射曝光掩模。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三掩模包括第二半色調(diào)掩模。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成柵線和柵極的步驟包括在基板上形成為透明導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層；利用第一掩模，通過光刻在所述第二導(dǎo)電層上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；通過采用第一和第二光刻膠圖案利用刻蝕對第一和第二導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖來形成柵線、柵極和下存儲電極；利用第一光刻膠圖案，通過刻蝕去除下存儲電極上的第二導(dǎo)電層；以及去除所述第一光刻膠圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，利用刻蝕，所述第二導(dǎo)電層保留在下存儲電極上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在形成柵線、柵極和下存儲電極后，利用灰化使第一光刻膠圖案變薄以及去除第二光刻膠圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與半導(dǎo)體層重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述下存儲電極從柵線的第一導(dǎo)電層延伸出。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成柵線和柵極的步驟進(jìn)一步包括形成連接到柵線的下柵焊盤電極；以及其中所述形成鈍化膜的步驟進(jìn)一步包括通過暴露出下柵焊盤電極形成貫穿鈍化膜和柵絕緣膜的接觸孔，在接觸孔內(nèi)形成連接到下柵焊盤電極的上柵焊盤電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述下柵焊盤電極包括雙層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成柵絕緣膜的步驟進(jìn)一步包括形成連接到數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極，以及形成鈍化膜進(jìn)一步包括形成通過鈍化膜的第二接觸孔和在第二接觸孔內(nèi)連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極的上數(shù)據(jù)焊盤電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述形成鈍化膜的步驟包括在源極和漏極上形成鈍化膜；利用第二掩模，通過光刻在鈍化膜上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；利用第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，通過刻蝕形成第一接觸孔；利用第一光刻膠圖案，通過刻蝕形成像素孔和第二接觸孔；在所述第一光刻膠圖案上形成透明導(dǎo)電層；以及通過利用剝離工序去除第一光刻膠圖案和透明導(dǎo)電層來形成具有像素電極、上柵焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極的透明導(dǎo)電圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過灰化使第一光刻膠圖案變薄和在形成第一接觸孔后去除第二光刻膠圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括形成漏極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的暴露部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述像素電極基本上側(cè)向地連接到漏極。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述上數(shù)據(jù)焊盤電極基本上側(cè)向地連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括刻蝕位于漏極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的暴露部分的下方半導(dǎo)體層。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成像素孔和第二接觸孔的步驟包括過度刻蝕鈍化膜使得第一光刻膠圖案的邊緣比鈍化膜的邊緣更加突出。
26.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有不變的臺階敷層。
全文摘要
一種薄膜晶體管基板及其制造方法，可以簡化工序以及擴(kuò)大存儲電容器的電容量，而不需要減小孔徑比。構(gòu)成柵線的雙層結(jié)構(gòu)的透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層形成為具有臺階敷層。像素電極設(shè)置在所述貫穿鈍化膜的像素區(qū)的像素孔內(nèi)的柵絕緣膜上，并連接到薄膜晶體管。存儲電容器與像素電極重疊，其間具有柵絕緣膜，所述存儲電容器具有從第一導(dǎo)電層延伸出的下存儲電極。
文檔編號H01L29/04GK1702531SQ20051007228
公開日2005年11月30日 申請日期2005年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月27日
發(fā)明者安炳喆 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社