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      具有發(fā)光二極管的白光裝置的制作方法

      文檔序號:6851950閱讀:159來源:國知局
      專利名稱:具有發(fā)光二極管的白光裝置的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明是有關于一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode;簡稱LED)發(fā)光裝置,特別是涉及一種具有螢光粉(phosphor)且可發(fā)出高演色性(Color Rendering Index;簡稱CRI)白光的發(fā)光裝置,用于仿日光的照明設備、照相機的閃光燈、車燈等需使用白光光源的裝置。
      背景技術
      一般照明用日光燈產生的白光,多采用稀土族螢光粉體,所以其產生的白光主要是由分布在藍(blue;波長452nm)、綠(green;波長543nm)、紅(red;波長611nm)三原色波長附近狹窄的光譜組合而成,而在三原色間光譜的比例甚少,如青色(cyan)和黃色(yellow)的光譜。因此一般照明用日光燈無法產生如太陽光的連續(xù)光譜,致使其演色性不足,所以當上述日光燈用于閱讀時,其舒適性不佳;而用于照相時,也無法使被攝物體產生柔美的色彩。
      另外,隨著行動電話、個人數字助理器的發(fā)展,內建數字相機已成為一種趨勢,而為了提供數字相機照像時的照明,一般是隨數字相機內建有一低耗電的白光發(fā)光元件做為光源,前述白光發(fā)光組件基本上是由一可產生藍光的發(fā)光二極管和一螢光粉物質所組成。螢光粉物質受發(fā)光二極管的藍光激發(fā)而產生以黃色為主的光,偏黃色的光與前述發(fā)光二極管的藍光混合后而發(fā)出白光。例如美國專利第5,998,925號發(fā)明專利揭示此種利用發(fā)光二極管和螢光粉物質的白光發(fā)光元件,此種白光發(fā)光元件雖具有省電、體積小的優(yōu)點,但其所產生的白光偏寒,紅光部份能量的比例不高,導致照相效果不佳。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明的主要目的,是在于提供一種具有省電、體積小且良好演色性的白光裝置。
      于是,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置包含一承載單元、至少一連接該承載單元并可產生一第一輻射的第一發(fā)光二極管、至少一連接該承載單元并可產生一第二輻射和一第三輻射的第二發(fā)光二極管,及一配置于該承載單元且可受一激發(fā)輻射的激發(fā)而產生一第四輻射的光激發(fā)光體,該第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射混合而射出白光。
      該承載單元用以連接至一外部電源,以提供該第一、第二發(fā)光二極管作動所需的電流。適用于本發(fā)明的承載單元可為一印刷電路板、復數可導電的金屬,或是以半導制程技術制成的基板。
      較佳地,該第一發(fā)光二極管產生的第一輻射為紅光,該第二發(fā)光二極管產生的第二輻射為綠光,產生的第三輻射為藍光。而第一輻射的波長范圍較佳地介于575nm至700nm間,第二輻射的波長范圍較佳地介于495nm至560nm間,第三輻射的波長范圍較佳地介于400nm至495nm間。使該光激發(fā)光體激發(fā)而產生第四輻射的激發(fā)輻射,較佳地為該第二發(fā)光二極管所產生的第三輻射。
      另一方面,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置還包含一可產生一第五輻射的第三發(fā)光二極管,此時使該光激發(fā)光體激發(fā)而產生第四輻射的激發(fā)輻射,較佳地為該第三發(fā)光二極管所產生的第五輻射。較佳地,該第五輻射的波長小于495nm。
      適用于本發(fā)明的該光激發(fā)光體為發(fā)射波長介于540nm至600nm間的R3(Al(1-x),Gax)5O12:Ce,R是一選自于下列元素所組成的群組Y、Tb、Gd、Lu、La、Sm及此等的一組合,而x大于或等于零,且小于或等于1。較佳地,R為Y元素或Tb元素,也就是該光激發(fā)光體可為釔鋁石榴石(YAG:Ce)或鋱鋁石榴石(TbAG:Ce)。


      下面結合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明圖1是一本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第一實施例的剖面示意圖,說明該第一實施例中,一光激發(fā)光體包覆一第一發(fā)光二極管和一第二發(fā)光二極管的態(tài)樣;圖2是該第一實施例中,該第二發(fā)光二極管的剖面結構示意圖;圖3是該第一實施例的第二發(fā)光二極管中,一具有山形結構發(fā)光層的剖面示意圖,說明該山形結構是由連續(xù)的山峰和山谷所形成;圖4是該第一實施例的光譜圖;圖5是一本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第二實施例的剖面示意圖,說明一光激發(fā)光體包覆一第三發(fā)光二極管,而一第一發(fā)光二極管和一第二發(fā)光二極管設置于同一凹槽的態(tài)樣;圖6是一本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第三實施例的剖面示意圖,說明一光激發(fā)光體包覆一第三發(fā)光二極管,而一第一發(fā)光二極管和一第二發(fā)光二極管分別設置于不同凹槽的態(tài)樣;圖7是該第三實施例中,該光激發(fā)光體包覆該第三發(fā)光二極管的另一種態(tài)樣;圖8是一本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第四實施例的剖面示意圖,說明一光激發(fā)光體同時包覆復數第一發(fā)光二極管和復數第二發(fā)光二極管的態(tài)樣;圖9是一本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第五實施例的剖面示意圖,說明一光激發(fā)光體涂布于一透明中空殼體的內側面的態(tài)樣。
      具體實施例方式
      為了方便說明,以下的實施例,類似的元件以相同的標號表示。
      參閱圖1,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第一實施例包含一承載單元3、一一可產生第一輻射的第一發(fā)光二極管4、一可產生第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管5,及一光激發(fā)光體6。
      該承載單元3包括一承載本體31、二由該承載本體31向上延伸的電極32,及一固設于所述電極32上的第一承載座33。該第一承載座33具有一形成于頂面的凹槽331,所述電極32由該第一承載座33的側面分別穿設進入該第一承載座33并與該凹槽331連通。而該第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5皆設置于該凹槽331中,并分別電連接所述電極32。該光激發(fā)光體6則設置于該凹槽331中并包覆該第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5。
      當該承載單元3外接至一電源時,該電源提供的電流可經由該承載單元3而致能該第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5,并使得該第一發(fā)光二極管4發(fā)射第一輻射,且使得該第二發(fā)光二極管5發(fā)射第二輻射和第三輻射。其中,第三輻射激發(fā)該光激發(fā)光體6,并使該光激發(fā)光體6產生第四輻射。此時,第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射混合而由該第一承載座33的頂面射出白光。
      在本實例中,該承載本體31為一印刷電路板,該第一發(fā)光二極管4為一可發(fā)射紅光的發(fā)光二極管,而該光激發(fā)光體6為一可受藍光激發(fā)而產生黃光的螢光粉為(Y0.4Gd0.6)3Al5O12:Ce。
      參閱圖2、3,本發(fā)明可產生第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管5依序具有一基板52、一緩沖層53、一n型披覆層(cladding layer)54、一第一發(fā)光層55、一第二發(fā)光層56、一p型披覆層57、一p側接觸層58,及一p型電極511。該第二發(fā)光二極管5更具有一形成于n型披覆層54上的n側接觸層59及一形成于該n側接觸層59上的n型電極512。
      該第二發(fā)光層56包括一載子局限膜562,而該載子局限膜562具有一位于下方的第一面564和一相反的第二面565。該第二發(fā)光層56還包括一由該第一面564向遠離該載子局限膜562方向延伸的下阻障膜561,及一由該第二面565向遠離該載子局限膜562方向延伸的上阻障膜563。該第二面565具有連續(xù)的山峰567與山谷568形狀,而所述山峰567和山谷568構成一山形結構569。
      對于兩相鄰山峰567’、567”而言,山峰567’中相對較高的頂部5671’與其相鄰的山峰567”中相對較高的頂部5671”的最短距離定義為徑長D,也就是定義被前述兩相鄰山峰567’、567”所圍繞的山谷568’的徑長D。另外,所述山谷568底部至第一面564的距離定義為H,且0≤H≤2nm;由此可知,山峰567’中相對較低的鞍部5672’則不可稱為山谷。山形結構569縱剖面的長度定義為L。據此,一具有山形結構的發(fā)光層的密度定義為在發(fā)光層徑長內的所有山形結構徑長的總和與該發(fā)光層徑長的比值;也就是該第二發(fā)光層56的密度等于(D1+D2+D3+D4+D5+D6+D7)/L。而該第二發(fā)光層56的密度較佳地介于5%至75%間。
      該載子局限膜562所使用材質的能障(energy gap)必須小于該上阻障膜563和該下阻障膜561的能障。在本實施例中,該載子局限膜562為含有銦且化學式為Al(1-x-y)InyGaxN的材料所制成,其中,x≥0,y>0,(1-x-y)≥0。該上阻障膜563和該下阻障膜561的材質則為氮化鎵。
      因此,該第二發(fā)光層56借由調整x和y的比例而發(fā)射出第三輻射,也就是藍光,并可利用山形結構569的密度來調整發(fā)射的光強度;在本實施例中,該第二發(fā)光層56的密度等于38%。
      同樣地,該第一發(fā)光層55如該第二發(fā)光層56的包括有相同材質所制成的一下阻障膜551、一具有山形結構559的載子局限膜552,及一上阻障膜553。該第二發(fā)光層55也可借由調整x和y的比例而發(fā)射第二輻射,也就是綠光,并也可利用山形結構559的密度調整發(fā)射光的強度;在本實施例中,該第一發(fā)光層55的密度等于8%。
      值得一提的是,除了利用山形結構559、569的密度分別來調整該第一發(fā)光層55和第二發(fā)光層56所分別產生的第二輻射和第三輻射的強度比例外,也可成長復數該第一發(fā)光層55或第二發(fā)光層56以增加亮度或調控比例。另外,緊鄰該p型披覆層57的該第二發(fā)光層56須具有山形結構569,但是該第一發(fā)光層55則可以是以量子井(quantum well)結構取代山形結構559的發(fā)光層。
      在本實施例中,該基板52為透光的藍寶石基板。該緩沖層53為依序由一低溫成長的氮化鎵膜、一高溫成長的氮化硅膜和一高溫成長的氮化鎵所構成的三明治結構(圖未示)所構成。該n型披覆層54為n型氮化銦鎵半導體層。該p型披覆層57為一p型氮化銦鎵半導體層。該p側接觸層58為一透明且用以均勻擴散注入電流的銦錫氧化物(Indium Tin Oxidation;簡稱ITO)層。該n側接觸層59為鉻(Cr)金屬制成的歐姆接觸層。
      圖4為本發(fā)明第一實施例的光譜圖,由圖可知,該第一發(fā)光二極管4產生的第一輻射(紅光)的波峰約在650nm附近,而該第二發(fā)光二極管5產生的第二輻射(綠光)和第三輻射(藍光)的波峰則分別在530nm和460nm附近,且該光激發(fā)光體6產生的第四輻射(黃光)的波峰約在575nm附近,由上述四輻射的合成,可發(fā)射出一具有良好演色性的白光。由于本實施例利用了黃色系列的螢光粉,其波寬涵括的范圍廣,恰可補足以往日光燈中黃光亮度不足的缺點,或者是白光發(fā)光元件中紅光不足的缺點;而利用單一晶粒上可同時產生不同波長范圍輻射的第二發(fā)光二極管5,更具有縮小體積、省電的功用,而且運用在手持式數字相機中,更可延長其待機時間,并對于人體皮膚的成像產生良好的拍攝效果。
      參閱圖5,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第二實施例包含一承載單元2、一可產生第一輻射的第一發(fā)光二極管4、一可產生第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管5、一可產生一第四輻射的第三發(fā)光二極管7,及一光激發(fā)光體6。
      該承載單元2包括一承載本體21、四由該承載本體21向上延伸的電極22、一固設于所述電極22其中二相鄰電極22上的第二承載座23,及一固設于所述電極22另外二相鄰電極22上的第三承載座24。該第二承載座23具有一形成于頂面的凹槽231,所述電極22由該第二承載座23的側面分別穿設進入該第二承載座23并與該凹槽231連通。而該第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5皆設置于該凹槽231中,并分別電連接所述電極22。該第三承載座24具有一形成于頂面的凹槽241,另外二電極22由該第二承載座24的側面分別穿設進入該第二承載座24并與該凹槽241連通。而該第三發(fā)光二極管7設置于該凹槽241中,并分別電連接所述電極22。該光激發(fā)光體6則設置于該凹槽241中并包覆該第三發(fā)光二極管7。
      當該承載單元2外接至一電源時,該電源提供的電流可經由該承載單元2而致能該第一發(fā)光二極管4、第二發(fā)光二極管5和第三發(fā)光二極管7,并使得該第一發(fā)光二極管4發(fā)射第一輻射,而使該第二發(fā)光二極管5發(fā)射第二輻射和第三輻射,而使該第三發(fā)光二極管7發(fā)射第五輻射。其中,第五輻射激發(fā)該光激發(fā)光體6,并使該光激發(fā)光體6產生一第四輻射。此時,第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射混合而射出白光。
      在本實例中,該承載本體21為一印刷電路板,該第一發(fā)光二極管4產生的第一輻射為紅光,該第二發(fā)光二極管5產生的第二輻射和第三輻射分別為綠光和藍光,該第三發(fā)光二極管7產生的第五輻射為藍光,而該光激發(fā)光體6為一可受藍光激發(fā)而產生黃光的螢光粉Tb3Al5O12:Ce。
      值得一提的是,上述第二發(fā)光二極管5產生的第三輻射可以調整成偏青色的藍光,而同時選用可產生藍光的第三發(fā)光二極管7,并配合可受該第三發(fā)光二極管7的藍光激發(fā)而產生黃光的光激發(fā)光體6,也可以合成具有高演色性的白光。借由調整、選擇上述第一、第二、第三發(fā)光二極管4、5、7的數量和波長,并配合相對應的光激發(fā)光體6,可以得到不同色溫的白光,并應用于需要不同感覺的照明環(huán)境,例如辦公室、嬰兒房、汽車車燈或照明燈。
      參閱圖6,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第三實施例類似于第二實施例,所不同的是,第三實施例的承載單元1包括一承載本體11、六由該承載本體11向上延伸的電極12、一固設于所述電極12其中二相鄰電極12上的第四承載座13、一固設于所述電極12其中二相鄰電極12上的第五承載座14,及一固設于所述電極12其中二相鄰電極12上的第六承載座15。
      該第四承載座13具有一形成于頂面的凹槽131,所述電極12由該第四承載座13的側面分別穿設進入該第四承載座13并與該凹槽131連通;而該第一發(fā)光二極管4設置于該凹槽131中,并分別電連接所述電極12。該第五承載座14具有一形成于頂面的凹槽141,所述電極12由該第五承載座14的側面分別穿設進入該第五承載座14并與該凹槽141連通;而該第二發(fā)光二極管5設置于該凹槽141中,并分別電連接所述電極12。該第六承載座15具有一形成于頂面的凹槽151,所述電極12由該第六承載座15的側面分別穿設進入該第六承載座15并與該凹槽151連通;而該第三發(fā)光二極管7設置于該凹槽141中,并分別電連接所述電極12。該光激發(fā)光體6則設置于該第六承載座15的凹槽151中并包覆該第三發(fā)光二極管7。
      值得一提的是,該承載單元1的第六承載座15也可是如圖7所示的為一如樹脂(resin)的透明物質所制成的第六承載座15’,而該第六承載座15’包覆有該光激發(fā)光體6和該第三發(fā)光二極管7,且所述電極12’穿設該第六承載座15’并與該第三發(fā)光二極管7電連接。
      參閱圖8,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第四實施例包含一承載單元9、復數可產生第一輻射的第一發(fā)光二極管4、復數可分別產生第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管5,及一光激發(fā)光體6。
      該承載單元9包括一承載本體91和一由該承載本體91頂面向上延伸的中空環(huán)形壁92,兩者彼此界定一凹槽93。所述第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5設置于該凹槽93中,并分別固設且電連接該承載本體91的頂面。該光激發(fā)光體6設置于該凹槽93中,并包覆所述第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5。
      當該承載單元9外接至一電源時,該電源提供的電流可經由該承載單元9而致能所述第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5,并使得該第一發(fā)光二極管4發(fā)射第一輻射,并使該第二發(fā)光二極管5發(fā)射第二輻射和第三輻射。其中,第三輻射激發(fā)該光激發(fā)光體6,并使該光激發(fā)光體6產生一第四輻射。此時,第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射混合而射出白光。
      在本實例中,該承載本體91為一印刷電路板,該中空環(huán)形壁92為一透明樹脂,該第一發(fā)光二極管4產生的第一輻射為紅光,該第二發(fā)光二極管5產生的第二輻射和第三輻射分別為綠光和藍光,而該光激發(fā)光體6為一可受藍光激發(fā)而產生黃光的螢光粉。值得一提的是,為提升該光激發(fā)光體6的發(fā)光亮度,該第四實施例更可包含至少一設置于該凹槽93中且電連接該承載本體91的發(fā)光二極管(圖未示),前述發(fā)光二極管產生一可激發(fā)該光激發(fā)光體6的第五輻射,借此增加該光激發(fā)光體6所產生的第四輻射的亮度。
      參閱圖9,本發(fā)明具有發(fā)光二極管的白光裝置的第五實施例包含一承載單元8、一可產生第一輻射的第一發(fā)光二極管4、一可產生第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管5、一可產生第四輻射的第三發(fā)光二極管7,及一光激發(fā)光體6。
      該承載單元8包括一中空長圓柱形的透明殼體81、二封設于該殼體81兩端的第一承載本體82和第二承載本體83,三者彼此界定出一容置空間84。該承載單元8還包括二分別由該第一承載本體82向該容置空間84方向延伸的電極85、二分別由該第二承載本體83向該容置空間84方向延伸的電極86、一固設于所述電極85的第七承載座87,及一固設于所述電極86的第八承載座88。
      該第七承載座87具有一與該容置空間84連通的凹槽871,所述電極85分別穿設進入該第七承載座87后與該凹槽871連通;而該第一發(fā)光二極管4和第二發(fā)光二極管5皆設置于該凹槽871中,并分別電連接所述電極85。該第八承載座88具有一與該容置空間84連通的凹槽881,所述電極86分別穿設進入該第八承載座88后與該凹槽881連通;而該第三發(fā)光二極管7設置于該凹槽881中,并分別電連接所述電極86。該光激發(fā)光體6涂布于該殼體81鄰該容置空間84的內側面上。
      當該承載單元8的第一承載本體82和第二承載本體83外接至一電源時,該電源提供的電流可致能該第一發(fā)光二極管4、第二發(fā)光二極管5和第三發(fā)光二極管7,而使得該第一發(fā)光二極管4發(fā)射第一輻射,而使該第二發(fā)光二極管5發(fā)射第二輻射和第三輻射,而使該第三發(fā)光二極管7發(fā)射第五輻射。其中,第五輻射或第三輻射可激發(fā)該光激發(fā)光體6,并使該光激發(fā)光體6產生一第四輻射。此時,第一輻射、第二輻射、第三輻射、第四輻射,或配合第五輻射,而于混合后成為白光,并由穿過該透明殼體81后射出。
      在本實例中,該第一承載本體82和第二承載本體83為印刷電路板,該第一發(fā)光二極管4產生的第一輻射為紅光,該第二發(fā)光二極管5產生的第二輻射和第三輻射分別為綠光和藍光,該第三發(fā)光二極管7產生的第五輻射為紫外光或藍光,而該光激發(fā)光體6則為一可受紫外光或藍光激發(fā)而產生黃光的螢光粉。
      綜觀上述,本發(fā)明的構造特征,使用該第一發(fā)光二極管4、第二發(fā)光二極管5和光激發(fā)光體6,并利用前述三者所產生不同頻譜的輻射而合成白光,使得合成白光的組分,涵括了不同波長范圍輻射,而具有良好的演色性。另外,由于該第二發(fā)光二極管5在同一晶粒上可產生不同波長的輻射,因此也可降低晶粒的使用顆數與損耗的功率,進而節(jié)省體積與成本。再者,利用發(fā)光二極管發(fā)射的輻射來激發(fā)涂布于透明殼體81的該光激發(fā)光體6,與以往日光燈管的需要較高的起動電壓和維持電壓相比較,可進一步的減少耗電量。
      權利要求
      1.一種具有發(fā)光二極管的白光裝置,包含一用以連接一電源的承載單元、至少一可發(fā)射一第一輻射的第一發(fā)光二極管及一光激發(fā)光體,其特征在于,該具有發(fā)光二極管的白光裝置還包含至少一第二發(fā)光二極管,該第二發(fā)光二極管連接該承載單元并可發(fā)射一第二輻射和一第三輻射,該第二輻射和該第三輻射的波長范圍不相同,該第一發(fā)光二極管連接該承載單元,該光激發(fā)光體,配置于該承載單元,受一激發(fā)輻射的激發(fā)而發(fā)射一第四輻射,該第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射混合成白光。
      2.如權利要求1所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該第二發(fā)光二極管包括一p型披覆層、一n型披覆層、一夾設于該p型披覆層和該n型披覆層間且可產生該第二輻射的第一發(fā)光層,及一夾設于該p型披覆層和該n型披覆層間且可產生該第三輻射的第二發(fā)光層,該第二發(fā)光層連接該p型披覆層,并具有一下阻障膜、一形成于該下阻障膜上的載子局限膜、一形成于該載子局限膜上的上阻障膜,該載子局限膜具有一由連續(xù)的山峰和山谷所構成的山形結構,該載子局限膜的能障小于該上阻障膜和該下阻障膜的能障。
      3.如權利要求2所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該載子局限膜是一以化學式為Al(1-x-y)InyGaxN的材料所制成,且x大于或等于零,y大于零,(1-x-y)大于或等于零。
      4.如權利要求3所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于所述發(fā)光層中具有山形結構的發(fā)光層的密度介于5%至75%間,該發(fā)光層的密度定義為所有山形結構的徑長總和與該發(fā)光層的徑長的比值。
      5.如權利要求2所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該光激發(fā)光體受該第二發(fā)光二極管的第三輻射的激發(fā)而發(fā)射第四輻射。
      6.如權利要求2所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,還包含一可產生一第五輻射的第三發(fā)光二極管,該光激發(fā)光體受該第五輻射的激發(fā)而發(fā)射第四輻射。
      7.如權利要求4所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該第一發(fā)光二極管的第一輻射的波長范圍落在575奈米至700奈米間,該第二發(fā)光二極管的第二輻射的波長范圍落在495奈米至560奈米間,該第二發(fā)光二極管的第三輻射的波長范圍落在400奈米至495奈米間。
      8.如權利要求6所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該第三發(fā)光二極管的第五輻射波長小于495奈米。
      9.如權利要求2所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該光激發(fā)光體為發(fā)射的波長從540nm至600nm。
      10.如權利要求9所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該光激發(fā)光體為R3(Al(1-x),Gax)5O12:Ce,R是一選自于下列元素所組成的群組Y、Tb、Gd、Lu、La、Sm,及此等的一組合,其特征在于x大于或等于零,且小于或等于1。
      11.如權利要求10所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該光激發(fā)光體為YAG:Ce或TbAG:Ce。
      12.如權利要求3所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該承載單元包括一用以連接至該電源的承載本體、二連接該承載本體的電極,及一連接所述電極的承載座,該承載座具有一與外界連通的凹槽,該第一發(fā)光二極管和該第二發(fā)光二極管設置于該凹槽中,并分別電連接所述電極,該光激發(fā)光體設置于該凹槽中并包覆該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管。
      13.如權利要求3所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,還包含一可產生一第五輻射的第三發(fā)光二極管,該光激發(fā)光體受該第五輻射的激發(fā)而發(fā)射第四輻射,該承載單元包括一用以連接至該電源的承載本體、復數連接該承載本體的電極,及至少一連接所述電極的承載座,該承載座具有一與外界連通的凹槽,該第三發(fā)光二極管設置于該凹槽中,并分別電連接與該承載座相連接的所述電極,該光激發(fā)光體設置于該凹槽中并包覆該第三發(fā)光二極管。
      14.如權利要求3所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,其特征在于該承載單元包括一界定有一容置空間的透明殼體、一連接該殼體的承載本體,及復數電極,該第一發(fā)光二極管和該第二發(fā)光二極管設置于該容置空間,該光激發(fā)光體涂布于該殼體鄰該容置空間的一側面。
      15.如權利要求14所述的具有發(fā)光二極管的白光裝置,還包含一設置于該容置空間且可產生一第五輻射的第三發(fā)光二極管,該光激發(fā)光體受該第五輻射的激發(fā)而發(fā)射第四輻射。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種具有發(fā)光二極管的白光裝置,包含一用以連接一電源的承載單元、至少一連接該承載單元并可發(fā)射第一輻射的第一發(fā)光二極管、至少一連接該承載單元并可發(fā)射第二輻射和第三輻射的第二發(fā)光二極管,及一配置于該承載單元并可受激發(fā)輻射的激發(fā)而發(fā)射第四輻射的光激發(fā)光體,第一輻射、第二輻射、第三輻射和第四輻射的波長范圍不相同,彼此合成而輸出白光。
      文檔編號H01L25/075GK1881627SQ200510077009
      公開日2006年12月20日 申請日期2005年6月13日 優(yōu)先權日2005年6月13日
      發(fā)明者陳政權 申請人:新世紀光電股份有限公司
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