專利名稱：擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極體，其特別有關(guān)于擴(kuò)張光線照射面積的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
按，照明設(shè)備的發(fā)展以來，其中，使用最為頻繁的設(shè)備，莫過于采用鎢絲燈泡所制成的照明設(shè)備，然由于鎢絲燈泡的功率較大，常需消耗較多的電力，為此，各國產(chǎn)、學(xué)、研界專家學(xué)者莫不積極研究，以改善鎢絲燈泡所產(chǎn)生之缺失，為此，發(fā)光二極體(Light Emitting Diode；LED)即在此需求下因應(yīng)而生。
發(fā)光二極體是半導(dǎo)體材料制成的元件，也是一種微細(xì)的固態(tài)光源，其系可將電能轉(zhuǎn)換為光，不但體積小，壽命長、驅(qū)動電壓低、反應(yīng)速率快、耐震性特佳，且能夠配合各種應(yīng)用設(shè)備的輕、薄及小型化的需求，事實(shí)上，發(fā)光二極體目前已廣泛地使用在我們?nèi)粘Ｉ钪茉猓绺鞣N室內(nèi)顯示照明、鍵盤功能鍵的訊號顯示燈、汽車煞車燈、戶外資訊看板或交通號志等。
發(fā)光二極體雖具上述所提及的各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，但請參閱圖1，其為習(xí)知的表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖，如圖所示，其是揭露一表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體10’，由于該表面粘著型發(fā)光二極體10’的一發(fā)光二極體晶片20’的光線投射角度較為窄小，因此光線30’常集中于中間部份，導(dǎo)致其周圍呈現(xiàn)黑暗狀，以致無法擴(kuò)張發(fā)光二極體的光線照射面積，此外，當(dāng)使用發(fā)光二極體所制成之照明設(shè)備，欲產(chǎn)生較佳的光線照射范圍與照明效果時(shí)，由于發(fā)光二極體光線照射面積較為窄小，則勢必需于照明設(shè)備內(nèi)安裝更多發(fā)光二極體，如此一來，于使用照明設(shè)備時(shí)，反而產(chǎn)生較多電力的耗費(fèi)。
因此，如何提出一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，以改善傳統(tǒng)無法擴(kuò)張發(fā)光二極體的光線照射面積的缺點(diǎn)，又可達(dá)成省電的目的，長久以來一直是使用者殷切盼望及本發(fā)明人努力之所在，而本創(chuàng)作人基于多年從事于規(guī)劃發(fā)光二極體的相關(guān)研究，窮其個(gè)人專業(yè)知識，終于研究出一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體改良，可解決上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其是提供擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的次要目的，在于提供一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其可適用于各類型封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體。
為達(dá)上述的目的及優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其是設(shè)置一遮蔽層于一發(fā)光二極體晶片的一出射面上方，且該遮蔽層的長度是大于、等于或小于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度，藉此，透過該遮蔽層使該發(fā)光二極體晶片射出的光線產(chǎn)生繞射，以讓采用不同封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體可擴(kuò)張其照射面積。


圖1其為習(xí)知的表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖；圖2其為本創(chuàng)作的一較佳實(shí)施例的表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖；圖3其為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖；圖4其為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例燈泡型發(fā)光二極體的示意圖；圖5其為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例燈泡型發(fā)光二極體的示意圖；圖6其為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例印刷電路板型發(fā)光二極體的示意圖；圖7其為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例印刷電路板型發(fā)光二極體的示意圖。
圖號說明10’ 表面粘著型的發(fā)光二極體 20’ 發(fā)光二極體晶片30’ 光線10 發(fā)光二極體晶片12 出射面14 導(dǎo)線16 表面粘著型內(nèi)部電極18 封裝體 20 遮蔽層實(shí)施方式茲為使貴審查員對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，謹(jǐn)佐以較佳的實(shí)施例及配合詳細(xì)的說明，說明如后基于習(xí)知技術(shù)無法擴(kuò)張發(fā)光二極體的光線照射面積，而需加設(shè)更多發(fā)光二極體，以致照明設(shè)備產(chǎn)生電力消耗較大的缺失，故，本發(fā)明提供一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，以解決上述提及的問題。
本發(fā)明是用于擴(kuò)張發(fā)光二極體的光線照射面積，以下是以表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體、燈泡型(Lamp)發(fā)光二極體以及印刷電路板型(PCB)發(fā)光二極體為例作為說明，本發(fā)明并不拘限于前述提及的封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體，本發(fā)明是可適用于各類型封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體。
請參閱圖2與圖3，圖2為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖，圖3為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖，如圖所示，本發(fā)明包含有一發(fā)光二極體晶片10；以及一遮蔽層20，其是設(shè)于該發(fā)光二極體晶片10的一出射面12上方，或者該遮蔽層20是可設(shè)于一封裝體18上方，其中，該遮蔽層20的長度是大于該發(fā)光二極體晶片10的該出射面12的長度，當(dāng)該發(fā)光二極體晶片10射出光線至該遮蔽層20時(shí)，會產(chǎn)生光線繞射(Diffraction)，以擴(kuò)張?jiān)摪l(fā)光二極體的光線照射面積，在此實(shí)施例中，本發(fā)明是以該遮蔽層20的長度大于該發(fā)光二極體晶片10的該出射面12的長度為例，該遮蔽層20的長度亦可等于或小于該發(fā)光二極體晶片10的該出射面12的長度，其結(jié)構(gòu)是與圖2及圖3所述的結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。
上述的該遮蔽層20是可為一導(dǎo)電材質(zhì)，可選自金、銀、銅、鋁或其合金或復(fù)合物，藉此，當(dāng)一導(dǎo)線14與一SMD電極16產(chǎn)生電性連接時(shí)，由于該遮蔽層20為導(dǎo)電材質(zhì)，因此可經(jīng)由該遮蔽層20導(dǎo)電至該發(fā)光二極體晶片10，以射出光線。
此外，請同時(shí)參閱圖4至圖7，圖4與圖5為本發(fā)明運(yùn)用于燈泡型發(fā)光二極體的示意圖，圖6與圖7為本發(fā)明運(yùn)用于印刷電路板型發(fā)光二極體的示意圖，如圖所示，本發(fā)明是設(shè)置與該遮蔽層20至一燈泡型發(fā)光二極體的發(fā)光二極體晶片10的出射面12上方，或者設(shè)置該遮蔽場20至一印刷電路板型發(fā)光二極體的發(fā)光二極體晶片10的出射面12上方，當(dāng)該發(fā)光二極體晶片10射出光線時(shí)，經(jīng)由該遮蔽層20產(chǎn)生光線繞射，以擴(kuò)張燈泡型發(fā)光二極體或印刷電路板型發(fā)光二極體的光線照射面積。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其是藉由該發(fā)光二極體晶片與該遮蔽層的配合，以透過光線繞射原理，擴(kuò)張發(fā)光二極體的照射面積。此外，本發(fā)明可供不同封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體擴(kuò)張光線照射面積并增強(qiáng)光線亮度，且亦可減少照明設(shè)備內(nèi)發(fā)光二極體的使用，以達(dá)成省電的目的。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及原理的等變化與修飾，均應(yīng)包含于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，該結(jié)構(gòu)包含一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面上方；其中，該遮蔽層的長度大于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
2.如申請專利范圍第1項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體上方。
3.如申請專利范圍第1項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該發(fā)光二極體晶片是可采用燈泡型(Lamp)、印刷電路板型(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
4.如申請專利范圍第1項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
5.如申請專利范圍第4項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該導(dǎo)電材質(zhì)可為金、銀、銅、鋁或其合金或復(fù)合物。
6.一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，該結(jié)構(gòu)包含一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面上方；其中，該遮蔽層的長度小于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
7.如申請專利范圍第6項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體上方。
8.如申請專利范圍第6項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該發(fā)光二極體晶片可采用燈泡型(Lamp)、印刷電路板型(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
9.如申請專利范圍第6項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
10.如申請專利范圍第9項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該導(dǎo)電材質(zhì)可為金、銀、銅、鋁或其合金或復(fù)合物。
11.一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，該結(jié)構(gòu)包含一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面上方；其中，該遮蔽層的長度等于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
12.如申請專利范圍第11項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體上方。
13.如申請專利范圍第11項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該發(fā)光二極體晶片可采用燈泡型(Lamp)、印刷電路板型(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
14.如申請專利范圍第11項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該遮蔽層可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
15.如申請專利范圍第14項(xiàng)所述的擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其中，該導(dǎo)電材質(zhì)可為金、銀、銅、鋁或其合金或復(fù)合物。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種擴(kuò)張照射面積的發(fā)光二極體，其是揭露一發(fā)光二極體晶片以及一遮蔽層，其中，該遮蔽層設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面上方，且該遮蔽層的長度是大于、等于或小于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度，藉此，經(jīng)由該遮蔽層使該發(fā)光二極體晶片射出的光線產(chǎn)生繞射，以擴(kuò)張發(fā)光二極體的照射面積。
文檔編號H01L33/00GK1885574SQ20051007740
公開日2006年12月27日 申請日期2005年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月23日
發(fā)明者黃福國 申請人:黃福國