專利名稱：晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，特別是涉及一種具有保護(hù)結(jié)構(gòu)，以避免在晶粒分離過程中發(fā)生半導(dǎo)體晶圓的的損壞。
背景技術(shù)：
集成電路(Integrated Circuits；ICs)是產(chǎn)生于圓形的半導(dǎo)體晶圓。經(jīng)過產(chǎn)品測試及電性測試后，晶圓藉由旋轉(zhuǎn)切割過程(rotary sawingoperation)被分離成眾多方形的集成電路芯片，亦稱為晶粒。此分離過程是以一些狹窄的刻線通道(scribe channel)來作準(zhǔn)備的。這些刻線通道因?yàn)殂@石切割的歷史亦被稱為刻線帶(scribe band)。此等條紋在切割過程中(sawing process)是可犧牲的，且可被當(dāng)作切口損失消耗掉。經(jīng)由切割過程所成功分離出來的晶粒會被被清潔并送去進(jìn)行市場所認(rèn)可的封裝制程。
在集成電路設(shè)計(jì)階段，刻線帶似乎是浪費(fèi)掉的空間。然而，在半導(dǎo)體晶圓上的此等空間具有其他的產(chǎn)品價值。例如，此等空間被利用來制作制程控制監(jiān)測器(process control monitors；PCMs)的架構(gòu)，使得許多半導(dǎo)體制造的復(fù)雜制程得以被監(jiān)控。任何一個與電性探針襯墊(electric probepads)相連接的制程控制監(jiān)測器，看起來就如同一PCM群組內(nèi)的一個PCM圖案。其在晶圓被切割成單一晶粒之前會被測試，且測試資料會被傳送回產(chǎn)品系統(tǒng)使得一項(xiàng)或多項(xiàng)產(chǎn)品制程在允許的規(guī)格范圍內(nèi)操作。此等資料亦藉由晶圓上晶粒的合理良率來判定晶圓合格與否。這些資料亦判定晶圓是否具有晶粒合理良率。晶圓上不良的晶粒會被標(biāo)記起來，以使得只有良好的晶粒會被送往封裝制程階段。
然而，切割過程是比較粗糙的制程，且因?yàn)榫Я＞驮诳叹€帶鄰近處，晶粒的損壞情形會在此時發(fā)生。損壞的情況舉例來說包括了晶粒邊緣上的剝落或是碎裂情形。損壞亦會包括延伸到晶粒邊緣的裂縫以及薄膜架構(gòu)的層間分離。
為了要克服上述的難題，封環(huán)架構(gòu)(seal ring structure)典型上被建構(gòu)，用以限制損壞過程延伸到晶粒的關(guān)鍵核心區(qū)域。此封環(huán)架構(gòu)典型的建構(gòu)在每個晶粒的周邊，且可保護(hù)晶粒的敏感地帶免于受到一項(xiàng)或多項(xiàng)上述的損壞。然而，隨著新材料應(yīng)用的興起，額外的困難浮現(xiàn)出來。例如，為了要減少集成電路膜面的金屬內(nèi)連線的速度限制電容(speed-limitingcapacitance)，低介電常數(shù)(low dielectric constant；low-K)的材料現(xiàn)在被普遍的使用。然而此材料與傳統(tǒng)的氧化介電材料有不同的力學(xué)性質(zhì)。因其有不同的硬度性質(zhì)，以及與集成電路其他層之間較弱的黏附能力，低介電常數(shù)材料在承受切割過程中所產(chǎn)生的應(yīng)力時，將易于產(chǎn)生集成電路層間的分離現(xiàn)象。這表示含有低介電常數(shù)材料的制程控制監(jiān)測器，更加容易使損壞情形進(jìn)入鄰近刻線帶的晶粒中。
所以，為避免在晶粒分割過程中造成晶粒的損壞，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的技藝上，增加額外保護(hù)結(jié)構(gòu)是必須的。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決半導(dǎo)體設(shè)計(jì)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓，所要解決的技術(shù)問題是使其用以在晶粒分離過程中防止損害發(fā)生，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種具有在晶粒分離過程中避免造成半導(dǎo)體晶圓損壞的保護(hù)結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體晶圓，其至少包括一或多個晶粒，每一該些晶粒有一邊界，圍繞在一集成電路，以將該些晶粒彼此分離；以及一或多個圖案單元，配置在鄰近于該晶粒邊界的位置，藉以監(jiān)測制造過程；以及一保護(hù)結(jié)構(gòu)，配置于該晶粒與該些圖案單元之間，以防止將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓上分離時對該晶粒產(chǎn)生的損壞。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)配置于一刻線帶上，該刻線帶是一切割路徑，用以將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓分離。
前述的半導(dǎo)體晶圓，更包括一額外保護(hù)結(jié)構(gòu)，該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)配置于該刻線帶，且鄰近該些圖案單元，且位于該保護(hù)結(jié)構(gòu)的對面。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)及該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)是由金屬或合金所制成。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的額外保護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上平行于該保護(hù)結(jié)構(gòu)。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或是該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)是一種直線形狀，并且實(shí)質(zhì)上平行于該晶粒的邊界。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一連續(xù)線。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一非連續(xù)線。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)與該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)被均勻的配置在刻線帶的一中心線的兩旁。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)包括至少一組的二平行線，并以至少一橋接單元，配置于該二平行線之間，用以連接該二平行線。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)是由金屬或合金所制成的。
前述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述的圖案單元是一制程控制監(jiān)測圖案，并且尺寸不大于50×70um。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以防止一晶粒因?yàn)樽砸话雽?dǎo)體分離所造成的損壞，該保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一或多個圖案單元，配置在一刻線帶，而該刻線帶是一切割路徑，用以將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓上分離出來；以及一或多個一第一群組的保護(hù)線，配置在該晶粒與該些圖案單元之間的該刻線帶上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，更包括一第二群組的一或多個保護(hù)線，鄰近于該些圖案單元，并且在相對于該第一群組的該些保護(hù)線的位置。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中所述的第一或該第二群組的該些保護(hù)線為連續(xù)線。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中所述的第一或該第二群組的該些保護(hù)線為非連續(xù)線。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中所述的第一群組的該些保護(hù)線實(shí)質(zhì)上與該第二群組的該些保護(hù)線平行。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中所述的第一群組的該些保護(hù)線與該第二群組的該些保護(hù)線被均勻地配置在該刻線帶的一中心線的兩旁。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中相鄰的該第一或該第二群組的該些保護(hù)線藉由配置于其間的至少一橋接單元相連接。
前述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中所述的該些圖案單元是制程控制監(jiān)測圖案，且該些制程控制監(jiān)測圖案尺寸不大于50×70um。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是有關(guān)于一種晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體晶圓包括一個或多個晶粒，每個晶粒具有一邊界圍繞在一集成電路，用以使各晶粒彼此分離。一或多個圖案單元，配置在鄰近晶粒的位置，藉此監(jiān)測制造過程。一種保護(hù)結(jié)構(gòu)則配置在晶粒和圖案單元之間，用以防止將晶粒自半導(dǎo)體晶圓分離的過程中，對晶粒造成損壞。如此，半導(dǎo)體晶圓能夠避免在一晶粒分離過程中造成損壞。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓，用以在晶粒分離過程中防止損害發(fā)生。本發(fā)明的還提供一種具有在晶粒分離過程中避免造成半導(dǎo)體晶圓損壞的保護(hù)結(jié)構(gòu)。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是繪示一習(xí)知的半導(dǎo)體晶圓的刻線帶的PCM圖案配置方式。
圖2是繪示依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體晶圓的刻線帶的保護(hù)結(jié)構(gòu)配置方式。
圖3A和圖3B是繪示依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種具有可選擇保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓的部分視圖。
圖4是繪示依照本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的一種具有一保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓的部分視圖。
100、200、300、400半導(dǎo)體晶圓102、104、106、108、201、203、205、207、306、408晶粒110、112、202、204、308、403刻線帶114、214、304、406圖案單元116、118、120、122晶粒邊緣206、208、210、212、302、310、312、402保護(hù)結(jié)構(gòu)404橋接單元
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請參照圖1所示，其繪示表示具有典型圖案單元114的一傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓100的部分視圖。圖案單元114可能是PCM圖案，藉以監(jiān)測在晶粒102、104、106、以及108中的集成電路的制造過程?？叹€帶110以及112在晶粒102、104、106以及108之間的垂直和水平地帶被定義出來，并由此形成交界地帶?？叹€帶是使旋轉(zhuǎn)鋸刀得以在其上移動的區(qū)域，藉此使晶粒彼此分離。在晶粒分離過程中，不同型式的損壞可能發(fā)生于晶粒上，此肇因于鋸刀對于半導(dǎo)體晶圓所施加的應(yīng)力。舉例來說，此種損壞包括剝落或碎裂情形在晶粒102的邊116，晶粒104的邊118和邊120，以及晶粒106的邊122等處發(fā)生。上述各邊上的損壞現(xiàn)象亦可能包括延伸到邊內(nèi)的裂痕，以及薄膜架構(gòu)的層間分離現(xiàn)象。當(dāng)鋸刀行經(jīng)圖案單元114時，此等損壞情形特別常發(fā)生。
因?yàn)椴糠謭D案單元114，如PCM圖案，在晶粒制造過程中是必須的，因此部分方法已被發(fā)展用于防止晶粒分離過程中肇因于此等圖案的損壞發(fā)生。例如，有一種傳統(tǒng)方法是使圖案單元114成為溝槽結(jié)構(gòu)用以減小刻線帶的金屬密度。另一種傳統(tǒng)方法是指定晶粒的角落為排除區(qū)而使得集成電路禁止在此區(qū)被架構(gòu)出來。如此即使碎屑及裂痕雖可能發(fā)生于晶粒角落，集成電路仍然不受影響。
經(jīng)由了解部署圖案單元在晶圓上刻線帶的必要性后，本發(fā)明揭露了一種具有保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以防止在晶粒分離過程中產(chǎn)生損壞的半導(dǎo)體晶圓。保護(hù)結(jié)構(gòu)被配置在一晶粒及其鄰近一刻線帶上的部分圖案單元之間。當(dāng)一鋸刀行經(jīng)刻線帶，保護(hù)結(jié)構(gòu)能幫助分散應(yīng)力以遠(yuǎn)離晶粒，因此防止了對晶粒的進(jìn)一步的損壞。
請參照圖2所示，其繪示表示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一半導(dǎo)體晶圓200的部分視圖。半導(dǎo)體晶圓200包括了晶粒201、203、205以及207，每一晶粒有一邊界圍繞在一集成電路周邊用以使晶粒彼此分離。例如，此邊界可以為一封環(huán)架構(gòu)，其自晶粒的四邊延伸并且將電子元件及導(dǎo)線包圍住。一第一刻線帶202水平地分離晶粒201、203及晶粒205、207，并且一第二刻線帶204垂直地分離了晶粒201、207及晶粒203、205。在一晶粒分割過程中，一鋸刀行經(jīng)第一及第二刻線帶202及204以分離晶粒201、203、205及207。
一或多個圖案單元214被配置在刻線帶202或204上兩個相鄰的晶粒之間。此等圖案單元可能是PCM圖案，用以監(jiān)測晶粒201、203、205及207的集成電路制造過程。在此一實(shí)施例中，此等圖案單元的尺寸大小不超過50×70um。保護(hù)結(jié)構(gòu)206、208、210或212被配置于晶粒201、203、205或207的邊界線與圖案單元214之間。保護(hù)結(jié)構(gòu)206、208、210、及212是一種線性形狀，如連續(xù)線或非連續(xù)線般的結(jié)構(gòu)。保護(hù)結(jié)構(gòu)206或210分別被配置在鄰近于圖案單元214并且在保護(hù)結(jié)構(gòu)208或212的對等位置。在晶粒分離過程中，成對的保護(hù)結(jié)構(gòu)206/208或210/212能幫助限制來自于鋸刀作用在刻線帶202或204產(chǎn)生的應(yīng)力。這防止了一種肇因于晶粒分離過程所產(chǎn)生的進(jìn)一步的裂痕進(jìn)入晶粒。
對每一列或每一行的圖案單元214，在相對位置的保護(hù)結(jié)構(gòu)被均勻的配置在離刻線帶202中心線一預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則所容許的最小距離上。此等相對位置的保護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上是被安排成平行狀態(tài)的。保護(hù)結(jié)構(gòu)206、208、210及212可能是由一層或多層的金屬或是合金所制成的?？赡苓x用的金屬或合金包含了但不限于，鎢、鋁、鋁銅合金、銅、鈦、二硅化鈦、鈷、二硅化鈷、鎳、二硅化鎳、氮化鈦、鈦鎢合金、或氮化鉭。
請參照圖3A所示，其繪示表示一半導(dǎo)體晶圓300的部分視圖，其具有一可選擇的保護(hù)結(jié)構(gòu)302，配置在一或多個圖案單元304和一晶粒306之間的一刻線帶308上。保護(hù)結(jié)構(gòu)302相似于上述圖2的實(shí)施例所揭示的保護(hù)結(jié)構(gòu)206或210。為了避免反復(fù)的描述，只有保護(hù)結(jié)構(gòu)302的關(guān)鍵特征會在下一段中被強(qiáng)調(diào)。
保護(hù)結(jié)構(gòu)302包括超過一條金屬線，用以防止將晶粒306自一半導(dǎo)體晶圓分離過程中所產(chǎn)生對晶粒306的損壞。此等金屬線可能是連續(xù)線或非連續(xù)線。此等金屬線的數(shù)量亦可以變更。例如，圖3A中的保護(hù)結(jié)構(gòu)302包括兩條金屬線，圖3B中的保護(hù)結(jié)構(gòu)310包括三條金屬線。一額外保護(hù)結(jié)構(gòu)312被配置在鄰近圖案單元304，且在保護(hù)結(jié)構(gòu)302的對面位置。此額外保護(hù)結(jié)構(gòu)312可以與該保護(hù)結(jié)構(gòu)302擁有相同數(shù)量的金屬線亦可以不是，此取決于設(shè)計(jì)上的選擇。
請參照圖4所示，其繪示表示依照本發(fā)明的另一實(shí)施例，一半導(dǎo)體晶圓400的部分視圖，其在一刻線帶403之上具有一保護(hù)結(jié)構(gòu)402。保護(hù)結(jié)構(gòu)402相似于前述實(shí)施例圖2中所揭示的保護(hù)結(jié)構(gòu)206或210。為了避免重復(fù)，只有保護(hù)結(jié)構(gòu)402的關(guān)鍵特征會在下一段中被強(qiáng)調(diào)。
保護(hù)結(jié)構(gòu)402包括至少兩條金屬線，以至少一橋接單元404連接。保護(hù)結(jié)構(gòu)402可以被配置在圖案單元406的兩邊。保護(hù)結(jié)構(gòu)402能幫助防止在將一晶粒408自半導(dǎo)體晶圓400分離出來的過程中所產(chǎn)生對晶粒408的損壞。
就其本身而論，本發(fā)明的優(yōu)勢在于容易建構(gòu)，且低制造成本。保護(hù)結(jié)構(gòu)可以選擇性地建構(gòu)成非連續(xù)線，連續(xù)線，也因此在晶粒分離過程中對應(yīng)力分布提供不同的影響。如此，所建議的具有保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓可以有效地防止在晶粒分離過程中對晶粒的損壞。
以上的說明提供了本發(fā)明許多不同的實(shí)施例或提供不同特征的實(shí)施例。部分元件和制程的特定實(shí)施例已被描述用以幫助厘清本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實(shí)施例且并非用以限定本發(fā)明。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其至少包括一或多個晶粒，每一該些晶粒有一邊界，圍繞在一集成電路，以將該些晶粒彼此分離；以及一或多個圖案單元，配置在鄰近于該晶粒邊界的位置，藉以監(jiān)測制造過程；以及一保護(hù)結(jié)構(gòu)，配置于該晶粒與該些圖案單元之間，以防止將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓上分離時對該晶粒產(chǎn)生的損壞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)配置于一刻線帶上，該刻線帶是一切割路徑，用以將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于更包括一額外保護(hù)結(jié)構(gòu)，該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)配置于該刻線帶，且鄰近該些圖案單元，且位于該保護(hù)結(jié)構(gòu)的對面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)及該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)是由金屬或合金所制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的額外保護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上平行于該保護(hù)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或是該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)是一種直線形狀，并且實(shí)質(zhì)上平行于該晶粒的邊界。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一連續(xù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一非連續(xù)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)與該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)被均勻的配置在刻線帶的一中心線的兩旁。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)或該額外保護(hù)結(jié)構(gòu)包括至少一組的二平行線，并以至少一橋接單元，配置于該二平行線之間，用以連接該二平行線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)是由金屬或合金所制成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于其中所述的圖案單元是一制程控制監(jiān)測圖案，并且尺寸不大于50×70um。
13.一種保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以防止一晶粒因?yàn)樽砸话雽?dǎo)體分離所造成的損壞，其特征在于該保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括一或多個圖案單元，配置在一刻線帶，而該刻線帶是一切割路徑，用以將該晶粒自該半導(dǎo)體晶圓上分離出來；以及一或多個一第一群組的保護(hù)線，配置在該晶粒與該些圖案單元之間的該刻線帶上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一第二群組的一或多個保護(hù)線，鄰近于該些圖案單元，并且在相對于該第一群組的該些保護(hù)線的位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一或該第二群組的該些保護(hù)線為連續(xù)線。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一或該第二群組的該些保護(hù)線為非連續(xù)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一群組的該些保護(hù)線實(shí)質(zhì)上與該第二群組的該些保護(hù)線平行。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一群組的該些保護(hù)線與該第二群組的該些保護(hù)線被均勻地配置在該刻線帶的一中心線的兩旁。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中相鄰的該第一或該第二群組的該些保護(hù)線藉由配置于其間的至少一橋接單元相連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些圖案單元是制程控制監(jiān)測圖案，且該些制程控制監(jiān)測圖案尺寸不大于50×70um。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種晶粒分離過程中避免損壞的半導(dǎo)體晶圓保護(hù)結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體晶圓包括一個或多個晶粒，每個晶粒具有一邊界圍繞在一集成電路，用以使各晶粒彼此分離。一或多個圖案單元，配置在鄰近晶粒的位置，藉此監(jiān)測制造過程。一種保護(hù)結(jié)構(gòu)則配置在晶粒和圖案單元之間，用以防止將晶粒自半導(dǎo)體晶圓分離的過程中，對晶粒造成損壞。如此，半導(dǎo)體晶圓能夠避免在一晶粒分離過程中造成損壞。
文檔編號H01L21/77GK1790709SQ200510077459
公開日2006年6月21日 申請日期2005年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者陳憲偉, 蔡豪益, 許仕勛, 樓百堯 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司