專利名稱：具有先斷后通檢測電路的驅(qū)動器封裝件及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動器的先斷后通檢測。
背景技術(shù)：
驅(qū)動器可用于驅(qū)動一個(gè)或多個(gè)開關(guān)達(dá)到各種導(dǎo)電狀態(tài)。驅(qū)動器被用于驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)，該DC/DC轉(zhuǎn)換器將一個(gè)DC電壓輸入轉(zhuǎn)為一個(gè)DC電壓輸出以響應(yīng)來自驅(qū)動器的驅(qū)動信號。一類DC/DC轉(zhuǎn)換器具有一對開關(guān)，如一個(gè)高側(cè)開關(guān)和一個(gè)低側(cè)開關(guān)，其排列成半橋結(jié)構(gòu)響應(yīng)來自驅(qū)動器的驅(qū)動信號從而選擇性的閉合和斷開以控制DC輸出電壓。該情況下，若高側(cè)和低側(cè)開關(guān)同時(shí)閉合則會發(fā)生短路故障。
為避免該短路故障，驅(qū)動器可具有先斷后通(BBM)控制電路從而確保其中一個(gè)開關(guān)在另一個(gè)開關(guān)閉合前斷開。這些開關(guān)可以采用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)來實(shí)現(xiàn)。BBM控制電路檢測外部MOSFET的柵極端與源極端之間的電壓并且將其與一個(gè)BBM門限電壓值作比較從而判斷MOSFET的狀態(tài)。若柵極到源極電壓值低于BBM門限電壓值，則MOSFET被判定為斷開。
然而，現(xiàn)有的驅(qū)動器為驅(qū)動MOSFET檢測外部MOSFET柵極電壓值，在集成電路的結(jié)合區(qū)與驅(qū)動器封裝件的一個(gè)封裝管腳之間采用同一接合線。因此，當(dāng)通過該接合線輸送大驅(qū)動電流時(shí)，會產(chǎn)生一個(gè)大的壓降。由于大驅(qū)動電流造成的壓降降低了檢測的電壓信號，這就相應(yīng)降低了檢測功能的可靠性。
例如，當(dāng)該驅(qū)動器驅(qū)動外部MOSFET斷開時(shí)，沿該單個(gè)接合線提供的驅(qū)動電流信號會造成大的壓降。該大的壓降就會干擾檢測信號，使得檢測信號小到當(dāng)外部MOSFET實(shí)際為閉合時(shí)卻顯示為斷開，這就會導(dǎo)致驅(qū)動器驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)開關(guān)同時(shí)閉合，進(jìn)而造成高側(cè)和低側(cè)開關(guān)之間出現(xiàn)短路。為避免發(fā)生該情況，現(xiàn)有技術(shù)中將一個(gè)額外延時(shí)增加到BBM序列中，但該額外延時(shí)導(dǎo)致高側(cè)和低側(cè)開關(guān)的驅(qū)動不是最理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種驅(qū)動器封裝件，該驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)IC，該IC包括能夠閉合相關(guān)開關(guān)的上拉電路以及能夠斷開相關(guān)開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與驅(qū)動器封裝件的一個(gè)封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑，以及一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與該封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑，相關(guān)開關(guān)連接到該封裝管腳。
本發(fā)明還提供了一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器，該DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供控制信號的控制器、一個(gè)開關(guān)以及具有連接到開關(guān)的封裝管腳的驅(qū)動器封裝件。驅(qū)動器封裝件接收該控制信號并且給開關(guān)提供一個(gè)驅(qū)動信號。驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)集成電路(IC)，該IC包括閉合所述開關(guān)的上拉電路和斷開所述開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑和一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括一個(gè)接收輸入功率信號并提供輸出功率信號的DC/DC轉(zhuǎn)換器，該DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供控制信號的控制器、一個(gè)開關(guān)以及具有連接到開關(guān)的封裝管腳的驅(qū)動器封裝件。驅(qū)動器封裝件接收該控制信號并且給開關(guān)提供一個(gè)驅(qū)動信號。驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)IC，該IC包括閉合開關(guān)的上拉電路和斷開開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑和一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
本發(fā)明還提供了一種檢測方法，該方法包括在第一時(shí)間間隔期間通過第一導(dǎo)電路徑采樣代表DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)狀態(tài)的檢測信號以判斷開關(guān)狀態(tài)；在第一時(shí)間間隔期間通過第二導(dǎo)電路徑提供一個(gè)驅(qū)動信號以驅(qū)動開關(guān)。
有利的是，當(dāng)驅(qū)動一個(gè)相關(guān)開關(guān)時(shí)，這些實(shí)施例的驅(qū)動器封裝件提供一個(gè)不受接合線上壓降影響的可靠檢測信號。該檢測信號提供給BBM控制電路，使得BBM控制電路將BBM間隔延時(shí)最小化，開關(guān)損耗降到最低。


本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將在以下詳細(xì)描述并結(jié)合圖示的說明中更為明顯，其中相同數(shù)字表示相同元件，并且其中圖1所示為一個(gè)實(shí)施例的具有一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器和一個(gè)驅(qū)動器封裝件的一個(gè)電子設(shè)備的示意框圖。
圖2所示為圖1的DC/DC轉(zhuǎn)換器的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖3所示為圖2的驅(qū)動器封裝件提供的驅(qū)動信號的時(shí)序圖。
圖4所示為圖1和圖2的驅(qū)動器封裝件的一個(gè)實(shí)施例的示意框圖。
圖5所示為圖1和圖2的驅(qū)動器封裝件的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
雖然以下詳述將針對示范性實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，許多經(jīng)替代、修改、變化的實(shí)施方式也是顯而易見的。因此，本發(fā)明內(nèi)容應(yīng)被廣泛理解。
具體實(shí)施例方式
圖1示意了本發(fā)明具有DC/DC轉(zhuǎn)換器102的電子設(shè)備100，DC/DC轉(zhuǎn)換器102有一個(gè)驅(qū)動器封裝件132，電子設(shè)備100可以是任何種類的電子設(shè)備，包括服務(wù)器計(jì)算機(jī)、臺式計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、蜂窩式電話及個(gè)人數(shù)字助理等，當(dāng)然并不局限于此。電子設(shè)備100可以從任何種類的電源接收能量，例如DC電源104。DC電源104可以是任何種類的電源，例如AC/DC適配器。
DC/DC轉(zhuǎn)換器102從DC電源104接收一個(gè)輸入電壓Vin并將輸出電壓Vout提供給負(fù)載108。DC/DC轉(zhuǎn)換器102包括一個(gè)控制器130、本發(fā)明的驅(qū)動器封裝件132及執(zhí)行輸入DC電壓Vin到輸出DC電壓Vout轉(zhuǎn)化任務(wù)的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)136。負(fù)載108可以是任何種類的包括一個(gè)處理器的負(fù)載。負(fù)載108也可以是電池充電應(yīng)用中的一個(gè)可再充電電池，可再充電電池包括任何種類的可再充電電池，如鋰離子電池，鎳鎘電池，鎳氫電池等。
圖2示意了圖1中DC/DC轉(zhuǎn)換器102的一個(gè)實(shí)施例DC/DC轉(zhuǎn)換器102a。通常，DC/DC轉(zhuǎn)換器102a接收一個(gè)輸入DC電壓Vin，并且提供一個(gè)期望的輸出DC電壓Vout。DC/DC轉(zhuǎn)換器102a包括一個(gè)控制器130a、一個(gè)驅(qū)動器封裝件132a、一對排列成半橋結(jié)構(gòu)的開關(guān)S1和S2以及一個(gè)低通濾波器208。低通濾波器208包括電感L和電容C?？刂破?30a給驅(qū)動器封裝件132a提供一個(gè)控制信號(如一個(gè)PWM信號)以響應(yīng)任何輸入信號。作為響應(yīng)，驅(qū)動器封裝件132a將HDR和LDR信號分別提供給開關(guān)S1和S2，從而選擇性的驅(qū)動開關(guān)S1和S2閉合和斷開，由此控制流經(jīng)電感L的電感電流以及DC/DC轉(zhuǎn)換器102a的輸出電壓Vout。開關(guān)S1在此作為高側(cè)開關(guān)，因?yàn)楫?dāng)閉合開關(guān)S1，就把節(jié)點(diǎn)218接到輸入電壓Vin；開關(guān)S2在此作為低側(cè)開關(guān)，因?yàn)楫?dāng)閉合開關(guān)S2，就把節(jié)點(diǎn)218接地。驅(qū)動器封裝件132a還包括先斷后通(BBM)控制電路161，確保開關(guān)S1或S2的其中的一個(gè)開關(guān)在另一個(gè)閉合之前斷開。
圖3示意了HDR和LDR信號的時(shí)序圖，HDR和LDR信號由驅(qū)動器封裝件132a提供給開關(guān)S1和S2。驅(qū)動器封裝件132a提供的HDR驅(qū)動信號與來自控制器130a的PWM輸入信號一致，提供的LDR驅(qū)動信號與HDR信號反相，例如，當(dāng)信號HDR為低時(shí)信號LDR為高，反之亦然。為響應(yīng)PWM信號的數(shù)字1，驅(qū)動器封裝件132a提供一個(gè)數(shù)字1的HDR信號以驅(qū)動高側(cè)開關(guān)S1閉合，并提供一個(gè)數(shù)字0的LDR信號以驅(qū)動低側(cè)開關(guān)S2斷開。開關(guān)的該狀態(tài)在此稱為“開關(guān)閉合”狀態(tài)，該狀態(tài)下，電感L連接到輸入電壓源Vin。在降壓型轉(zhuǎn)換器中，輸入電壓需高于輸出電壓，在開關(guān)閉合狀態(tài)下電感L的電壓就為正電壓。因此，電感電流開始增加。
若來自控制器130a的PWM信號為數(shù)字0，驅(qū)動器封裝件132a提供一個(gè)數(shù)字0的HDR信號以驅(qū)動高側(cè)開關(guān)S1斷開，并提供一個(gè)數(shù)字1的LDR信號以驅(qū)動低側(cè)開關(guān)S2閉合。開關(guān)的該狀態(tài)在此稱為“開關(guān)斷開”狀態(tài)。在降壓型轉(zhuǎn)換器中，在開關(guān)斷開狀態(tài)下電感L的電壓就為負(fù)電壓。因此，在開關(guān)斷開狀態(tài)下電感電流開始減小。因此，PWM信號的脈寬決定了開關(guān)閉合狀態(tài)的時(shí)間以及開關(guān)斷開狀態(tài)的時(shí)間。若開關(guān)S1和S2無意間同時(shí)閉合就會出現(xiàn)短路故障。為避免發(fā)生該情況，BBM控制電路161會搞清開關(guān)狀況以確保一個(gè)開關(guān)(S1和S2)在另一個(gè)開關(guān)閉合之前斷開。當(dāng)該BBM控制電路執(zhí)行該功能時(shí)，經(jīng)過BBM間隔延時(shí)Δt，BBM間隔延時(shí)最小化是有利的。
圖4示意了驅(qū)動器封裝件132b的一個(gè)實(shí)施例，驅(qū)動器封裝件132b與圖1和圖2的驅(qū)動器封裝件一致，用于幫助最小化BBM間隔延時(shí)Δt。簡明起見，驅(qū)動器封裝件132b示意為僅驅(qū)動一個(gè)開關(guān)406，并有一個(gè)連接到開關(guān)406控制電極的封裝管腳402。開關(guān)406可以是圖2實(shí)施例的S1或S2。開關(guān)406可以是任何種類的晶體管，在一個(gè)實(shí)施例中可以是一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，如圖所示，開關(guān)406的柵極連接到封裝管腳402，源極連接到另一個(gè)封裝管腳404。
驅(qū)動器封裝件132b包括具有多個(gè)集成電路結(jié)合區(qū)452、454和456的集成電路(IC)。在此采用的“集成電路”或IC是指半導(dǎo)體設(shè)備和/或微電子設(shè)備，如半導(dǎo)體集成電路芯片。半導(dǎo)體設(shè)備的材料可以是硅，則IC結(jié)合區(qū)452、454和456位于硅邊界。
IC 450包括分別沿路徑462和464給上拉電路470和下拉電路472提供控制信號的預(yù)驅(qū)動電路460。在此采用的“電路”包括例如單獨(dú)使用的硬連線電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路、和/或存儲可編程電路執(zhí)行指令的固件，或者任何這些電路的結(jié)合使用。預(yù)驅(qū)動電路460還包括先斷后通(BBM)控制電路461。BBM控制電路461響應(yīng)一個(gè)檢測電壓信號，如MOSFET406柵極與源極間的電壓VGS，從而判斷MOSFET的狀態(tài)。BBM控制電路461將該VGS電壓值與一個(gè)門限電壓值相比較。若VGS電壓值低于門限電壓值，BBM控制電路461判定MOSFET為斷開。若VGS電壓值高于門限電壓值，BBM控制電路461判定MOSFET為閉合。
上拉電路470包括響應(yīng)來自預(yù)驅(qū)動電路460的控制信號從而閉合開關(guān)406的各種電路，如晶體管。下拉電路472包括響應(yīng)來自預(yù)驅(qū)動電路460的控制信號從而斷開開關(guān)406的各種電路，如晶體管。
驅(qū)動器封裝件132b有多個(gè)導(dǎo)電路徑，如各類導(dǎo)電材料(如鋁、銅，金等)制成的接合線，導(dǎo)電路徑將IC450的結(jié)合區(qū)452、454和456連接到封裝件132b的封裝管腳402、404。有利的是，兩個(gè)結(jié)合區(qū)452和454以及兩個(gè)相關(guān)接合線420和422都連接到封裝管腳402。因此，第一導(dǎo)電路徑420將結(jié)合區(qū)452連接到封裝管腳402，第二導(dǎo)電路徑422將結(jié)合區(qū)454連接到封裝管腳402。這樣，第二導(dǎo)電路徑422上的發(fā)生任何情況，例如大的壓降，都不會影響第一導(dǎo)電路徑420。
為協(xié)助BBM序列，可以測量電壓以提供開關(guān)406的狀態(tài)指示。當(dāng)開關(guān)406為MOSFET時(shí)，MOSFET的柵極與源極間的電壓值VGS在封裝管腳402被測量，提供該指示給BBM控制電路461。在一個(gè)時(shí)間間隔期間，利用導(dǎo)電路徑420給BBM控制電路461提供一個(gè)檢測信號。由于第二導(dǎo)電路徑422上的任何不利情況(如壓降)并不會影響路徑420，因此電壓測量(如VGS)就是可信的。可信的檢測信號使得BBM控制電路461產(chǎn)生的BBM延時(shí)最小化。
例如，在一個(gè)時(shí)間間隔期間，當(dāng)開關(guān)406閉合時(shí)，下拉電路472通過導(dǎo)電路徑422提供一個(gè)大驅(qū)動電流以斷開開關(guān)406。導(dǎo)電路徑422上就會造成大的壓降，但并不影響路徑420上的壓降。
圖5示意了驅(qū)動器封裝件132c的另一個(gè)實(shí)施例。驅(qū)動器封裝件132c包括一個(gè)IC550，IC550的邊界處有IC結(jié)合區(qū)552、554和556。為簡明起見，驅(qū)動器封裝件132c示意為僅驅(qū)動一個(gè)開關(guān)506，并且有一個(gè)連接到開關(guān)506的控制電極的封裝管腳502。開關(guān)506可以是圖2實(shí)施例中的開關(guān)S1或S2。開關(guān)506可以是任何類型的晶體管，在本實(shí)施例中是柵極連接到封裝管腳502以及源極連接到另一個(gè)封裝管腳504的一個(gè)MOSFET。
IC 550包括上拉電路570和下拉電路572。上拉電路570包括晶體管Q1，下拉電路572包括晶體管Q2，晶體管Q1和Q2可以是任何類型的晶體管并且其各自的控制電極共同連接到節(jié)點(diǎn)518。在本實(shí)施例中，晶體管Q1是一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(PMOS)，晶體管Q2是一個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOS)?？梢允褂肞MOS晶體管Q1閉合開關(guān)506，使用NMOS晶體管Q2斷開開關(guān)506。
第一接合線520將IC結(jié)合區(qū)552連接到封裝管腳502，IC結(jié)合區(qū)552還連接到PMOS晶體管Q1的漏極。第二接合線522將另一個(gè)IC結(jié)合區(qū)554連接到同一封裝管腳502。IC結(jié)合區(qū)554還連接到NMOS晶體管Q2的漏極。再有一個(gè)接合線524將IC結(jié)合區(qū)556連接到封裝管腳504。封裝管腳504可以連接到晶體管506的源極。有利的是，兩個(gè)接合線520和522都連接到封裝管腳502，這樣第二接合線522上的任何情況，如大的壓降，都不會影響第一接合線520。
為協(xié)助BBM序列，可以測量電壓以便提供開關(guān)506的狀態(tài)指示。當(dāng)開關(guān)506為MOSFET時(shí)，MOSFET的柵極與源極間的電壓值VGS通過封裝管腳502和504被測量。BBM控制電路將該電壓值與一個(gè)BBM門限值相比較，若電壓值低于BBM門限值，BBM電路判定相關(guān)MOSFET為斷開。在一個(gè)時(shí)間間隔期間，利用接合線520和524給晶體管Q1的漏極和晶體管Q2的源極提供一個(gè)檢測信號(VGS’)。由于第二接合線522上的任何不利情況(如壓降)都不會影響接合線520和524，因此電壓測量如VGS’近似等于VGS?？尚诺臋z測信號VGS’使得BBM延時(shí)最小化。
例如，在一個(gè)時(shí)間間隔期間，當(dāng)開關(guān)506閉合時(shí)，晶體管Q2通過接合線522提供一個(gè)大驅(qū)動電流以斷開開關(guān)506。接合線522上就會造成大的壓降，但并不影響接合線520上的壓降。因此，在該時(shí)間間隔期間，VGS’近似等于VGS。
總之，本發(fā)明提供了一種驅(qū)動器封裝件，該驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)IC，該IC包括能夠閉合相關(guān)開關(guān)的上拉電路以及能夠斷開相關(guān)開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與驅(qū)動器封裝件的一個(gè)封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑，以及一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與該封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑，相關(guān)開關(guān)連接到該封裝管腳。
本發(fā)明還提供了一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器，該DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供控制信號的控制器、一個(gè)開關(guān)以及具有連接到開關(guān)的封裝管腳的驅(qū)動器封裝件。驅(qū)動器封裝件接收該控制信號并且給開關(guān)提供一個(gè)驅(qū)動信號。驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)集成電路(IC)，該IC包括閉合所述開關(guān)的上拉電路和斷開所述開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑和一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括一個(gè)接收輸入功率信號并提供輸出功率信號的DC/DC轉(zhuǎn)換器，該DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供控制信號的控制器、一個(gè)開關(guān)以及具有連接到開關(guān)的封裝管腳的驅(qū)動器封裝件。驅(qū)動器封裝件接收該控制信號并且給開關(guān)提供一個(gè)驅(qū)動信號。驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)IC，該IC包括閉合開關(guān)的上拉電路和斷開開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到IC的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到IC的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑和一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
本發(fā)明還提供了一種檢測方法，該檢測方法包括在第一時(shí)間間隔期間通過第一導(dǎo)電路徑采樣代表DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)狀態(tài)的檢測信號以判斷開關(guān)狀態(tài)；在第一時(shí)間間隔期間通過第二導(dǎo)電路徑提供一個(gè)驅(qū)動信號以驅(qū)動開關(guān)。
有利的是，當(dāng)驅(qū)動一個(gè)相關(guān)開關(guān)時(shí)，這些實(shí)施例的驅(qū)動器封裝件提供一個(gè)不受接合線(如接合線422)上壓降影響的可靠檢測信號。該檢測信號提供給BBM控制電路，使得BBM控制電路將BBM間隔延時(shí)最小化，開關(guān)損耗降到最低。
這里采用的術(shù)語和表述方式只是用于描述，并不應(yīng)局限于這些術(shù)語和表述。使用這些術(shù)語和表述并不意味著排除任何示意和描述(或其中部分)的等效特征，應(yīng)認(rèn)識到可能存在的各種修改也應(yīng)包含在權(quán)利要求范圍內(nèi)。其他修改、變化和替換也可能存在。相應(yīng)的，權(quán)利要求應(yīng)視為覆蓋所有這些等效物。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動器封裝件，其特征是所述驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)集成電路，包括閉合一個(gè)相關(guān)開關(guān)的上拉電路和斷開所述相關(guān)開關(guān)的下拉電路，所述上拉電路連接到所述集成電路的第一結(jié)合區(qū)，所述下拉電路連接到所述集成電路的第二結(jié)合區(qū)；一個(gè)連接在所述第一結(jié)合區(qū)與所述驅(qū)動器封裝件的一個(gè)封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑，所述相關(guān)開關(guān)連接到所述封裝管腳；和一個(gè)連接在所述第二結(jié)合區(qū)與所述封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動器封裝件，其特征是所述集成電路進(jìn)一步包括先斷后通控制電路，所述第一導(dǎo)電路徑將來自所述封裝管腳并代表所述相關(guān)開關(guān)在第一時(shí)間間隔期間狀態(tài)的檢測信號提供給所述先斷后通控制電路，其中所述第二導(dǎo)電路徑在所述第一時(shí)間間隔將來自所述下拉電路的一個(gè)驅(qū)動信號提供給所述封裝管腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器封裝件，其特征是由所述檢測信號引起的第一導(dǎo)電路徑上的壓降低于由所述驅(qū)動信號引起的第二導(dǎo)電路徑上的壓降，所述第一導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第一接合線并且所述第二導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第二接合線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動器封裝件，其特征是所述上拉電路包括一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述下拉電路包括一個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
5.一種DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征是所述DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供一個(gè)控制信號的控制器；一個(gè)開關(guān)；和具有連接到所述開關(guān)的一個(gè)封裝管腳的驅(qū)動器封裝件，所述驅(qū)動器封裝件接收所述控制信號并且將一個(gè)驅(qū)動信號提供給所述開關(guān)，所述驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)包括閉合所述開關(guān)的上拉電路和斷開所述開關(guān)的下拉電路的集成電路，所述上拉電路連接到所述集成電路的第一結(jié)合區(qū)，所述下拉電路連接到所述集成電路的第二結(jié)合區(qū)；一個(gè)連接在所述第一結(jié)合區(qū)與所述封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑；和一個(gè)連接在所述第二結(jié)合區(qū)與所述封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征是所述集成電路進(jìn)一步包括先斷后通控制電路，所述第一導(dǎo)電路徑將來自所述封裝管腳并代表所述相關(guān)開關(guān)在第一時(shí)間間隔期間狀態(tài)的檢測信號提供給所述先斷后通控制電路，其中所述第二導(dǎo)電路徑在所述第一時(shí)間間隔將來自所述下拉電路的一個(gè)驅(qū)動信號提供給所述封裝管腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征是由所述檢測信號引起的第一導(dǎo)電路徑上的壓降低于由所述驅(qū)動信號引起的第二導(dǎo)電路徑上的壓降，所述第一導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第一接合線并且所述第二導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第二接合線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征是所述上拉電路包括一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述下拉電路包括一個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
9.一種電子設(shè)備，其特征是該電子設(shè)備包括一個(gè)接收一個(gè)輸入功率信號并且提供一個(gè)輸出功率信號的DC/DC轉(zhuǎn)換器，所述DC/DC轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)提供一個(gè)控制信號的控制器；一個(gè)開關(guān)；和具有連接到所述開關(guān)的一個(gè)封裝管腳的驅(qū)動器封裝件，所述驅(qū)動器封裝件接收所述控制信號并且將一個(gè)驅(qū)動信號提供給所述開關(guān)，所述驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)包括閉合所述開關(guān)的上拉電路和斷開所述開關(guān)的下拉電路的集成電路，所述上拉電路連接到所述集成電路的第一結(jié)合區(qū)，所述下拉電路連接到所述集成電路的第二結(jié)合區(qū)；一個(gè)連接在所述第一結(jié)合區(qū)與所述封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑；和一個(gè)連接在所述第二結(jié)合區(qū)與所述封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其特征是所述集成電路進(jìn)一步包括先斷后通控制電路，所述第一導(dǎo)電路徑將來自所述封裝管腳并代表所述相關(guān)開關(guān)在第一時(shí)間間隔期間狀態(tài)的檢測信號提供給所述先斷后通控制電路，其中所述第二導(dǎo)電路徑在所述第一時(shí)間間隔將來自所述下拉電路的一個(gè)驅(qū)動信號提供給所述封裝管腳。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征是由所述檢測信號引起的第一導(dǎo)電路徑上的壓降低于由所述驅(qū)動信號引起的第二導(dǎo)電路徑上的壓降，所述第一導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第一接合線并且所述第二導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第二接合線。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其特征是所述上拉電路包括一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述下拉電路包括一個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
13.一種檢測方法，其特征是所述檢測方法包括在第一時(shí)間間隔期間通過第一導(dǎo)電路徑采樣代表DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)狀態(tài)的檢測信號以判斷開關(guān)狀態(tài)；在所述第一時(shí)間間隔期間通過第二導(dǎo)電路徑提供一個(gè)驅(qū)動信號以驅(qū)動所述開關(guān)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測方法，其特征是所述第一導(dǎo)電路徑將集成電路的第一結(jié)合區(qū)連接到驅(qū)動器封裝件的封裝管腳，其中所述第二導(dǎo)電路徑將所述集成電路的第二結(jié)合區(qū)連接到所述封裝管腳。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的檢測方法，其特征是由所述檢測信號引起的第一導(dǎo)電路徑上的壓降低于由所述驅(qū)動信號引起的第二導(dǎo)電路徑上的壓降，所述第一導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第一接合線并且所述第二導(dǎo)電路徑包括一個(gè)第二接合線。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測方法，其特征是所述驅(qū)動信號能夠切換連接到所述封裝管腳的開關(guān)的狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測方法，其特征是所述檢測信號提供給先斷后通控制電路。
全文摘要
本發(fā)明的驅(qū)動器封裝件包括一個(gè)集成電路，該集成電路包括閉合一個(gè)相關(guān)開關(guān)的上拉電路和斷開該相關(guān)開關(guān)的下拉電路。上拉電路連接到集成電路的第一結(jié)合區(qū)，下拉電路連接到集成電路的第二結(jié)合區(qū)。驅(qū)動器封裝件還包括一個(gè)連接在第一結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第一導(dǎo)電路徑，封裝管腳連接到相關(guān)開關(guān)，以及一個(gè)連接在第二結(jié)合區(qū)與封裝管腳之間的第二導(dǎo)電路徑。第一導(dǎo)電路徑還將一個(gè)代表相關(guān)開關(guān)狀態(tài)的檢測信號提供給先斷后通控制電路以幫助最小化先斷后通間隔延時(shí)。
文檔編號H01L27/00GK1719705SQ20051008447
公開日2006年1月11日 申請日期2005年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月7日
發(fā)明者拉茲洛·利普賽依, 肖邦-米哈依·龐貝斯庫 申請人:美國凹凸微系有限公司