專利名稱：表面安裝晶體單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于采用J引線端子的振蕩器的表面安裝基底，并涉及一種采用該表面安裝基底的晶體振蕩器(在下文中，其被稱為“表面安裝晶體單元”)，并且更具體地涉及一種與一組基片極好地兼容的表面安裝晶體單元，其中該表面安裝晶體單元被安裝在這組基片上。
背景技術(shù)：
由于表面安裝晶體單元尺寸小并且重量輕，因而其被特別地用于便攜電子設(shè)備內(nèi)部。晶體元件通常被安裝在表面安裝基底上并被密封。最近，提出了一種考慮到與安裝著表面安裝晶體單元的一組基片的兼容性的表面安裝基底(見日本未審公開專利公布第2003-297453號)。
圖5是解釋傳統(tǒng)示例的示意圖，其中圖5A是傳統(tǒng)表面安裝晶體單元的垂直截面圖，而圖5B是該晶體元件的俯視圖。
如圖5A所示，表面安裝晶體單元被構(gòu)造成這樣，以便晶體元件2被安裝在表面安裝基底1上并被蓋3覆蓋和密封。表面安裝基底1包括一個(gè)絕緣基底4、引線端子5以及一個(gè)封接玻璃(sealing glass)6。絕緣基底4例如由氧化鋁陶瓷制造，并且在其相對的兩端上具有一對通孔7。在這對通孔7中，隨著引線端子5通過該通孔，封接玻璃6被嵌入到通孔7和引線端子5之間的間隙中，以形成通常所說的氣密端子。
每一個(gè)引線端子5由金屬例如Cu制造，并具有如圖5所示的曲柄形狀的橫截面，并包括一個(gè)固定部分5a、一個(gè)直通部分5b以及一個(gè)安裝端子部分5c。如圖所示，固定部分5a和安裝端子部分5c被形成為在直通部分5b的上側(cè)和下側(cè)在水平方向上反向彎曲。封接玻璃6由固態(tài)的玻璃粉制造，并被倒入到通孔對7中，并被熔化與絕緣基底4和引線端子5形成一個(gè)整體。
此外，晶體元件2例如是圖5B所示的AT-cut晶體。它的主要表面具有激勵(lì)電極8，擴(kuò)充電極9從激勵(lì)電極的兩端開始延伸。此外，晶體元件2的兩個(gè)端部通過導(dǎo)電性膠粘劑(未示出)被固定到引線端子5的固定部分5a，其中擴(kuò)充電極9是從晶體元件的這兩個(gè)端部開始延伸的。蓋3是由絕緣材料例如陶瓷制造，并如圖5A所示，通過玻璃封接等被粘結(jié)到表面安裝基底1的一個(gè)主要表面上(絕緣基底4)的邊緣。
在如圖5A所示的這樣的傳統(tǒng)的表面安裝晶體單元中，引線端子5的安裝端子部分5c通過焊接等方式被粘結(jié)到一組基片(未示出)的電路端子部分上。在這個(gè)例子中，由于安裝端子部分5c是由金屬制成并且具有彈性，其吸收表面安裝基底(陶瓷)1和基片組(例如玻璃環(huán)氧基片)之間的膨脹系數(shù)任何差異。因此，當(dāng)表面安裝晶體單元被使用時(shí)，由周期性加熱等引起的施加在它們(表面安裝基底和基片組)之間的粘結(jié)部分的外部沖量被減小，并且防止了在焊料中可能產(chǎn)生的例如裂紋和缺口。因此，表面安裝基底1和基片組之間的兼容性變得非常好。
然后，在這樣的傳統(tǒng)表面安裝晶體單元的表面安裝基底1中，引線端子5首先被插入到通孔7中并利用一個(gè)夾具夾緊，并且粉狀玻璃被倒入倒通孔7中并被熔化以與它們結(jié)合成一整體。然而，存在這樣一個(gè)問題，引線端子5的直通部分5b在通孔7的中空部分中很松散，并且它們的位置變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致制造上的困難。
考慮到這個(gè)問題，設(shè)計(jì)出了圖6所示的表面安裝基底。在此，圖6A是另一個(gè)傳統(tǒng)表面安裝晶體單元的垂直截面圖，而圖6B是沿著圖6A的A-A線的橫截面圖(局部放大)。
在這個(gè)傳統(tǒng)的示例中，作為表面安裝基底的絕緣基底4包括一個(gè)具有單通孔7的環(huán)形殼體壁4a。此外，一對引線端子5由Cu制成，并且被構(gòu)造成使得折疊部分5d的被加入固定部分5a、直通部分5b和安裝端子部分5c上。形成在直通部分5b上的突出部10以及折疊部分5d的肘形部分與絕緣基底4(殼體壁4a)的外側(cè)和內(nèi)側(cè)彈性地接觸。在此，引線端子5被稱為J引線端子，其夾住殼體壁4a(絕緣基底4)(對于關(guān)于J引線端子的信息參考圖15，并且它的說明在http//www.lodestonepacific.com/techlib/tmappnotel.html)。
換言之，J引線端子5穿過封接玻璃6并夾住環(huán)形殼體壁4a(絕緣基底4)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)，并具有用于將晶體元件2放置在封接玻璃6的上表面6a上的固定部分5a，封接玻璃6的上表面6a是絕緣基底4的一個(gè)主要表面。此外，J引線端子5由直通部分5b來形成，直通部分5b被插入到封接玻璃6中，并從封接玻璃6的下表面6b凸出，安裝端子部分(末端部分)5c從環(huán)形殼體壁4d的內(nèi)側(cè)開始延伸，經(jīng)過末端表面到達(dá)環(huán)形殼體壁4a的外側(cè)，并且彎曲成凹形和折疊部分5d。J引線端子5被焊接到絕緣基底4上。
在此，在J引線端子5的直通部分5b的中心區(qū)域上提供一個(gè)隙縫12，并且形成第一和第二分支直通部分5b1和5b2。此外，第一和第二分支直通部分5b1和5b2分別具有與殼體壁4a(基底4)內(nèi)側(cè)接觸的突出部10。在利用了J引線端子5的情況中，固態(tài)玻璃粉被倒入到單孔7中，并且加熱封接玻璃6以便將它們結(jié)合在一起，其中在此情況中J引線端子5被形成凹形，并彈性地夾到絕緣基底4，并且末端部分(安裝端子5c)是平的彎曲部分，抵壓著環(huán)形殼體壁4a(基底4)的末端表面4b。
在這種情況中，由于J引線端子5彈性地夾住絕緣基底4的內(nèi)側(cè)和外側(cè)，因而可以在無需夾具的情況下防止J引線端子5從絕緣基底4上脫離或移動(dòng)。此外，由于在J引線端子5的直通部分5b上提供了突出部10，因而在絕緣基底4(環(huán)形殼體壁4a)的內(nèi)側(cè)和J引線端子5之間產(chǎn)生一個(gè)間隙。另外，J引線端子5的直通部分5b由第一和第二直通部分5b1和5b2構(gòu)成，并在第一和第二直通部分5b1和5b2之間提供一個(gè)縫隙12。因此，在通孔7中，熔融態(tài)玻璃很容易從中心縫隙12和從直通部分5b的兩側(cè)進(jìn)入殼體壁4a的內(nèi)側(cè)的間隙中。因此，表面安裝基底的制造變得更容易。
此外，由于形成在這個(gè)絕緣基底4a中的通孔7是單孔，因此可以往其內(nèi)倒入大量玻璃粉。因此，在熔化的時(shí)候，熔融態(tài)玻璃將很容易就進(jìn)入絕緣基底4和引線端子5之間的間隙，因而可以實(shí)現(xiàn)使得制造更加簡單的效果。當(dāng)絕緣基底4的尺寸很小和要被填入的玻璃粉的數(shù)量很小的時(shí)候，這個(gè)效果變得更好。
然而，在這個(gè)另一傳統(tǒng)示例的表面安裝晶體單元中，雖然J引線端子5的末端部分5c與環(huán)形殼體壁4a(基底4)的端面接觸，但實(shí)際上在它們之間產(chǎn)生了一個(gè)極微小的間隙c，如圖7所示。因此，當(dāng)玻璃粉被熔化時(shí)，熔融態(tài)的玻璃通過毛細(xì)現(xiàn)象從環(huán)形殼體壁4a(圖7中P所示的區(qū)域)的內(nèi)表面進(jìn)入基底4的下表面4b下面的間隙中，如圖7的局部放大垂直截面圖所示的那樣，因此，殼體壁4a的下表面和安裝端子部分(末端部分)5c被形成一整體。因此，存在這樣一個(gè)問題，環(huán)形殼體壁4a和末端表面(下表面)之間的安裝端子部分(末端部分)5的自由運(yùn)動(dòng)表面被減小(彈性減小了)，并且在安裝端子部分被安裝到基片組上時(shí)的吸收變形(壓力)的能力下降。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種兼容性增強(qiáng)的表面安裝基底，其能在將表面安裝晶體單元安裝到一組基片上時(shí)防止變形，以及提供一種采用這種表面安裝基底的高度可靠的表面安裝晶體單元。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種用于振蕩器的表面安裝基底，表面安裝基底具有一個(gè)絕緣基底，其包括一個(gè)具有一個(gè)單通孔的殼體壁；封接玻璃，其被填入到通孔內(nèi)并在該絕緣基底的一個(gè)主表面上形成一個(gè)空隙部分；以及一個(gè)J引線端子，其穿過該封接玻璃并夾住該殼體壁的內(nèi)表面和外表面，并且其具有一個(gè)用于該封接玻璃的上表面的晶體元件的固定部分，該上表面是該絕緣玻璃的一個(gè)主表面，并且該引線端子具有一個(gè)彎成凹形、從該封接玻璃的下表面凸出并從該殼體壁的內(nèi)側(cè)經(jīng)過一個(gè)末端表面向外側(cè)延伸的末端部分，其中，該末端部分被焊接到該絕緣基底上，由于一個(gè)晶體單元表面安裝基底具有來自該封接玻璃的下表面的J引線端子，并被構(gòu)造成使得該J引線端子的基礎(chǔ)部分從該封接玻璃的下表面凸出，并且該末端部分的內(nèi)表面與該封接玻璃的下表面相隔至少J引線端子的厚度或者更多。
根據(jù)這樣一個(gè)結(jié)構(gòu)，該J引線端子的基礎(chǔ)部分從該封接玻璃的下表面突出，并且該封接玻璃下表面至該J引線端子的末端部分的距離可以制造得很長。因此，即使是在熔融態(tài)玻璃進(jìn)入該J引線端子的基礎(chǔ)部分(該直通部分的一部分)和該基底的殼體壁之間的情況中，該熔融態(tài)玻璃在該基礎(chǔ)部分的中途停止，并且不進(jìn)入該J引線端子的末端部分和該基底的殼體壁的末端表面之間。另外，不予該熔融態(tài)玻璃(封接玻璃)接觸的部分出現(xiàn)在該末端部分和該J引線端子的基礎(chǔ)部分，并且該基礎(chǔ)部分的非接觸部分特別地作為一個(gè)相對于外部施加的壓力自由地移動(dòng)的壓力吸收部分。
根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，甚至在該J引線端子的末端部分(末端表面)通過焊接被固定到該絕緣基底時(shí)，由于該絕緣基底和該基片組的膨脹系數(shù)不同而在它們之間產(chǎn)生變形被這些壓力吸收部分吸收。因此，該表面安裝晶體單元相對于該基片組的兼容性可以被增強(qiáng)。由于從該封接玻璃下表面凸出的該J引線端子的基礎(chǔ)部分變得更長，因此，該非接觸部分的區(qū)域變得更大并且該壓力吸收部分的功能也提高了。
該J引線端子的末端表面通過焊接直接被固定到該絕緣基底上。此外，通過慢慢地逼近該基礎(chǔ)部分的外表面上的焊料而抑制了該基礎(chǔ)部分的外表面上的自由移動(dòng)。然而，由于該末端部分和基礎(chǔ)部分的內(nèi)表面既不與焊料也不與該封接玻璃接觸，因此它們充分地作為自由移動(dòng)的壓力吸收部分。
在本發(fā)明的表面安裝晶體單元中，該基底的殼體壁的末端表面從該封接玻璃的下表面凸出。此外，在該殼體壁的末端表面上提供一個(gè)凸出的部分，并且該凸出部分從該封接玻璃的下表面凸出。代替地，該殼體壁的末端表面和該J引線端子的末端部分被分開。根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，由于從該封接玻璃的下表面凸出的該J引線端子的末端部分和基礎(chǔ)部分既不與該封接玻璃也不與該焊料接觸，因而它們充分地作為自由移動(dòng)的壓力吸收部分。
此外，在本發(fā)明中，形成在該絕緣基底中的通孔的數(shù)量僅為一個(gè)。因此，可以填入大量的玻璃粉，并且該殼體壁內(nèi)側(cè)和該引線端子之間的入口變得極佳。另外，位于該絕緣基底的一個(gè)主表面上的殼體壁具有一個(gè)空隙部分，該空隙部分將位于該封接玻璃上的晶體元件固定住。因此，該晶體元件受到了保護(hù)，并且防止了在制造期間與外部設(shè)備的接觸。
此外，在本發(fā)明的表面安裝晶體單元中，晶體振蕩器被構(gòu)造成使得該晶體元件的固定部分固定該晶體元件的邊緣部分，其中該晶體元件具有自己的擴(kuò)充電極，所述擴(kuò)充電極從一個(gè)激勵(lì)電極延伸出來，并且一個(gè)蓋被放置在用于晶體振蕩器的該表面安裝基底上以便對該晶體元件進(jìn)行氣密。因此，該絕緣基底對該基片組的兼容性可以被做得極佳，并且可以獲得高度可靠的晶體振蕩器。


圖1是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第一實(shí)施例的示意圖，其中圖1A是其垂直截面圖，圖1B是其局部放大垂直截面圖，圖1C是其俯視圖，而圖1D是本發(fā)明的表面安裝晶體單元的J引線端子的透視圖。
圖2是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第二實(shí)施例的示意圖，其中圖2A是其垂直截面圖，而圖2B是其局部放大的垂直截面圖。
圖3是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第三實(shí)施例的示意圖，其中圖3A是其垂直截面圖，而圖3B是其局部放大垂直截面圖。
圖4是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的絕緣基底的另一實(shí)施例的俯視圖。
圖5是用于解釋傳統(tǒng)表面安裝晶體單元的示意圖，其中圖5A是其垂直截面圖，而圖5B是在其使用晶體元件的俯視圖。
圖6是用于解釋另一個(gè)傳統(tǒng)示例的表面安裝晶體單元的示意圖，其中圖6A是其垂直截面圖，而圖6B是表面安裝基底沿圖6A的A-A線的局部放大橫截面圖。
圖7是用于解釋上述另一個(gè)傳統(tǒng)示例的問題的表面安裝基底的局部放大垂直截面圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1圖1是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第一實(shí)施例的示意圖，其中圖1A是表面安裝晶體單元的垂直截面圖，圖1B是表面安裝晶體單元局部放大垂直截面圖，圖1C是去除蓋后表面安裝晶體單元的俯視圖，而圖1D是本發(fā)明的表面安裝晶體單元的J引線端子的透視圖。
在本發(fā)明的表面安裝晶體單元中，如圖1A所示，晶體元件2被安裝在表面安裝基底1上，并且用蓋3覆蓋并氣密。表面安裝基底1包括一個(gè)由陶瓷等制成的絕緣基底4、封接玻璃6以及J引線端子5(關(guān)于J引線端子的詳細(xì)說明參見說明書的“背景技術(shù)”部分)。絕緣基底4是由具有單通孔7的環(huán)形殼體壁4a構(gòu)成。封接玻璃6的高比絕緣基底4的低，如圖1A所示，并在封接玻璃6的一個(gè)主表面上提供一個(gè)容納晶體元件2的空隙部分4c。
J引線端子5是由Cu制成的，并具有一個(gè)U形部分，如圖1A、1B和1D所示，并包括一個(gè)固定部分5a、一個(gè)直通部分5b(如圖1D所示，這可以是一個(gè)分支直通部分5b1和5b2)、一個(gè)安裝端子部分5c和一個(gè)折疊部分5d。J引線端子5具有在封接玻璃6的上表面6a上的用于晶體元件2的固定部分5a，該上表面是由環(huán)形殼體壁4a組成的絕緣基底4的一個(gè)主表面。此外，J引線端子5的直通部分5b從封接玻璃6的下表面凸出，并從絕緣基底4的環(huán)形殼體壁4a的內(nèi)側(cè)開始延伸，經(jīng)過環(huán)形殼體壁4a的末端表面到達(dá)殼體壁4a的外側(cè)，彎曲成凹形以便形成安裝端子部分5c。這個(gè)端子部分5c被焊接到絕緣基底4上。此外，肘形折疊部分5d從安裝端子部分(末端部分)5c開始向上延伸。并且，例如兩個(gè)面對著環(huán)形殼體壁4a的內(nèi)側(cè)的凸出部10被形成在引線端子5的直通部分5b上，如圖1D所示，并且與環(huán)形殼體壁4a的內(nèi)側(cè)彈性接觸。
另外，在此，J引線端子5的基礎(chǔ)部分(直通部分5b的一部分)從封接玻璃6的下表面凸出，以便末端部分5c的內(nèi)表面與封接玻璃6的下表面6b間隔一段距離。在這個(gè)實(shí)施例中，J引線端子5在其上延伸的殼體壁4a的末端表面從封接玻璃6的下表面6c向下凸出。
在此，如圖1B所示，J引線端子5的末端部分5c的內(nèi)表面和封接玻璃6之間的距離至少等于或大于J引線端子5的厚度。例如，在此J引線端子5的厚度是0.1mm，并且距離d是0.5mm。此外，對其進(jìn)行設(shè)計(jì)，以便絕緣基底(環(huán)形殼體壁4a)4的俯視尺寸是5.0×3.2mm，并且高是1.8mm(不包括J引線端子5的厚度)，封接玻璃6的俯視尺寸是3.8×2.0mm，并且從絕緣基底4的底端至晶體元件2的一個(gè)主表面(上表面)的高是1.3mm。
根據(jù)這一個(gè)結(jié)構(gòu)，如圖1A和1B所示，封接玻璃6的下表面6b至凹形末端部分5c的內(nèi)表面的距離d可以在J引線端子5的基礎(chǔ)部分上做得更長，其中該基礎(chǔ)部分從封接玻璃6的下表面凸出。因此，已經(jīng)進(jìn)入J引線端子5的基礎(chǔ)部分和環(huán)形殼體壁4a的內(nèi)表面之間的熔融態(tài)玻璃在如圖1B所示的J引線端子5的基礎(chǔ)部分(從封接玻璃的下表面凸出的直通部分5b)中途停止。因此，熔融態(tài)玻璃不進(jìn)入J引線端子5的末端部分5c的內(nèi)表面和環(huán)形殼體壁4a的末端表面4b之間。因此，在J引線端子5的末端部分5c上以及在其基礎(chǔ)部分上存在一個(gè)不與熔融態(tài)玻璃(封接玻璃6)接觸的部分，并且J引線端子5作為相對于封接玻璃6自由移動(dòng)的一個(gè)壓力吸收部分。特別地，由于J引線端子5的基礎(chǔ)部分在垂直方向上延伸，其作為壓力吸收部分的功能被提高。
當(dāng)本發(fā)明的這樣一個(gè)表面安裝晶體單元被安裝到預(yù)定基片組上時(shí)，焊料直接粘附到J引線端子5的末端部分5c上，特別是粘附到其安裝端子部分表面上。此外，從下表面慢慢向上延伸的焊料粘附至基礎(chǔ)部分的外表面(直通部分5b的一部分)。另一方面，控制基礎(chǔ)部分內(nèi)表面和J引線端子末端部分的焊料的流入，并且J引線端子既不與封接玻璃6也不與焊料接觸。因此，由于膨脹系數(shù)不同而在表面安裝晶體單元和基片組之間產(chǎn)生的變形被這些壓力吸收部分有效地吸收。此外，從封接玻璃6的下表面6b凸出的J引線端子5的基礎(chǔ)部分變得更長，非接觸區(qū)域變得更大，并且壓力吸收部分的功能提高了。另外，由于J引線端子是由Cu制成，它由于具有撓性(彈性)而足以作為壓力吸收部分。
由于焊料具有比封接玻璃6更大的撓性，在J引線端子5的末端部分5c和基礎(chǔ)部分的外表面被焊料形成為一整體的情況中與在通過加熱的方式利用封接玻璃6將基礎(chǔ)部分的內(nèi)表面與末端部分5c形成一個(gè)整體的情況相比，壓力吸收部分的功能更充足。然而，如上所述，當(dāng)J引線端子5的基礎(chǔ)部分上的非接觸區(qū)域更大時(shí)，與利用封接玻璃6或焊料相比，壓力吸收器的功能提高了。
此外，在這個(gè)實(shí)施例中，通過使得由環(huán)形殼體壁4a組成的絕緣基底4的高大于封接玻璃6的高，在它們之間形成空隙部分4c，并在空隙部分中容納晶體元件2。因此，晶體元件2被環(huán)形殼體比4a圍繞，并不會(huì)從絕緣基底4的一個(gè)主表面暴露出來。因此，由于在表面安裝晶體單元的制造過程中，晶體元件2不與夾具或設(shè)備等等接觸，這可以防止對晶體元件2的破壞。
實(shí)施例2圖2是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第二實(shí)施例的示意圖，其中圖2A是表面安裝晶體單元的垂直截面圖，而圖2B是表面安裝晶體單元的局部放大的垂直截面圖。
在圖2A和2B所示第二實(shí)施例中，也如第一實(shí)施例一樣，J引線端子5的基礎(chǔ)部分(直通部分5b的部分)從封接玻璃6的下表面6b凸出，并且凹形末端部分(安裝端子部分5c)的內(nèi)表面與封接玻璃6的下表面6b間隔一段距離。在該實(shí)施例中，在絕緣基底4的環(huán)形殼體壁4a的相對的末端表面上對稱地提供凸?fàn)畹耐钩霾糠?1。從封接玻璃6的下表面凸出部分11的高d至少等于或大于J引線端子的厚度。因此，J引線端子5的基礎(chǔ)部分從封接玻璃6的下表面6b凸出，并且它的凹形末端部分(安裝端子部分5c)從內(nèi)部表面開始延伸，經(jīng)過凸出部分11的末端表面延伸至外部表面。
根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu)，通過提供在環(huán)形殼體壁4a的末端表面上的凸出部分11，在J引線端子5的基礎(chǔ)部分和絕緣基底4之間形成圖2B所示的小空間部分S1和S2。因此，即使在J引線端子5被彈性地夾在環(huán)形殼體壁4a的內(nèi)側(cè)和外側(cè)、并且末端部分5c被殼體壁4a的末端表面壓著的、并且玻璃粉被密封并加熱的情況中，由于小空間部分S1和S2的存在，不發(fā)生毛細(xì)現(xiàn)象，并且熔融態(tài)玻璃沒有進(jìn)一步進(jìn)入J引線端子的末端部分5c。
因此，如同上述第一實(shí)施例那樣，通過封接玻璃可以避免J引線端子5的基礎(chǔ)部分和末端部分5c以及環(huán)形殼體壁4a的結(jié)合(整體化)，并且可以獲得一個(gè)具有更大自由移動(dòng)平面的壓力吸收部分，其中該自由移動(dòng)平面是由非接觸部分得到的。因此，由于J引線端子的固有撓性(彈性)，基片組和表面安裝晶體單元之間的變形可以被吸收，其中J引線端子是由Cu制成，并且其與基片組的兼容性可以很好地保持。
此外，在這個(gè)第二實(shí)施例中，由于凸出部分11對稱地提供在環(huán)形殼體壁4a的上和下表面上，因此末端表面的任一個(gè)都可以用作主表面而不論它的方向如何。因此，表面安裝晶體單元的制造可以被簡化。
實(shí)施例3圖3是用于解釋本發(fā)明的表面安裝晶體單元的第三實(shí)施例的示意圖，其中圖3A是表面安裝晶體單元的垂直截面圖，而圖3B是表面安裝晶體單元的局部放大垂直截面圖。
在第三實(shí)施例中，也和第一實(shí)施例以及第二實(shí)施例一樣，J引線端子5的基礎(chǔ)部分(直通部分5b的部分)從封接玻璃6的下表面6b凸出，并且末端部分(安裝端子部分5c)的內(nèi)表面與封接玻璃6的下表面6b間隔一段距離。在第三實(shí)施例中，環(huán)形殼體壁4a的末端表面與J引線端子5的末端部分的內(nèi)表面彼此相隔J引線端子的厚度t或更多，其中該末端表面是J引線端子5的凸出面。特別地，J引線端子5的凹形末端部分5c被設(shè)置成使得其與環(huán)形殼體壁4a的末端表面4b隔開。然而，環(huán)形殼體壁4a的末端表面4b和封接玻璃6的下表面6b在此被設(shè)置在基本相同的平面上。
根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu)，J引線端子5的基礎(chǔ)部分從環(huán)形殼體壁4a的末端表面4b上凸出，并且從封接玻璃6的被設(shè)置在與末端表面4b相同的平面上的下表面6b上凸出，并且J引線端子5的末端部分5c與環(huán)形殼體壁4a的末端表面4b隔開。因此，即使在J引線端子5被彈性地夾在環(huán)形殼體壁4a上、并且玻璃粉被密封在空間內(nèi)并被加熱的情況中，也不發(fā)生毛細(xì)現(xiàn)象，并且熔融態(tài)玻璃沒有進(jìn)入J引線端子5的基礎(chǔ)部分和末端部分5c。
因此，如上述的第一實(shí)施例和第二實(shí)施例一樣，通過封接玻璃6可以避免J引線端子5的基礎(chǔ)部分和末端部分5c以及環(huán)形殼體壁4a的結(jié)合(整體化)可以避免，并且可以通過J引線端子的非接觸部分獲得壓力吸收部分。因此，由于J引線端子5的撓性(彈性)，基片組和表面安裝晶體單元之間的變形可以被吸收，并且與基片組的兼容性可以很好地保持。
另一個(gè)實(shí)施例在上述實(shí)施例中，絕緣基底4是由環(huán)形殼體壁4a組成的，并且單通孔7也被形成。然而，例如，如圖4的俯視圖所示的，可以在絕緣基底4的中心部分上提供一個(gè)橋接部分(橫梁)12，以便增加絕緣基底的強(qiáng)度。
此外，絕緣基底4的一個(gè)主表面被制造得比封接玻璃6的上表面6a高。然而，它可以設(shè)置在相同的平面上，如傳統(tǒng)示例所示。此外，在圖6B所示的傳統(tǒng)示例中之一中，通過具有一個(gè)單裂縫，J引線端子5的直通部分5b被制成第一和第二分支直通部分5b1和5b2。然而，可以通過多個(gè)裂縫等形成多個(gè)分支的直通部分。簡言之，熔融態(tài)玻璃僅需要易于進(jìn)入直通部分5b。另外，由于提供在直通部分5b上的凸出部10的高度有充足的熔融態(tài)玻璃流動(dòng)并進(jìn)入的情況中，可以不需要裂縫。若需要，這些配置可以被適當(dāng)?shù)剡x擇。
此外，凸出部10被提供在引線端子5的直通部分5b上，并且折疊部分5d為肘形。然而，兩個(gè)都可以制成凸出的形狀或肘形。簡言之，這個(gè)結(jié)構(gòu)僅需要能夠彈性地夾住環(huán)形殼體壁4a的兩個(gè)表面。另外，單通孔7被形成在絕緣基底4中。但是，可以提供一對通孔7a和7b，以便形成一個(gè)氣密端子。但是，當(dāng)表面安裝基底的尺寸較小時(shí)，單通孔7更有效。
權(quán)利要求
1.一種用于振蕩器的表面安裝基底，表面安裝基底具有一個(gè)絕緣基底，該絕緣基底包括一個(gè)具有通孔的殼體壁；封接玻璃，該封接玻璃被填充到所述通孔內(nèi)，并在所述絕緣基底的一個(gè)主表面上形成空隙部分；以及引線端子，該引線端子穿過所述封接玻璃并夾住所述殼體壁的內(nèi)表面和外表面，并且該引線端子具有位于所述封接玻璃的上表面上的用于晶體元件的固定部分，其中所述上表面是所述絕緣基底的一個(gè)主表面，并且該引線端子具有一個(gè)彎成凹形的、從所述封接玻璃的下表面凸出并從所述殼體壁的內(nèi)側(cè)向外側(cè)延伸經(jīng)過末端表面的末端部分，并且其中所述末端部分被焊接到所述絕緣基底；其中，所述引線端子的基礎(chǔ)部分從所述封接玻璃的下表面凸出，并且所述引線端子的所述末端部分的內(nèi)表面以所述引線端子的厚度或者更多與所述封接玻璃的下表面隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中所述殼體壁的下端面凸出到所述封接玻璃的下表面之下。
3.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中在所述殼體壁的上和下末端表面上提供凸出部分，并且下末端表面上的所述凸出部分凸出到所述封接玻璃的下表面之下。
4.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中所述殼體壁的下末端表面與所述引線端子的末端部分的內(nèi)表面隔開一個(gè)預(yù)定的尺寸。
5.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中所述通孔只有一個(gè)。
6.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中位于所述絕緣基底的一個(gè)主表面上的所述殼體壁比所述封接玻璃的上表面高，并且所述殼體壁具有在所述殼體壁內(nèi)側(cè)上容納晶體元件的空隙部分。
7.如權(quán)利要求1所述的用于晶體振蕩器的表面安裝基底，其中所述引線端子是一個(gè)J引線端子。
8.一種晶體振蕩器，其中，在如權(quán)利要求1所述的用于一個(gè)晶體振蕩器的表面安裝基底中，所述晶體元件的固定部分固定所述晶體元件的邊緣部分，所述晶體元件具有自己的擴(kuò)充電極，所述擴(kuò)充電極從激勵(lì)電極開始延伸；并且在用于晶體振蕩器的所述表面安裝基底上放置一個(gè)蓋以便對所述晶體元件進(jìn)行氣密。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于一個(gè)振蕩器的表面安裝基底，其具有一個(gè)絕緣基底，該基底包括一個(gè)具有一個(gè)通孔的殼體壁；一個(gè)封接玻璃，該封接玻璃被填充到通孔內(nèi)，并在絕緣基底的一個(gè)主表面上形成一個(gè)空隙部分；以及一個(gè)J引線端子，該引線端子穿過封接玻璃并夾住殼體壁的一個(gè)內(nèi)表面和一個(gè)外表面，并且該引線端子具有一個(gè)用于一個(gè)位于封接玻璃的上表面上的晶體元件的固定部分，其中上表面是絕緣基底的一個(gè)主表面，并且該引線端子具有一個(gè)彎成凹形的、從封接玻璃的下表面凸出并從殼體壁的內(nèi)側(cè)向外側(cè)延伸經(jīng)過一個(gè)末端表面的末端部分，并且其中末端部分被焊接到絕緣基底。此外，J引線端子的基礎(chǔ)部分從封接玻璃的下表面凸出，并且末端部分的內(nèi)表面與封接玻璃的下表面隔開至少引線端子的厚度或者更多。因此，提供了一種表面安裝基底和一種采用這種表面安裝基底的高度可靠的晶體振蕩器，其中在該表面安裝基底中絕緣基底和基片組的變形被解除，并且兼容性被很好地保持。
文檔編號H01L41/02GK1734934SQ200510088818
公開日2006年2月15日 申請日期2005年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月30日
發(fā)明者砂場進(jìn), 山本直幸 申請人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社